2013年2月5日IP和设计工具流程加速了移动产品强大的非平面架构的实施 加州米尔皮塔斯，2013年2月5日--全球方德科技公司（GLOBALFOUNDRIES）和Synopsys公司（纳斯达克：SNPS）今天宣布，两家公司已经合作提供全面的设计解决方案，以加速实现GF的芯片和电子系统创新。(纳斯达克：SNPS）今天宣布，两家公司已合作提供全面的设计解决方案，以加快实施GF的14纳米-XM FinFET产品。该解决方案包括Synopsys的DesignWare®嵌入式内存和逻辑库IP；Galaxy™实现平台的设计工具；以及TCAD工艺和器件仿真工具，所有这些都经过优化，使设计团队能够以最高效、低风险的方式实现预期的性能、功耗和面积要求。这项合作开发是建立在业界首个模块化FinFET技术之上的，它将14纳米（nm）FinFET器件与GF的20纳米-LPM工艺元素结合起来，以降低风险并加快量产时间。 "我们与Synopsys有着长期的合作关系，为我们共同的客户提供了广泛的、经过验证的设计实施方案。GF市场、销售、设计和质量执行副总裁Mike Noonen表示："通过我们新的14纳米-XM FinFET技术，特别是在解决移动设备SoC的要求方面，可以获得令人信服的好处，这将更容易实现，也更有效率。"我们的先进工艺与Synopsys的IP、设计和制造工具设计环境相结合，将为客户提供三维FinFET晶体管的性能和功率优势，而且风险更小，上市时间更快。" FinFET晶体管是对平面器件的重大改变。GF与Synopsys在TCAD上合作，对这些变化进行建模和仿真，并加快其FinFET器件的工艺开发和性能优化。此外，这些器件和相关的14纳米工艺几何形状的缩小影响了寄生提取、器件的SPICE建模、布线规则和IP开发。GF和Synopsys紧密合作，将这些变化的影响降到最低，并确保设计团队顺利采用FinFET技术。Synopsys广泛的DesignWare®嵌入式存储器和逻辑库IP组合是为实现GF的14 nm-XM FinFET技术的全部优势而设计的。该IP在性能、漏电和动态功耗以及低电压操作方面都有出色的表现。 "Synopsys公司营销和战略发展高级副总裁John Chilton表示："Synopsys与GF在将先进的工艺技术推向市场方面有着紧密的合作历史。"我们在FinFET上的合作就是建立在这个基础上的。它的重点是使设计团队能够充分利用GF在14纳米工艺技术方面的投资，以及它为下一代半导体设计带来的巨大好处。" 关于14纳米-XM 14纳米-XM产品是基于一个模块化的技术架构，使用14纳米FinFET器件与GF的20纳米-LPM工艺的元素相结合，该工艺正处于投产阶段。XM代表 "eXtreme Mobility"，它是业界领先的非平面架构，真正针对移动系统芯片（SoC）设计进行了优化，提供了从晶体管一直到系统级的整个产品解决方案。与今天20纳米节点的二维平面晶体管相比，该技术预计将使电池寿命提高40-60%。 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。公司于2009年3月成立，迅速形成规模，成为全球第二大代工厂，为160多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF由先进技术投资公司（ATIC）拥有。欲了解更多信息，请访问：https://www.globalfoundries.com。 关于Synopsys Synopsys, Inc.(Nasdaq:SNPS)加速了全球电子市场的创新。作为电子设计自动化（EDA）和半导体IP的领导者，其软件、IP和服务帮助工程师解决设计、验证、系统和制造方面的挑战。自1986年以来，世界各地的工程师一直在使用Synopsys的技术来设计和创建数十亿的芯片和系统。了解更多信息，请访问www.synopsys.com。
