格芯新闻发布

先进的8SW 300毫米SOI技术，可以为移动4G LTE以及6GHz以下的5G应用开发成本优化、高性能的射频前端模块 中国， 上海 2017年9月29日—格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出业内首个基于300毫米晶圆的RF SOI代工解决方案。8SW SOI技术是格芯最先进的RF SOI技术，可以为4G LTE以及6GHz以下5G移动和无线通信应用的前端模块（FEM）带来显著的性能、集成和面积优势。 格芯全新的低成本、低功耗、高度灵活8SW的解决方案可以在300毫米生产线上制造具有出色开关性能、低噪声放大器（LNA）和逻辑处理能力的产品。与上一代产品相比，该技术可以将功耗降低至70%，实现更高的电压处理能力，并实现同类最佳的开启电阻（Ron）和关闭电容（Coff），从而通过高隔离减少插入损耗，同时借助全铜互连提升功耗处理能力。  “Skyworks继续借助我们全面的专业系统知识，为全球客户提供高度定制的解决方案。” Skyworks先进移动解决方案副总裁兼总经理Joel King 表示，“通过与格芯合作，Skyworks能够尽早使用同类最佳的开关和低噪声放大器技术，从而进一步为下一代移动设备和不断发展的物联网应用推动射频前端技术的发展。”  “我们现在生活在一个智能互联的时代，人们希望并且需要通过无缝、可靠的方式实现随时随地的数据连通。” 格芯射频业务部门高级副总裁Bami Bastani表示，“不过要实现这个目标的难度越来越大，因为前端设备必须能够处理越来越多的频段和射频信号类型，并具备集成数字处理和控制功能。作为射频行业的领军者，我们专门开发了新型8SW工艺，以满足客户最迫切的需求。” 基于300毫米RF-SOI的技术可以为设计人员提供一个成本优化的平台， 实现性能、集成和功耗的最佳组合方案，并拥有强大的数字集成能力。格芯的8SW技术采用了专门的衬底优化方案，能够最大限度增加无源器件的品质因数，减少有源电路的寄生电容，并最小化在千兆频段以下运行的器件相位差异和电压摆幅。该技术可以使优化后的低噪声放大器达到一流的噪声属性以及高特征频率与最高振荡频率，从而帮助目前采用4G频率以及未来采用6GHz以下频率的5G前端模块实现多样的接收和主天线路径低噪声放大器应用。 […]

技术平台的独特定位开启“互联智能”向5G过渡的全新时代 中国，上海 2017年9月29日 — 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今天公布了针对一系列技术平台而制订的愿景和路线图，这些技术平台旨在帮助客户过渡到下一代5G无线网络。格芯为多种5G应用领域提供业内范围最广的技术解决方案，所针对的应用包括集成毫米波前端模块（FEM）、收发器、基带芯片、以及用于移动和网络的高性能应用处理器。 随着全球对数字信息的依赖程度越来越高，互联技术有望推动市场迅猛发展，预计到2020年，互联设备数量会达到84亿。5G技术将成为推动网络发展，实现人与联网机器零距离连通的关键因素。5G技术无处不在的连通，令人难以置信的吞吐量和极快的运行速度让各种应用系统充分利用云的处理能力。 “格芯公司期望从4G到5G的过渡，其变革程度不亚于从语音过渡到数据。” 格芯公司CEO 桑杰·贾（Sanjay Jha） 表示，“5G将改变所有行业，而我们的客户早已蓄势待发。因此，我们以丰富的技术组合方案不断推动前沿技术的发展，从而满足客户的应用需求，为5G等变革技术实现智能互联。”  “5G技术的愿景是实现极其可靠的通信，达到高数据吞吐能力，高用户密度，以及不到5毫秒的网络延迟，” Linley集团的首席分析师Linley Gwennap表示，“格芯公司拥有广泛的产品组合和丰富的经验，能够很好地满足这些网络的需求，帮助其完成从设备一直到数据中心之间所有环节的过渡，从而支持5G应用。” 格芯在市场上推出了众多具有差异化的解决方案，以满足5G应用的性能标准。公司的技术路线图中包括RF-SOI、硅锗（SiGe）、RF CMOS以及先进CMOS节点技术，同时还结合了多种专用集成电路（ASIC）设计服务和IP。   格芯的5G端到端解决方案 格芯的5G解决方案是其开发和提供下一代技术的总体愿景的一部分，下一代技术旨在为下一代设备、网络和有线/无线系统实现互联智能。这些用于特定应用程序的解决方案通过支持多种多样的功能来为客户提供满意的5G解决方案，其中包括超低功耗传感器、具有长电池寿命的超快设备、以及支持片上存储器的更高层集成功能等。 ·           […]

共同开发的14HP工艺是全球唯一同时采用FinFET和SOI的技术 中国，上海，2017年9月26日 – 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其为IBM的下一代服务器系统处理器定制的量产14纳米高性能（HP）技术。这项双方共同开发的工艺专为IBM提供所需的超高性能和数据处理能力，从而在大数据和认知计算的时代为IBM的云、商业和企业解决方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z产品。 14HP是业内唯一将三维FinFET晶体管架构结合在SOI衬底上的技术。该技术采用了17层金属层结构，每个芯片上有80多亿个晶体管，通过嵌入式动态随机存储器（DRAM）以及其它创新功能，达到比前代产品更高的性能、更低的能耗、以及更好的面积缩微效果，从而能够满足广泛的深度计算工作量的需求。 14HP技术助力IBM最新z14主机的处理器。其基础的半导体工艺可使IBM客户顺利完成海量的大容量处理任务，利用机器学习功能处理其最具价值的数据，并通过快速获得可执行的见解以做出智能决策——并同时提供全面加密实现的极致数据保护。 “格芯一直是我们开发定制半导体技术的战略合作伙伴，他们能够使我们最新的服务器系统处理器满足严格的要求。”IBM Z 总经理Ross Mauri 表示，“我们很高兴能在IBM Z产品线中采用14HP技术。” “格芯和IBM在开发和制造超高性能SOI芯片方面都具有丰富的经验，”格芯全球销售和业务发展高级副总裁Mike Cadigan表示，“新一代的14HP处理器是双方工程团队通过密切协作，满足新一代服务器系统需求的又一有力证明。” “14HP技术借鉴了我们位于纽约州萨拉托加县的Fab 8在14纳米FinFET技术领域所积累的丰富经验。”格芯公司高级副总裁兼Fab 8总经理Tom Caulfield表示，“我们目前已经开始大量生产涉及多种应用领域的客户产品。我们成熟、多样的制造能力会帮助IBM将最新的处理器投放到市场，为其众多客户服务。”   关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统的出现，并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司（Mubadala […]

技术解决方案，为下一代高容量无线和物联网应用实现低功耗、低成本的“智能互联”   中国，上海，2017年9月26日 — 格芯（GLOBALFOUNDRIES）今日宣布推出面向下一代无线和物联网芯片的射频/模拟PDK（22FDX®-rfa）解决方案，以及面向5G、汽车雷达、WiGig、卫星通信以及无线回传等新兴高容量应用的毫米波PDK（22FDX®-mmWave）解决方案。 该两种解决方案都基于格芯的22纳米FD-SOI平台，该平台将高性能射频、毫米波和高密度数字技术结合，为集成单芯片系统解决方案提供支持。该技术在低电流密度和高电流密度的应用中都可以实现最高特征频率和最高振荡频率，适用于对性能和功耗都有超高要求的应用，例如LTE-A、窄带物联网与5G蜂窝收发器、GPS WiFi与WiGig集成芯片、以及各种采用集成eMRAM技术的物联网和汽车雷达应用等。 “随着客户不断推动智能互联设备的领域，格芯也不断推出差异化的FDX系列产品，助力客户的创新，”格芯CMOS业务部门高级副总裁Gregg Bartlett 表示，“日新月异的主流移动和物联网市场要求射频和模拟技术不断创新发展。格芯的22FDX-rfa整合了卓越的射频和模拟功能，有助于开发兼具功耗、性能和成本优势的差异化移动和物联网产品。针对新兴的毫米波市场，格芯的22FDX-mmWave技术可实现无与伦比的毫米波性能，为客户交付差异化的相控阵波束成型以及其它拥有最低功耗、最高性能与集成度的毫米波系统解决方案。” 格芯优化了22FDX射频与毫米波产品，从而能够为诸如单片系统窄带物联网以及5G毫米波束成型相控阵系统等领先的连接应用提供高性能天线开关与功率放大器集成解决方案。 作为FinFET技术之外的选择，22FDX-rfa不仅能够整合这些前端模块组件，而且与FinFET相比，还可以降低热噪声并达到相同的自增益放大效果，同时其自增益至少为体硅的两倍。同时，射频性能也更为出色，且FD-SOI技术本身所具有特征还进一步减少了30%的浸没式光刻层。 面向先进射频和模拟毫米波以及嵌入式非易失内存解决方案的工艺设计工具包现已发布，可以供客户进行原型设计。客户如果希望进一步了解格芯的22FDX射频与模拟解决方案，请联系您的格芯销售代表，或访问网站：www.globalfoundries.com/cn。   关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统的出现，并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司（MubadalaInvestment Company）所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com/cn。   媒体垂询： 杨颖（Jessie […]

先进的嵌入式非易失内存解决方案在22纳米工艺节点上扩展片上系统（SoC）性能，实现“智能互联” 中国，上海（2017年9月25日）——格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22纳米 FD-SOI (22FDX®)平台的可微缩嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。作为业界最先进的嵌入式内存解决方案，格芯22FDX eMRAM，为消费领域、工业控制器、数据中心、物联网及汽车等广泛应用提供优越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美国所展示的，格芯22FDX eMRAM具有业界领先的存储单元尺寸，拥有在260°C回流焊中保留数据的能力，同时能使数据在125°C环境下保留10年以上。这项行业领先的技术优势使其能够被用于通用、工业和汽车领域的微控制器单元(MCU)。FDXTM和eMRAM的能效连同射频连接功能和毫米波IP，使得22FDX成为电池驱动的物联网和自动驾驶汽车雷达片上系统(SoCs)的理想平台。 “随着越来越多的应用需要高性能、非易失性的内存解决方案，客户都在设法扩展产品的能力。”格芯eMRAM事业部副总裁Dave Eggleston表示，“我们很高兴能发布22FDX eMRAM。作为一种具有卓越可靠性的嵌入式内存技术，它能够为系统设计者在微控制器（MCUs）和片上系统（SoCs）中提供更多功能，同时提高其性能和能效。” 格芯eMRAM的高可靠性和可扩展性使其在多个市场的先进工艺节点上都是一个成本优化的选择。此外，格芯eMRAM的多功能性让其能同时兼备快写性能与高持久性，这也使得它能同时被用于代码存储和工作存储。这一22FDX eMRAM的推出是格芯与Everspin 科技公司多年合作的成果。目前，1Gb容量的双倍速率MRAM芯片已进行了演示并提供样片，256Mb容量的双倍速率MRAM芯片已量产，并由Everspin独家供货。 22FDX eMRAM和射频解决方案的工艺设计工具包现已发布。面向22FDX eMRAM客户样片的多项目晶圆(MPWs)正在如期进行中，并将在2018年第一季度交付，且计划于2018年底进行风险量产。格芯及其设计合作伙伴已推出eMRAM定制设计服务，包括从2Mb到32Mb容量的eMRAM，并提供设计便捷的嵌入式闪存（eFlash）和静态随机存储器（SRAM）接口选项。 有兴趣了解更多关于格芯22FDX eMRAM解决方案的客户可以联系格芯销售代表或登录网站www.globalfoundries.com/cn。   关于格芯 […]

全新12LP技术改善了当前代产品的密度和性能 平台增强了下一代汽车电子及射频/模拟应用的性能 中国上海（2017年9月25日）——格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布计划推出全新12纳米领先性能(12LP)的FinFET半导体制造工艺。该技术预计将提高当前代14纳米 FinFET产品的密度和性能，同时满足从人工智能、虚拟现实到高端智能手机、网络基础设施等最具计算密集型处理需求的应用。 这项全新的12LP技术与当前市场上的16 /14纳米 FinFET解决方案相比，电路密度提高了15%，性能提升超过10%。这表明12LP完全可与其它晶圆厂的12纳米 FinFET产品竞争。这项技术利用了格芯在纽约萨拉托加县Fab 8的专业技术，该工厂自2016年初以来，一直在大规模量产格芯的14纳米 FinFET平台。 “世界正在处于向智能互联时代转型之中，这是一个前所未有的趋势。”格芯首席执行官桑杰·贾（Sanjay Jha）表示，“全新的12LP技术以更高的性能和密度帮助我们的客户在系统层面上继续创新，包括实时连接以及从高端图像处理、汽车电子到工业应用等边缘处理。” “我们很高兴能进一步拓展与格芯长期以来的合作关系，成为他们全新12LP技术的主要客户，” AMD首席技术官及技术与工程高级副总裁Mark Papermaster表示，“2017年，得力于我们与格芯的深度合作，AMD使用14纳米 FinFET技术将一系列领先的高性能产品推向市场。我们很高兴能与格芯在全新12LP工艺技术上进行合作，这也是我们加速产品和技术发展的一部分。” 除了晶体管级的增强，12LP平台还将包括专为业内增长最快的两个领域——汽车电子和射频/模拟应用而设计的面向市场的全新功能。 ·         汽车安全和自动驾驶方面的新兴汽车应用对于处理功耗和极致可靠性都有极高要求。12LP平台兼具这两种功能，并计划于2017年第四季度在Fab 8进行汽车二级资格认证。 […]