December 13, 2016 格芯在高级14nm FinFET工艺技术演示行业领先的56Gbps长距离SerDes2016年12月13日 经过验证的ASIC IP解决方案将为下一代高速应用提供显着的性能和功率效率 加利福尼亚州圣克拉拉市， 2016年12月13日 格芯今天宣布，公司的14nm FinFET制程在硅片上表现出真正的长距离56Gbps SerDes性能。作为格芯高性能ASIC产品的一部分，FX-14™的56Gbps SerDes专门设计用以满足要求最苛刻的长距离高性能应用，更能帮助客户改进性能并提高效率表现。 格芯的56Gbps […] Read Press Release
2016年12月13日 GlobalFoundries在先进的14纳米FinFET工艺技术上展示了业界领先的56Gbps长距离SerDes经过验证的ASIC IP解决方案将为下一代高速应用带来显著的性能和功率效率提升 加州圣克拉拉市，12月[...] 。 阅读新闻稿
October 24, 2016 Aquantia宣布针对超大规模数据中心与云计算环境的突破性100G技术2016年10月24日 格芯合作延展铜互联技术至100G带宽，降低高性能数据中心的网络连接成本 新闻提要 · 借助格芯在行业内最高性能的56Gbit/s SerDes，Aquantia最新的QuantumStream™技术为世界展现了第一个单线100Gbit/s直连方案。 · QuantumStream™来自Aquantia专利验证的内互连接结构性创新，提供超低延迟的性能，对下一代超大规模结构尤为重要。 · Aquantia和格芯合作推出高达800Gbit/s的以太网直连线路连接。 · 合作包括将QuantumStream™的 IP授权于格芯使用，扩大产品生态系统，维持云计算的革命。 […] Read Press Release
2016年10月24日 Aquantia宣布为超大规模数据中心和云计算环境提供突破性的100G技术与GLOBALFOUNDRIES合作，将铜缆互连扩展到100G带宽，降低了高性能数据中心的连接成本 新闻要点 [...］ 阅读新闻稿
September 29, 2016 INVECAS将在GLOBALFOUNDRIES FDX™技术上为明天的智能系统启用ASIC设计2016年9月29日 INVECAS与GLOBALFOUNDRIES合作，在22FDX®和12FDX™技术上提供IP和端到端ASIC设计服务 加利福尼亚州圣克拉拉市 2006年9月29日 INVECAS Inc.和格芯今天宣布，INVECAS将提供IP和端到端ASIC设计服务。此服务将作为晶圆厂的FDXcelerator™ 合作伙伴计划的一部分，该计划旨在促进22FDX SoC设计来实现未来的智能系统。该合作加速了FDX技术在物联网（IoT），移动，射频连接和网络市场的应用中的应用。 INVECAS将与格芯的技术团队密切合作，针对公司的22FDX制程来开发和验证一系列IP。此外，INVECAS将提供全面的ASIC设计服务，帮助客户在SoC设计上拥有强烈的信心和超低的风险。 […] Read Press Release
2016年9月29日 英威达在GlobalFoundries FDX™技术上为未来的智能系统提供ASIC设计方案英威达将与GlobalFoundries合作，为22FDX®和12FDX™技术提供IP和端到端的ASIC设计服务 圣克拉拉，[...] 。 阅读新闻稿
September 28, 2016 INVECAS和格芯宣布推出用于高性能计算，网络和高端移动应用的高级14nm FinFET设计IP库2016年9月28日 来自INVECAS的硅经验证和优化的IP现在可用于格芯 14LPP工艺的代工客户 加利福尼亚州圣克拉拉市 2016年9月28日 — 领先的IP，ASIC和嵌入式软件解决方案供应商INVECAS Inc和格在芯今天一起宣布为格芯14nm FinFET技术提供基础IP。来自INVECAS的经硅芯片验证的IP针对高性能“全时”应用（如高端智能手机，网络，服务器和图形处理器）的性能，功耗和面积要求进行了优化。该应用定制库使客户能够快速开发高性能和高能效的系统。 […] Read Press Release
2016年9月28日 英威达和GLOBALFOUNDRIES宣布为高性能计算、网络和高端移动应用提供先进的14nm FinFET设计IP库来自英威达的经过硅验证和优化的IP现在可供代工客户在GLOBALFOUNDRIES 14LPP工艺上使用 加州圣克拉拉，9月[...] 。 阅读新闻稿
September 15, 2016 格芯将提供行业领先高性能产品—7纳米FinFET技术公司为追求终极处理能力的产品拓展了它领先的规划路线图 加州 圣克拉拉，2016年9月15日 — 格芯今天宣布了为下一个时代的计算机应用提供具有终极性能的领先的7纳米FinFET半导体技术的计划。此技术可以为数据中心、网络、顶级移动处理器、深度机器学习应用提供更高的运算处理能力。 对比与现今16/14nm代工厂FinFET产品，格芯的全新7纳米FinFET预期将提供两倍的逻辑密度和30%的性能增长。平台基于工业标准FinFET晶体管结构和光学刻印技术，配备在关键层次的EUV匹配能力。此方案将通过大量重复利用公司14纳米FinFET技术的制程和工具来进行加速生产。14纳米FinFET技术现于纽约州萨拉托加的8号晶圆厂以投入大批量生产。格芯计划额外投入数十亿美元在8号晶圆厂以实施7纳米FinFET生产。 […] Read Press Release
September 15, 2016 格芯在22FDX®平台启动嵌入式MRAM高性能嵌入式非易失性内存方案，是物联网汽车自动化领域新兴应用的完美选择 加州圣克拉拉，2016年9月15日—格芯今天介绍了可进化的嵌入式磁阻性非易失性内存技术（eMRAM），基于22FDX®平台，提供比现在的NVM产品快1000倍的写入速度和高1000倍的耐用性。在维持企业领先的eMRAM存储单元大小的同时，22FDX®具备了可以在260°C（在工业级别的可操作温度）回流焊接下维持数据的能力。 格芯的eMRAM将在22FDX®平台发布，应用了业内第一个22纳米耗尽时绝缘体上硅（FD-SOI）技术。具备多样性的eMRAM技术是为了代码储存（闪存）和工作内存（SRAM）设计，启用了超高效内存子系统，该子系统可在没有能量和性能损失的情况下多次重复启动。FDX™ 和 eMRAM的低功耗和有效的射频连接性IP，使22 FDX™成为电池供电的物联网产品与汽车自动化MCU的理想平台。 “客户正在寻求高效非易失性内存方案，以增加自己产品的能力，”格芯CMOS平台业务部高级副总裁Gregg […] Read Press Release
