nvNITRO 正在加速业务发展

作者:Pat Patla作者:帕特-帕特拉

随着数字化转型和其他业务趋势对更多实时决策的需求,信息需求正在急剧增加。收集、传输和存储有助于提高业务洞察力的数据,给企业带来了压力,因为它们要努力优化不断增加的数据流。这对传统系统的影响最大的莫过于存储,信息量和信息的关键性正在推动数据处理和分层方式的快速变化。存储既是大多数环境的瓶颈,同时也是任何应用的最关键组件。

Everspin 创造了nvNITRO™ 技术,以帮助满足对更快、更持久存储不断增长的需求。nvNITRO 基于 GLOBALFOUNDRIES 制造的磁阻随机存取存储器 (MRAM),为数据存储带来了高性能和持久性,实现了新一代的应用性能。

最近,我们在全球高性能计算盛会 Supercomputing 17 上展示了 nvNITRO 的强大功能。

在与 SMART 模块化技术公司合作进行的演示中,SMART 的 NVMe 加速器卡能够以超低延迟驱动高性能。演示中,NVMe 加速器充当了企业固态硬盘的前端缓冲器。虽然固态硬盘正在改变当今的企业,而且所有闪存阵列因其相对于旋转介质的性能优势而越来越受欢迎,但 NAND 内存仍然无法与 MRAM 的高速度和低延迟相媲美。

交易处理只是我们认为 MRAM 大有可为的领域之一。在这些环境中,为了保证交易的完整性和合规性,许多系统要求在开始下一个新交易之前对每笔交易进行记录或日志记录。这些应用(如银行业务、支付处理、股票交易、电子商务、供应链或 ERP/CRM 等)均可受益于 nvNITRO 技术。随着信息流量的增加,如果不能快速高效地处理,额外的日志记录就会成为瓶颈。

使用 MRAM 存储加速器作为固态硬盘的前端,只需固态硬盘所需的一小部分时间即可实现事务日志记录。通过使用 MRAM,nvNITRO 的延迟时间缩短了 9 倍,这意味着每秒可以记录更多的事务,从而有可能提高总体应用吞吐量。

恒品博客 12 月

MRAM 的另一个关键优势是能够保持数据状态,而无需电池或超级电容器。对于这些企业来说,写入大量事务还带来了速度之外的第二个挑战--无论底层系统处于何种状态,都要保持数据。通常情况下,当系统断电或电源中断时,正在写入或日志记录的 "飞行中 "事务可能会丢失,因为标准 DRAM 存储器不具有持久性,而固态硬盘中的 NAND 存储器的写入速度不足以在断电前捕获所有飞行中的数据。有了 MRAM 的持久性,就可以更快地写出这些数据,从而减少缓冲区中存储的数据。如果系统确实需要重新启动,这些数据在初始化时仍将持久保存在 MRAM 中。在监管机构对每笔交易进行严格审查,并可能要求金融公司 "重放 "其交易的今天,确保首次正确记录所有内容就显得弥足珍贵。这种保护不仅仅是对数据的保护,实际上也是对公司的保护。

超级计算大会上人流如织,我们很高兴看到我们的演示引起了如此大的反响。像MRAM这样的技术可以成为许多未来平台的重要基础。通过各种接口将nvNITRO技术集成到存储解决方案中的能力--直接作为PCIe或U.2设备、集成到机箱中或直接集成到系统板中--意味着有各种各样的实施方案可以满足特定需求。有关 nvNITRO 的讨论总是从所展示的具体使用案例开始,但最终会变成 "嘿,你能......吗?这就是有趣的地方。

除了我们在 nvNITRO 演示中展示的 STT-MRAM 外,STT-MRAM 还可以通过 GF 以嵌入式 MRAM (eMRAM) 的形式提供给那些需要持久性、耐用性和写入性能的应用,而嵌入式闪存 (eFlash) 却无法提供这些性能。随着无人机、物联网和自动驾驶汽车等领域的发展,在设计中直接嵌入 MRAM 的价值也将与日俱增。今天的 nvNITRO 解决方案基于我们的合作伙伴 GF 生产的 Everspin 40nm STT-MRAM 技术。此外,GF 现在还提供用于22FDX eMRAM 的工艺设计套件。GF 预计客户将于 2018 年第一季度开始在多项目晶圆 (MPW) 上进行 MRAM 原型开发。

我们看到了当今加速存储海量数据流的直接机遇。这些大量的遥测数据需要以一种既能确保快速捕获又能长期保存的方式进行有效处理。但是,随着 MRAM 和 eMRAM 继续获得市场动力(将传统内存和存储产品移至一旁)以及外形尺寸的缩小,我们将看到更大的机遇。今天,我们正在加速后端存储和处理过程,但我们不难看出,MRAM 和 eMRAM 有可能集成到创建这些数据的前端和边缘设备中,而这正是事情开始变得更加有趣的地方。

如果《超级计算机 17》能够说明这一点,那么 MRAM 的未来将一片光明。

关于作者

帕特-帕特拉

帕特-帕特拉

Pat Patla 是 Everspin 市场营销高级副总裁。他负责推动 Everspin 的战略方向,领导市场营销工作以促进公司业务的增长,包括产品路线图以及全球市场营销战略的制定和执行,从而巩固公司的领导地位。

在加入 Everspin 之前,Pat 是一家私营半导体公司 KNUPATH 的高级副总裁兼总经理,负责制定机器学习领域的产品路线图战略。此外,他还担任过多个高级管理职位,包括三星公司服务器业务营销副总裁、Advanced Micro Devices 公司服务器和嵌入式部门副总裁兼总经理。Pat 还在戴尔公司领导推出了 PowerEdge 服务器,在多插槽服务器市场取得了第一的市场份额。

Pat 持有伊利诺伊州芝加哥德保罗大学营销管理理学士学位。

降能微系统公司加入FDXcelerator计划,将RISC-V IP引入GLOBALFOUNDRIES的22FDX®技术工艺中

Reduced Energy Microsystems(REM)今天宣布加入GLOBALFOUNDRIES的FDXcelerator™合作伙伴计划,并将为GF的22FDX®工艺提供RISC-V CPU IP。

Reduced Energy Microsystems加入FDXcelerator项目,将RISC-V IP引入格芯的22FDX®工艺技术。

Reduced Energy Microsystems(REM)今天宣布加入GLOBALFOUNDRIES的FDXcelerator™合作伙伴计划,并将为GF的22FDX®工艺提供RISC-V CPU IP。 

GLOBALFOUNDRIES和Ayar实验室建立战略合作关系,加快数据中心应用速度

合作推动芯片技术的极限,扩展光路以满足带宽和数据中心连接方面不断增长的需求

2017年12月4日,加州圣克拉拉和旧金山 -GLOBALFOUNDRIES和将光学输入/输出(I/O)引入硅芯片的初创公司Ayar Labs今天宣布开展战略合作,共同开发和商业化差异化硅光子技术解决方案。两家公司将利用GF的45纳米CMOS制造工艺开发和制造Ayar的新型CMOS光输入/输出技术,以提供铜输入/输出的替代方案,该方案可提供高达10倍的带宽和高达5倍的低功率。这种具有成本效益的解决方案以多芯片模块的形式与客户的ASIC封装在一起,可以提高云服务器、数据中心和超级计算机的数据速度和能源效率。作为协议的一部分,GF还向Ayar实验室投资了一笔未披露的款项。

现代数据中心和云应用需要高性能、高能耗的芯片来实时处理和分析大量的数据。由于电子数据传输的物理限制,芯片I/O能力的增长没有与计算能力的指数级增长相匹配。光学I/O,利用CMOS芯片上的光学元件快速传输数据,将成为克服当今数据中心互连限制的关键推动因素。此外,Ayar公司的技术在网络和处理器层面上都降低了功耗。

"Ayar实验室首席执行官Alex Wright-Gladstein表示:"GF在认识到光学I/O是我们进入More than Moore世界时不可避免的下一个步骤方面展示了真正的技术领导力。"Ayar和GF之间的合作可以将芯片通信带宽提高一个数量级以上,而且功耗更低,这也是对Ayar在当前半导体生态系统中可行性的验证。这项合作将释放出更大的市场机会,扩大我们和GF的客户群。我们期待着与GF合作,帮助解决当今芯片的互连问题,并为我们的客户创造比两家公司独立工作更大的价值。"

"GF全球销售和业务发展高级副总裁Mike Cadigan表示:"过去八年来,Ayar实验室团队一直在利用GF的技术设计尖端的硅光子学组件,并取得了卓越的成果。"我们的战略合作建立在我们的关系之上,利用GF的硅光子学IP组合和我们世界一流的制造技术,为数据中心实现更快和更节能的计算系统。"

这项合作将Ayar实验室在光学技术方面的专利IP与GF在硅光子学方面的一流专业技术结合起来,共同开发光学解决方案,并将使用GF的工艺技术进行制造。这项技术(包括某些设计IP核)的出现,将使互联网服务提供商、系统供应商和通信系统能够将数据容量提升到每秒10泰拉比特(Tbps)甚至更高,同时保持基于光学互连的低能耗和低成本。

关于Ayar实验室

Ayar实验室正在用硅芯片的光I/O取代铜,通过消除移动数据的瓶颈来提高计算的速度和能源效率。该公司是由麻省理工学院、加州大学伯克利分校和中大博尔德分校的第一个利用光进行通信的微处理器芯片的发明者成立的,这一突破是由DARPA资助的10年研究合作的结果。欲了解更多信息,请访问www.ayarlabs.com。

关于GF。

GLOBALFOUNDRIES是一家领先的全方位半导体代工企业,为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务。凭借横跨三大洲的全球制造足迹,GLOBALFOUNDRIES使改变行业的技术和系统成为可能,并使客户有能力塑造他们的市场。GLOBALFOUNDRIES为穆巴达拉投资公司所有。欲了解更多信息,请访问https://www.globalfoundries.com。

联系方式。

Jason Gorss
GF
(518) 698-7765
[email protected]

Alex Wright-Gladstein
Ayar Labs, Inc.
[email protected]

现在是采用 eFPGA 技术的时候了

作者:Timothy Saxe蒂莫西-萨克斯

在 SoC 设计中嵌入 FPGA 技术并不是什么新想法。 事实上,QuickLogic早在 1999 年就推出了 FPGA/hard PCI 控制器 SoC,近二十年来我们一直在这样做。 当时的价值主张与现在相同。 更高的集成度可提供更高水平的功能、性能和设计灵活性,同时降低成本、功耗和电路板空间要求。 那么,为什么eFPGA 技术没有更早起飞呢?

答案的根本在于芯片成本与开发成本之间的关系。 让我们从芯片尺寸和成本谈起。 1999 年,我们的 PCI 设备采用了 0.35 微米工艺,每个逻辑单元使用了 24,650 平方微米。 到 2002 年,我们的 QuickMIPs 器件采用了 180 纳米工艺,每个逻辑单元的面积为 9,306 平方微米,不到 FPGA 功能面积的一半。 如今,我们的最新设备EOS™ S3 传感器处理平台采用了 40 纳米工艺技术,每个逻辑单元的芯片面积仅为 961 平方微米,FPGA 功能达到了更高的水平。 与过去 18 年相比,这些器件的 eFPGA 部分的芯片面积大约缩小了 25 倍。

eFPGA 技术对芯片面积的要求较低,这意味着它可以集成到 SoC 中,而设备总成本仅有很小的增加。 例如,我们估计,在使用 40 纳米工艺技术制造的设备中,在 3mm x 3mm 的裸片上增加 1,000 个 eFPGA 逻辑单元只会使裸片总尺寸增加约 10%。 根据芯片产量和封装成本的不同,相应的成本增加百分比会略有高低,但这种器件的成本增加是微不足道的。 考虑到我们前面介绍的所有优点,从器件的角度来看,其价值主张现在看起来确实很有吸引力。

让我们继续来看看开发成本。 更先进的工艺技术开发成本更高,需要更复杂的设计和验证工具,而这些工具的成本更高,要求 SoC 设计人员在设计周期中投入更多时间。 如果设计出错,或者功能出错,或者试图提供产品扩展,或者应对一组分散但相关的市场机会,或者跟上快速发展的市场需求,都需要额外的掩模旋转,而现在的成本要比十年或二十年前高出很多。

在当今高度复杂的 SoC 世界中,现实情况是硅片很便宜,但开发却很昂贵。

那么,节俭的开发人员该怎么办呢? 答案是嵌入合理数量的 FPGA 技术。 虽然增加的芯片成本相对较小,但他们可以通过增加高度的制造后设计灵活性来充分利用其高额的开发投资。 他们不再需要昂贵的设计和验证掩模旋转来修复错误、更改功能或应对新的市场机遇或快速发展的标准,而是保持器件的 "硬连线 "部分不变,只需更新可编程 FPGA 部分即可。 事实上,据我们估计,通过使用嵌入式 FPGA 技术,公司可以为同一设计的两个变体轻松节省 40% 的开发成本。 这还不包括更高的峰值收入水平、毛利率和更长的上市时间,这些都与在正确的时间向市场推出正确的产品有关。

eFPGA 技术尤其适合与 GLOBALFOUNDRIES 合作的 SoC 设计人员。 与上一代节点相比,新的22FDX®工艺需要的掩模更少,为新器件带来了巨大的经济效益。与 40nm 工艺相比,其动态背偏压功能可将功耗降低约 78%(@0.6V)。 这使其非常适合我们的 eFPGA 用户所瞄准的低功耗和超低功耗可穿戴、可听和物联网应用。

因此,如果您是 SoC 开发人员或管理者,通过结合 QuickLogic 的 eFPGA 技术和 GLOBALFOUNDRIES 的 22FDX 工艺,您将获得更低的开发成本和更高的利润。时不我待。

关于作者

蒂莫西-萨克斯

蒂莫西-萨克斯

工程高级副总裁兼首席技术官

Timothy Saxe(博士)自 2008 年 11 月起担任公司高级副总裁兼首席技术官。2016 年 8 月,他将这一职务扩展至工程高级副总裁。Saxe先生自2001年5月加入QuickLogic公司,在过去的15年中,他曾担任过工程副总裁、软件工程副总裁等多个行政领导职务。Saxe 博士曾担任半导体制造公司 Actel Corporation 的闪存工程副总裁。Saxe 博士于 1983 年 6 月加入 GateField Corporation(一家设计验证工具和服务公司,前身为 Zycad),并于 1993 年创办了该公司的半导体制造部门。Saxe 博士于 1999 年 2 月成为 GateField 的首席执行官,直到 2000 年 11 月 GateField 被 Actel 收购。Saxe 先生拥有北卡罗来纳州立大学电子工程学士学位、斯坦福大学电子工程硕士学位和电子工程博士学位。

 

SiFive加入FDXcelerator™计划,将RISC-V内核IP引入GLOBALFOUNDRIES的22FDX®工艺技术中

矽統科技今天宣布加入GLOBALFOUNDRIES的FDXcelerator™合作伙伴计划,并将在GF的22FDX®工艺技术上提供RISC-V CPU IP,包括矽統科技的E31和E51 RISC-V核。

SiFive加入FDXcelerator™项目,将RISC-V核心IP引入格芯的22FDX®工艺技术。

矽統科技今天宣布加入GLOBALFOUNDRIES的FDXcelerator™合作伙伴计划,并将在GF的22FDX上提供包括SiFive的E31和E51 RISC-V内核在内的RISC-V CPU IP。®工艺技术。

AutoPro™:帮助实现互联的自动驾驶汽车

作者:马克-格兰杰马克-格兰杰

汽车半导体市场正进入高速发展阶段。目前,平均每辆汽车的半导体含量约为 350 美元,但预计到 2023 年将再增长 50%,因为整个汽车半导体市场将从 350 亿美元增长到 540 亿美元。

推动这一强劲增长的是发展我们所称的'互联汽车'的需求。这个术语指的是汽车中的多个电子系统,这些系统从有线和无线传感器中收集数据,并与高性能处理器和模拟/功率半导体相结合,为汽车提供半自动和最终完全自动的能力。

这些功能包括碰撞和盲点警告等高级驾驶辅助系统(ADAS)、复杂的信息娱乐和电信选项,以及对动力总成等主要车辆子系统的精确电气控制等。

互联汽车的发展正在推动汽车供应链发生根本性变化,这为 GF 带来了独特的机遇。传统上,汽车供应商有不同的层级。处于供应链顶端的是汽车制造商本身,即原始设备制造商(OEM)。博世大陆、德尔福等一级供应商直接向原始设备制造商供应汽车级零部件和系统。

二级供应商一直是我们的定位。二级供应商(如半导体公司)传统上为一级供应商提供汽车系统部件,往往不直接与原始设备制造商合作。然而,这种情况正在发生变化。随着汽车中使用的电子系统越来越多,也越来越复杂,因此更需要了解系统架构和网络,并将复杂的 IP 和质量标准引入到满足这些需求的 SoC 和其他芯片的设计和制造中。

这正是我们在 GF 所做的工作。正因如此,我们最近发布了一个名为 AutoPro™ 的平台,为原始设备制造商和其他汽车客户提供广泛的技术解决方案、设计和制造服务,帮助他们实现互联智能,同时最大限度地减少认证工作,加快产品上市时间。

AutoPro 以我们 10 年的汽车行业经验为基础,充分利用 GF 为汽车客户提供的各种技术。它包括我们的硅锗(SiGe)、FD-SOI(FDX™)、射频和高级 CMOS FinFET、封装和知识产权 (IP) 技术。

重要的是,它还包括直接与原始设备制造商合作的系统级架构师。近年来,GF 聘请了许多像我本人这样拥有丰富汽车 SoC 经验的人员,而收购 IBM Microelectronics 后,我们业界领先的 ASIC 业务中的网络系统设计师也是无与伦比的。

AutoPro 解决方案支持从 2 级到 0 级的所有AEC-Q100 质量等级,此外,我们还通过 AutoPro 服务包确保技术就绪、卓越运营和健全的汽车就绪质量系统。

这使客户能够获得最新技术,以满足ISO国际汽车任务组 (IATF)汽车电子委员会 (AEC) 和VDA(德国)标准中规定的严格汽车质量要求。

虽然AutoPro 最近才推出,但我们已经与汽车原始设备制造商合作。 其中值得一提的是奥迪公司,该公司称我们的汽车产品对于更快、更可靠地交付下一代汽车电子产品至关重要。

虽然为时尚早,但我们面前的道路是坦荡的。

关于作者

马克-格兰杰

马克-格兰杰

GLOBALFOUNDRIES 负责汽车业务的副总裁 Mark Granger 在高性能 SoC 产品设计和产品管理领域工作了约 20 年,最近的工作是在英伟达(NVIDIA),领导公司为自动驾驶汽车提供领先的应用处理器。

 

格芯及复旦微电子团队交付下一代双界面智能卡

格芯 55LPx 平台内含嵌入式非易失性存储器和集成射频,助力复旦微电子打造中国最先进的 CPU 银行卡。

美国加利福尼亚州圣克拉拉及中国上海,(20171115日)——格芯(GLOBALFOUNDRIES)及上海复旦微电子集团股份有限公司今日宣布,已通过使用格芯55纳米低功率扩展(55LPx) 技术平台,制造出下一代双界面 CPU 卡芯片。格芯 55LPx 平台能够将多种功能集成到单芯片上,从而提供安全、低功耗且具成本效益的解决方案,该解决方案尤其适合中国银行卡市场,包括金融、社会保障、交通、医疗和移动支付等应用。

复旦微电子集团股份有限公司的双界面 CPUFM1280,支持接触式和非接触式通信模式,采用低功耗 CPU 以及经过格芯硅验证的 55LPx 射频 IPFM1280 使用了 Silicon Storage Technology(SST) 基于 SuperFlash 内存技术的嵌入式 EEPROM 存储器,以充分保障用户代码和数据的安全性。

“随着智能银行卡的使用日益广泛,为保持我们在该市场的领导地位,低功耗解决方案十分关键。”复旦微电子集团技术工程副总裁沈磊表示,“我们的 FM1280 卡功耗更低,可靠性更强,并使用了先进工艺节点。格芯先进的 55LPx 平台,具有低功耗逻辑电路和高度可靠的嵌入式非易失性存储器,是我们下一代银行卡的理想选择。复旦微电子集团非常高兴能与格芯继续保持长期合作关系,生产行业领先的产品。”

55nm LPx 平台提供让产品快速量产的解决方案,包括 SSTSuperFlash® 内存技术,该技术已经在消费、工业和汽车应用领域完全被认证通过了。格芯 55LPx 平台 SuperFlash® 内存技术实现了极小尺寸的存储单元、超快的读取速度、优越的数据保持性和可擦写次数。

“格芯非常高兴能与中国智能卡行业公认领导者——复旦微电子集团开展合作。”格芯嵌入式存储器事业部副总裁 Dave Eggleston 表示,“复旦微电子集团加入格芯客户群快速增长的 55LPx 平台,该平台为智能卡、可穿戴物联网、工业微程序控制器(MCU)及汽车市场提供优越的低功耗逻辑电路、嵌入式非易失性内存及射频IP的组合。”

格芯 55LPx 技术平台已在公司新加坡的300毫米工厂生产线上批量生产。格芯此前曾宣布, 安森美半导体及 Silicon Mobility 目前正分别将格芯 55LPx 平台运用于可穿戴物联网和汽车产品中。

工艺设计工具包(PDK)现已发布,经过硅验证的 IP 也已大量供应。更多关于格芯主流 CMOS 解决方案的信息,请联系您的格芯销售代表,或访问网站:www.globalfoundries.com/cn。

关于上海复旦微电子集团股份有限公司

上海复旦微电子集团股份有限公司是从事超大规模集成电路的设计、开发和提供系统解决方案的专业公司,也是国内集成电路设计行业最先上市的企业之一。

1998 年成立以来,复旦微电子已逐渐成长为中国领先的非接触式卡芯片制造商,累计交付了 4 亿颗非接触式/双界面 CPU 卡芯片。在中国交通卡领域,其客户遍布北京、上海、广州、深圳和几乎所有省会城市,占 50% 以上市场份额。此外,公司还每年交付 3000 多万颗非接触式读卡器芯片及 10 亿多颗非接触式逻辑安全卡,成为这两大领域的行业引领者。

关于格芯

格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂,为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐,格芯促生了改变行业的技术和系统的出现,并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司(Mubadala Investment Company)所有。欲了解更多信息,请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。

媒体垂询:

杨颖(Jessie Yang)
GLOBALFOUNDRIES
(021) 8029 6826
[email protected]
刘枫(Liu Feng)
(021) 6565 5050
[email protected]

GLOBALFOUNDRIES为下一代连接解决方案展示业界领先的112G技术

高带宽、低功耗的SerDes IP组合实现了数据中心和网络应用中的 "互联智能

加州圣克拉拉,2017年11月15日 -GLOBALFOUNDRIES今天宣布,它已经展示了下一代112Gbps SerDes的能力。GF的高速串行解串器(HSS)解决方案包括112G至56G、30G和16G串行解串器IP的同类最佳架构,以实现云计算、超大规模数据中心和网络应用的连接。

"GF展示的112Gbps SerDes架构确立了运行极高的下一代互连技术的能力,可以为数据中心和企业应用提供远距离的能力,"GF全球销售和业务发展高级副总裁Mike Cadigan说。"因此,我们的客户将很快能够设计出一流的ASIC解决方案,以满足数据中心和网络应用的爆炸性带宽增长,因为该行业正在向互联智能的新时代过渡。"

112G SerDes是在GF的高性能ASIC FX-14™技术中设计的,能够支持几种多级信令方案,同时针对25dB以上的插入损耗互连。112G SerDes平台具有灵活性,以便分析各种更高级别的编码方案(如前向纠错)的功效。

从这项工作中获得的经验正被用于开发GF在FX-7™技术中的112G SerDes IPs,并利用晶圆厂领先的7纳米FinFET技术平台7LP,为当前和未来的前沿网络、计算和存储应用提供高速连接和低功耗解决方案以及光学变体。

目前,客户正在使用56Gbps和其他FX-14 SerDes内核,在14LPP和7LP工艺技术中设计高级ASIC解决方案。通过在公司的14纳米FinFET工艺上提供56Gbps的PAM4信号,GF已经证明了其提供真正的长距离SerDes解决方案的能力,并且正在客户渠道中运送开发板。启用112G通信解决方案将使客户在下一代产品中的芯片带宽增加一倍。

如需了解更多关于GF高性能ASIC解决方案的信息,请访问www.globalfoundries.com/ASICs。

关于GF。

GLOBALFOUNDRIES是一家领先的全方位半导体代工企业,为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务。凭借横跨三大洲的全球制造足迹,GLOBALFOUNDRIES使改变行业的技术和系统成为可能,并使客户有能力塑造他们的市场。GLOBALFOUNDRIES为穆巴达拉投资公司所有。欲了解更多信息,请访问globalfoundries.com

联系。

Erica McGill
GLOBALFOUNDRIES
(518) 795-5240
[email protected]