September 15, 2016Das Unternehmen erweitert seine führende Roadmap für Produkte, die ultimative Rechenleistung erfordern Santa Clara, Kalifornien, 15. September 2016 - GLOBALFOUNDRIES kündigte heute Pläne für eine neue, führende 7nm-FinFET-Halbleitertechnologie an, die die ultimative Leistung für die nächste Ära von Computeranwendungen bieten wird. Diese Technologie bietet mehr Rechenleistung für Rechenzentren, Netzwerke, hochwertige mobile Prozessoren und Deep-Learning-Anwendungen. Die neue 7nm-FinFET-Technologie von GF soll eine mehr als doppelt so hohe Logikdichte und eine 30-prozentige Leistungssteigerung im Vergleich zu den heutigen 16/14nm foundry FinFET-Angeboten bieten. Die Plattform basiert auf einer dem Industriestandard entsprechenden FinFET-Transistorarchitektur und optischer Lithografie mit EUV-Kompatibilität auf Schlüsselebenen. Dieser Ansatz wird den Produktionsanstieg durch die Wiederverwendung von Werkzeugen und Prozessen der 14-nm-FinFET-Technologie des Unternehmens beschleunigen, die derzeit auf dem Fab-8-Campus in Saratoga County, N.Y., in Serie produziert wird. GF plant eine zusätzliche Investition in Höhe von mehreren Milliarden Dollar in Fab 8, um die Entwicklung und Produktion von 7-nm-FinFET zu ermöglichen. "Die Industrie konvergiert auf 7nm FinFET als nächsten langlebigen Knotenpunkt, was für GF eine einzigartige Gelegenheit darstellt, an der Spitze zu konkurrieren", sagte GF CEO Sanjay Jha. "Wir sind gut positioniert, um eine differenzierte 7nm-FinFET-Technologie zu liefern, indem wir unsere jahrelange Erfahrung in der Herstellung von Hochleistungschips, das Talent und Know-how unserer ehemaligen Kollegen von IBM Microelectronics und die erstklassige F&E-Pipeline unserer Forschungsallianz nutzen. Kein anderes Unternehmen foundry kann mit diesem Erbe bei der Herstellung von Hochleistungschips mithalten." "GF hat die mutige Entscheidung getroffen, direkt von 14nm auf 7nm zu wechseln - eine Entscheidung, die nun von mehreren führenden Halbleiterunternehmen unterstützt wird, da sie nur marginale Leistungs- und Stromverbrauchsvorteile für die hohen Kosten des 10nm-Prozessknotens sehen", sagte Jim McGregor, Gründer und Hauptanalyst von TIRIAS Research. "Ähnlich wie die 28nm- und 16/14nm-Prozessknoten scheint 7nm der nächste große Prozessknoten zu sein, der von der gesamten Halbleiterindustrie für mindestens das nächste Jahrzehnt in großem Umfang genutzt werden wird." "Spitzentechnologien wie GF 7nm FinFET sind ein wichtiger Bestandteil unserer langfristigen Roadmap für Computer- und Grafikprodukte, die die nächste Generation von Computererlebnissen ermöglichen", sagte Dr. Lisa Su, President und CEO von AMD. "Wir freuen uns darauf, unsere enge Zusammenarbeit mit GF fortzusetzen, während sie die solide Ausführungs- und Technologiebasis, die sie bei 14nm aufbauen, in den kommenden Jahren auf die leistungsstarke und stromsparende 7nm-Technologie ausweiten." "IBM ist bestrebt, die Grenzen der Halbleitertechnologie im Rahmen seiner aggressiven, langfristigen Forschungsagenda zu erweitern", sagte Arvind Krishna, Senior Vice President und Direktor von IBM Research. "IBM Research arbeitet weiterhin mit GF zusammen, um neue Ideen, neue Fähigkeiten und neue Technologien zu entwickeln, die dazu beitragen werden, unsere gemeinsame Forschung in der 7nm-Technologie und darüber hinaus zu beschleunigen". GF wird eine umfassende und wettbewerbsfähige IP-Bibliothek liefern, die gemeinsam mit der Prozessentwicklung optimiert wurde. Damit Kunden die Einführung der 7nm-FinFET-Technologie beschleunigen können, hat GF seine strategische Partnerschaft mit INVECAS über die 14LPP- und FDX™-Prozesse hinaus erweitert und bietet nun auch die foundry IP-Entwicklung für 7nm-Prozesstechnologien an. Dies bietet den Kunden eine solide Grundlage für die Entwicklung früher Designs, die ihre Anforderungen an Leistung, Stromverbrauch und Fläche erfüllen. "INVECAS hat sich darauf spezialisiert, den Kunden von GF konkurrenzlose IP-Lösungen, ASICs und Design-Services anzubieten, die die gesamte Bandbreite der führenden FinFET- und FDX-Prozesse von GF abdecken", sagte Dasaradha Gude, CEO von INVECAS. "Unsere strategische Partnerschaft mit GF in Kombination mit unserem maßgeschneiderten foundry IP-Modell ermöglicht es uns, eine 7nm-FinFET-Prozess-Grundlagen-IP zu entwickeln, die den anspruchsvollen Leistungsanforderungen der 7nm-Spitzenanwendungen unserer Kunden gerecht wird." Aufbauend auf dem Erfolg seiner 14LPP-Technologieplattform ist die 7-nm-FinFET-Technologie von GF so positioniert, dass sie Computeranwendungen der nächsten Generation ermöglicht, die eine extrem hohe Leistung erfordern - von mobilen High-End-SoCs bis hin zu Prozessoren für Cloud-Server und Netzwerkinfrastrukturen. Das Hochleistungsangebot des Unternehmens wird durch seine 22FDX®- und 12FDX™-Technologien ergänzt, die entwickelt wurden, um die Ultra-Low-Power-Anforderungen der nächsten Generation intelligenter, vernetzter Geräte zu erfüllen - von Mobile Computing und 5G-Konnektivität bis hin zu künstlicher Intelligenz und autonomen Fahrzeugen. Die 7-nm-FinFET-Technologie von GF wird durch eine umfassende Plattform mit grundlegendem und komplexem geistigem Eigentum (IP) unterstützt, darunter auch ein Angebot an anwendungsspezifischen integrierten Schaltkreisen (ASIC). Testchips mit IP von führenden Kunden wurden bereits in Fab 8 in Betrieb genommen. Es wird erwartet, dass die Technologie in der zweiten Jahreshälfte 2017 für die Entwicklung von Kundenprodukten zur Verfügung steht und Anfang 2018 in die Risikoproduktion übergeht. Über GF GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den USA, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakt:Jason GorssGF(518) 698-7765[email protected]
