5. Februar 2013IP und Designtools beschleunigen die Implementierung einer robusten nicht-planaren Architektur für mobile Produkte Milpitas, Kalifornien, 5. Februar 2013 - GLOBALFOUNDRIES und Synopsys, Inc. (Nasdaq: SNPS), ein weltweit führender Anbieter von Software, IP und Dienstleistungen zur Beschleunigung von Innovationen bei Chips und elektronischen Systemen, gaben heute bekannt, dass die beiden Unternehmen gemeinsam eine umfassende Designlösung zur Beschleunigung der Implementierung des 14 nm-XM FinFET-Angebots von GF entwickelt haben. Die Lösung umfasst die Synopsys DesignWare® Embedded Memory and Logic Library IP, Design-Tools der Galaxy™ Implementation Platform sowie TCAD-Prozess- und Bauelementesimulations-Tools, die allesamt so optimiert sind, dass Design-Teams die gewünschten Leistungs-, Energie- und Flächenanforderungen auf möglichst effiziente und risikoarme Weise erreichen können. Die gemeinsame Entwicklung basiert auf der branchenweit ersten modularen FinFET-Technologie, die einen 14-Nanometer (nm)-FinFET-Baustein mit Elementen des 20-nm-LPM-Prozesses von GF kombiniert, um Risiken zu reduzieren und die Zeit bis zur Serienreife zu verkürzen. "Wir haben eine langjährige Beziehung zu Synopsys, die zu einer breiten Palette von bewährten Design-Implementierungslösungen für unsere gemeinsamen Kunden geführt hat. Die überzeugenden Vorteile unserer neuen 14-Nanometer-XM-FinFET-Technologie, insbesondere im Hinblick auf die Anforderungen von SoCs für mobile Geräte, lassen sich dank dieser neuen Zusammenarbeit viel leichter und effizienter realisieren", so Mike Noonen, Executive Vice President für Marketing, Vertrieb, Design und Qualität bei GF. "Durch die Kombination unseres fortschrittlichen Prozesses mit der IP-, Design- und Fertigungsumgebung von Synopsys können Kunden die Leistungs- und Energievorteile dreidimensionaler FinFET-Transistoren mit geringerem Risiko und schnellerer Markteinführung nutzen." FinFET-Transistoren stellen eine bedeutende Veränderung gegenüber planaren Bauelementen dar. GF hat mit Synopsys bei TCAD zusammengearbeitet, um die Änderungen zu modellieren und zu simulieren und um die Prozessentwicklung und Leistungsoptimierung seiner FinFET-Bauelemente zu beschleunigen. Darüber hinaus haben diese Bauelemente und die damit verbundene Verkleinerung der Prozessgeometrie bei 14 nm Auswirkungen auf die Extraktion von Parasiten, die SPICE-Modellierung der Bauelemente, die Routing-Regeln und die IP-Entwicklung. GF und Synopsys arbeiteten eng zusammen, um die Auswirkungen dieser Änderungen zu minimieren und eine reibungslose Einführung der FinFET-Technologie durch die Design-Teams zu gewährleisten. Das umfangreiche Portfolio der DesignWare® Embedded Memory and Logic Library IP von Synopsys ist darauf ausgelegt, die Vorteile der 14 nm-XM FinFET-Technologie von GF voll auszuschöpfen. Die IP liefert überragende Ergebnisse in den Bereichen Leistung, Leckage und dynamische Leistung sowie Niederspannungsbetrieb. "Synopsys arbeitet seit langem eng mit GF zusammen, um fortschrittliche Prozesstechnologien auf den Markt zu bringen", so John Chilton, Senior Vice President, Marketing und strategische Entwicklung, bei Synopsys, Inc. "Unsere Zusammenarbeit bei FinFET baut auf diesem Fundament auf. Sie zielt darauf ab, Design-Teams in die Lage zu versetzen, die Investitionen von GF in die 14-Nanometer-Prozesstechnologie und die bedeutenden Vorteile, die diese für Halbleiterdesigns der nächsten Generation mit sich bringt, voll auszuschöpfen." Über 14 nm-XM Das 14-nm-XM-Angebot basiert auf einer modularen Technologiearchitektur, die einen 14-nm-FinFET-Baustein mit Elementen des 20-nm-LPM-Prozesses von GF kombiniert, der sich auf dem Weg zur Produktion befindet. Die Technologieentwicklung ist bereits in vollem Gange, wobei Test-Silizium in der Fab 8 von GF in Saratoga County, N.Y., hergestellt wird. XM steht für "eXtreme Mobility" und ist die branchenweit führende nicht-planare Architektur, die für mobile System-on-Chip (SoC)-Designs optimiert ist und eine komplette Produktlösung vom Transistor bis zur Systemebene bietet. Es wird erwartet, dass die Technologie die Batterielebensdauer im Vergleich zu den heutigen zweidimensionalen planaren Transistoren im 20-nm-Knoten um 40-60 % verbessert. Über GF GF ist der erste Full-Service-Halbleiterhersteller der Welt foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zum zweitgrößten foundry der Welt entwickelt und bietet mehr als 160 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF der einzige foundry , der die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die drei 300-mm-Fabriken und die fünf 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den Vereinigten Staaten, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Advanced Technology Investment Company (ATIC). Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Über Synopsys Synopsys, Inc. (Nasdaq:SNPS) beschleunigt die Innovation auf dem globalen Elektronikmarkt. Als führendes Unternehmen in den Bereichen Electronic Design Automation (EDA) und Halbleiter-IP unterstützt Synopsys mit seiner Software, IP und seinen Dienstleistungen Ingenieure bei der Bewältigung ihrer Herausforderungen in den Bereichen Design, Verifikation, System und Fertigung. Seit 1986 nutzen Ingenieure auf der ganzen Welt die Technologie von Synopsys, um Milliarden von Chips und Systemen zu entwickeln und herzustellen. Erfahren Sie mehr unter www.synopsys.com.
