领先的晶圆厂成熟的硅技术准备帮助AMD的下一代产品实现显著的性能和功率效率改进

2015年11月5日，加利福尼亚州圣克拉拉市--GLOBALFOUNDRIES今天宣布，它已经在第一批使用GF最先进的14纳米FinFET工艺技术的AMD（纳斯达克股票代码：AMD）产品上展示了硅的成功。作为这一里程碑式的成果，GF经过硅验证的技术计划被集成到多种AMD产品中，以满足从个人电脑到数据中心再到沉浸式计算设备等广泛应用中对高性能、高能效计算和图形技术不断增长的需求。

AMD已经使用GF的14纳米低功耗Plus（14LPP）工艺技术推出了多款产品，目前正在进行14LPP生产样品的验证工作。今天的公告是GF的14LPP工艺技术达到全面生产准备状态的又一个重要里程碑，该技术将在2016年达到大批量生产。14LPP平台利用三维全耗尽FinFET晶体管的优势，使AMD等客户能够在更小的空间内提供更多的处理能力，满足对性能的终极要求。

"AMD高级副总裁兼首席技术官Mark Papermaster表示："预计从2016年开始，FinFET技术将在AMD多个产品线中发挥关键的基础作用。"GF为在其14LPP工艺上达到这一关键里程碑进行了不懈的努力。我们期待着GF在全面生产准备方面继续取得进展，并期望在我们广泛的CPU、APU和GPU产品中利用先进的14LPP工艺技术。"

"我们的14纳米FinFET技术是业内最先进的技术之一，为要求大批量、高性能、高功率的设计提供了理想的解决方案，并具有最佳的芯片尺寸，"GF产品管理高级副总裁Mike Cadigan说。"通过我们与AMD紧密的设计技术合作，我们可以帮助他们提供比28纳米技术性能更高的产品，同时保持卓越的功耗足迹，并通过显著的面积扩展提供真正的成本优势。"

GF的14LPP FinFET正在纽约的Fab 8工厂进行生产准备，并具有良好的模型与硬件的关联性。今年1月，该技术的早期准入版本（14LPE）成功获得了批量生产的资格，同时实现了主要客户产品的产量目标。该技术的性能增强版（14LPP）在2015年第三季度通过了鉴定，在2015年第四季度进行了早期升级，并定于2016年进行全面生产。

关于GF

GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动，迅速形成规模，成为世界上最大的代工厂之一，为250多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。

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加州圣克拉拉，2015年10月5日--先进半导体制造技术的领先供应商GLOBALFOUNDRIES今天任命Bami Bastani为其射频（RF）业务部的高级副总裁。

随着最近对IBM微电子部的收购，GF已经巩固了其在无线前端模块解决方案方面的技术领先地位。公司通过差异化的射频硅基绝缘体（RFSOI）和高性能硅锗（SiGe）技术大大拓宽了其现有的射频产品，以实现复杂的射频开关、高性能功率放大器和移动设备的集成前端应用。将这些新功能与公司现有的高压CMOS和射频MEMS技术相结合，意味着GF现在可以提供市场上无可比拟的完整解决方案。

Bastani为GF带来了超过35年的高科技、半导体和射频经验，并将专注于交付其下一代射频路线图。他将寻求在汽车、家庭和不断增长的物联网（IoT）市场捕捉更多机会。Bastani将领导一个强大的团队，该团队在提供高质量、高性能的解决方案，解决日益复杂的移动无线电设备方面有着丰富的经验。

"巴米是一位经验丰富的高管，对射频行业有着深刻的了解。他为GF带来了多年的领导和管理能力，将使我们的射频业务得到发展，"GF首席执行官Sanjay Jha说。"Bami已经在半导体行业工作了几十年，他的经验超出了射频领域，跨越了晶圆制造业务和市场增长战略。他为我们已经深入人心的领导团队增添了难以置信的力量"。

在加入GF之前，Bastani在2012年至今年年初担任全球企业级Wi-Fi网络解决方案提供商Meru Networks的总裁、CEO和董事会成员。Bastani将Meru从一个硬件公司转变为一个解决方案供应商，重点是软件、软件定义网络（2015年SDN卓越奖）和订阅云服务（WaaS）。他为公司带来了一个垂直市场的战略重点，使其能够扩大其产品和客户基础。

在此之前，Bastani曾在移动、消费和宽带市场担任过总裁和首席执行官以及董事会职务。其中包括在Trident Microsystems, Inc.和ANADIGICS Inc.担任总裁和首席执行官。巴斯塔尼还曾在富士通微电子公司、国家半导体公司和英特尔公司担任过行政职务。

巴斯塔尼在俄亥俄州立大学获得了微电子学的博士和硕士。他拥有三项美国专利，发表了多篇关于半导体技术的文章，并多次应邀就创新和企业管理的主题发表了重要讲话。

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Jason Gorss
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Catena Wi-Fi和蓝牙射频技术可在GLOBALFOUNDRIES 28纳米超低功耗工艺技术上使用

EuMW 2015，法国巴黎，9月3日：先进半导体制造技术的领先供应商GF今天宣布与用于连接的射频（RF）通信IP的领导者Catena合作，为针对移动、物联网（IoT）、射频连接市场的系统级芯片（SoC）设计者提供完整的Wi-Fi®和蓝牙®解决方案。

如今，设计人员需要一个优化的、高度集成的无线连接解决方案，以满足移动平台、可穿戴设备和其他物联网设备日益增长的低功耗和成本要求。具有集成射频功能的GF市场领先的28纳米超低功耗（SLP）技术与Catena经过硅验证的射频IP相结合，提供了一种功耗低、成本优化的解决方案，其片上功能可轻松集成到客户应用中。

"Catena公司业务发展总监Mats Carlsson说："我们很高兴与GF合作开发Catena的下一代连接解决方案。"这种合作关系使Catena能够获得先进的技术节点，支持我们在Wi-Fi和BT连接方面的全面技术路线图。与GF等领先代工厂的密切合作，加上Catena的最新创新，为我们的客户提供了新水平的产品性能、可靠性和可扩展性，并使我们能够推动集成射频前端的创新。Catena首个用于射频应用的28纳米SLP芯片的验证结果与模拟结果非常吻合。"

"GF射频产品营销和业务发展总监Peter Rabbeni表示："Catena在无线射频混合信号技术方面的IP技能和能力，加上GF的射频解决方案，使我们能够进一步加强在无线连接和互联设备方面的领导地位。"随着客户的硅含量随着每一代新一代智能手机的出现而增加，对这些芯片的需求也在迅速增加。与Catena的合作使我们能够扩大我们的专业知识和能力，并为高度集成的移动应用提供无线电功率解决方案。"

基于GF与HKMG的28纳米SLP技术，该工艺技术包括一套全面的设计能力，使芯片设计者能够将关键的射频SoC功能集成到他们的产品中。该技术是为下一代联网设备设计的，这些设备需要低待机功耗和长电池寿命，并集成了射频/无线功能。该技术具有关键的射频功能，包括核心和I/O（1.5V/1.8V）晶体管射频模型以及5V LDMOS器件，这简化了射频SoC设计。

Catena的连接性射频IP组合包括优化的极低功耗蓝牙智能无线电、蓝牙智能就绪无线电、Wi-Fi（802.11a/b/g/n/ac 1×1、2×2和4×4 MIMO）无线电以及组合蓝牙/Wi-Fi无线电。无线电IP在GF 28nm-SLP技术下可用/正在开发，并可根据客户的要求移植到替代方案。Catena公司的产品中还包括用于GNSS/FM广播系统的解决方案。

GF的28纳米-SLP技术是业内首个提供设计支持的技术，该技术为满足集成射频SoC的低功耗和成本要求进行了优化。该技术采用了该公司经过生产验证的28纳米SLP硅验证设计流程，其中包括一套完整的库、编译器和复杂的IP。

关于Catena

自1986年成立以来，Catena被公认为是全球IC制造商在设计无线连接和传感器电子系统解决方案方面的首选合作伙伴，这些解决方案由世界级的射频、信号处理和系统架构专家创建。Catena为各种应用提供完整的定制IC开发和完整的系统IP，使其客户能够快速进入市场。这些开发项目主要是单芯片解决方案，包括射频、模拟、混合信号、数字信号处理、嵌入式核心、嵌入式软件和工具。欲了解更多信息，请访问www.catena.nl。

关于GF

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Mats Carlsson
Catena Holding BV
电话。+46 8 5059 5100
mcarlsson@catena.se

^{GLOBALSOLUTIONSSM}伙伴关系将为物联网、5G和汽车领域的应用提供下一代无线技术

2015年9月3日，巴黎，EuMW 2015--世界领先的连接和传感CMOS毫米波（mmWave）解决方案设计商QEOS公司与先进半导体制造技术的领先供应商GLOBALFOUNDRIES今天宣布，他们将合作共同开发业界首个毫米波CMOS平台。

利用GF的45纳米和40纳米低功耗工艺技术，毫米波平台包括对未来移动宽带接入网络所需的更高数据速率的支持，同时使客户能够将混频器、低噪声放大器（LNA）、功率放大器（PA）和频间放大器（IF）全部集成在一个单一的封装中。这个共同设计的平台将利用GF在先进的硅射频技术方面经过生产验证的专业技术和QEOS的下一代设计环境和IP来扩展毫米波无线技术产品，使千兆级的互动性无处不在--从几厘米到几百米--每个链接的成本不到500美元。

在将于2015年9月6日至11日在法国巴黎举行的欧洲微波周期间，可以看到77GHz CMOS设计库和用于千兆位无线户外连接的自适应60GHz CMOS链接的演示。

可用的毫米波IP包括。

• 低功耗的Bits In/Out架构
• 用于数字芯片分类的BIST/BIOS
• 光束转向
• 集成收发器
• 频率合成器
• 共同设计的带天线包装的系统

"毫米波技术是下一代无线市场的关键支柱，包括物联网、5G和汽车，"GF战略应用和产品部门负责人Ted Letavic说。"我们与QEOS扩大的合作关系使我们的客户能够解决适应下一代千兆位无线传感和连接的挑战性要求，并为加速毫米波产品和解决方案在高增长市场的应用奠定了基础。"

"我们很荣幸能与世界领先的先进硅制造商之一合作，创建业界首个毫米波CMOS平台。QEOS公司首席运营官Ara Chakrabarti说："我们期待着在快速增长的毫米波市场为我们的客户提供支持。

"TE Connectivity首席技术官Rob Shaddock表示："GF和QEOS的合作是实现下一代低功耗毫米波CMOS的一个关键里程碑。"TE Connectivity一直在密切关注这一领域的发展，我们相信这将对整个连接和传感市场产生重大影响。"

作为GLOBALSOLUTIONS伙伴关系的一部分，QEOS基于45/40纳米的毫米波CMOS IP将以两种形式提供。基本的模块级IP将由GF提供，而更复杂的子系统IP则可直接由QEOS授权。QEOS将为所有IP提供支持和设计服务。

关于GF

GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动，迅速形成规模，成为世界上最大的代工厂之一，为250多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。

关于QEOS, INC.

QEOS总部位于加利福尼亚州米尔皮塔斯，是一家通过无线和有线数据通信创新技术组合提供低功耗连接和传感CMOS毫米波解决方案的领先供应商。

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QEOS。

Romain Pelard
产品管理和营销总监
romain.pelard@qeosinc.com

GF。

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22FDX®为物联网、主流移动、射频连接和网络提供了性能、功耗和成本的最佳组合

2015年7月13日，加利福尼亚州圣克拉拉市和德国德累斯顿市。GLOBALFOUNDRIES今天推出了一项新的半导体技术，专门为满足下一代互联设备的超低功耗要求而开发。22FDX "平台具有类似于FinFET的性能和能效，其成本与28纳米平面技术相当，为快速发展的主流移动、物联网（IoT）、射频连接和网络市场提供了最佳解决方案。

虽然有些应用需要三维FinFET晶体管的终极性能，但大多数无线设备需要在性能、功耗和成本之间取得更好的平衡。22FDX利用业界首个22纳米二维全耗尽绝缘体上的硅（FD-SOI）技术，为对成本敏感的应用提供了最佳途径。它提供了业界最低的0.4伏工作电压，实现了超低的动态功耗，减少了热影响，并缩小了终端产品的外形尺寸。与28纳米相比，22FDX平台的芯片尺寸缩小了20%，掩模数减少了10%，浸入式光刻层数也比FinFET少了近50%。

"GF首席执行官Sanjay Jha说："22FDX平台使我们的客户能够提供差异化的产品，在功率、性能和成本之间取得最佳平衡。"作为行业首创，22FDX提供了晶体管特性的实时系统软件控制：系统设计者可以动态地平衡功率、性能和漏电。此外，对于射频和模拟集成，该平台提供了最佳的扩展性和最高的能源效率。"

22FDX利用了GF位于德国德累斯顿的最先进的300毫米生产线上的大批量28纳米平台。这项技术预示着 "Silicon Saxony "故事的新篇章，它建立在对欧洲最大的半导体工厂近20年的持续投资之上。GF在德累斯顿启动了FDX平台，投资2.5亿美元用于技术开发和22FDX的初始产能。这使得该公司自2009年以来在1号厂的投资总额超过了50亿美元。该公司计划进行进一步投资，以支持更多的客户需求。GF正在与研发和行业领导者合作，以发展一个强大的生态系统，使其22FDX产品能够更快地进入市场，并制定全面的路线图。

GF的22FDX平台实现了对晶体管特性的软件控制，以实现静态功率、动态功率和性能之间的实时权衡。该平台由一系列差异化的产品组成，以支持各种应用的需要。

• 22FDX-ulp。对于主流和低成本的智能手机市场，基本的超低功耗产品提供了FinFET的替代方案。通过使用体偏压，22FDX-ulp与0.9伏的28纳米HKMG相比，功率降低了70%以上，而且性能与FinFET相当。对于某些物联网和消费类应用，该平台可以在0.4伏电压下运行，与28纳米HKMG相比，可减少90%的功率。
• 22FDX-uhp。对于具有模拟集成的网络应用，该产品经过优化，实现了与FinFET相同的超高性能能力，同时最大限度地降低了能耗。22FDX-uhp的定制包括正向体偏，应用优化的金属堆栈，以及支持0.95伏的超速。
• 22FDX-ull。用于可穿戴设备和物联网的超低漏电产品提供了与22FDX-ulp相同的功能，同时将漏电降低到1pa/um。这种低有功功率、超低漏电和灵活的主体偏置的组合，可以使一类新的电池操作的可穿戴设备的功率降低一个数量级。
• 22FDX-rfa。这款射频模拟产品可在降低系统成本的同时降低50%的功率，以满足大批量射频应用的严格要求，如LTE-A蜂窝收发器、高阶MIMO WiFi组合芯片和毫米波雷达。射频有源器件后门功能可以减少或消除主要射频信号路径中的复杂补偿电路，使射频设计人员能够提取更多的固有器件Ft性能。

GF一直与主要客户和生态系统合作伙伴密切合作，以实现优化的设计方法和全套的基础和复杂IP。设计入门套件和早期版本的工艺设计套件（PDK）现在已经推出，风险生产将在2016年下半年开始。

来自客户和合作伙伴对22FDX的有力支持

意法半导体首席运营官Jean-Marc Chery表示："GF的FDX平台采用我们长期研究合作开发的先进FD-SOI晶体管架构，通过扩大生态系统和确保大批量供应来源，证实并加强了这项技术的发展势头。"FD-SOI是一种理想的工艺技术，可以满足全球物联网和其他功耗敏感型设备独特的永远在线的低功耗要求。"

"飞思卡尔MCU集团应用处理器和先进技术应用副总裁Ron Martino表示："飞思卡尔的®下一代i.MX系列应用处理器正在利用FD-SOI的优势，为汽车、工业和消费类应用实现业界领先的超低功率按需解决方案。"GF的22FDX平台是对该行业的一大补充，它为FD-SOI提供了28纳米以上的大批量制造扩展，继续缩减成本并扩大功率性能优化的能力。"

"ARM物理设计部总经理Will Abbey表示："移动和物联网设备的互联世界依赖于在性能、功耗和成本方面进行优化的SoC。"我们正在与GF密切合作，为客户提供所需的IP生态系统，使其从22FDX技术的独特价值中受益。"

"芯原控股有限公司总裁兼首席执行官Wayne Dai说："芯原拥有在FD-SOI技术上设计物联网SoC的经验，我们已经证明了FD-SOI在解决超低功率和低能耗应用方面的优势。芯原控股有限公司总裁兼首席执行官Wayne Dai表示："我们期待着能与芯原的合作。"我们期待与GF在22FDX产品上的合作，为智能手机、智能家居和智能汽车提供功耗、性能和成本优化的设计，特别是针对中国市场。"

"Imagination Technologies市场执行副总裁Tony King-Smith表示："从可穿戴设备和物联网到移动和消费市场的下一代互联设备，都需要在性能、功耗和成本之间实现最佳平衡的半导体解决方案。"GF的新22FDX技术与Imagination广泛的先进IP组合（包括PowerVR多媒体、MIPS CPU和Ensigma通信）的结合，将使我们共同的客户在向市场推出差异化的新产品时能够进行更多创新。"

"IBS公司创始人兼首席执行官Handel Jones表示："FD-SOI技术可以为可穿戴设备、消费者、多媒体、汽车和其他应用提供一个多节点、低成本的路线图。"GF的22FDX产品将低功耗FD-SOI技术中的佼佼者集中在一个低成本平台上，预计将出现非常强劲的需求。"

"CEA-Leti首席执行官Marie-Noëlle Semeria表示："FD-SOI可以大幅提高性能和节省功耗，同时尽量减少对现有设计和制造方法的调整。"我们可以共同为GF'22FDX的成功生产提供成熟的、广为人知的设计和制造技术，用于连接技术。

"Soitec首席执行官Paul Boudre说："GF的宣布是实现下一代低功耗电子产品的一个关键里程碑。"我们很高兴能成为GF的战略合作伙伴。我们的超薄SOI衬底已经为22FDX技术的大批量生产做好了准备。"

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交易增加了差异化的技术、世界级的技术专家和知识产权

2015年7月1日，加利福尼亚州圣克拉拉市。GlobalFoundries今天宣布，它已经完成了对IBM微电子业务的收购。

通过这次收购，GF获得了差异化的技术，以加强其在关键增长市场的产品，从移动性和物联网（IoT）到大数据和高性能计算。这项交易加强了公司的员工队伍，增加了在半导体开发、设备专业知识、设计和制造方面几十年的经验和专业知识。而16,000多项专利和申请的加入，使GF成为世界上最大的半导体专利组合之一的持有人。

"今天，我们已经大大增强了我们的技术开发能力，并加强了我们对投资研发以实现技术领先的长期承诺，"GF的首席执行官Sanjay Jha说。"我们增加了世界级的技术专家和差异化的技术，如射频和ASIC，以满足我们客户的需求，并加速我们成为代工强国的进程。"

通过吸纳半导体行业中一些最聪明、最具创新性的科学家和工程师，GF巩固了其在10纳米、7纳米及更高工艺技术上的发展道路。

在射频领域，GF目前在无线前端模块解决方案方面具有技术领先地位。IBM在射频硅基绝缘体（RFSOI）和高性能硅锗（SiGe）技术方面已经形成了世界级的能力，这与GF现有的主流技术产品具有高度的互补性。该公司将继续投资以实现其下一代RFSOI路线图，并期待在汽车和家庭市场上抓住机会。

在ASIC方面，GF目前在有线通信方面具有技术领先地位。这使得公司能够提供开发这些高性能定制产品和解决方案所需的设计能力和IP。随着投资的增加，公司计划在存储、打印机和网络等领域开发更多的ASIC解决方案。最近的ASIC系列是在1月份宣布的，建立在GF的14纳米-LPP技术之上，已经在市场上得到了很好的认可，并获得了一些设计上的胜利。

GF在纽约州East Fishkill和VT州Essex Junction的工厂扩大了其生产规模。这些工厂将作为公司不断增长的全球业务的一部分，增加产能和一流的工程师，以更好地满足其现有和新客户的需求。

此外，这项交易建立在对新兴的东北技术走廊的重大投资之上，其中包括GF在纽约州萨拉托加县的领先的Fab 8设施以及在纽约州奥尔巴尼的纽约州立大学理工学院纳米科学和工程学院的联合研发活动。该公司在东北地区的直接员工现已超过8,000人。

此次收购包括一项独家承诺，即在未来10年向IBM提供一些世界上最先进的半导体处理器解决方案。GF还能直接获得IBM在世界级半导体研究方面的持续投资，从而巩固其在10纳米及以上先进工艺的发展道路。

有关该收购的更多信息，请访问：https://globalfoundries.com/acquisition/

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加州圣克拉拉，2015年6月29日。GLOBALFOUNDRIES今天宣布，该公司于2014年10月20日宣布的收购IBM微电子业务的提议已经获得美国外国投资委员会（CFIUS）的批准。随着美国外国投资委员会审查的结束，这两家公司已经完成了在美国的监管程序。所有必要的美国以外的监管批准此前已经收到。该交易预计将在不久的将来完成。

关于拟议交易的更多信息可在https://www.globalfoundries.com/pending-acquisition/home。

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通过与设计生态系统合作伙伴的合作，GLOBALFOUNDRIES为客户提供了基于前沿技术的数字设计流程。

加州圣克拉拉市，2015年6月2日 --

• 通过与领先的EDA供应商Cadence、Mentor Graphics和Synopsys合作，GF开发了新的数字设计流程。
• 新的数字设计入门套件集成了工艺设计套件（PDK）和早期访问标准单元库。
• 新的设计流程已经过优化，以解决与14纳米FinFET技术的关键设计规则有关的挑战。

先进半导体制造技术的领先供应商GF今天宣布，它在为其14纳米（nm）FinFET工艺技术提供强大的设计基础设施方面达到了一个关键的里程碑，支持客户在晶圆厂的最新制造技术节点上开始设计。

GF与主要的生态系统合作伙伴Cadence Design Systems、Mentor Graphics和Synopsys一起开发了新的数字设计流程，用于从寄存器传输级（RTL）到图形设计数据库系统（GDS）的实施。这些流程与技术成熟的工艺设计套件（PDK）和早期访问的标准单元库集成，创建了一个数字设计 "入门套件"，为设计人员提供了一个内置的测试案例，用于开箱即用的物理实现测试和性能、功耗和面积分析。

"GF致力于为我们的客户提供先进的技术平台，包括优化设计生产力和周期所需的综合设计基础设施，"GF设计支持高级副总裁Rick Mahoney说。"为了确保我们的设计生态系统为我们的14纳米FinFET技术提供最优质的体验，GF与我们的EDA合作伙伴合作，以补充我们内部的全球设计能力，并加快14纳米FinFET等复杂技术的设计时间。"

GF的数字设计流程已经过优化，以解决与14纳米技术节点的关键设计规则相关的挑战，并包括新引入的功能，如植入感知的放置和双图案感知的路由、设计中DRC™修复和良率改进、局部/随机变异性感知的计时、3D FinFET提取和颜色感知的LVS/DRC签收。

基于Synopsys的设计启用入门套件利用其Galaxy™设计平台的广泛功能，提供具有优化性能、功耗和面积的GF 14LPP FinFET设计。Synopsys的Design Compiler®图形综合，加上其Formality®等效检查解决方案，通过提供与物理实现密切相关的物理指导和结果，简化了流程。对于FinFET的实施，Synopsys的IC Compiler™、IC Compiler II和IC Validator解决方案提供了植入式和双重图案感知的放置和路由，以及In-Design色彩感知的物理验证。Synopsys的StarRC™提取提供了双图案支持，对14纳米设计来说，色彩感知和3-D提取的建模是必不可少的。此外，行业标准的Synopsys PrimeTime®签收解决方案用于精确的延迟计算、时序分析和高级波形传播，准确地考虑到FinFET的影响，如超低电压、增加的米勒效应和电阻率，以及工艺变化。

为了使客户能够在设计层面实现GF的14LPP节点的优势，GF和Cadence已经合作为完整的RTL-to-GDSII FinFET解决方案创建了一个数字流程。该数字流程整合并优化了Cadence公司针对14LPP技术的前端、后端、物理验证和DFM解决方案。对于前端设计，Cadence的RTL Compiler综合流程通过14LPP库进行了微调。对于物理实现，Encounter®数字实现系统（EDI）和Innovus™实现系统都提供了颜色感知的双图案技术，用于正确的按结构放置和布线，以及14LPP设计规则和库的定制设置，以优化功率、性能和面积（PPA）。设计中的PVS DRC修复和设计中的石膏板热点修复都可供设计人员使用，以减少设计迭代，方便设计结束。对于签收，该流程具有完全集成的Quantus QRC寄生提取和Tempus定时签收解决方案。在EDI和Innovus中的集成使Quantus和Tempus能够在P&R流程中更早地提供先进的工艺建模，以实现更好的时序收敛和到带出时间。Encounter Conformal® Equivalence Checker被嵌入到实施流程的多个阶段中。Voltus功率和EMIR分析、独立的物理验证系统的物理验证和Litho物理分析器的印刷热点检查也被嵌入到参考流程中。该参考流程为Cadence的工具套件和GF 14LPP流程提供了一个指导性方法，以确保设计者以最小的启动时间达到最大的PPA包络。

与之前节点的生产带出一样，启动套件使用Mentor Graphics Calibre®工具套件进行签收。在14纳米入门套件中，Calibre nmDRC™和Calibre MultiPatterning产品被用于层分解、DRC验证和金属填充，而Calibre nmLVS™产品被用于逻辑验证。

GF 14纳米FinFET技术是业界最先进的技术之一，为要求最严格的大批量、高性能和高功率的SoC设计提供了理想的解决方案。三维FinFET器件为不断增长的市场需求提供了完美的答案，与28纳米技术相比，它具有最佳的内在性能提升，而且与任何前辈相比，它具有更高的功耗足迹。由于出色的功率、性能和面积扩展，这些领先的器件还提供了真正的成本优势。

GF正在其14纳米技术上获得收益，并按计划在2015年支持多种产品的带出和批量提升。

通过GF的设计合作伙伴生态系统，设计人员可以获得广泛的服务，如系统设计、嵌入式软件设计、SoC设计和验证以及物理实现。这些服务包括电子设计自动化（EDA）的设计流程；经过硅验证的IP构建块，如库；以及仿真和验证设计套件，即工艺设计套件（PDK）和技术文件。

关于GF

GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。公司于2009年3月成立，迅速形成规模，成为全球第二大代工厂，为160多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。

新闻联系人。

Erica McGill
GF
518-305-9022
erica.mcgill@globalfoundries.com

该技术是业内首个提供优化设计支持的技术，以满足射频SoC的低功耗要求

加利福尼亚州圣克拉拉，2015年5月20日 --

• GLOBALFOUNDRIES是第一家开发28纳米HKMG技术的纯晶圆厂，并配有射频（RF）模型。
• 全面的设计启用和优化的射频工艺设计套件（RF PDK）在核心射频性能和功能方面提供了设计灵活性。
• 射频技术为SoC解决方案提供了关键功能，为广泛的无线应用拓宽了视野。

领先的先进半导体制造技术供应商GF今天宣布提供28纳米高k金属栅极（HKMG）射频（RF）工艺技术，将为高度集成的移动应用和互联设备提供高能效解决方案。基于GF的28纳米超低功耗（SLP）技术与HKMG，28纳米-SLP-RF工艺包括一套全面的设计能力，使芯片设计者能够将关键的射频系统级芯片（SoC）功能集成到他们的产品中。

"GF产品管理高级总监Mike Mendicino表示："互联设备和物联网消费应用的激增为射频芯片创造了机会和需求。"GF支持射频的28纳米工艺降低了设计障碍，使更多的客户能够加快领先的射频SoC的量产时间。"

28纳米SLP-RF工艺建立在经过现场验证的、成本优化的28纳米SLP HKMG工艺之上。硅片结果显示了高频性能（Ft ~ 310GHz）和低闪烁/热噪声，为芯片设计者提供了在高性价比的逻辑平台上优化核心射频性能和功能的灵活性。28纳米-SLP-RF工艺技术是为需要低待机功耗和长电池寿命的下一代连接设备设计的，这些设备需要与射频/无线功能集成。该技术具有关键的射频功能，包括核心和I/O（1.5V/1.8V）晶体管射频模型以及5V LDMOS器件，这简化了射频SoC设计。对于无源射频器件，28纳米-SLP-RF提供了高达5V的交替极性金属-氧化物-金属（APMOM）电容器、深n孔器件、扩散、聚和精密电阻器、电感器和超厚金属（UTM）层。所有支持射频的器件都是可扩展的，在整个工作范围内进行了硬件验证，并符合行业标准的可靠性鉴定要求。28纳米-SLP平台的批量生产于2012年开始。

GF的28nm-SLP-RF技术采用了该公司经过生产验证的28nm-SLP硅验证设计流程，其中包括一套完整的库、编译器和复杂IP。公司与EDA/IP生态系统中的领先公司合作，提供优化的工艺设计套件（PDK），支持高精度的射频SPICE模型和全面的技术文件，这些都是射频设计不可或缺的。GF增强的28纳米-SLP-RF PDK和验证方法现在已经推出。

在5月17日至22日于亚利桑那州凤凰城举行的国际微波研讨会上，GF将在834号展位参展，并通过各种演讲展示创新的射频解决方案。

关于GF

GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月成立，作为世界上最大的代工厂之一，迅速形成规模，为160多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。

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