2025 年 8 月 28 日 业内首款高性能互补 BiCMOS 技术为重要市场和应用带来性能和功耗优势 2025年8月28日，加利福尼亚州圣克拉拉市--今天，在加利福尼亚州举行的年度技术峰会上，GlobalFoundries（GF）（纳斯达克股票代码：GFS）宣布量产130纳米互补双CMOS（CBIC）平台，这是该公司迄今为止性能最高的硅锗（SiGe）技术。 130CBIC 现可通过工艺设计工具包 (PDK) 进行设计，其 NPN 晶体管的频率超过 400 GHz ft/fmax，PNP 晶体管的频率超过 200 GHz，性能无与伦比，是唯一能够满足智能手机、无线基础设施、光网络、卫星通信和工业物联网等多个关键市场需求的高性能 SiGe 平台。 130CBIC 由 GF 位于佛蒙特州伯灵顿的工厂开发和制造，经过优化，可在降低成本的同时，突破连接应用中射频性能的极限。对于蜂窝智能手机，该平台可实现低噪声放大器 (LNA)，在降低电流消耗的同时保持超低噪声系数，有助于减少电池消耗。在数据中心，该平台的高性能 PNP 晶体管可实现创新的放大器拓扑结构，以较低功耗为高速模拟和光网络提供高增益带宽。该平台还支持超过 100GHz 的先进毫米波工业雷达应用，以更小的外形尺寸实现高分辨率传感和测距。 "GF 射频产品线高级副总裁 Shankaran Janardhanan 表示："130CBIC 是我们 SiGe 路线图中的一个重要里程碑，为依赖先进射频技术实现高速、高能效连接的广泛高增长市场树立了新的性能基准。"通过将业界领先的晶体管性能与低掩模数工艺相结合，我们为客户开辟了射频创新的新途径，使他们能够更快地将新技术推向市场。 130CBIC 可通过 GF 的GlobalShuttle 多项目晶圆计划进行原型设计，该计划将持续到 2025 年和 2026 年。射频参考设计可通过 GF 的自助式 GF Connect 门户网站获得，以帮助启动设计流程。 关于GF GlobalFoundries (GF) 是全球生活、工作和连接所依赖的重要半导体的领先制造商。我们不断创新并与客户合作，为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施和其他高增长市场提供更节能、更高性能的产品。GF 的生产足迹遍布美国、欧洲和亚洲，是全球客户值得信赖的可靠供应商。每天，我们才华横溢的全球团队都在不懈地关注安全性、使用寿命和可持续发展，为客户创造成果。欲了解更多信息，请访问 www.gf.com。 前瞻性信息 本新闻稿可能包含前瞻性声明，这些声明涉及风险和不确定性。请读者注意不要过分依赖任何这些前瞻性声明。这些前瞻性声明仅在本新闻稿发表之日有效。除非法律要求，否则GF没有义务更新这些前瞻性声明以反映本新闻稿发布日期之后的事件或情况，或反映实际结果。 媒体垂询 斯蒂芬妮-冈萨雷斯 [email protected]
