August 28, 2025 Die branchenweit erste hochleistungsfähige komplementäre BiCMOS-Technologie bietet Leistungs- und Energievorteile für wichtige Märkte und Anwendungen SANTA CLARA, Kalifornien, 28. August 2025 - GlobalFoundries (GF) (Nasdaq: GFS) gab heute auf seinem jährlichen Technologiegipfel in Kalifornien die Produktionsfreigabe seiner 130-nm-Bi-CMOS-Plattform (CBIC) bekannt, der bisher leistungsstärksten Silizium-Germanium (SiGe)-Technologie des Unternehmens. Der 130CBIC, der jetzt mit einem Prozessdesign-Kit (PDK) für das Design verfügbar ist, bietet eine unübertroffene Leistung mit NPN-Transistoren, die 400 GHz ft/fmax überschreiten, und PNP-Transistoren, die 200 GHz übertreffen. Damit ist er die einzige SiGe-Hochleistungsplattform, die mehrere Schlüsselmärkte adressieren kann, darunter Smartphones, drahtlose Infrastruktur, optische Netzwerke, Satellitenkommunikation und industrielles IoT. Der von GF in Burlington, Vermont, entwickelte und gefertigte 130CBIC ist darauf optimiert, die Grenzen der HF-Leistung in vernetzten Anwendungen zu erweitern und gleichzeitig die Kosten zu senken. Für Mobiltelefone ermöglicht die Plattform rauscharme Verstärker (LNAs), die den Stromverbrauch reduzieren und gleichzeitig eine extrem niedrige Rauschzahl beibehalten, wodurch der Batterieverbrauch gesenkt werden kann. Im Rechenzentrum ermöglichen die leistungsstarken PNP-Transistoren der Plattform innovative Verstärkertopologien, die eine hohe Verstärkungsbandbreite bei geringerem Stromverbrauch für analoge und optische Hochgeschwindigkeitsnetzwerke bieten. Die Plattform unterstützt auch fortschrittliche mmWave-Industrieradaranwendungen mit mehr als 100 GHz, die hochauflösende Abtastung und Entfernungsmessung in einem reduzierten Formfaktor ermöglichen. "Der 130CBIC stellt einen wichtigen Meilenstein in unserer SiGe-Roadmap dar. Er setzt neue Leistungsmaßstäbe für das breite Spektrum wachstumsstarker Märkte, die auf fortschrittliche RF-Technologien für schnelle und energieeffiziente Verbindungen angewiesen sind", so Shankaran Janardhanan, Senior Vice President der RF-Produktlinie von GF. "Durch die Kombination von branchenführender Transistorleistung mit einem Prozess mit geringer Maskenanzahl eröffnen wir unseren Kunden neue Wege für RF-Innovationen und ermöglichen ihnen, neue Technologien schneller auf den Markt zu bringen". Der 130CBIC ist für das Prototyping über das GlobalShuttle-Multiprojekt-Waferprogramm von GF verfügbar, wobei Shuttles bis 2025 und 2026 geplant sind. RF-Referenzdesigns sind über das Self-Service-Portal GF Connect verfügbar, um den Designprozess zu beschleunigen. Über GF GlobalFoundries (GF) ist ein führender Hersteller von Halbleitern, auf die sich die Welt zum Leben, Arbeiten und Vernetzen verlässt. Wir sind innovativ und arbeiten mit unseren Kunden zusammen, um energieeffizientere und leistungsfähigere Produkte für die Automobilindustrie, intelligente mobile Geräte, das Internet der Dinge, Kommunikationsinfrastrukturen und andere wachstumsstarke Märkte zu entwickeln. Mit seiner globalen Produktionsbasis, die sich über die USA, Europa und Asien erstreckt, ist GF eine vertrauenswürdige und zuverlässige Quelle für Kunden auf der ganzen Welt. Jeden Tag liefert unser talentiertes globales Team Ergebnisse mit einem unnachgiebigen Fokus auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com. Zukunftsorientierte Informationen Diese Pressemitteilung kann zukunftsgerichtete Aussagen enthalten, die mit Risiken und Ungewissheiten verbunden sind. Die Leser werden davor gewarnt, sich auf diese zukunftsgerichteten Aussagen zu verlassen. Diese zukunftsgerichteten Aussagen beziehen sich nur auf das Datum dieser Pressemitteilung. GF ist nicht verpflichtet, diese zukunftsgerichteten Aussagen zu aktualisieren, um sie an Ereignisse oder Umstände nach dem Datum dieser Pressemitteilung oder an die tatsächlichen Ergebnisse anzupassen, sofern dies nicht gesetzlich vorgeschrieben ist. Medienkontakt: Stephanie Gonzalez [email protected]
