July 13, 2017 22FDX 技术获得主流接受和热烈欢迎作者: Gary Dagastine 2017年7月7日 分类: 市场 世界首创2Xnm用于GP-MCU的嵌入式MRAM, 以及5G应用毫米波能力的简介,引起了强烈关注 22FDX® 技术在近来的两大主流国际论坛的亮相引起了波澜,昭示着在如今快速增长的半导体市场,消费者们又出现了新的选择和平台。 在位于日本京都举办的VLSI技术座谈会上, 约500人出席了格芯员工Danny Shum的演讲,他描述了22FDX制造是如何在嵌入式STT-MRAM非易失性内存 (eMRAM)上取得突破进展的。实际上出席的听众在他的演讲结束后对他不断提出了深刻的问题，在耗尽了5分钟问答环节的所有时间后，听众们仍持续发问，占用了下一环节前20分钟的所有休息时间。这些问题中有的包含了关于具体技术的细节,如材料堆叠、制程技术、测试结果及测试工具；问题同样包含了更广大的领域，例如产品规划路线、商业策略、合作商机和PDK的可用性。 观众所体现出的强烈兴趣来自于eMRAM技术极有可能在代码存储以及工作内存上替代eFLASH 非易失性内存,满足需求量极大的一般用途微控制器和物联网设备。格芯以及合作伙伴 Everspin技术, 展现了在高可靠性要求的严苛环境，例如汽车SoC等应用中，eMRAM的能力。 完整的VLSI文章, CMOS嵌入式 STT-MRAM阵列用于 2x 纳米节点及GPMCU应用 , […] Read Press Release
2017年6月19日 GLOBALFOUNDRIES®、安森美半导体提供业界最低功耗的蓝牙®低能耗SoC系列55纳米LPx射频功能平台，采用SST高度可靠的嵌入式SuperFlash®，为物联网和 "互联 "健康提供低功耗和低成本 [...] 。 阅读新闻稿
June 19, 2017 格芯和安森美半导体提供业界最低功耗的蓝牙®低能耗SoC系列55nm LPx RF功能平台，SST高可靠性的嵌入式SuperFlash®，为IoT和“连接”健康与健康设备提供低功耗和低成本的优势。 新加坡和加利福尼亚州圣克拉拉，2017年6月19日 – 格芯和安森美半导体（纳斯达克股票代码：ON）今天宣布，在格芯55nm低功耗扩展（55LPx）上提供了片上系统（SoC）系列器件，支持格芯的制程技术平台。安森美半导体的新RSL10产品基于多协议蓝牙5认证无线电SoC，能够支持物联网和“连接”健康与健康市场中的先进无线功能。 安森美半导体医疗和无线产品部副总裁罗伯特·汤（Robert Tong）表示：“蓝牙低功耗技术能够作为连接物联网设备的关键推动因素，并能满足低功耗的需求，这种技术将会继续进步。格芯的55LPx平台采用低功耗逻辑和高度可靠的嵌入式SuperFlash®存储器，与经过验证的射频IP结合，和将成为非常理想的匹配组合。RSL10系列在深度睡眠模式和峰值接收模式下可以提供业界最低的功耗，实现超长的电池寿命，并支持类似固件的升级更新功能。安森美半导体的新型RSL10 SoC使用这些高级功能来处理各种应用，包括可穿戴式和物联网边缘节点设备，如智能锁和电器。” “ 格芯的嵌入式存储部的副总裁David Eggleston表示：“格芯的55LPx平台与安森美半导体的设计相结合，在55nm上提供了可穿戴式SoC技术，并且具有行业领先的能源效率。“这是另一个可靠的证明，可以证明55LPx正在成为SoC设计师的首选。这些设计师一直都在追求高性价比，低功耗，以及在极端环境中卓越的可靠性。” 格芯的55nm LPx 射频功能平台提供了快速的到达产品解决方案的途径，其中包括硅验证合格的射频IP和硅存储技术（SST）高度可靠的嵌入式SuperFlash®内存，其特点如下： 读取速度非常快（<10ns） 较小的位单元面积 优异的数据保留（> 20年） 卓越的耐力（> […] Read Press Release
June 14, 2017 格芯推出面向数据中心、机器学习和5G网络的7纳米专用集成电路平台FX-7TM产品采用格芯7纳米FinFET工艺，提供业界一流的知识产权及解决方案 加利福尼亚，圣克拉拉（2017年6月14日）—— 格芯今日宣布推出其基于7纳米FinFET工艺技术的FX-7TM专用集成电路（ASIC）。FX-7是一个集成式设计平台，将先进的制造工艺技术与差异化的知识产权和2.5D/3D封装技术相结合，为数据中心、机器学习、汽车、有线通信和5G无线应用提供业内最完整的解决方案。 基于FX-14的持续成功，凭借业内领先的56G SerDes技术和专用集成电路专长，FX-7提供包括高速SerDes（60G, 112G）在内的全方位定制接口知识产权和差异化存储解决方案，涵盖低功耗SRAM、高性能嵌入式TCAM、集成式DACs/ADCs和ARM处理器，以及诸如2.5D/3D的先进封装选择。此外，FX-7产品组合可面向以超大型数据中心、5G网络、机器与深度学习应用为代表的低功耗和高性能应用，为其提供全新的设计方法和复杂的ASIC解决方案。未来，FX-7有望被运用于支持汽车ADAS及图像应用的解决方案。 格芯ASIC业务部高级副总裁Mike Cadigan 表示：“随着全球网络中数据流量和带宽的爆炸性增长，我们的客户不断提出新的需求。利用我们最先进的7LP FinFET工艺技术，FX-7产品能为面向诸如数据中心、深度计算、无线网络等新兴领域的客户，提供最先进的低功耗、高性能ASIC解决方案，从而不断提升我们为客户服务的领导者形象。” “得益于格芯在硅芯片的制造专长与IBM前半导体技术业务的有力结合，格芯的7纳米FinFET工艺技术展示了其先进科技和市场领导地位，”TIRIAS Research 创始人兼首席分析师Jim McGregor,表示，“通过其最新FX-7 ASIC产品，格芯将业务版图从传统代工客户拓展至新一代系统公司，这些公司正寻求将前沿芯片工艺应用于从人工智能的深度学习到下一代5G网络等广泛领域。” […] Read Press Release
June 14, 2017 格芯交付性能领先的7纳米FinFET技术在即 与原有的14纳米FinFET相比，全新的7LP技术将提升40%的性能 加利福尼亚，圣克拉拉（2017年6月14日）—— 格芯今日宣布推出其具有7纳米领先性能的（7LP）FinFET半导体技术，其40%的跨越式性能提升将满足诸如高端移动处理器、云服务器和网络基础设施等应用的需求。设计套件现已就绪，基于7LP技术的第一批客户产品预计于2018年上半年推出，并将于2018年下半年实现量产。 2016年9月，格芯曾宣布将充分利用其在高性能芯片制造中无可比拟的技术积淀，来研发自己7纳米FinFET技术的计划。由于晶体管和工艺水平的进一步改进，7LP技术的表现远优于最初的性能目标。与先前基于14纳米FinFET技术的产品相比，预计面积将缩小一半，同时处理性能提升超过40%。目前，在格芯位于纽约萨拉托加县的全球领先的Fab 8晶圆厂内，该技术已经做好了为客户设计提供服务的准备。 格芯CMOS业务部高级副总裁Gregg Bartlett先生表示：“我们的7纳米FinFET技术正在按计划进行开发。我们看到，格芯在2018年计划出厂的多样化产品对客户有着强大吸引力。在推动7纳米芯片于未来一年中实现市场化的同时，格芯正在积极开发下一代5纳米及其后续的技术，以确保我们的客户能够在最前沿领域内获取世界级的技术蓝图。” 格芯还将持续投资下一代技术节点的研究与开发。通过与合作伙伴IBM和三星的密切合作，2015年格芯便宣布推出7纳米测试芯片。此后，格芯又于近日宣布业内首款基于硅纳米片晶体管的5纳米的样片。目前，格芯正在探索一系列新的晶体管架构，以帮助其客户迈进下一个互联的智能时代。 格芯的7纳米FinFET技术充分利用了其在14纳米FinFET技术上的批量制造经验，该技术于2016年初2月8日在Fab 8晶圆厂中开始生产。自那时起，格芯已为广泛的客户提供了“一次成功”的设计。 为了加快7LP的量产进程，格芯正在持续投资最新的工艺设备能力，包括在今年下半年首次购进两个超紫外光（EUV）光刻工具。7LP的初始量产提升将依托传统的光刻方式，当具备批量生产条件时，将迁移至EUV光刻技术。 引言： […] Read Press Release
2017年6月13日 GLOBALFOUNDRIES有望推出领先性能的7纳米FinFET技术新的7LP技术比14纳米FinFET技术的性能提升了40% 2017年6月13日，加利福尼亚州圣克拉拉市--GLOBALFOUNDRIES今天[...] 。 阅读新闻稿
2017年6月13日 GLOBALFOUNDRIES为数据中心、机器学习和5G网络推出7纳米ASIC平台FX-7TM产品利用公司的7纳米FinFET工艺，提供一流的IP和解决方案 加州圣克拉拉市，6月[...] 。 阅读新闻稿
May 23, 2017 格芯将与成都共同推动实施FD-SOI 生态圈行动计划将累计投资超过1 亿美元来建立格芯TM FD-SOI 设计卓越中心 成都（2017年5月23日）— 5月23日，格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布，在成都市政府的引导和支持下，双方将协同合作以推动中国半导体产业的创新发展。双方将合作建立一个世界级的FD-SOI生态系统，其中涵盖多个成都研发中心及高校合作的研究项目。该项累计投资超过1亿美元的计划期望能吸引到更多顶尖的半导体公司落户成都，并使成都成为下一代芯片设计的卓越中心，以满足移动通信、物联网、汽车及其它高增长市场对高性能芯片的需求。 格芯和成都于近期共同出资建设一家300mm晶圆厂，旨在满足全球市场对 22FDX® FD-SOI 技术不断增加的需求。基于此项合作，成都目前正专注于将自己发展成为22FDX设计的卓越中心。通过合作，双方将在成都建立多个专注于知识产权开发、集成电路设计的中心，并孵化成都本地的无晶圆厂企业，帮助他们雇佣超过500位工程师的团队，以支持半导体和系统公司开发面向移动、互联、5G、物联网和汽车市场的、基于22FDX的产品。计划还提出，将重点建立与有关高校间的合作伙伴关系，以开展FD-SOI相关课程、研究计划及设计竞赛。 格芯产品管理高级副总裁Alain Mutricy表示：“中国是全球最大的半导体市场，同时国家对智慧城市，物联网等前沿技术的重视也居世界前列。格芯是非常契合中国发展的合作伙伴，FD-SOI在成都的生态系统将全面助力芯片设计师最大程度的利用这一技术的能力。我们希望通过与成都的合作，加快FDX在中国的发展和利用。” 成都市委常委、市政府副市长苟正礼表示：“我市与格罗方德公司《投资合作协议》签订后，已于今年2月举行了项目开工仪式，目前厂房等基础设施已全面开工建设，合资公司已成立。为进一步深化合作，吸引更多世界顶尖的半导体公司落户成都，双方共同拟订了FD-SOI产业生态圈行动，计划用6年时间，合建世界级的FD—SOI生态系统，助推成都成为全球卓越的集成电路设计和制造中心。” 格芯“22FDX”工艺采用22nm FD-SOI（全耗尽绝缘硅）晶体管架构，为无线的，使用电池供电的智能系统提供了业界最佳的性能、功耗和面积组合。目前，格芯成都新工厂的建设工作已经展开，预计将于2018年年初完工。完工后，该晶圆厂将率先投入主流工艺的生产，进而专注于22FDX的制造，预计将于2019年开始实现量产。 以下引言来自格芯合作伙伴 “为了回应中国政府关于西部开发的战略，联发科（MediaTek）在2010年建立了我们的成都分公司。成都已快速成为全球高科技企业青睐的投资目的地，我们很高兴地看到，越来越多的公司在这一地区投资，使成都成为格芯FDX技术制造和设计的卓越中心。” ——陈冠州,联发科执行副总裁兼联席首席运营官 “我们很高兴看到成都支持投资于格芯创新FDX技术的生态系统。这一合作对于支持中国快速发展的无晶圆厂半导体行业，以及帮助像瑞芯微电子（Rockchip）这样的公司在移动SoC市场建立差异化竞争优势发挥至关重要的作用。” ——励民，瑞芯微电子（Rockchip）公司CEO […] Read Press Release
2017年5月23日 GLOBALFOUNDRIES与成都合作，在中国拓展FD-SOI生态系统投资超过1亿美元建立FDX™ FD-SOI设计卓越中心 中华人民共和国成都，5月23日，[...] 。 阅读新闻稿
May 18, 2017 GLOBALFOUNDRIES使用12nm FD-SOI技术扩展FDX™路线图12FDX™可根据需要提供全节点扩展，超低功耗和性能 加利福尼亚州圣克拉拉市 2006年9月29日 格芯今天公布了新的12nm FD-SOI半导体技术，通过提供业界首个多节点FD-SOI线路图，扩展了其领先地位。基于其22FDX®产品的成功，该公司的下一代12FDX™平台旨在实现包括移动计算，5G连联接，人工智能和自主车辆的各种应用的未来智能系统。 这个世界正在被数万亿的设备连接起来，这种趋势使得这个世界更加的集成化，同时许多新兴的应用需要采用新的半导体创新方法来实现。使这些应用成为现实,芯片正在发展成为微型系统。同时，这些微型系统中集成了超低功耗智能组件，包括无线连接，非易失性存储器和电源管理。 格芯的全新12FDX技术专门用于提供前所未有的系统集成度，以及设计灵活性和功率扩展。 […] Read Press Release
