Mai 20, 2015Die Technologie ist die erste in der Branche, die Design-Enablement-Unterstützung bietet, die für die Erfüllung der Stromsparanforderungen von RF-SoCs optimiert ist Santa Clara, Kalifornien, 20. Mai 2015. GLOBALFOUNDRIES ist der erste reine Anbieter ( foundry ), der die 28-nm-HKMG-Technologie komplett mit Hochfrequenz (RF)-Modellierung entwickelt. Vollständiges Design Enablement und optimierte RF Process Design Kits (RF PDKs) bieten Designflexibilität in Bezug auf RF-Kernleistung und -funktionalität. Die RF-Technologie bietet wichtige Funktionen für SoC-Lösungen und erweitert den Horizont für eine Vielzahl von Wireless-Anwendungen. GF, ein führender Anbieter fortschrittlicher Halbleiterfertigungstechnologien, hat heute bekannt gegeben, dass er eine 28-nm-High-k-Metal-Gate (HKMG)-Radiofrequenz (RF)-Prozesstechnologie anbietet, die energieeffiziente Lösungen für hochintegrierte mobile Anwendungen und vernetzte Geräte ermöglicht. Der 28nm-SLP-RF-Prozess basiert auf der 28nm Super Low Power (SLP)- Technologie von GF mit HKMG und bietet umfassende Designfunktionen, mit denen Chipdesigner wichtige RF-System-on-Chip (SoC)-Funktionen in ihre Produkte integrieren können. "Die zunehmende Verbreitung von vernetzten Geräten und IoT-Verbraucheranwendungen hat eine große Chance und Nachfrage nach RF-fähigen Chips geschaffen", so Mike Mendicino, Senior Director of Product Management bei GF. "Der RF-fähige 28nm-Prozess von GF senkt die Design-Hürden und ermöglicht es einem breiteren Spektrum von Kunden, die Time-to-Volume von hochmodernen RF-SoCs zu beschleunigen." Der 28-nm-SLP-RF-Prozess basiert auf dem praxiserprobten, kostenoptimierten 28-nm-SLP-HKMG-Prozess. Siliziumergebnisse haben Hochfrequenzleistung (Ft ~ 310GHz) und geringes Flimmern/thermisches Rauschen gezeigt, was den Chipdesignern Flexibilität bei der Optimierung der HF-Kernleistung und -funktionalität in einer kostengünstigen Logikplattform bietet. Die 28nm-SLP-RF-Prozesstechnologie wurde für die nächste Generation von vernetzten Geräten entwickelt, die einen niedrigen Standby-Stromverbrauch und eine lange Batterielebensdauer erfordern und in die RF-/Wireless-Funktionen integriert sind. Die Technologie verfügt über wichtige RF-Merkmale, darunter RF-Modelle mit Core- und I/O-Transistoren (1,5V/1,8V) sowie 5V-LDMOS-Bauteile, die das RF-SoC-Design vereinfachen. Für passive RF-Bauelemente bietet 28nm-SLP-RF APMOM-Kondensatoren (Alternate Polarity Metal-Oxide-Metal) bis zu 5V, tiefe n-Well-Bauelemente, Diffusions-, Poly- und Präzisionswiderstände, Induktoren und eine ultradicke Metallschicht (UTM). Alle RF-fähigen Bauelemente sind skalierbar, über den gesamten Betriebsbereich hardware-verifiziert und erfüllen die branchenüblichen Anforderungen an die Zuverlässigkeit. Die Volumenproduktion der 28-nm-SLP-Plattform begann 2012. Die 28nm-SLP-RF-Technologie von GF nutzt die produktionserprobten, siliziumvalidierten 28nm-SLP-Design-Flows des Unternehmens, die ein komplettes Set von Bibliotheken, Compilern und komplexer IP umfassen. Das Unternehmen hat mit führenden Unternehmen im EDA/IP-Ökosystem zusammengearbeitet, um ein optimiertes Prozessdesign-Kit (PDK) bereitzustellen, das hochpräzise RF-SPICE-Modelle und umfassende Technologiedateien unterstützt, die für RF-Designs unerlässlich sind. Das verbesserte 28-nm-SLP-RF-PDK und die Verifikationsmethode von GF sind ab sofort verfügbar. GF wird am Stand Nr. 834 ausstellen und auf dem International Microwave Symposium, das vom 17. bis 22. Mai in Phoenix, Arizona, stattfindet, in verschiedenen Präsentationen innovative RF-Lösungen vorstellen. ÜBER GF GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 160 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die drei 300-mm-Fabriken und die fünf 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den USA, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakte: Erica McGillGF(518) 305-5978[email protected]
