2018年2月27日 共同开发的技术解决方案使物联网和可穿戴产品的功率和芯片尺寸大幅降低 加州圣克拉拉，2018年2月27日 -GLOBALFOUNDRIES和eVaderis今天宣布，他们正在22纳米FD-SOI（22FDX®）平台上使用GF的嵌入式磁阻非易失性存储器（eMRAM）技术共同开发一个超低功耗的微控制器（MCU）参考设计。通过将GF的22FDX eMRAM的卓越可靠性和多功能性与eVaderis的超低功耗IP结合起来，两家公司将提供一种技术解决方案，支持一系列广泛的应用，如电池供电的物联网产品、消费和工业微控制器以及汽车控制器。 eVaderis设计的MCU利用了22FDX平台的高效电源管理功能，与上一代MCU相比，实现了10倍以上的电池寿命和大幅缩小的芯片尺寸。该技术是通过GF的FDXcelerator™合作伙伴计划开发的，将帮助设计者把性能密度和灵活性推到新的水平，为电源敏感的应用实现更紧凑、更经济的单芯片解决方案。 "eVaderis总裁兼首席执行官Jean-Pascal Bost表示："eVaderis的超低功耗MCU IP的创新架构是围绕GF的22FDX eMRAM技术设计的，非常适用于正常情况下的物联网应用。"利用GF的eMRAM作为工作存储器，eVaderis MCU的各个部分可以频繁地进行电源循环，而不会产生典型的MCU性能损失。eVaderis期待着在今年年底前向我们的客户提供这个经过硅验证的IP。" "可穿戴设备和物联网设备需要持久的电池寿命、更强的处理能力以及先进传感器的集成，"GF嵌入式存储器副总裁Dave Eggleston说。"作为FDXcelerator的合作伙伴，eVaderis正在开发GF的22FDX中带有eMRAM的优化MCU架构，帮助客户满足苛刻的要求。" 与GF的22FDX with eMRAM联合开发的参考设计将于2018年第四季度推出。带eMRAM的22FDX和射频解决方案的工艺设计套件现在已经推出。22FDX eMRAM在多项目晶圆（MPW）上的客户原型开发正在进行中，计划在2018年进行风险生产。现可提供现成的eMRAM宏，具有eFlash和SRAM接口选项，易于设计。 有兴趣了解更多关于GF与Everspin Technologies合作开发的22FDX与eMRAM解决方案的客户，请联系您的销售代表或访问gf.com。 如需了解更多关于GF射频SOI解决方案的信息，请联系您的GF销售代表或登录www.gf.com。 关于eVaderis eVaderis成立于2014年，是全球首家提供基于新的、颠覆性的嵌入式存储器技术（包括MRAM和RRAM）的创新IP解决方案的公司。该公司提供极具竞争力的产品和设计服务，以应对生产先进的非易失性存储器、编译器、逻辑库和处理器子系统的挑战，为新的芯片设计模式铺平道路。 eVaderis是GLOBALFOUNDRIES的FDXcelerator™合作伙伴计划的成员。有关该公司及其产品的更多信息，请访问www.evaderis.com。 关于GF。 GlobalFoundries是一家领先的提供全方位服务的半导体代工厂，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务组合。GlobalFoundries的制造足迹遍布三大洲，使改变行业的技术和系统成为可能，并赋予客户塑造其市场的力量。GlobalFoundries由穆巴达拉投资公司拥有。欲了解更多信息，请访问https://www.gf.com。 联系方式。 Erica McGillGLOBALFOUNDRIES(518) 305-5978[email protected]
