英飞凌和GlobalFoundries宣布就40纳米嵌入式闪存工艺技术进行联合开发和生产合作 2013年4月29日 2013年4月29日，德国新比伯格/德累斯顿和新加坡--英飞凌科技公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）和GlobalFoundries公司今天宣布了一项针对40纳米（nm）嵌入式闪存（eFlash）工艺技术的联合技术研发和生产协议。合作的重点是基于英飞凌的eFlash单元设计的技术开发和40纳米工艺结构的汽车和安全微控制器（MCU）的制造。下一代40纳米eFlash微控制器的生产将在GF的不同基地进行，最初在新加坡，随后转移到其在德国德累斯顿的基地。 "英飞凌科技管理委员会成员Arunjai Mittal表示："采用40纳米工艺结构的下一代嵌入式闪存微控制器将进一步增强我们在汽车以及芯片卡和安全市场的竞争实力。"我们相信GF拥有优秀的制造背景和位于不同大洲的基地，能够满足英飞凌在质量、基础设施安全和业务连续性方面的严格要求。" "英飞凌决定选择GF作为40纳米嵌入式闪存技术节点的代工伙伴，是对我们在不同地域的多个工厂支持下提供单一代工解决方案的独特能力的认可，"GF首席执行官Ajit Manocha说。"我们致力于提供支持英飞凌业务所需的领先技术和制造能力。我们期待着与英飞凌的长期合作，并为其在一个非常有活力的行业中的成功做出贡献。" 与GF的这项协议符合英飞凌在65纳米及以下基于CMOS的技术方面进行技术合作开发的战略。计划在2015年下半年进行安全微控制器的工艺和产品鉴定。汽车微控制器的生产计划于2017年上半年开始。 英飞凌和GF在开发和制造方面有着长期的合作关系，包括联合开发和制造基于CMOS的低功率手机产品。 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。公司于2009年3月成立，迅速形成规模，成为全球第二大代工厂，为160多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。在美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近，有一些主要的研究、开发和设计设施来支持这一全球制造足迹。GF由先进技术投资公司（ATIC）拥有。欲了解更多信息，请访问：https://www.gf.com。 关于英飞凌 位于德国诺伊贝尔格的英飞凌科技公司提供半导体和系统解决方案，应对现代社会的三大核心挑战：能源效率、移动性和安全性。在2012财年（截至9月30日），该公司的销售额为39亿欧元，在全球拥有近26700名员工。英飞凌在法兰克福证券交易所上市（股票代码：IFX），在美国的场外交易市场OTCQX International Premier上市（股票代码：IFNNY）。 本新闻稿可在网上查阅：www.infineon.com/press和www.gf.com/news-events/globalfoundries-press-releases。 在GF的新闻联系人。 Gina Wong公共关系，新加坡电话。+65 6670-1808 begin_of_the_skype_highlighting +65 6670-1808 FREE end_of_the_skype_highlightingEmail:[email protected] Karin RathsEMEA Communications, Dresden, GermanyPhone:+49 351 277-1013 begin_of_the_skype_highlighting +49 351 277-1013 FREE end_of_the_skype_highlightingEmail:[email protected] 英飞凌科技的新闻联系人。 Karin BraeckleMedia Relations, Neubiberg, Germany电话。+49 89-23424 begin_of_the_skype_highlighting +49 89-23424 FREE end_of_the_skype_highlightingEmail:[email protected] Chi Kang David Ong媒体关系，新加坡电话。+65 6876-3070 begin_of_the_skype_highlighting +65 6876-3070 FREE end_of_the_skype_highlightingEmail:[email protected]
GLOBALFOUNDRIES任命Shigeru Shimauchi为日本销售办事处的新国家经理 2013年4月22日加州米尔皮塔斯，2013年4月22日 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布为其在日本的销售办事处任命了一名新的国家经理。 Shigeru (Gerry) Shimauchi从InvenSense加入世界第二大晶圆厂，InvenSense是一家位于美国的无晶圆厂公司，专门从事消费电子产品的运动感应设备。在InvenSense，他是国家经理，负责推动销售收入。 Shimauchi向GF的日本和韩国销售副总裁Craig Luhrmann汇报，负责公司在日本的销售和业务发展。 "我们很高兴Gerry能加入我们。他在日本半导体市场上的广泛经验和深厚关系将加强我们与日本集成设备制造商的代工合作，"Luhrmann说。"Gerry将作为我们销售活动的当地联系人，并推动我们成为首选的代工合作伙伴的目标。" Shimauchi为GF带来了30年的行业经验，包括他在过去10年中领导日本市场的销售。 Gerry带来了30年的行业经验，包括过去10年领导日本销售的经验，最近一次是在InvenSense，之前在Cirrus Logic、Impinj、MoSys International和Nippon Sipex任职。他还在台积电日本公司、Burr-Brown公司和富士通公司担任过运营领导职务，在那里他以销售工程师的身份开始了他的职业生涯。Shimauchi于1982年毕业于横滨国立大学。 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动，迅速形成规模，成为全球第二大晶圆厂，为150多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF由先进技术投资公司（ATIC）拥有。欲了解更多信息，请访问：https://www.globalfoundries.com。
GLOBALFOUNDRIES帮助举办国家科学院会议 2013年4月3日GLOBALFOUNDRIES公司首席执行官Ajit Manocha在美国国家科学院 "纽约的纳米技术模式 "会议上做开幕主旨发言，欢迎各国领导人。构建创新经济" 纽约州特洛伊市，2013年4月3日 -在国家科学院的协调下，GF今天帮助主办了一个题为 "纽约的纳米技术模式 "的会议。建立创新经济 "的会议，会议在纽约州特洛伊市的哈德逊谷社区学院举行。在会议开幕式上，GF首席执行官Ajit Manocha欢迎来自商业、工业、政府、非营利组织和学术机构的200多位国家领导人，介绍了该公司在纽约 "科技谷 "新的半导体研究、开发和制造生产方面数十亿美元的投资，这也是美国国家科学院关于该地区创新环境的新研究中的一个核心支柱。 "在当今日益复杂的全球经济中，支持新的先进制造业务的公私合作的创新方法必须成为国家经济战略的一部分，"GF的首席执行官Ajit Manocha说。"Fab 8项目代表了世界上最大的新资本投资之一，这种公私伙伴关系的成功为更广泛的美国经济提供了一个模式。通过这些伙伴关系，我们的业务正在扩大，纽约现在是一个技术行业的中心，吸引了全球公司、供应商、初创公司和新的研究设施。这确实是一个令人兴奋的时代"。 美国国家科学院与主要的区域机构合作召开会议，研究纽约纳米技术集群的成功关键。吸引GF、SEMATECH和IBM等技术和行业领导者的投资，加上诸如纽约州立大学阿尔巴尼分校纳米科学与工程学院和伦斯勒理工学院等学术和技术卓越中心，使大首都地区受到国家研究院对州和区域创新举措以及纳米技术和半导体等领先高科技领域创新集群分析的关注。学院的研究已经考察了美国和世界各地的项目，正如最近的一份重要报告《迎接挑战：美国全球经济的创新政策》中所强调的。像纽约州政府、工业界和大学之间建立的伙伴关系已经创造了显著的成功，可以从中吸取国家政策的经验教训。 会议的一个关键重点是，不仅要探讨已经取得的成就，而且同样重要的是，为确保该地区的未来需要做什么。 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。公司于2009年3月成立，迅速形成规模，成为全球第二大代工厂，为160多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF由先进技术投资公司（ATIC）拥有。欲了解更多信息，请访问：https://www.globalfoundries.com。
GLOBALFOUNDRIES展示20纳米技术上的3D TSV能力 2013年4月2日纽约8号工厂提供带有通孔硅片（TSV）的20纳米功能硅片 加州米尔皮塔斯，2013年4月2日--全球方德公司今天宣布，在其为下一代移动和消费应用实现芯片三维堆叠的战略中，完成了一个关键的里程碑。在位于纽约州萨拉托加县的Fab 8园区，该公司展示了其首个集成了硅通孔（TSV）的20纳米功能性硅片。使用GF领先的20纳米-LPM工艺技术制造的TSV功能将使客户能够将多个芯片堆叠在一起，为满足当今电子设备对性能、功率和带宽的要求提供了另一种途径。 TSV是在硅片上蚀刻的垂直通孔，里面填充有导电材料，使垂直堆叠的集成电路之间能够进行通信。采用三维（3D）芯片堆叠越来越多地被视为晶体管水平上传统技术节点扩展的替代方案。然而，TSV给半导体制造商带来了许多新的挑战。 GF采用 "中间通孔 "的方法进行TSV集成，在晶圆完成生产线前端（FEOL）流程后，在开始生产线后端（BEOL）流程前，将TSV插入硅中。这种方法避免了FEOL制造过程中的高温，允许使用铜作为TSV填充材料。为了克服TSV技术从28纳米向20纳米迁移所带来的挑战，GF的工程师开发了一种专有的接触保护方案。该方案使该公司能够在对20纳米-LPM平台技术干扰最小的情况下集成TSV，展示了SRAM功能，其关键器件特性与标准20纳米-LPM硅的特性一致。 "我们的行业多年来一直在谈论3D芯片堆叠的承诺，但这一发展是另一个迹象，表明这一承诺将很快成为现实，"GF公司封装研发副总裁David McCann说。"我们的下一步是利用Fab 8的先进TSV能力，与我们的OSAT合作伙伴一起，为我们的开放式供应链模式组装和鉴定3D测试车，为客户提供灵活性，选择他们喜欢的后端供应链。" 随着无晶圆厂-晶圆厂业务模式的发展，以应对当今动态市场的现实情况，晶圆厂正在承担越来越多的责任，管理供应链，提供端到端的解决方案，以满足广泛的前沿设计要求。为了帮助应对这些挑战，GF正在与合作伙伴及早接触，共同开发解决方案，以实现行业的下一波创新。这种开放的合作方式将为客户提供最大的选择和灵活性，同时节约成本，加快量产时间，并降低与开发新技术相关的技术风险。 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。公司于2009年3月成立，迅速形成规模，成为全球第二大代工厂，为160多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF由先进技术投资公司（ATIC）拥有。欲了解更多信息，请访问：https://www.globalfoundries.com。
GLOBALFOUNDRIES提供增强型55纳米CMOS逻辑工艺，支持ARM下一代内存和逻辑IP的低电压 2013年2月19日55纳米LPe 1V针对超低功率、降低成本和提高设计灵活性进行了优化 加州米尔皮塔斯，2013年2月19日 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布，该公司的55纳米（nm）低功耗增强（LPe）工艺技术平台--55纳米LPe 1V--得到了ARM公司合格的下一代内存和逻辑IP解决方案的进一步加强。55纳米LPe 1V是业界第一个也是唯一一个支持ARM的1.0/1.2V物理IP库的增强型工艺节点，使芯片设计者能够在单个SoC中使用支持两种工作电压的单一工艺。 "这个55纳米LPe 1V产品的关键优势在于，无论你是在1.0电压还是1.2电压的电源选项下进行设计，都可以使用相同的设计库，"GF产品营销副总裁Bruce Kleinman说。"这意味着可以采用同一套设计规则和模型，而不需要额外的掩膜层或特殊工艺。这就意味着在不影响功率和优化功能的情况下节省了成本和设计的灵活性"。 基于ARM的1.0V/1.2V标准单元和内存编译器，GF 55nm LPe 1V使设计人员能够在速度、功耗和/或面积方面优化其设计，对于在设计片上系统解决方案时面临功耗限制的设计人员尤其有利。 ARM提供了一个全面的、经过硅验证的8轨、9轨和12轨库平台，以及用于GF先进的55纳米LPe工艺的高速和高密度内存编译器。 "ARM公司物理IP部门营销副总裁John Heinlein博士说："1V和1.2V的操作与支持电平转换逻辑的结合，提供了低功耗、高性能和减少芯片面积的最佳组合。"双电压域表征支持加上Artisan下一代内存编译器架构，与以前的解决方案相比，动态和泄漏功率降低了35%以上"。 55纳米的LPe 1V特别适用于大批量的、用电池操作的移动消费设备，以及广泛的绿色或节能产品。PDK和EDA工具现在已经推出，同时还有MPW班车供应。Artisan存储器提供了灵活的制造选择，并在全球数十亿产品中出货。作为从65纳米到20纳米的更广泛的Artisan物理IP平台的一部分，这些下一代存储器包括可延长电池寿命的低电压和待机模式、可提高处理器速度的超高速缓存，以及为低成本SoC设计减少面积的专有设计技术。 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动，迅速形成规模，成为全球第二大晶圆厂，为150多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF由先进技术投资公司（ATIC）拥有。欲了解更多信息，请访问：https://www.globalfoundries.com。 媒体垂询 Jason Gorss (518) 305-9022 begin_of_the_skype_highlighting (518) 305-9022 FREE end_of_the_skype_highlighting[email protected] Gina Wong(65) 6670-8108[email protected]
GLOBALFOUNDRIES和Synopsys合作，为晶圆厂的14纳米-XM FinFET产品提供全面的设计环境 2013年2月5日IP和设计工具流程加速了移动产品强大的非平面架构的实施 加州米尔皮塔斯，2013年2月5日--全球方德科技公司（GLOBALFOUNDRIES）和Synopsys公司（纳斯达克：SNPS）今天宣布，两家公司已经合作提供全面的设计解决方案，以加速实现GF的芯片和电子系统创新。(纳斯达克：SNPS）今天宣布，两家公司已合作提供全面的设计解决方案，以加快实施GF的14纳米-XM FinFET产品。该解决方案包括Synopsys的DesignWare®嵌入式内存和逻辑库IP；Galaxy™实现平台的设计工具；以及TCAD工艺和器件仿真工具，所有这些都经过优化，使设计团队能够以最高效、低风险的方式实现预期的性能、功耗和面积要求。这项合作开发是建立在业界首个模块化FinFET技术之上的，它将14纳米（nm）FinFET器件与GF的20纳米-LPM工艺元素结合起来，以降低风险并加快量产时间。 "我们与Synopsys有着长期的合作关系，为我们共同的客户提供了广泛的、经过验证的设计实施方案。GF市场、销售、设计和质量执行副总裁Mike Noonen表示："通过我们新的14纳米-XM FinFET技术，特别是在解决移动设备SoC的要求方面，可以获得令人信服的好处，这将更容易实现，也更有效率。"我们的先进工艺与Synopsys的IP、设计和制造工具设计环境相结合，将为客户提供三维FinFET晶体管的性能和功率优势，而且风险更小，上市时间更快。" FinFET晶体管是对平面器件的重大改变。GF与Synopsys在TCAD上合作，对这些变化进行建模和仿真，并加快其FinFET器件的工艺开发和性能优化。此外，这些器件和相关的14纳米工艺几何形状的缩小影响了寄生提取、器件的SPICE建模、布线规则和IP开发。GF和Synopsys紧密合作，将这些变化的影响降到最低，并确保设计团队顺利采用FinFET技术。Synopsys广泛的DesignWare®嵌入式存储器和逻辑库IP组合是为实现GF的14 nm-XM FinFET技术的全部优势而设计的。该IP在性能、漏电和动态功耗以及低电压操作方面都有出色的表现。 "Synopsys公司营销和战略发展高级副总裁John Chilton表示："Synopsys与GF在将先进的工艺技术推向市场方面有着紧密的合作历史。"我们在FinFET上的合作就是建立在这个基础上的。它的重点是使设计团队能够充分利用GF在14纳米工艺技术方面的投资，以及它为下一代半导体设计带来的巨大好处。" 关于14纳米-XM 14纳米-XM产品是基于一个模块化的技术架构，使用14纳米FinFET器件与GF的20纳米-LPM工艺的元素相结合，该工艺正处于投产阶段。XM代表 "eXtreme Mobility"，它是业界领先的非平面架构，真正针对移动系统芯片（SoC）设计进行了优化，提供了从晶体管一直到系统级的整个产品解决方案。与今天20纳米节点的二维平面晶体管相比，该技术预计将使电池寿命提高40-60%。 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。公司于2009年3月成立，迅速形成规模，成为全球第二大代工厂，为160多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF由先进技术投资公司（ATIC）拥有。欲了解更多信息，请访问：https://www.globalfoundries.com。 关于Synopsys Synopsys, Inc.(Nasdaq:SNPS)加速了全球电子市场的创新。作为电子设计自动化（EDA）和半导体IP的领导者，其软件、IP和服务帮助工程师解决设计、验证、系统和制造方面的挑战。自1986年以来，世界各地的工程师一直在使用Synopsys的技术来设计和创建数十亿的芯片和系统。了解更多信息，请访问www.synopsys.com。
GLOBALFOUNDRIES和Rambus合作为14纳米-XM FinFET工艺技术开发广泛的IP组合 2013年2月5日公司为高级接口解决方案提供经过硅验证的复杂IP块 加州圣克拉拉，2013年2月5日--在今天的通用平台技术论坛上，全球方德公司和创新技术解决方案公司Rambus Inc.(纳斯达克股票代码：RMBS）公布了合作计划，以开发广泛的复杂半导体知识产权（IP）组合，为GF的领先工艺技术进行优化。这项合作将使Rambus的增强型标准接口解决方案无缝集成到下一代电子产品中，从而加快产品上市时间。这些经过硅验证的IP块将满足从高性能计算到智能移动设备等应用中不断增长的需求。 Rambus将开发一系列针对GF工艺优化的高速存储器和芯片间串行链路接口，包括新的14纳米-XM技术，这是业界首个基于模块化FinFET技术架构的14纳米产品。这项新的工作将建立在过去在几个28纳米测试芯片上的合作基础上，这些芯片展示了Rambus的接口在移动和基于服务器的应用中的能力。 "GF市场、销售、设计和质量执行副总裁Mike Noonen说："我们新的合作设备制造（CDM）的代工模式依赖于整个半导体生态系统的早期合作，以提供处于领先水平的创新解决方案。"我们与Rambus合作关系的扩展将为客户提供更快的途径，在我们新的14nm-XM技术上利用Rambus的先进接口解决方案，为芯片设计者在我们的工艺技术上进行创新开辟新的途径。" "Rambus内存和接口部门高级副总裁兼总经理Kevin Donnelly说："随着业界继续不懈地推动更先进的技术，需要进行深入的技术合作，以提供必要的创新解决方案，将发明推向市场。"通过与GF在先进的14纳米工艺上的早期合作，我们可以将我们的高速、混合信号设计专长与FinFET技术结合起来，在客户需求之前实现广泛的硅验证复杂IP块组合。" GF的14纳米-XM产品是基于一个模块化的技术架构，该架构使用了14纳米FinFET器件和GF的20纳米-LPM工艺的元素，该工艺正在向生产迈进。XM是 "eXtreme Mobility "的缩写，它是业界领先的非平面架构，真正针对移动系统芯片（SoC）设计进行了优化，提供了从晶体管一直到系统级的整个产品解决方案。与今天20纳米节点的二维平面晶体管相比，该技术预计将使电池寿命提高40-60%。 关于Rambus Rambus是一家将发明推向市场的创新技术解决方案公司。Rambus以协作和协同的方式释放我们世界一流的工程师和科学家的智慧力量，发明、许可和开发解决方案，挑战并使我们的客户创造未来。虽然Rambus以创造无与伦比的半导体内存架构而闻名，但它也在开发改变世界的产品和服务，包括安全、先进的LED照明和显示器以及沉浸式移动媒体。更多信息请访问www.rambus.com。 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。公司于2009年3月成立，迅速形成规模，成为全球第二大代工厂，为160多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF由先进技术投资公司（ATIC）拥有。欲了解更多信息，请访问：https://www.globalfoundries.com。
GLOBALFOUNDRIES和Cyclos Semiconductor合作，利用共振时钟网技术开发高性能、低功耗的ARM Cortex-A15处理器 2013年2月5日合作关系将使GLOBALFOUNDRIES的客户能够通过Cyclos谐振时钟网状技术在28纳米工艺中实现具有一流性能和功率效率的SoC。 加州圣克拉拉，2013年2月5日--在今天的通用平台技术论坛上，GF和用于商业集成电路设计的共振时钟网（RCM）技术的发明者和唯一供应商Cyclos Semiconductor宣布，计划在ARM® CortexTM-A15处理器中采用GF的28纳米高K金属门（HKMG）工艺技术，实现Cyclos的低功耗半导体知识产权。 这一合作关系将使GF的客户能够设计出具有一流性能和功率效率的下一代SoC。这也反映了Cyclos的承诺，即确保尽可能广泛地提供其用于降低功耗的RCM IP技术。 Cyclos RCM IP是一项独特的差异化技术，它可以降低时钟网（多年来一直用于高性能处理器的时钟分配网络）中的功耗。Cyclos采用片上电感器来创建一个电摆，或称 "坦克电路"，由时钟网的大电容和Cyclos电感器组成。Cyclos电感器和时钟控制电路 "回收 "时钟功率，而不是像传统的时钟网络实现那样在每个时钟周期耗散功率，这导致了IC总功耗的降低。 在片上实现电感器以实现时钟网状结构的谐振是一个简单的想法，但有复杂的实施要求。Cyclos已经将10多年的研究商业化，生产出谐振时钟网状结构设计解决方案，满足当今IC的所有可测试性、可靠性、动态频率扩展和质量保证要求。 GF和Cyclos现在合作，首次向ARM生态系统提供RCM技术。Cyclos的低时钟偏移、省电时钟分配技术将被用于在基于GF 28nm-SLP和28nm-HPP工艺技术的ARM Cortex-A15处理器上实现独特的差异化功率、性能和面积（PPA）指标，以服务于高端移动和低功耗微型服务器领域。 "GF SoC创新总监Srinivas Nori表示："Cyclos先进的时钟网状技术已经被用于证明在保持高时钟速度的同时降低了功耗。"现在，我们的28纳米HKMG工艺和Cyclos的RCM技术的强大组合将提供给更多的客户群，从而使他们能够为基于ARM处理器的SoC设计推动PPA效率的领先。" "ARM公司研发副总裁KrisztiaÌn Flautner博士表示："我们的客户要求不断提高基于ARM处理器的SoC的性能，同时保持在能源效率方面的领先地位。"我们很高兴GF正在为前沿应用开发未来的功率和性能扩展方案"。 "Cyclos Semiconductor创始人兼总裁Marios Papaefthymiou表示："这次合作是Cyclos Semiconductor的一个重要里程碑。"我们相信，RCM设计将成为下一代SoC中GHz以上嵌入式处理器IP块的关键推动因素，这些IP块也需要超低功耗。我们期待着通过开发基于RCM的ARM Cortex-A15内核，将这项技术提供给GF的客户。我们也渴望通过Cyclos目前正在开发的设计自动化工具，将RCM部署到SoC设计中。" 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。公司于2009年3月成立，迅速形成规模，成为全球第二大代工厂，为160多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF由先进技术投资公司（ATIC）拥有。更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 关于Cyclos半导体公司 Cyclos是用于集成电路设计的谐振时钟网技术的发明者和唯一的商业供应商。该公司是密歇根大学通过其技术转让办公室分拆出来的。Cyclos总部位于加州伯克利和密歇根州安阿伯，提供共振时钟网状半导体IP、设计自动化工具和共振时钟网状设计解决方案的设计咨询服务。欲了解更多信息，请访问https://www.cyclos-semi.com。
GLOBALFOUNDRIES通过双核Cortex-A9处理器的实现详细介绍了14纳米-XM FinFET技术的性能、功耗和面积效率 2013年2月5日公司预计，14纳米-XM的能效是28纳米-SLP的两倍以上，而芯片面积仅为其一半 加州圣克拉拉，2013年2月5日--在今天的通用平台技术论坛上，GLOBALFOUNDRIES宣布了业界首次使用三维14纳米-XM FinFET晶体管实现的双核ARM® Cortex™-A9处理器的结果。基于行业标准的设计实施流程和使用实际工艺数据的签收模拟，GF预计在GF的14纳米-XM技术上制造的双核ARM Cortex-A9处理器的能效将是基于28纳米-SLP技术的类似设计的两倍以上，而所需的芯片面积仅为一半。 GF利用其14nm-XM工艺设计套件（PDK）的技术规范，结合ARM Artisan®标准单元库和存储器，发布了一个图形数据库系统（GDS）文件，该文件被用来计算预期的性能、功率和面积指标。这些结果与在GF的28纳米-SLP技术上制造的双核ARM Cortex-A9处理器的硅实现进行了比较。 该实施方案清楚地表明了14纳米-XM FinFET技术对未来移动应用的价值主张。通过模拟确定的一些突出方面是：。 在28nm-SLP上实现的高性能、高能效的ARM处理器通常使用12轨库。然而，在14纳米-XM FinFET技术上，可以使用9轨库来实现更高的性能和更节能的ARM处理器，从而进一步缩小芯片尺寸。 在恒定功率下，基于14纳米-XM技术实现的频率（使用9轨库）预计将比基于28纳米-SLP技术实现的频率（使用12轨库）快61%。 在恒定频率下，基于14纳米-XM技术的实现所消耗的功率预计将比基于28纳米-SLP技术的实现所消耗的功率低62%。 基于14纳米-XM技术实现的性能-功率效率（以DMIPs/毫瓦表示）预计将是基于28纳米-SLP技术实现的两倍以上，而使用的硅面积是一半。 "GF市场、销售、设计和质量执行副总裁Mike Noonen表示："我们与ARM的深度合作正在不断得到回报，我们共同致力于为我们的领先工艺技术优化ARM的IP。"我们的14nm-XM FinFET技术是为下一代移动设备设计的，因此它与ARM的高能效处理器技术完美契合。我们的共同客户在为未来的移动、平板电脑和计算应用设计一系列产品时，将从这种伙伴关系中广泛受益。" "ARM公司执行副总裁兼物理IP部门总经理Dipesh Patel博士说："这些初步结果说明了FinFET技术应用于基于ARM处理器的系统级芯片（SoC）的潜在好处。"在制造工艺技术方面的早期合作使GF和ARM能够识别和解决SoC设计方面的挑战，并减少我们共同客户采用的风险。" 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。公司于2009年3月成立，迅速形成规模，成为全球第二大代工厂，为160多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF由先进技术投资公司（ATIC）拥有。欲了解更多信息，请访问：https://www.globalfoundries.com。
GLOBALFOUNDRIES将为28纳米SoC设计提供Adapteva的处理器IP 2013年2月5日客户可以在下一代移动设备的SoC中利用大规模并行多核技术 加州圣克拉拉，2013年2月5日--在今天的通用平台技术论坛上，GLOBALFOUNDRIES宣布与Adapteva合作，向使用GF领先的28纳米-SLP工艺技术的客户提供该公司的Epiphany IV微架构。该协议将使芯片设计者能够将Adapteva的大规模并行多核技术整合到他们的下一代系统芯片（SoC）设计中，使智能手机和平板电脑等移动设备具有服务器级别的性能。 Adapteva是一家私有的半导体技术初创公司，它与GF密切合作，优化了基于28纳米超低功耗（SLP）工艺的Epiphany IV设计，使Adapteva成为第一家展示以50 GFLOPS/Watt运行的处理器的公司。Adapteva与GF的合作使该公司在多代产品中大幅提高了能源效率，在从65纳米的16个内核到28纳米的64个内核的过程中，整体功耗保持在仅2瓦。 GF的28纳米-SLP技术非常适合于下一代智能移动设备，使设计具有更快的处理速度、更小的特征尺寸、更低的待机功耗和更长的电池寿命。该技术基于GF的 "栅极优先 "的高k金属栅极(HKMG)方法，该方法已经批量生产了两年多的时间。 Epiphany IV微架构是Adapteva的最新设计，包括64个高性能RISC内核，工作频率高达800MHz，而在最大程序活动下的功耗低于2瓦。该技术旨在作为低成本、低功耗的协处理器，与ARM或X86 CPU一起运行大规模并行任务。 "GF市场、销售、设计和质量执行副总裁Mike Noonen说："在GF，我们不断寻找机会为客户提供创新的硅解决方案，以帮助他们从其SoC设计中获得最大效益。"Adapteva的Epiphany IV处理器技术是并行计算领域的一项重大创新，我们很高兴能让我们的客户有机会在我们经过生产验证的HKMG工艺上利用这项技术。" "Adapteva公司首席执行官Andreas Olofsson说："我们与GF的紧密合作正在帮助我们向市场推出全新的多核微处理器类别。"Epiphany IV技术非常适合下一代移动SoC设计，使用GF的28纳米-SLP工艺使我们能够实现出色的性能和能源效率"。 在过去的三年里，Adapteva已经在GF的不同工艺节点上成功完成了四代Epiphany多核IP。2012年9月，该公司开始对其基于有限掩模集的第一代Epiphany IV产品进行采样。 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。公司于2009年3月成立，迅速形成规模，成为全球第二大代工厂，为160多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF由先进技术投资公司（ATIC）拥有。欲了解更多信息，请访问：https://www.globalfoundries.com。
