GLOBALFOUNDRIES推出业界首个22纳米FD-SOI技术平台

22FDX®为物联网、主流移动、射频连接和网络提供了性能、功耗和成本的最佳组合

2015年7月13日,加利福尼亚州圣克拉拉市和德国德累斯顿市。GLOBALFOUNDRIES今天推出了一项新的半导体技术,专门为满足下一代互联设备的超低功耗要求而开发。22FDX "平台具有类似于FinFET的性能和能效,其成本与28纳米平面技术相当,为快速发展的主流移动、物联网(IoT)、射频连接和网络市场提供了最佳解决方案。

虽然有些应用需要三维FinFET晶体管的终极性能,但大多数无线设备需要在性能、功耗和成本之间取得更好的平衡。22FDX利用业界首个22纳米二维全耗尽绝缘体上的硅(FD-SOI)技术,为对成本敏感的应用提供了最佳途径。它提供了业界最低的0.4伏工作电压,实现了超低的动态功耗,减少了热影响,并缩小了终端产品的外形尺寸。与28纳米相比,22FDX平台的芯片尺寸缩小了20%,掩模数减少了10%,浸入式光刻层数也比FinFET少了近50%。

"GF首席执行官Sanjay Jha说:"22FDX平台使我们的客户能够提供差异化的产品,在功率、性能和成本之间取得最佳平衡。"作为行业首创,22FDX提供了晶体管特性的实时系统软件控制:系统设计者可以动态地平衡功率、性能和漏电。此外,对于射频和模拟集成,该平台提供了最佳的扩展性和最高的能源效率。"

22FDX利用了GF位于德国德累斯顿的最先进的300毫米生产线上的大批量28纳米平台。这项技术预示着 "Silicon Saxony "故事的新篇章,它建立在对欧洲最大的半导体工厂近20年的持续投资之上。GF在德累斯顿启动了FDX平台,投资2.5亿美元用于技术开发和22FDX的初始产能。这使得该公司自2009年以来在1号厂的投资总额超过了50亿美元。该公司计划进行进一步投资,以支持更多的客户需求。GF正在与研发和行业领导者合作,以发展一个强大的生态系统,使其22FDX产品能够更快地进入市场,并制定全面的路线图。

GF的22FDX平台实现了对晶体管特性的软件控制,以实现静态功率、动态功率和性能之间的实时权衡。该平台由一系列差异化的产品组成,以支持各种应用的需要。

  • 22FDX-ulp。对于主流和低成本的智能手机市场,基本的超低功耗产品提供了FinFET的替代方案。通过使用体偏压,22FDX-ulp与0.9伏的28纳米HKMG相比,功率降低了70%以上,而且性能与FinFET相当。对于某些物联网和消费类应用,该平台可以在0.4伏电压下运行,与28纳米HKMG相比,可减少90%的功率。
  • 22FDX-uhp。对于具有模拟集成的网络应用,该产品经过优化,实现了与FinFET相同的超高性能能力,同时最大限度地降低了能耗。22FDX-uhp的定制包括正向体偏,应用优化的金属堆栈,以及支持0.95伏的超速。
  • 22FDX-ull。用于可穿戴设备和物联网的超低漏电产品提供了与22FDX-ulp相同的功能,同时将漏电降低到1pa/um。这种低有功功率、超低漏电和灵活的主体偏置的组合,可以使一类新的电池操作的可穿戴设备的功率降低一个数量级。
  • 22FDX-rfa。这款射频模拟产品可在降低系统成本的同时降低50%的功率,以满足大批量射频应用的严格要求,如LTE-A蜂窝收发器、高阶MIMO WiFi组合芯片和毫米波雷达。射频有源器件后门功能可以减少或消除主要射频信号路径中的复杂补偿电路,使射频设计人员能够提取更多的固有器件Ft性能。

GF一直与主要客户和生态系统合作伙伴密切合作,以实现优化的设计方法和全套的基础和复杂IP。设计入门套件和早期版本的工艺设计套件(PDK)现在已经推出,风险生产将在2016年下半年开始。

来自客户和合作伙伴对22FDX的有力支持

意法半导体首席运营官Jean-Marc Chery表示:"GF的FDX平台采用我们长期研究合作开发的先进FD-SOI晶体管架构,通过扩大生态系统和确保大批量供应来源,证实并加强了这项技术的发展势头。"FD-SOI是一种理想的工艺技术,可以满足全球物联网和其他功耗敏感型设备独特的永远在线的低功耗要求。"

"飞思卡尔MCU集团应用处理器和先进技术应用副总裁Ron Martino表示:"飞思卡尔的®下一代i.MX系列应用处理器正在利用FD-SOI的优势,为汽车、工业和消费类应用实现业界领先的超低功率按需解决方案。"GF的22FDX平台是对该行业的一大补充,它为FD-SOI提供了28纳米以上的大批量制造扩展,继续缩减成本并扩大功率性能优化的能力。"

"ARM物理设计部总经理Will Abbey表示:"移动和物联网设备的互联世界依赖于在性能、功耗和成本方面进行优化的SoC。"我们正在与GF密切合作,为客户提供所需的IP生态系统,使其从22FDX技术的独特价值中受益。"

"芯原控股有限公司总裁兼首席执行官Wayne Dai说:"芯原拥有在FD-SOI技术上设计物联网SoC的经验,我们已经证明了FD-SOI在解决超低功率和低能耗应用方面的优势。芯原控股有限公司总裁兼首席执行官Wayne Dai表示:"我们期待着能与芯原的合作。"我们期待与GF在22FDX产品上的合作,为智能手机、智能家居和智能汽车提供功耗、性能和成本优化的设计,特别是针对中国市场。"

"Imagination Technologies市场执行副总裁Tony King-Smith表示:"从可穿戴设备和物联网到移动和消费市场的下一代互联设备,都需要在性能、功耗和成本之间实现最佳平衡的半导体解决方案。"GF的新22FDX技术与Imagination广泛的先进IP组合(包括PowerVR多媒体、MIPS CPU和Ensigma通信)的结合,将使我们共同的客户在向市场推出差异化的新产品时能够进行更多创新。"

"IBS公司创始人兼首席执行官Handel Jones表示:"FD-SOI技术可以为可穿戴设备、消费者、多媒体、汽车和其他应用提供一个多节点、低成本的路线图。"GF的22FDX产品将低功耗FD-SOI技术中的佼佼者集中在一个低成本平台上,预计将出现非常强劲的需求。"

"CEA-Leti首席执行官Marie-Noëlle Semeria表示:"FD-SOI可以大幅提高性能和节省功耗,同时尽量减少对现有设计和制造方法的调整。"我们可以共同为GF'22FDX的成功生产提供成熟的、广为人知的设计和制造技术,用于连接技术。

"Soitec首席执行官Paul Boudre说:"GF的宣布是实现下一代低功耗电子产品的一个关键里程碑。"我们很高兴能成为GF的战略合作伙伴。我们的超薄SOI衬底已经为22FDX技术的大批量生产做好了准备。"

关于GF

GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业,其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动,迅速形成规模,成为世界上最大的代工厂之一,为250多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营,GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息,请访问https://www.globalfoundries.com。

联系。

Jason Gorss
(518) 698-7765
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GlobalFoundries完成对IBM微电子业务的收购

交易增加了差异化的技术、世界级的技术专家和知识产权

2015年7月1日,加利福尼亚州圣克拉拉市。GlobalFoundries今天宣布,它已经完成了对IBM微电子业务的收购。

通过这次收购,GF获得了差异化的技术,以加强其在关键增长市场的产品,从移动性和物联网(IoT)到大数据和高性能计算。这项交易加强了公司的员工队伍,增加了在半导体开发、设备专业知识、设计和制造方面几十年的经验和专业知识。而16,000多项专利和申请的加入,使GF成为世界上最大的半导体专利组合之一的持有人。

"今天,我们已经大大增强了我们的技术开发能力,并加强了我们对投资研发以实现技术领先的长期承诺,"GF的首席执行官Sanjay Jha说。"我们增加了世界级的技术专家和差异化的技术,如射频和ASIC,以满足我们客户的需求,并加速我们成为代工强国的进程。"

通过吸纳半导体行业中一些最聪明、最具创新性的科学家和工程师,GF巩固了其在10纳米、7纳米及更高工艺技术上的发展道路。

在射频领域,GF目前在无线前端模块解决方案方面具有技术领先地位。IBM在射频硅基绝缘体(RFSOI)和高性能硅锗(SiGe)技术方面已经形成了世界级的能力,这与GF现有的主流技术产品具有高度的互补性。该公司将继续投资以实现其下一代RFSOI路线图,并期待在汽车和家庭市场上抓住机会。

在ASIC方面,GF目前在有线通信方面具有技术领先地位。这使得公司能够提供开发这些高性能定制产品和解决方案所需的设计能力和IP。随着投资的增加,公司计划在存储、打印机和网络等领域开发更多的ASIC解决方案。最近的ASIC系列是在1月份宣布的,建立在GF的14纳米-LPP技术之上,已经在市场上得到了很好的认可,并获得了一些设计上的胜利。

GF在纽约州East Fishkill和VT州Essex Junction的工厂扩大了其生产规模。这些工厂将作为公司不断增长的全球业务的一部分,增加产能和一流的工程师,以更好地满足其现有和新客户的需求。

此外,这项交易建立在对新兴的东北技术走廊的重大投资之上,其中包括GF在纽约州萨拉托加县的领先的Fab 8设施以及在纽约州奥尔巴尼的纽约州立大学理工学院纳米科学和工程学院的联合研发活动。该公司在东北地区的直接员工现已超过8,000人。

此次收购包括一项独家承诺,即在未来10年向IBM提供一些世界上最先进的半导体处理器解决方案。GF还能直接获得IBM在世界级半导体研究方面的持续投资,从而巩固其在10纳米及以上先进工艺的发展道路。

有关该收购的更多信息,请访问:https://globalfoundries.com/acquisition/

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GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业,其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动,迅速形成规模,成为世界上最大的代工厂之一,为250多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营,GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息,请访问https://www.globalfoundries.com。

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GLOBALFOUNDRIES收购IBM微电子业务获得美国政府批准

加州圣克拉拉,2015年6月29日。GLOBALFOUNDRIES今天宣布,该公司于2014年10月20日宣布的收购IBM微电子业务的提议已经获得美国外国投资委员会(CFIUS)的批准。随着美国外国投资委员会审查的结束,这两家公司已经完成了在美国的监管程序。所有必要的美国以外的监管批准此前已经收到。该交易预计将在不久的将来完成。

关于拟议交易的更多信息可在https://www.globalfoundries.com/pending-acquisition/home。

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GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业,其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动,迅速形成规模,成为世界上最大的代工厂之一,为250多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营,GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息,请访问https://www.globalfoundries.com。

GLOBALFOUNDRIES为下一代芯片设计巩固了14纳米FinFET设计基础设施

通过与设计生态系统合作伙伴的合作,GLOBALFOUNDRIES为客户提供了基于前沿技术的数字设计流程。

加州圣克拉拉市,2015年6月2日 --

  • 通过与领先的EDA供应商Cadence、Mentor Graphics和Synopsys合作,GF开发了新的数字设计流程。
  • 新的数字设计入门套件集成了工艺设计套件(PDK)和早期访问标准单元库。
  • 新的设计流程已经过优化,以解决与14纳米FinFET技术的关键设计规则有关的挑战。

先进半导体制造技术的领先供应商GF今天宣布,它在为其14纳米(nm)FinFET工艺技术提供强大的设计基础设施方面达到了一个关键的里程碑,支持客户在晶圆厂的最新制造技术节点上开始设计。

GF与主要的生态系统合作伙伴Cadence Design Systems、Mentor Graphics和Synopsys一起开发了新的数字设计流程,用于从寄存器传输级(RTL)到图形设计数据库系统(GDS)的实施。这些流程与技术成熟的工艺设计套件(PDK)和早期访问的标准单元库集成,创建了一个数字设计 "入门套件",为设计人员提供了一个内置的测试案例,用于开箱即用的物理实现测试和性能、功耗和面积分析。

"GF致力于为我们的客户提供先进的技术平台,包括优化设计生产力和周期所需的综合设计基础设施,"GF设计支持高级副总裁Rick Mahoney说。"为了确保我们的设计生态系统为我们的14纳米FinFET技术提供最优质的体验,GF与我们的EDA合作伙伴合作,以补充我们内部的全球设计能力,并加快14纳米FinFET等复杂技术的设计时间。"

GF的数字设计流程已经过优化,以解决与14纳米技术节点的关键设计规则相关的挑战,并包括新引入的功能,如植入感知的放置和双图案感知的路由、设计中DRC™修复和良率改进、局部/随机变异性感知的计时、3D FinFET提取和颜色感知的LVS/DRC签收。

基于Synopsys的设计启用入门套件利用其Galaxy™设计平台的广泛功能,提供具有优化性能、功耗和面积的GF 14LPP FinFET设计。Synopsys的Design Compiler®图形综合,加上其Formality®等效检查解决方案,通过提供与物理实现密切相关的物理指导和结果,简化了流程。对于FinFET的实施,Synopsys的IC Compiler™、IC Compiler II和IC Validator解决方案提供了植入式和双重图案感知的放置和路由,以及In-Design色彩感知的物理验证。Synopsys的StarRC™提取提供了双图案支持,对14纳米设计来说,色彩感知和3-D提取的建模是必不可少的。此外,行业标准的Synopsys PrimeTime®签收解决方案用于精确的延迟计算、时序分析和高级波形传播,准确地考虑到FinFET的影响,如超低电压、增加的米勒效应和电阻率,以及工艺变化。

为了使客户能够在设计层面实现GF的14LPP节点的优势,GF和Cadence已经合作为完整的RTL-to-GDSII FinFET解决方案创建了一个数字流程。该数字流程整合并优化了Cadence公司针对14LPP技术的前端、后端、物理验证和DFM解决方案。对于前端设计,Cadence的RTL Compiler综合流程通过14LPP库进行了微调。对于物理实现,Encounter®数字实现系统(EDI)和Innovus™实现系统都提供了颜色感知的双图案技术,用于正确的按结构放置和布线,以及14LPP设计规则和库的定制设置,以优化功率、性能和面积(PPA)。设计中的PVS DRC修复和设计中的石膏板热点修复都可供设计人员使用,以减少设计迭代,方便设计结束。对于签收,该流程具有完全集成的Quantus QRC寄生提取和Tempus定时签收解决方案。在EDI和Innovus中的集成使Quantus和Tempus能够在P&R流程中更早地提供先进的工艺建模,以实现更好的时序收敛和到带出时间。Encounter Conformal® Equivalence Checker被嵌入到实施流程的多个阶段中。Voltus功率和EMIR分析、独立的物理验证系统的物理验证和Litho物理分析器的印刷热点检查也被嵌入到参考流程中。该参考流程为Cadence的工具套件和GF 14LPP流程提供了一个指导性方法,以确保设计者以最小的启动时间达到最大的PPA包络。

与之前节点的生产带出一样,启动套件使用Mentor Graphics Calibre®工具套件进行签收。在14纳米入门套件中,Calibre nmDRC™和Calibre MultiPatterning产品被用于层分解、DRC验证和金属填充,而Calibre nmLVS™产品被用于逻辑验证。

GF 14纳米FinFET技术是业界最先进的技术之一,为要求最严格的大批量、高性能和高功率的SoC设计提供了理想的解决方案。三维FinFET器件为不断增长的市场需求提供了完美的答案,与28纳米技术相比,它具有最佳的内在性能提升,而且与任何前辈相比,它具有更高的功耗足迹。由于出色的功率、性能和面积扩展,这些领先的器件还提供了真正的成本优势。

GF正在其14纳米技术上获得收益,并按计划在2015年支持多种产品的带出和批量提升。

通过GF的设计合作伙伴生态系统,设计人员可以获得广泛的服务,如系统设计、嵌入式软件设计、SoC设计和验证以及物理实现。这些服务包括电子设计自动化(EDA)的设计流程;经过硅验证的IP构建块,如库;以及仿真和验证设计套件,即工艺设计套件(PDK)和技术文件。

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GLOBALFOUNDRIES为高性能移动和物联网应用提供新的低功耗28纳米解决方案

该技术是业内首个提供优化设计支持的技术,以满足射频SoC的低功耗要求

加利福尼亚州圣克拉拉,2015年5月20日 --

  • GLOBALFOUNDRIES是第一家开发28纳米HKMG技术的纯晶圆厂,并配有射频(RF)模型。
  • 全面的设计启用和优化的射频工艺设计套件(RF PDK)在核心射频性能和功能方面提供了设计灵活性。
  • 射频技术为SoC解决方案提供了关键功能,为广泛的无线应用拓宽了视野。

领先的先进半导体制造技术供应商GF今天宣布提供28纳米高k金属栅极(HKMG)射频(RF)工艺技术,将为高度集成的移动应用和互联设备提供高能效解决方案。基于GF的28纳米超低功耗(SLP)技术与HKMG,28纳米-SLP-RF工艺包括一套全面的设计能力,使芯片设计者能够将关键的射频系统级芯片(SoC)功能集成到他们的产品中。

"GF产品管理高级总监Mike Mendicino表示:"互联设备和物联网消费应用的激增为射频芯片创造了机会和需求。"GF支持射频的28纳米工艺降低了设计障碍,使更多的客户能够加快领先的射频SoC的量产时间。"

28纳米SLP-RF工艺建立在经过现场验证的、成本优化的28纳米SLP HKMG工艺之上。硅片结果显示了高频性能(Ft ~ 310GHz)和低闪烁/热噪声,为芯片设计者提供了在高性价比的逻辑平台上优化核心射频性能和功能的灵活性。28纳米-SLP-RF工艺技术是为需要低待机功耗和长电池寿命的下一代连接设备设计的,这些设备需要与射频/无线功能集成。该技术具有关键的射频功能,包括核心和I/O(1.5V/1.8V)晶体管射频模型以及5V LDMOS器件,这简化了射频SoC设计。对于无源射频器件,28纳米-SLP-RF提供了高达5V的交替极性金属-氧化物-金属(APMOM)电容器、深n孔器件、扩散、聚和精密电阻器、电感器和超厚金属(UTM)层。所有支持射频的器件都是可扩展的,在整个工作范围内进行了硬件验证,并符合行业标准的可靠性鉴定要求。28纳米-SLP平台的批量生产于2012年开始。

GF的28nm-SLP-RF技术采用了该公司经过生产验证的28nm-SLP硅验证设计流程,其中包括一套完整的库、编译器和复杂IP。公司与EDA/IP生态系统中的领先公司合作,提供优化的工艺设计套件(PDK),支持高精度的射频SPICE模型和全面的技术文件,这些都是射频设计不可或缺的。GF增强的28纳米-SLP-RF PDK和验证方法现在已经推出。

在5月17日至22日于亚利桑那州凤凰城举行的国际微波研讨会上,GF将在834号展位参展,并通过各种演讲展示创新的射频解决方案。

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硅谷存储技术公司和GLOBALFOUNDRIES宣布获得汽车级55纳米嵌入式闪存技术的认证

  • SST的SuperFlash?技术和GLOBALFOUNDRIES 55纳米LPx提供了低功耗和高成本、高可靠性、卓越的数据保留和高端耐力性能的客户解决方案
  • 经过优化和硅验证的闪存IP块可用于各种应用
  • 智能卡、NFC、物联网、MCU和汽车一级应用的客户吸引力不断增加

亚利桑那州钱德勒市和加利福尼亚州圣克拉拉市,2015年5月5日--Microchip Technology Inc.[NASDAQ: MCHP]是微控制器、混合信号、模拟和Flash-IP解决方案的领先供应商,通过其Silicon Storage Technology (SST)的子公司和先进半导体制造技术的领先供应商GF今天宣布,SST的55纳米嵌入式SuperFlash®非易失性存储器(NVM)在GF的55纳米低功耗扩展(LPx)/射频支持平台上获得了全面认证和可用性。根据JEDEC标准,对GF的55纳米、基于分割门单元的SuperFlash技术工艺进行了鉴定。这项工艺技术还满足了AEC-Q100 1级认证的要求,环境温度范围为-40°C至125°C,并展示了在150°C下10万次编程/擦除循环的耐用性和超过20年的数据保留。

根据全球信息公司IHS的预测,汽车半导体市场在2015年将达到310亿美元,比2014年有7.5%的强劲提升。基于嵌入式闪存的半导体是这个细分市场的关键组成部分。

"Microchip全资子公司SST的技术授权副总裁Mark Reiten表示:"嵌入式SuperFlash存储器是微控制器、智能卡和各种片上系统设备的代工厂的事实标准。"在建立最先进的55纳米嵌入式超级闪存平台方面,GF一直是一个很好的合作伙伴,我们已经与不同细分市场的几个客户进行了接触。我们很高兴与GF合作,以进一步加强我们在基于闪存的嵌入式设备方面的市场领导地位"。

"GF认识到需要为安全ID、混合信号、NFC/RF和下一代物联网应用提供低成本的嵌入式闪存平台,"GF产品管理高级副总裁Gregg Bartlett说。"我们与SST的深度合作使我们在GF的高产55纳米低功耗工艺平台上获得了合格的、可用于商业用途的55纳米超级闪存技术,这将为关键市场领域的客户提供高性能的解决方案。"

GF的55纳米LPx/RF平台,完整的eNVM技术,现在已经向客户提供。该平台技术提供了一个快速的产品解决方案,其定制的现成的eNVM IP块库为特定的MCU产品应用进行了优化。

关于硅存储技术

微芯科技的子公司SST是嵌入式闪存技术的领先供应商。SST为消费、工业、汽车和物联网(IoT)市场开发、设计、授权和销售多样化的专有和专利SuperFlash存储器技术解决方案。SST成立于1989年,于1995年上市(纳斯达克:SSTI),并于2010年4月被Microchip收购。SST现在是Microchip的全资子公司,总部设在美国加州圣何塞。欲了解更多信息,请访问SST网站 https://www.sst.com.

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关于微芯科技

Microchip Technology Inc.(纳斯达克股票代码:MCHP)是微控制器、混合信号、模拟和Flash-IP解决方案的领先供应商,为全球数千种不同的客户应用提供低风险的产品开发、更低的系统总成本以及更快的上市时间。Microchip总部位于美国亚利桑那州钱德勒市,提供出色的技术支持以及可靠的交付和质量。欲了解更多信息,请访问Microchip网站 https://www.microchip.com.

注:SST名称、SST标识和SuperFlash是Microchip Technology Inc.和Silicon Storage Technology, Inc.(如适用)在美国和其他国家的注册商标。本文提到的所有其他商标是其各自公司的财产。

Tags / Keywords:超级闪存,嵌入式闪存,55纳米,非易失性存储器,汽车闪存,工业闪存,物联网,低功耗闪存,高可靠性闪存,高耐用性闪存,高数据保留率闪存,分闸单元

媒体垂询

SST编辑部联系方式
Eric Lawson
480-792-7182
eric.lawson@microchip.com

GF编辑部联系人
Erica McGill.
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erica.mcgill@globalfoundries.com

恩智浦和GLOBALFOUNDRIES宣布生产40纳米嵌入式非易失性存储器技术

共同开发的技术将利用GLOBALFOUNDRIES的40纳米工艺技术平台

新加坡和加利福尼亚州圣克拉拉市,2015年3月24日-

  • 成功的联合开发和可生产的技术使恩智浦能够在智能卡和近场通信IC市场进一步扩散。
  • GF是第一家开发和鉴定40纳米eNVM低功耗工艺技术并投入生产的晶圆代工厂。

先进半导体制造技术的领先供应商GF和安全连接解决方案的领先半导体公司NXP Semiconductor N.V今天宣布,他们已经联合开发了下一代嵌入式非易失性存储器(eNVM),并在GF的40纳米(nm)工艺技术平台上生产了300毫米原型晶圆。GF是第一家开发和鉴定40纳米eNVM低功耗工艺技术的晶圆代工厂。预计将于2016年在其新加坡工厂进行批量生产。

联合开发和技术生产里程碑的成功执行将使高密度片上eNVM更快地进入市场,用于各种产品的创新应用,包括识别、近场通信、医疗保健和微控制器。恩智浦将利用GF领先的半导体制造能力,将整体技术应用于40纳米eNVM,为终端客户带来竞争价值。

"我们很高兴看到共同开发的40纳米-LP eNVM技术已经准备好在GF工厂进行生产,"恩智浦半导体技术和运营部执行副总裁王海博士说。"GF是第一家专门针对需要嵌入式非易失性存储器产品的市场而开发这种工艺技术的代工厂。成功投产将使恩智浦进一步加强我们在为安全和近场通信细分市场提供先进解决方案方面的市场领先地位。"

"我们与恩智浦在其他技术节点上有着长期而密切的合作。随着我们推进40纳米技术的领先地位,eNVM的成功联合开发使我们对市场的信心大增,"GF新加坡高级副总裁兼总经理KC Ang说。"我们期待着为未来的市场机会提供更多的eNVM技术产品。"

GF在新加坡的生产基地通过了德国联邦信息安全局(BSI)的安全IC产品生产认证。2012年,该代工厂获得了通用标准ISO 15408-EAL 6认证,并在2014年成功获得更新。该公司也是恩智浦年度最佳代工服务供应商奖的两届得主。

关于恩智浦半导体

恩智浦半导体公司(NASDAQ: NXPI)为更智能的世界创造安全连接的解决方案。基于其在高性能混合信号电子领域的专长,恩智浦正在推动汽车、识别和移动行业以及无线基础设施、照明、医疗保健、工业、消费技术和计算等应用领域的创新。恩智浦在超过25个国家开展业务,2014年的收入为56.5亿美元。了解更多信息,请访问www.nxp.com。

关于GF

GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业,其业务范围真正覆盖全球。公司于2009年3月成立,迅速形成规模,成为全球第二大代工厂,为160多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营,GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息,请访问https://www.globalfoundries.com。

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GLOBALFOUNDRIES推出新的公司联盟,支持FIRST®机器人技术

新集团筹集了486,000美元用于赞助当地FIRST项目,包括2015年纽约科技谷FIRST®机器人竞赛

纽约科技谷的标志

GLOBALFOUNDRIES今天宣布成立一个新的合作项目,在未来三年内认捐486,000美元,通过FIRST®机器人项目支持当地的科学、技术、工程和数学(STEM)教育。这个新的公司联盟目前包括GF和该公司参与Fab 8园区的一些供应链合作伙伴,包括应用材料公司、ASML、KLA Tencor、Lam Research、Mattson Technology、M+W Group、PDF Solutions、SCREEN Semiconductor SolutionsTurner Construction。预计会有更多的公司参与进来,并将随着这项工作的开展和继续扩大而公布。

这些公司将在未来三年通过FIRST机器人技术共同支持当地的STEM项目,包括为高中生举办的纽约科技谷2015年FIRST®机器人竞赛(FRC)。今年的FRC活动也得到了通用电气、国家电网、时代华纳电缆和伦斯勒理工学院的支持,将于2015年3月19日至21日在纽约州特洛伊的伦斯勒理工学院(RPI)东校区运动村(ECAV)举行。

FIRST是一个全国性的501(c)(3)非营利组织,旨在激励K-12年级的青少年成为科学和技术的领导者,通过让他们参与以导师为基础的项目,培养科学、技术、工程和数学(STEM)技能,同时激励创新和未来的职业发展。在RPI举行的机器人竞赛是FIRST机器人项目的年度巅峰活动,今年将是该地区的第二次年度活动。此外,该组织还为年龄较小的孩子提供了一些项目,包括小FIRST乐高联盟、FIRST乐高联盟和FIRST技术挑战赛。

GF很荣幸地成为支持纽约科技谷的FIRST的企业、教育和专业机构、基金会和个人网络中的一员。作为我们与该组织合作的一部分,GF已承诺在未来三年每年捐赠25,000美元,共计75,000美元,并邀请供应链合作伙伴通过这个新的联盟参与进来。

"重要的是,学生在开始时要有一个良好的STEM基础,这个新的联盟旨在直接影响当地地区的K-12学生,"GF高级副总裁兼Fab 8总经理Thomas Caulfield博士说。"我们的目标是通过支持教育和劳动力发展,更好地为科技谷明天的劳动力做好准备,希望能激励学生在STEM相关领域的教育和职业道路。没有一个公司或组织可以单独做到这一点。正如我们的Fab 8园区的成功是一个团队的努力,我们投资于当地社区的方法也是如此。我非常高兴能与这些伟大的合作伙伴合作,因为我们希望对当地的STEM教育产生重大影响"。

作为科技谷社区的主要企业公民,GF与广泛的合作伙伴合作,以取得商业上的成功,但我们的承诺更进一步--我们有责任和机会为社区做好事。通过支持STEM等项目,我们可以对科技谷地区及其企业的未来进行投资。这个主题是在整个GF,在全世界都可以看到的。

我们希望您能在3月19日至21日参加纽约科技谷2015年FIRST®机器人竞赛!同时,请在Twitter上关注该活动,网址是@FIRSTweets,并使用#morethanrobots这一标签监督讨论情况。

内容:纽约科技谷2015年FIRST®机器人竞赛
时间。2015年3月19-21日(完整的活动议程见此)
地点。伦斯勒理工学院东校区运动村,20 Georgian Court, Troy New York
活动议程和更多信息 : https://www.techvalleyfirst.org/index.php?page=agenda

祝所有参赛者好运!请继续关注赛事的结果和照片!

要查看GF支持FIRST机器人技术的视频,请点击这里:
https://www.youtube.com/watch?v=emTJ1o0LdvQ

关于这项通过FIRST支持当地STEM的新合作努力的更多信息将很快公布。欲了解更多信息,或参与这项激动人心的工作,请联系。

Travis Bullard
GF
Travis.bullard@globalfoundries.com
518-305-9025

GLOBALFOUNDRIES新加坡公司联合SgIS为本科生提供奖学金

  • 培养有抱负的未来领袖,建立可持续的人才管道,以支持新加坡的主要战略增长部门。
  • 为世界领先的高科技和创新公司之一提供职业发展机会

新加坡,2015年2月27日 - 新加坡的GLOBALFOUNDRIES公司今天宣布加入新加坡政府与私营企业合作的 "新加坡-产业奖学金"(SgIS),为在本地和海外接受大学教育的新加坡公民提供机会,使他们在继续攻读本科课程的同时,在事业上取得先机。

在SgIS下,成功的申请人将被安排在各自的赞助机构的直接指导下。SgIS学者将获得实习机会、实地考察、专业培训和发展计划,以及其他许多当地和全球的浸入式活动,为他们在公司的职业生涯做好准备。

"我们很高兴参与国家培养人才的工作,这对于刺激和维持新加坡的关键增长部门是非常必要的,"GF新加坡高级副总裁兼总经理KC Ang说。"半导体制造是新加坡电子行业产出的最大贡献者。作为一个负责任的企业公民,我们希望鼓励和吸引我们经营业务的社区的人才,并成为其中的一部分,以促进和培养我们未来半导体行业的必要人才。"

"我们行业的职业机会非常多。由于我们业务的复杂性和我们创造的技术创新,人才资产对我们很重要。我们的员工有机会在技术和非技术领域开辟自己的天地。作为雇主,我们正在为他们提供一个渠道,以实现他们的梦想,并成为我们公司和行业的成功推动者的一部分,"Ang补充说。

由于致力于为员工提供组织学习和发展,GF新加坡公司还通过工业研究生项目(IPP)奖学金为正在攻读博士学位的在职员工提供奖学金;并为那些热衷于兼职学习的员工提供教育援助计划。

关于GF

GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业,其业务范围真正覆盖全球。公司于2009年3月成立,迅速形成规模,成为全球第二大代工厂,为160多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营,GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息,请访问https://www.globalfoundries.com。

媒体垂询

Gina Wong
GF,亚太区及日本
+65-6670-1808
gina.wong@globalfoundries.com

GLOBALFOUNDRIES加入IMEC,为物联网应用开发创新射频解决方案

合作将集中在移动和无线传感器网络的关键研发上

加利福尼亚州圣克拉拉,2015年2月17日 --

  • 合作解决多频段、多模式移动无线电和超低功率(ULP)无线设备的无线电架构设计中的关键挑战。
  • 为移动通信和物联网传感器节点的关键数字密集型射频架构和模拟电路进行合作。
  • 研究将利用GLOBALFOUNDRIES的CMOS技术平台进行优化,以提高集成电路的射频性能。

先进半导体制造技术的领先供应商GF今天宣布与领先的纳米电子研究中心imec建立合作关系,共同研究用于高度集成移动设备和物联网应用的未来无线电架构和设计。

下一代移动设备的一个关键挑战是控制无线电和天线接口电路的成本和占地面积,这些电路包含了在各种支持的频段上处理蜂窝信号的所有组件。今天,一个典型的移动设备必须支持多达28个频段的全球2G、3G、4G、LTE网络连接,而且预计未来几代设备将采用更复杂的载波聚合方案和更多的频段。这些挑战促使人们需要一种灵活的无线电,将许多独立的元件集成到一块硅片中,包括功率放大器、天线开关和调谐器,并提供一种既灵活又低成本的解决方案。

GF将与imec的技术专家紧密合作,研究低功耗和紧凑的高性能敏捷无线电解决方案,这些解决方案将实现广泛的无线电架构设计--以改善面积、性能和功耗为目标。GF还将与imec合作,利用GF的CMOS技术开发创新的超低功耗IC设计方案,以满足未来物联网设备的苛刻要求。最终,双方的合作旨在建立一个技术和设计基础设施,以实现未来的射频架构,同时最大限度地减少对射频功耗和性能的关键接口要求。

"这次合作扩大了我们与imec的关系,我们渴望利用他们在射频技术方面的研发专长,加快设计的量产时间,为我们的客户提供领先的射频技术,"GF公司射频部门营销总监Peter Rabbeni说。"这种关系进一步反映了我们的承诺,即在不增加外形尺寸或成本的情况下,找到能够有效扩展无线通信应用范围的射频设计实现方案。"

"业界需要解决一些先进的芯片技术挑战,以便为未来的无线通信实现更高的集成度和更低的功耗,"Perceptive Systems物联网高级总监Harmke de Groot说。"Imec很高兴欢迎GF成为超低功率无线设计的合作伙伴。利用imec先进的IC技术知识和系统设计经验,以及GF的CMOS技术,我们将加速调查并开发新的方法。"

关于IMEC

Imec在纳米电子学和光伏领域进行着世界领先的研究。Imec利用其科学知识和其在信息通信技术、医疗保健和能源领域的全球伙伴关系的创新力量。Imec提供与行业相关的技术解决方案。在一个独特的高科技环境中,其国际顶尖人才致力于为可持续发展社会中的美好生活提供基石。Imec的总部设在比利时的鲁汶,并在荷兰、台湾、美国、中国、印度和日本设有办事处。其员工超过2,080人,包括670多名工业居民和客座研究员。2013年,imec的收入(损益)总额为3.32亿欧元。关于imec的更多信息,请访问www.imec.be。通过imec月刊了解imec正在发生的事情,该杂志可用于平板电脑和智能手机(作为iOS和Android的应用程序),或通过网站www.imec.be/imecmagazine。

Imec是IMEC国际(根据比利时法律成立的 "Stichting van openbaar nut "法律实体)、imec比利时(由弗拉芒政府支持的IMEC vzw)、imec荷兰(Stichting IMEC Nederland,由荷兰政府支持的Holst中心的一部分)、imec台湾(IMEC台湾有限公司)和imec中国(IMEC微电子(上海)有限公司)活动的一个注册商标。Ltd.)和imec印度(Imec India Private Limited)。

关于GF

GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业,其业务范围真正覆盖全球。公司于2009年3月成立,迅速形成规模,成为全球第二大代工厂,为160多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营,GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息,请访问https://www.globalfoundries.com。

联系。

Erica McGill
GF
518-305-5978
erica.mcgill@globalfoundries.com

Hanne Degans
Imec
0032 16 281 769
hanne.degans@imec.be