2015年5月20日该技术是业内首个提供优化设计支持的技术，以满足射频SoC的低功耗要求 加利福尼亚州圣克拉拉，2015年5月20日 -- GLOBALFOUNDRIES是第一家开发28纳米HKMG技术的纯晶圆厂，并配有射频（RF）模型。 全面的设计启用和优化的射频工艺设计套件（RF PDK）在核心射频性能和功能方面提供了设计灵活性。 射频技术为SoC解决方案提供了关键功能，为广泛的无线应用拓宽了视野。 领先的先进半导体制造技术供应商GF今天宣布提供28纳米高k金属栅极（HKMG）射频（RF）工艺技术，将为高度集成的移动应用和互联设备提供高能效解决方案。基于GF的28纳米超低功耗（SLP）技术与HKMG，28纳米-SLP-RF工艺包括一套全面的设计能力，使芯片设计者能够将关键的射频系统级芯片（SoC）功能集成到他们的产品中。 "GF产品管理高级总监Mike Mendicino表示："互联设备和物联网消费应用的激增为射频芯片创造了机会和需求。"GF支持射频的28纳米工艺降低了设计障碍，使更多的客户能够加快领先的射频SoC的量产时间。" 28纳米SLP-RF工艺建立在经过现场验证的、成本优化的28纳米SLP HKMG工艺之上。硅片结果显示了高频性能（Ft ~ 310GHz）和低闪烁/热噪声，为芯片设计者提供了在高性价比的逻辑平台上优化核心射频性能和功能的灵活性。28纳米-SLP-RF工艺技术是为需要低待机功耗和长电池寿命的下一代连接设备设计的，这些设备需要与射频/无线功能集成。该技术具有关键的射频功能，包括核心和I/O（1.5V/1.8V）晶体管射频模型以及5V LDMOS器件，这简化了射频SoC设计。对于无源射频器件，28纳米-SLP-RF提供了高达5V的交替极性金属-氧化物-金属（APMOM）电容器、深n孔器件、扩散、聚和精密电阻器、电感器和超厚金属（UTM）层。所有支持射频的器件都是可扩展的，在整个工作范围内进行了硬件验证，并符合行业标准的可靠性鉴定要求。28纳米-SLP平台的批量生产于2012年开始。 GF的28nm-SLP-RF技术采用了该公司经过生产验证的28nm-SLP硅验证设计流程，其中包括一套完整的库、编译器和复杂IP。公司与EDA/IP生态系统中的领先公司合作，提供优化的工艺设计套件（PDK），支持高精度的射频SPICE模型和全面的技术文件，这些都是射频设计不可或缺的。GF增强的28纳米-SLP-RF PDK和验证方法现在已经推出。 在5月17日至22日于亚利桑那州凤凰城举行的国际微波研讨会上，GF将在834号展位参展，并通过各种演讲展示创新的射频解决方案。 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月成立，作为世界上最大的代工厂之一，迅速形成规模，为160多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系方式。 Erica McGillGF(518) 305-5978[email protected]
