GLOBALFOUNDRIES将提供业界领先的7nm FinFET技术产品

公司为需要终极处理能力的产品扩展了其领先的路线图

2016年9月15日,加利福尼亚州圣克拉拉市--环球方德公司今天宣布计划提供一种新的领先的7纳米FinFET半导体技术,将为下一个时代的计算应用提供终极性能。这项技术为数据中心、网络、优质移动处理器和深度学习应用提供更多的处理能力。

与目前16/14纳米代工的FinFET产品相比,GF新的7纳米FinFET技术有望实现两倍以上的逻辑密度和30%的性能提升。该平台以行业标准的FinFET晶体管架构和光学光刻技术为基础,在关键层面上兼容EUV。这种方法将通过大量重复使用公司14纳米FinFET技术的工具和工艺来加快生产速度,该技术目前正在位于纽约州萨拉托加县的Fab 8园区进行批量生产。

"GF首席执行官Sanjay Jha表示:"业界正趋向于将7纳米FinFET作为下一个长寿命节点,这对GF来说是一个独特的机会,可以在领先的位置上进行竞争。"通过利用我们多年来制造高性能芯片的经验、前IBM微电子公司同事的才能和技术以及我们研究联盟的世界级研发管道,我们完全有能力提供与众不同的7nm FinFET技术。没有其他晶圆厂能与这种制造高性能芯片的传统相提并论。"

"TIRIAS Research创始人兼首席分析师Jim McGregor说:"GF做出了一个大胆的决定,从14纳米直接跳到7纳米--这个决定现在得到了几家领先的半导体公司的支持,因为他们认为10纳米工艺节点的高成本只能带来微弱的性能和功率优势。"与28纳米和16/14纳米工艺节点一样,7纳米似乎是下一个主要的工艺节点,至少在未来十年将被整个半导体行业广泛利用。"

"AMD总裁兼首席执行官Lisa Su博士表示:"像GF 7纳米FinFET这样的领先技术是我们提供计算和图形产品长期路线图的一个重要部分,这些产品能够为下一代计算体验提供动力。"我们期待着继续与GF密切合作,因为他们将在14纳米建立的坚实的执行和技术基础扩展到未来几年部署高性能、低功耗的7纳米技术。"

"作为其积极的长期研究议程的一部分,IBM致力于推动半导体技术的极限,"IBM研究院高级副总裁兼总监Arvind Krishna说。"IBM研究院继续与GF合作,开发新的想法、新的技能和新的技术,这将有助于加速我们在7纳米技术及以后的联合研究。"

GF将提供一个全面的、有竞争力的IP库,与工艺开发共同优化。为使客户加速采用7纳米FinFET技术,GF已将其与英威达的战略合作关系扩大到14LPP和FDX™工艺之外,现在还包括7纳米工艺技术的代工IP开发。这将为客户打下坚实的基础,以建立符合其性能、功率和面积要求的早期设计。

"英威达首席执行官Dasaradha Gude表示:"英威达专门为GF的客户提供无与伦比的IP解决方案、ASIC和设计服务,这些服务涵盖了GF领先的FinFET和FDX工艺的广泛范围。"我们与GF的战略伙伴关系与我们量身定制的代工IP模型相结合,使我们能够开发出7纳米FinFET工艺基础IP,满足7纳米客户领先应用的挑战性性能要求。"

在其14LPP技术平台的成功基础上,GF的7纳米FinFET技术定位于实现需要超高性能的下一代计算应用,从高端移动SoC到云服务器和网络基础设施的处理器。公司的高性能产品得到了22FDX®和12FDX™技术的补充,这些技术的开发是为了满足下一代智能互联设备的超低功耗要求,从移动计算和5G连接到人工智能和自主车辆。

GF的7纳米FinFET技术将得到一个完整的基础和复杂的知识产权(IP)平台的支持,包括一个特定应用集成电路(ASIC)产品。带有领先客户的IP的测试芯片已经开始在8号工厂运行。该技术预计将在2017年下半年开始为客户的产品设计做好准备,并在2018年初进入风险生产阶段。

关于GF

GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业,其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动,迅速形成规模,成为世界上最大的代工厂之一,为250多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营,GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息,请访问https://www.globalfoundries.com。

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GF
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