Alan Shaffer wird Mitglied im Sicherheitsausschuss von GlobalFoundries Juli 14, 2021 Hochrangiger ehemaliger Pentagon-Beamter unterstreicht das Engagement des Unternehmens für die US-Regierung und die Bedürfnisse der nationalen Sicherheit Malta, New York, 14. Juli 2021 - GlobalFoundries® (GF®) gab heute bekannt, dass der ehrenwerte Alan Shaffer mit sofortiger Wirkung dem Government Security Committee (GSC) des Unternehmens beigetreten ist. Das GSC wurde vor sechs Jahren gegründet und ist ein integraler Bestandteil des langjährigen Programms von GF für die sichere Produktion der sensibelsten Halbleiterprodukte der US-Regierung. Ergänzend zu GF SHIELD, dem umfassenden Programm von GF zum Schutz der vertraulichsten und wertvollsten Informationen und Produkte von Regierungs- und Geschäftskunden, berät der Ausschuss die Unternehmensleitung und den Vorstand von GF in wichtigen Fragen der Sicherheit, der Regierung und der Politik. "In den letzten Monaten hat die Chip-Knappheit ein intensives Rampenlicht auf unsere Branche geworfen und gezeigt, wie wichtig die US-Halbleiterproduktion ist, um eine langfristige Versorgung zu gewährleisten und die explodierende Nachfrage zu befriedigen", sagte Saam Azar, Senior Vice President of Corporate Development, Legal and Government Affairs. "Secretary Shaffer bringt einen reichen Erfahrungsschatz in das GSC von GF ein, der unsere Expertise in Sicherheits- und Geheimdienstfragen weiter ausbaut und die Reichweite von GF in allen Branchen und in der nationalen Sicherheitsgemeinschaft erhöht." Shaffer hatte weitreichende Führungsaufgaben im Verteidigungsministerium (DoD) inne, zuletzt als stellvertretender Unterstaatssekretär des Verteidigungsministeriums für Beschaffung und Instandhaltung (A&S).Für seine erfolgreiche und einflussreiche Karriere als Regierungsführer, Beamter und angesehene Autorität wurde Shaffer sowohl mit dem Distinguished als auch mit dem Meritorious Presidential Rank Award für "anhaltende außergewöhnliche Leistungen" ausgezeichnet. Shaffer ist Mitglied des GSC und gehört zu einer angesehenen Gruppe ehemaliger hochrangiger Regierungsbeamter und führender Vertreter der Halbleiterindustrie, die GF aus einer einzigartigen Perspektive und mit unterschiedlichem Fachwissen beraten. Den Vorsitz des Gremiums hat Ken Krieg, ehemaliger Under Secretary of Defense for Acquisition, Technology and Logistics, inne. Weitere Mitglieder sind Tim Hutchinson, ehemaliger US-Senator aus Arkansas, Lou Lupin, ehemaliger Executive Vice President und General Counsel von Qualcomm, sowie Mike Cadigan, Senior Vice President of Customer Design Enablement von GF und langjähriger IBM-Manager. Als anerkannter Lieferant fortschrittlicher Halbleiter für die US-Regierung unterstützt GF sichere Regierungsprogramme zur Lieferung von Chips für Verteidigung, Luft- und Raumfahrt und andere Anwendungen, die für das nationale Interesse von entscheidender Bedeutung sind.Für 2021 kündigte GF eine neue Vereinbarung mit dem Verteidigungsministerium an, die eine sichere und zuverlässige Versorgung mit Halbleiterlösungen vorsieht, die in der modernsten Halbleiterfabrik von GF in Malta, New York, hergestellt werden. Die Produktionsstätte in Malta entspricht auch den US-amerikanischen Vorschriften für den internationalen Waffenhandel (ITAR). GF beruft eine hochrangige Gruppe von Führungskräften aus Industrie und Regierung ein, um die am Montag, den 19. Juli, in der Fab 8 von GF in Malta, New York, eine nationale Diskussion über die Lösung von Problemen in der Halbleiterlieferkette und der nationalen Sicherheit. Im Rahmen der Veranstaltung werden die GSC-Berater Ken Krieg, Al Shaffer und Mike Cadigan an einer Podiumsdiskussion mit anderen Regierungs- und Industrieexperten teilnehmen, die Einblicke in die nationalen Sicherheitsanforderungen an Halbleiter-Lieferketten geben. Über GlobalFoundries GF ist einer der weltweit führenden Halbleiterhersteller und der einzige mit einer wirklich globalen Präsenz. GF liefert funktionsreiche Lösungen, die es seinen Kunden ermöglichen, durchgängige Chips für wachstumsstarke Marktsegmente zu entwickeln. GF bietet eine breite Palette von Plattformen und Funktionen mit einer einzigartigen Mischung aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen. Mit einer Produktionsbasis, die sich über die USA, Europa und Asien erstreckt, verfügt GF über die nötige Flexibilität und Agilität, um die dynamischen Anforderungen von Kunden auf der ganzen Welt zu erfüllen. GF ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter globalfoundries.com. Kontakt: Erica McGillGLOBALFOUNDRIES(518) 795-5240[email protected]
Western Digital beruft Dr. Thomas Caulfield und Miyuki Suzuki in seinen Vorstand Juli 8, 2021Western Digital Corp. (NASDAQ: WDC) gab heute bekannt, dass Dr. Thomas (Tom) Caulfield und Miyuki Suzuki mit Wirkung vom 6. Juli 2021 in den Vorstand des Unternehmens berufen wurden. Caulfield, derzeit CEO von GLOBALFOUNDRIES®, und Suzuki, eine in Japan ansässige Fortune-100-Führungskraft, bringen Halbleiter- und globale Betriebserfahrung mit, die die Wachstums- und Innovationsstrategie von Western Digital ergänzt.
GlobalFoundries ernennt Jack Lazar zum Mitglied des Vorstands Juni 24, 2021 Erfahrene Finanz- und Technologie-Führungskraft mit starker Erfolgsbilanz tritt in den Vorstand ein, um die nächste Wachstumsphase zu beschleunigen Malta, New York, 24. Juni 2021 - GlobalFoundries® (GF®) gab heute die Ernennung von Jack Lazar zum 1. Juli 2021 als unabhängiges Mitglied in den Vorstand des Unternehmens bekannt. Mit seiner Ernennung wird der Vorstand aus 11 Mitgliedern bestehen, darunter vier unabhängige Direktoren. "Wir freuen uns, dass Jack mit seiner mehr als 30-jährigen Erfahrung in der Geschäftsführung und im Vorstand von schnell wachsenden, innovativen Technologieunternehmen unserem Vorstand und Prüfungsausschuss beitritt", sagte Ahmed Yahia Al Idrissi, Vorsitzender des Vorstands von GF. "Während wir den Wachstumskurs von GF beschleunigen und die Grenzen der Halbleiterindustrie weiter vorantreiben, werden Jacks Beiträge äußerst wertvoll sein". "Jack ist eine hochstrategische Technologie-Führungskraft, die für ihre herausragenden Ergebnisse in der Geschäftsführung und im Vorstand bekannt ist", sagte Tom Caulfield, CEO von GF. "Während wir unsere entscheidende Rolle bei der Bereitstellung von funktionsreichen Lösungen für die Herstellung von Halbleitern ausbauen, die für die Menschheit immer allgegenwärtiger und lebenswichtiger werden, ist Jacks Führung und Erfahrung eine hervorragende Ergänzung für unseren erstklassigen Vorstand. Jacks Führung und Erfahrung sind eine hervorragende Ergänzung für unser erstklassiges Board of Directors". "Halbleiter sind die Grundlage der Technologiebranche", sagte Jack Lazar. "GF ist ein globaler Halbleiterhersteller im Umbruch, und es ist ein aufregender Zeitpunkt, dem Vorstand des Unternehmens beizutreten. Ich freue mich auf die Zusammenarbeit mit einem großartigen Team, um den Wachstumskurs des Unternehmens in der Branche weiter zu beschleunigen." Lazar verfügt über mehr als 30 Jahre Erfahrung in operativen und finanziellen Funktionen bei verschiedenen wachstumsorientierten börsennotierten und privaten Unternehmen, zuletzt als Chief Financial Officer von GoPro. Davor war er in Führungspositionen bei Qualcomm, Atheros Communications, NetRatings, Apptitude und Electronics for Imaging (EFI) tätig. Lazar begann seine Karriere bei Price Waterhouse, ist Wirtschaftsprüfer (inaktiv) und bekleidet derzeit sowohl öffentliche als auch private Aufsichtsrats- und Beratungsfunktionen bei verschiedenen Technologie- und Verbraucherunternehmen. Über GlobalFoundries GF ist einer der weltweit führenden Halbleiterhersteller und der einzige mit einer wirklich globalen Präsenz. GF liefert funktionsreiche Lösungen, die es seinen Kunden ermöglichen, durchgängige Chips für wachstumsstarke Marktsegmente zu entwickeln. GF bietet eine breite Palette von Plattformen und Funktionen mit einer einzigartigen Mischung aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen. Mit einer Produktionsbasis, die sich über die USA, Europa und Asien erstreckt, verfügt GF über die nötige Flexibilität und Agilität, um die dynamischen Anforderungen von Kunden auf der ganzen Welt zu erfüllen. GF ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter globalfoundries.com. Kontakt: Erica McGillGlobalFoundries(518) 795-5240[email protected]
GlobalFoundries macht den ersten Spatenstich für eine neue Fabrik in Singapur 22. Juni 2021 Das neue Werk in Singapur ist der erste Schritt im Rahmen des Plans von GLOBALFOUNDRIES, seine globale Produktionspräsenz zu erweitern, um der steigenden weltweiten Kundennachfrage gerecht zu werden Malta, N.Y., und Singapur, 22. Juni 2021-GlobalFoundries® (GF®), der weltweit führende Hersteller von Halbleitern mit vielen Leistungsmerkmalen, gab heute bekannt, dass das Unternehmen seine globale Produktionspräsenz durch den Bau einer neuen Fertigungsstätte auf seinem Campus in Singapur erweitert.In Partnerschaft mit dem Singapore Economic Development Board und mit Co-Investitionen von engagierten Kunden wird die Investition von GF in Höhe von mehr als 4 Mrd. US-Dollar (5 Mrd. S$) eine wesentliche Rolle bei der Deckung der wachsenden Nachfrage nach den branchenführenden Fertigungstechnologien und -dienstleistungen des Unternehmens spielen, die es Unternehmen auf der ganzen Welt ermöglichen, ihr Geschäft zu entwickeln und zu erweitern. In einer virtuellen Zeremonie des ersten Spatenstichs waren der singapurische Verkehrsminister und zuständige Minister für HandelsbeziehungenS. Iswaranund der geschäftsführende Direktor und CEO der Mubadala Investment Company,S.E. Khaldoon Khalifa Al Mubarak, zusammen:Der Botschafter der VAE in Singapur, S.E. Jamal Abdulla Al Suwaidi; der Botschafter von Singapur in den VAE, S.E. Kamal R Vaswani, der Geschäftsführer des Singapore Economic Development Board, Chng Kai Fong, der Vorstandsvorsitzende von GF, Ahmed Yahia Al Idrissi, sowie Führungskräfte von GF, darunter CEOTom Caulfield, CFODavid Reeder, SVP und Head of Global OperationsKC Ang, SVP of Global SalesJuan Cordovez, VP of Human Resource for APAC and International FabsJanice Lee und VP of Technology Development in SingaporeDr. Soh Yun Siah. Die weltweite Nachfrage nach Halbleiterchips wächst in einem noch nie dagewesenen Tempo, wobei der weltweite Umsatz mit Halbleitern in den nächsten acht Jahren voraussichtlich um das 2,1-Fache steigen wird1. Um diese Nachfrage zu befriedigen, hat GF Kapazitätserweiterungen an allen seinen Produktionsstandorten in den USA, Deutschland und - beginnend mit der ersten Ausbauphase seiner 300mm-Fertigung - in Singapur geplant. Nach der Fertigstellung wird GF die Kapazität für 450.000 Wafer pro Jahr erhöhen und den Campus in Singapur auf rund 1,5 Millionen (300mm) Wafer pro Jahr ausbauen. Die neue Produktionsstätte wird die modernste Semi-Fertigungsanlage in Singapur sein und die Fähigkeit von GF weiter verbessern, seine funktionsreichen RF-, Analog Power- und nichtflüchtigen Speicherlösungen anzubieten. GF baut dort 23.000 Quadratmeter Reinraumfläche und neue Verwaltungsbüros. In der neuen Fabrik werden 1.000 neue hochwertige Arbeitsplätze für Techniker, Ingenieure und andere Mitarbeiter geschaffen.Die Bauarbeiten sind bereits im Gange und die Inbetriebnahme der Fabrik ist für 2023 geplant. "GF begegnet der Herausforderung des weltweiten Halbleitermangels, indem wir unsere Investitionen auf der ganzen Welt beschleunigen. Die enge Zusammenarbeit mit unseren Kunden und der Regierung von Singapur ist ein Erfolgsrezept, mit dem wir hier Pionierarbeit leisten und das wir gerne in den USA und Europa wiederholen möchten", so Tom Caulfield, CEO von GF. "Unsere neue Anlage in Singapur wird schnell wachsende Endmärkte in den Segmenten Automotive, 5G-Mobilität und sichere Geräte unterstützen, für die bereits langfristige Kundenverträge bestehen." "Wir sind entschlossen, mit Branchenführern wie GlobalFoundries zusammenzuarbeiten, um die weltweite Nachfrage nach Halbleitern zu decken, insbesondere in Wachstumsbereichen wie künstliche Intelligenz und 5G. Die Halbleiterindustrie ist eine tragende Säule des verarbeitenden Gewerbes in Singapur, und die Investition von GlobalFoundries in die neue Fabrik ist ein Beleg für die Attraktivität Singapurs als globaler Knotenpunkt für fortschrittliche Fertigung und Innovation. Sie wird den Kunden von GlobalFoundries helfen, die Widerstandsfähigkeit ihrer Lieferketten zu stärken, und durch die Schaffung von guten Arbeitsplätzen für die Singapurer und von Geschäftsmöglichkeiten für unsere lokalen Unternehmen auch zur Dynamik unserer Wirtschaft beitragen", sagte Dr. Beh Swan Gin, Vorsitzender des Singapore Economic Development Board. Halbleiterchips sind allgegenwärtiger denn je und zu einer der wichtigsten Ressourcen der Menschheit geworden. Von Smartphones und Autos bis hin zur Technologie in Schulen und Krankenhäusern - die moderne Gesellschaft kann ohne sie nicht mehr überleben. GF ist ein zuverlässiger Lieferant für mehr als 250 Kunden weltweit und investiert in Zusammenarbeit mit diesen Kunden und regionalen Regierungen in den Ausbau seiner globalen Produktionskapazitäten, um das Ungleichgewicht zwischen Angebot und Nachfrage auszugleichen. Über GlobalFoundries GF ist einer der weltweit führenden Halbleiterhersteller und der einzige mit einer wirklich globalen Präsenz. GF liefert funktionsreiche Lösungen, die es seinen Kunden ermöglichen, durchgängige Chips für wachstumsstarke Marktsegmente zu entwickeln. GF bietet eine breite Palette von Plattformen und Funktionen mit einer einzigartigen Mischung aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen. Mit einer Produktionsbasis, die sich über die USA, Europa und Asien erstreckt, verfügt GF über die nötige Flexibilität und Agilität, um die dynamischen Anforderungen von Kunden auf der ganzen Welt zu erfüllen. GF ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter globalfoundries.com. Medienkontakte GlobalFoundries Daniel Lin +65 9878 0858 [email protected] Erica McGill +1-518-795-5240 [email protected]
GF treibt Fortschritte bei der nächsten Generation von Fahrzeugradar voran Juni 21, 2021Akademische Forscher nutzen die Technologien von GlobalFoundries, um die Reichweite, die Auflösung und das Sichtfeld von Kfz-Radarsystemen zu verbessern, was für die Industrie von entscheidender Bedeutung ist. von Gary Dagastine Seit 1999, als Mercedes-Benz "dem Auto das Sehen beibrachte", wie es das Unternehmen ausdrückt, hat das Radar in der Automobilindustrie einen langen Weg zurückgelegt. Damals führte Mercedes die erste radarbasierte adaptive Geschwindigkeitsregelung (ACC) ein, die kommerziell eingesetzt wurde, das DISTRONIC-System, das zunächst als Option für ausgewählte Modelle erhältlich war. Heute ist ACC natürlich Standard in vielen Neuwagen, aber es ist bei weitem nicht die einzige Radaranwendung, und weitere sind auf dem Weg. Moderne Fahrzeuge können mehrere verschiedene Radargeräte für die automatische Notbremsung, die Überwachung des toten Winkels, den Spurwechselassistenten und andere erweiterte Fahrerassistenzsysteme (ADAS) haben. In nicht allzu ferner Zukunft werden verbesserte Radarfunktionen noch ausgefeiltere Sicherheitssysteme und autonomere Fahrzeuge ermöglichen. GlobalFoundries (GF), einer der weltweit führenden Halbleiterhersteller, liefert funktionsreiche Lösungen, die es seinen Kunden ermöglichen, allgegenwärtige Chips für wachstumsstarke Marktsegmente, wie z. B. Automobilradar, zu entwickeln. Die verschiedenen Plattformen von GF für diese Anwendung - 22FDX™, RF CMOS und SiGe BiCMOS - bieten eine unübertroffene RF/mmWave-Leistung, hervorragende digitale Verarbeitungs-/Integrationsfähigkeiten und einen Betrieb mit extrem niedrigem Stromverbrauch. Sie werden durch umfassende End-to-End-Services unterstützt, die die hohen Anforderungen der Automobilindustrie an Leistung, Zuverlässigkeit, Qualität, Packaging und Tests erfüllen. Der GF-Geschäftsbereich Automotive, Industrial and Multi-Market (AIM) ist für Radarlösungen im Automobilbereich sowie für das Internet der Dinge und industrielle Radaranwendungen wie Verkehrsüberwachung und Fabrikautomation zuständig. (Bewegungserkennungsradar für Mobiltelefone ist ein Schwerpunkt des Geschäftsbereichs Mobile and Wireless Infrastructure von GF). Angesichts des Wachstums und der Bedeutung des Kfz-Radars sprach Foundry Files mit Pirooz Parvarandeh, Chief Technology Officer von AIM, und seinem Kollegen Farzad Inanlou, Chief Technology Officer für Radar- und mmWave-Systeme bei AIM, über zukünftige technische Anforderungen in diesem Bereich. Die Strategie von GF zur Erfüllung dieser Anforderungen umfasst die Zusammenarbeit mit wichtigen akademischen Forschern im Rahmen des GF University Partnership Program. Vor kurzem haben wir darüber berichtet, wie dieses Programm die 6G-Mobilfunktechnologie voranbringt. Um zu erfahren, wie die Lösungen von GF den Fortschritt in der Kfz-Radartechnik vorantreiben, sprachen wir mit dem akademischen Partner von GF, Sorin Voinigescu, Professor an der Universität Toronto und einer der weltweit führenden Experten für Hochfrequenzelektronik. Reichweite, Auflösung und Sichtfeld sind entscheidend Laut Inanlou von GF sind Reichweite, Auflösung und Sichtfeld die wichtigsten Anforderungen an Kfz-Radarsysteme, und in allen Bereichen müssen erhebliche Verbesserungen erzielt werden, um die Ziele der Branche zu erreichen. "Bis zum Ende des Jahrzehnts werden wir Systeme mit einer Reichweite von 300 Metern benötigen - heute sind es etwa 150 Meter -, um die Anforderungen der geplanten ADAS-Systeme zu erfüllen", sagte er. "Gleichzeitig brauchen wir auch eine höhere Auflösung, um Objekte besser unterscheiden zu können, ähnlich wie bei Lidar. Lidar ist ein komplementäres lichtbasiertes System, das derzeit Objekte realistischer identifizieren kann als Radar, aber es funktioniert nicht gut in Umgebungen mit eingeschränktem Sichtfeld, wie bei starkem Regen oder Nebel. Die Ersetzung von Lidar durch Radar ist wünschenswert, da die Lidar-Technologie in der Regel sperriger, weniger energieeffizient und teurer ist", sagte er. "Um eine vollständige Schutzzone um das Fahrzeug herum zu schaffen, brauchen wir ein viel größeres Sichtfeld, d. h. die Möglichkeit, das Fahrzeug in alle Richtungen zu überwachen. Dies erfordert vielleicht bis zu 10 verschiedene Radargeräte, die im Fahrzeug verteilt sind. Erforderlich: Höhere Stufen der Integration Auch die Integration von CMOS-Bauelementen muss weiter vorangetrieben werden, um ein Kfz-Radar zu entwickeln, das mehr Funktionen bietet und gleichzeitig extrem zuverlässig, sehr energieeffizient und klein ist. Parvarandeh sagte, eine stärkere Integration werde zu völlig neuen Fähigkeiten führen und den Automobilherstellern neue Möglichkeiten eröffnen. "Nehmen wir an, das Auto vor Ihnen bleibt plötzlich stehen. Der nächste technische Meilenstein, der über die automatische Notbremsung hinausgeht, ist die Fähigkeit, sich umzuschauen und zu berechnen, ob Ihr Auto ausweichen kann, wobei die verfügbare Zeit sowie der Verkehr oder andere Hindernisse in der Nähe Ihres Autos berücksichtigt werden", sagte er. "Dies ist nicht nur für die Sicherheit wichtig, sondern auch, weil es den Autoherstellern eine neue Funktion bietet, mit der sie Kunden anlocken können. Wie wichtig hoch integrierte Radarsysteme für die Automobilindustrie sind, zeigt die kürzlich bekannt gegebene Vereinbarung zwischen GF und dem Automobilzulieferer Bosch, der GF als Partner für die Entwicklung der nächsten Generation von Millimeterwellen (mmWave)-Automobilradar-System-on-Chip (SoC) ausgewählt hat, unter anderem aufgrund der umfassenden Integrationsfähigkeit der 22FDX RF-Plattform von GF. "Gegenwärtig arbeitet das Kfz-Radar mit 80 GHz, also mit höheren Frequenzen als der Mobilfunk, und man möchte diese mmWave-Frequenzen auf demselben Chip mit hochleistungsfähigen digitalen CMOS-Fähigkeiten unterbringen, und da kommt die 22FDX-Plattform ins Spiel", so Parvarandeh. "Der Betrieb mit geringem Stromverbrauch ist ebenfalls von entscheidender Bedeutung, nicht nur, weil Energieeffizienz wünschenswert ist, sondern auch, weil Geräte mit höherer Leistung heißer werden, und der Ort, an dem sich diese Geräte in einem Fahrzeug befinden, eine wichtige Rolle dabei spielt, ob die Wärme effektiv abgeleitet werden kann", sagte er. "Wärme wirkt sich auf die Zuverlässigkeit aus, und wir gehen davon aus, dass es in Zukunft mehr Elektronik in den Fahrzeugtüren und an anderen Stellen geben wird, an denen es sehr schwierig ist, die Wärme abzuleiten, so dass hoch energieeffiziente Lösungen wie 22FDX ein Muss sind." Die 22FDX-Familie von GF bietet bereits eine hohe Leistung bei geringem Stromverbrauch. Laut Inanlou verfügt GF über technische Roadmaps, um noch höhere Leistungen, Betriebsfrequenzen und Integrationsgrade sowie die höchstmögliche Ft- und Fmax-Leistung in SiGe-Technologie zu erreichen. Hier kommen die Partnerschaften mit Prof. Voinigescu und anderen ins Spiel. "Derzeit arbeiten wir weltweit mit acht Professoren zusammen, die wichtige Forschungsarbeiten zu Radaren der nächsten Generation durchführen", so Inanlou. "Diese Kooperationen sind wichtig, weil sie zu umfassenden Referenzdesigns und Proofpoints für unsere Technologie führen, die die Arbeit unserer eigenen internen Teams ergänzen, deren mmWave-Referenzdesigns in der Regel auf die Bedürfnisse und Spezifikationen der Industrie zugeschnitten sind." Weltweiter Experte für Hochfrequenzelektronik Professor Voinigescu beschäftigt sich seit Anfang der 1980er Jahre mit Hochfrequenzelektronik, als er als Student am rumänischen Polytechnischen Institut seinem Professor bei einem Projekt zur Entwicklung eines 10-GHz-Funkgeräts zur Verbindung von Computern über große Entfernungen assistierte. "Damals verwendeten wir Mikrowellenwellenleiter und diskrete Dioden anstelle von integrierten Schaltungen. Wir brachten diese riesigen, drei Meter breiten Antennen auf den Dächern von Gebäuden an, um die Signale zu senden und zu empfangen, und es schien, als wäre ich ständig dort oben, um sie auszurichten." Er fuhr fort: "Ich habe mich schon immer für drahtlose und faseroptische Technologien interessiert, weil ich glaube, dass sie für unsere Lebensweise noch notwendiger geworden sind und werden. Ich sehe es so, dass der weitere Fortschritt in diesen Bereichen dem Mooreschen Gesetz entspricht, mit dem Unterschied, dass im Gegensatz zum Mooreschen Gesetz die technischen und wirtschaftlichen Vorteile des kontinuierlichen Fortschritts nicht zu Ende gehen." Voinigescu promovierte an der Universität von Toronto und arbeitete anschließend bei Nortel Networks, wo er an der Spitze modernster Modellierungsansätze für drahtlose und breitbandige Glasfasertransceiver stand, die mit neuen Halbleitertechnologien wie SiGe gebaut wurden. Nach seinem Ausscheiden bei Nortel war er Mitbegründer von Quake Technologies Inc., das 2001 als erstes Unternehmen weltweit einen 10-Gb-Ethernet-Transceiver auf den Markt brachte. Als IEEE Fellow und Träger zahlreicher Auszeichnungen der Industrie und Kanadas ist er seit fast zwei Jahrzehnten Professor in Toronto. Seine Schwerpunkte sind integrierte Schaltungen im mmWave- und 100+Gb/s-Bereich, Halbleitertechnologien im atomaren Maßstab und seit kurzem auch Quantencomputer, wo er die 22FDX-Technologie zur Manipulation von Qubits bei bis zu 200 GHz einsetzt. Er hat etwa ein Dutzend Doktoranden, die für ihre eigenen Arbeiten zahlreiche Auszeichnungen erhalten haben, und eines der am besten ausgestatteten Labors der Hochschule für die Prüfung und Charakterisierung von Geräten und Schaltkreisen bei Frequenzen bis zu 750 GHz. "Ohne Silizium könnten wir nichts tun" Viele Jahre lang arbeitete Voinigescu mit IBM an SiGe-Technologien, und diese Beziehung wurde nicht nur fortgesetzt, sondern ausgebaut, als GF vor einigen Jahren die Halbleitereinheit von IBM übernahm. Ein bemerkenswerter Vorteil für GF ist, dass Voinigescu bereits seit langem mit Bosch, dem 22FDX-Plattformpartner von GF, zusammenarbeitet. "Mein Team arbeitet seit langem mit der Bosch-Forschungsgruppe an SiGe-BiCMOS-Bauteilen für 80-240-GHz-Transceiver, eine Zusammenarbeit, die unter anderem bis heute andauert", sagte er. Voinigescu sagte, dass die meisten Sensorprojekte, die er in Angriff nimmt, wie z. B. Kfz-Radaranwendungen, im Frequenzbereich von 60-160 GHz liegen, und er arbeitet jetzt fast ausschließlich mit der 22FDX-Technologie. "FDX hat eine einzigartige Eigenschaft, die es uns ermöglicht, Dinge zu tun, die sonst sehr schwierig wären oder zu viel Strom verbrauchen würden", sagte er. "Die Tatsache, dass er über ein Backgate verfügt, ermöglicht es, entweder neue Funktionen zu integrieren oder die Geschwindigkeit der Schaltung zu erhöhen, ohne den Stromverbrauch zu erhöhen, was die Lebensdauer der Geräte verlängert, da es weniger thermische Probleme gibt. "Wenn man sich also für eine CMOS-Lösung wie 22FDX anstelle von GaAs, InP oder anderen Technologien entscheidet, profitiert man von mehr digitaler Funktionalität und Kontrolle, von Energievorteilen und der Möglichkeit, diese Vorteile auch bei höheren Frequenzen zu nutzen. Als Beispiel nannte er ein Kfz-Radarsystem, an dem er mit der 22FDX-Plattform arbeitet. Dabei handelt es sich um einen 80/160-GHz-Transceiver mit dualer Polarisation, der im Vergleich zu konkurrierenden Designs eine um 6-10 dB höhere Leistung aufweist. "Ohne Silizium wären wir nicht in der Lage, irgendetwas zu tun", sagte er. Eine fruchtbare Partnerschaft Voinigescu sagte, er schätze die Zusammenarbeit mit GF bei der 22FDX-Plattform. GF ermöglicht ihm den Zugang zur 22FDX-Technologie und bietet ihm die notwendige Unterstützung und Anleitung. Er und seine Studenten charakterisieren die Technologie für verschiedene Anwendungen bei mehr als 100 GHz und teilen die Ergebnisse mit GF. "Es ist nicht einfach, diese Arbeit zu leisten, aber wir haben unsere Modelle bei über 100 GHz verifiziert", sagte er. "Wenn man sich unsere Arbeit ansieht, erkennt man, dass die 22FDX-Plattform eine attraktive Technologie ist. Das ist ein Gewinn für mein Forschungsteam, GlobalFoundries, deren Kunden und die gesamte Branche."
GlobalFoundries und GlobalWafers gehen Partnerschaft ein, um die Versorgung mit Halbleiterwafern zu erweitern 7. Juni 2021 Langfristiger Liefervertrag im Wert von 800 Millionen Dollar umfasst eine Kapitalerweiterung im Wert von 210 Millionen Dollar, die Schaffung von mehr als 75 neuen Arbeitsplätzen in Missouri und die Lieferung von Spezialwafern für die Produktionsanlagen von GF in New York und Vermont Malta, New York, 7. Juni 2021 - GlobalFoundries® (GF®), der weltweit führende Hersteller von Halbleitern mit vielen Funktionen, und GlobalWafers Co., Ltd. (GWC), einer der weltweit führenden Hersteller von Silizium-Wafern, gaben heute eine Vereinbarung über 800 Millionen US-Dollar bekannt, um die Fertigung von 300-mm-Silizium-auf-Isolator-Wafern (SOI) zu erweitern und die bestehende 200-mm-SOI-Wafer-Produktion in der MEMC-Anlage von GWC in O'Fallon, Missouri, auszubauen. Die von GWC produzierten Siliziumwafer sind wichtige Ausgangsmaterialien für Halbleiter und ein wesentlicher Bestandteil der Lieferkette von GF. Die Wafer werden in den milliardenschweren Produktionsanlagen von GF verwendet, wo sie zur Herstellung von Computerchips eingesetzt werden, die für die Weltwirtschaft allgegenwärtig und lebenswichtig sind. Mit der heutigen Ankündigung erweitert GF sein Angebot an Silizium-Wafern aus den Vereinigten Staaten. Insbesondere werden die 300-mm-Wafer, die am MEMC-Standort von GWC in Missouri hergestellt werden, in der fortschrittlichsten Produktionsstätte von GF, Fab 8 in Malta, New York, verwendet, und die 200-mm-Wafer, die am Standort Missouri hergestellt werden, werden in der Fab 9 von GF in Essex Junction, Vermont, eingesetzt. Auf diesen Wafern werden funktionsreiche Halbleiterlösungen hergestellt, um die stark wachsende Nachfrage nach den fortschrittlichen HF-Technologien von GF für eine Reihe von Anwendungen wie 5G-Smartphones, drahtlose Konnektivität, Kfz-Radar und Luft- und Raumfahrt zu decken. Die langfristige Vereinbarung umfasst Investitionen in Höhe von fast 210 Mio. USD für den Ausbau der MEMC-Anlage von GWC in Missouri und wird mehr als 75 neue Arbeitsplätze schaffen. Die 300-mm-Pilotanlage wird voraussichtlich im vierten Quartal dieses Jahres fertiggestellt. Die Vereinbarung wird durch Investitionen und Unterstützung des Staates Missouri in Höhe von 9,4 Millionen Dollar sowie durch die Unterstützung der Stadt O'Fallon, Ameren Missouri, Spire und Greater St. Louis, Inc. GF investiert allein im Jahr 2021 1,4 Milliarden Dollar in den Ausbau seiner Produktionskapazitäten, um den Bedürfnissen der Kunden gerecht zu werden und die weltweit steigende Nachfrage nach Computerchips zu decken. Als Teil dieses Wachstums wird GF einen erhöhten Bedarf an Wafern haben, wie sie von GWC hergestellt werden. GWC ist einer der weltweit führenden Hersteller von 200-mm-SOI-Wafern und unterhält mit GF eine lange und kontinuierliche Beziehung zur Lieferung von 200-mm-SOI-Wafern. Im Februar 2020 gaben GWC und GF ihre Absicht bekannt, eng zusammenzuarbeiten, um die bestehenden Fertigungskapazitäten von GWC für 300-mm-SOI-Wafer erheblich zu erweitern. Die heutige Ankündigung ist ein bedeutender Schritt nach vorn in dieser Zusammenarbeit. Die heutige Ankündigung erfolgt zu einer Zeit, in der die Vereinigten Staaten bestrebt sind, ihre Halbleiterlieferkette zu stärken und auszubauen, die die Weltwirtschaft mit einem Volumen von 91 Billionen Dollar ermöglicht. Nur 12 Prozent der weltweiten Halbleiterproduktionskapazitäten befinden sich in den Vereinigten Staaten. Entscheidend für die Erhöhung der Zahl der in den USA hergestellten Chips und die Steigerung der globalen Wettbewerbsfähigkeit der US-Chipindustrie sind Investitionen auf Bundesebene, wie sie durch den von beiden Parteien unterstützten U.S. Innovation and Competition Act und den bereits verabschiedeten CHIPS for America Act ermöglicht werden. "Halbleiter sind für unsere nationale Sicherheit und wirtschaftliche Wettbewerbsfähigkeit von entscheidender Bedeutung", sagte US-Senator Roy Blunt aus Missouri, der den U.S. Innovation and Competition Act maßgeblich unterstützt hat. "Die Lieferkette für diese Computerchips ist hochkomplex und wird weitgehend von anderen Ländern beherrscht. Wir müssen damit beginnen, mehr Chips im eigenen Land herzustellen, um die US-Industrie vor Engpässen bei Chips zu schützen, wie wir sie in den letzten Monaten erlebt haben. Die heutige Ankündigung ist eine gute Nachricht für die Halbleiterherstellung und wird stabile, gut bezahlte High-Tech-Arbeitsplätze für die Menschen in Missouri schaffen." "Als zuverlässiger Halbleiterhersteller und -lieferant der US-Regierung sowie als Weltmarktführer im Bereich der RF-Halbleitertechnologie hat sich GF dafür eingesetzt, die Halbleiterproduktion in den USA zu beschleunigen und unsere Kapazitäten zu erhöhen, um die wachsende weltweite Nachfrage nach Chips zu befriedigen", so Tom Caulfield, CEO von GF. "Die Art von Partnerschaft, die wir heute mit GWC ankündigen, ist nur möglich dank der Führung des Kongresses und des erneuerten nationalen Interesses am Ausbau der US-Halbleiterproduktionskapazitäten". "Wir sind stolz darauf, unsere strategische Partnerschaft mit GF zu vertiefen und unsere wichtige Rolle in der US-Halbleiterlieferkette auszubauen", sagte Doris Hsu, Vorsitzende und CEO von GWC. "Wir danken dem Staat Missouri für seine Unterstützung. Wir danken auch unserem unglaublichen Team in O'Fallon, dessen Engagement und harte Arbeit unseren Erfolg und unser Wachstum ermöglicht haben. Wir freuen uns darauf, unsere 300-mm-Pilotanlage in diesem Jahr hochzufahren und unseren Ausbau mit GF zu beschleunigen." "Wir sind stolz darauf, dass ein Unternehmen aus Missouri den kritischen Bedarf an Halbleitern deckt, den wir in zahllosen Branchen in unserem Staat und in der ganzen Nation sehen", sagte Mike Parson, Gouverneur von Missouri. "Die Expansion von MEMC wird die globale Halbleiter-Lieferkette stärken, die amerikanische Fertigung fördern und gut bezahlte Arbeitsplätze hier in Missouri unterstützen." "Seit mehr als sechs Jahrzehnten sind wir die Heimat von MEMC und der Herstellung von Silizium-Wafern der Spitzenklasse", sagte Bill Hennessy, Bürgermeister von O'Fallon. "O'Fallon ist stolz darauf, ein unternehmens- und familienfreundliches Umfeld mit einer hohen Lebensqualität zu bieten, das den Erfolg von MEMC unterstützt. Wir sind begeistert von dieser neuen Partnerschaft zwischen GlobalWafers und GLOBALFOUNDRIES und den positiven Auswirkungen, die sie auf unsere Stadt, unseren Staat und unser Land haben wird." GF beschäftigt mehr als 7.000 Mitarbeiter in den USA. In den vergangenen 12 Jahren hat das Unternehmen 15 Milliarden US-Dollar in die Entwicklung von Halbleitern in den USA investiert und verdoppelt seine geplanten Investitionen bis 2021, um die globalen Kapazitäten zu erweitern und die wachsende Nachfrage der US-Regierung und der Industrie nach sicheren Verarbeitungs- und Konnektivitätsanwendungen zu bedienen. Über GlobalFoundries GF ist der weltweit führende Halbleiterhersteller und der einzige, der wirklich global aufgestellt ist. GF liefert funktionsreiche Lösungen, die es seinen Kunden ermöglichen, durchgängige Chips für wachstumsstarke Marktsegmente zu entwickeln. GF bietet eine breite Palette von Plattformen und Funktionen mit einer einzigartigen Mischung aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen. Mit einer Produktionsbasis, die sich über die USA, Europa und Asien erstreckt, verfügt GF über die nötige Flexibilität und Agilität, um die dynamischen Anforderungen von Kunden auf der ganzen Welt zu erfüllen. GF ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter www.globalfoundries.com. ### Medienkontakt Michael MullaneyGlobalFoundries(518) 305-1597[email protected]
Reibungslose Vernetzung: Ein Megatrend, der leistungsfähige RF-Lösungen erfordert Mai 28, 2021 Reibungslose Vernetzung, Virtualisierung und hierarchische KI sind drei technologische Megatrends, die die Art und Weise, wie wir leben und arbeiten, verändern werden. Dieser Artikel über reibungslose Vernetzung ist der erste in einer Reihe, die untersucht, wie GlobalFoundries-Lösungen jeden dieser Megatrends ermöglichen. Obwohl der Transistor vor fast einem Dreivierteljahrhundert auf den Markt kam, den Weg für integrierte Festkörperschaltungen ebnete und die Revolution in der Elektronik einleitete, waren die letzten beiden Jahre vielleicht die bedeutendsten in der Geschichte der Branche. Im Jahr 2019 haben geopolitische Spannungen die Stärken und Schwächen der globalen Halbleiterlieferkette in den Fokus gerückt. Da eine zuverlässige Versorgung mit Chips für alle möglichen Produkte erforderlich ist, wurden Halbleiter plötzlich zu einem Brennpunkt für die Industrie-, Handels- und Außenwirtschaftspolitik. Mit der Covid-19-Pandemie im Jahr 2020 wuchs dann das Bewusstsein für die Leistungsfähigkeit der weltweiten digitalen Infrastruktur, da die Menschen mehr denn je auf sie angewiesen waren, um die Ansteckung zu bekämpfen, Unternehmen aus der Ferne zu betreiben, Studenten auszubilden, Kontakte zu knüpfen und viele andere große und kleine Dinge zu erledigen. Tom Caulfield, CEO von GlobalFoundries (GF), sagte, seit die Gesellschaft erkannt habe, dass Lieferkettenprobleme und die Pandemie keine kurzfristigen Krisen seien, habe sich das Bewusstsein für die Bedeutung digitaler Technologien und dafür, wie sie unser Leben für immer verändern werden, vertieft. "Es ist erstaunlich zu sehen, wie weit verbreitet und widerstandsfähig die digitale Infrastruktur in den letzten zehn Jahren geworden ist, und wie wenig ihr volles Potenzial bis zur COVID-19 genutzt wurde", sagte er. "Wir haben begonnen, uns nicht eine neue Normalität, sondern eine bessere Normalität vorzustellen. Diese bessere Normalität wird durch die Nutzung der Fähigkeiten unserer allgegenwärtigen, wachsenden und sich verbessernden digitalen Infrastruktur erreicht. .... Dies ist nicht nur eine Chance für unsere Branche, es ist unsere Berufung". Infolgedessen sieht GF drei Megatrends und eine enorme Hürde, die sich herauskristallisiert haben, so Caulfield, und GF-Lösungen sind für alle von entscheidender Bedeutung. Der erste ist die reibungslose Vernetzung - eine allgegenwärtige "immer verfügbare, nahtlose, intelligente und sichere Verbindung, 24 Stunden, sieben Tage die Woche" - auf die wir weiter unten in diesem Blog noch näher eingehen werden. Der zweite Megatrend ist die allgegenwärtige Einführung der Virtualisierung. "Die Netzwerkfunktionsvirtualisierung (NFV) ist ein gutes Beispiel", so Caulfield. "Dabei wird die Netzwerkverarbeitung in der Cloud durchgeführt, und die Daten werden von dummen Zugangspunkten zur Verarbeitung in die Cloud transportiert. Dies führt zu erheblichen Skalierungsvorteilen, ähnlich wie bei den heutigen Vorteilen von Cloud-Speichern und -Rechnern. NFV verbessert die Bandbreite und die Geschwindigkeit erheblich, und zwar zu wesentlich geringeren Kosten und mit geringerem Stromverbrauch. Angesichts der Flexibilität eines virtualisierten Netzwerks können außerdem Zeit und Aufwand für die Bereitstellung neuer Dienste verbessert werden, da die neue Funktion über einen Software-Push und nicht über ein Hardware-Upgrade für den Benutzer bereitgestellt wird." Der letzte Megatrend ist die hierarchische künstliche Intelligenz (KI), oder "KI überall", von Geräten bis zu Sensoren, von der Edge bis zur Cloud. "Daten sind das neue Gold, aber sie sind nur dann Erz, wenn wir sie aus einem rohen, unstrukturierten Format extrahieren und nutzen können, um Erkenntnisse zu gewinnen, Maßnahmen zu ergreifen und Entscheidungen zu treffen", so Caulfield. "Die Menge an strukturierten und unstrukturierten Daten, die allein in den letzten zwei Jahren erzeugt wurde, ist größer als alle Daten, die zuvor erzeugt wurden, und dennoch nutzen wir nur 3 % dieser Daten. Hierarchische KI ist der Schlüssel, um aus riesigen, unstrukturierten Daten Wert zu schöpfen, indem sie diese analysiert, um wichtige Informationen zu extrahieren, und sie dann komprimiert, um sie effizienter an Rechner und Speicher weiterzuleiten." Zwar hat jeder Megatrend seine eigenen Hürden und Herausforderungen, und die Reduzierung des Stromverbrauchs ist für alle ein entscheidender Faktor, doch der Weg in die digitale Zukunft ist unaufhaltsam. Reibungslose Vernetzung ist im Kommen "Unsere Vision für die Netzwerkkonnektivität der Zukunft ist, dass Sie nicht einmal wissen, mit welchem Netzwerk Sie verbunden sind. Ihr Gerät findet es automatisch, authentifiziert es und optimiert es hinsichtlich Bandbreite, Latenzzeit und anderer kritischer Attribute", so Peter Gammel, Vice President und CTO der Mobile and Wireless Infrastructure Business Unit von GF. "Wir bezeichnen dies als reibungsloses Networking, denn wenn wir darüber sprechen, wie sich die Konnektivität in den kommenden Jahren entwickeln wird, wenn drahtlose Systeme immer schnellere HF- und mmWave-Spektren nutzen, wollen wir uns nicht in den Details von 5G, 6G, Wi-Fi, Bluetooth oder einem anderen Netzwerkprotokoll verlieren. "Der entscheidende Punkt ist vielmehr folgender: Unabhängig davon, wie Sie eine Verbindung herstellen, wird der letzte Schritt zwischen einem Netzwerk und Ihrem Gerät immer drahtlos sein", sagte er, "und das bedeutet, dass, obwohl es bereits eine regelrechte Explosion von Hochfrequenz-Inhalten in allen möglichen Geräten gibt, sich dieser Trend nur noch beschleunigen wird." Laut Gammel werden nicht nur Smartphones, Tablets und PCs auf reibungslose Netzwerkfunktionen angewiesen sein. Ein Universum verschiedenster Produkte wird darauf angewiesen sein, um zu funktionieren, und zwar in so unterschiedlichen Anwendungen wie Industrie 4.0 (d. h. intelligente, automatisierte Fertigung), dem Internet der Dinge (IoT), Wearables für Gesundheit und Wellness, Automobilsystemen wie fortschrittlicher Fahrerunterstützung (ADAS) und anderen, die zu zahlreich sind, um sie zu erwähnen. Die Herausforderungen sind enorm. Der Datenverkehr an wichtigen Netzknotenpunkten steigt steil an - in einigen Fällen um bis zu 40 % - und diese Raten werden in den kommenden Jahren nur noch zunehmen, sagte Gammel in einer Grundsatzrede auf dem IEEE International Reliability Physics Symposium 2021. "Künftige Netze werden extreme Kapazitäten und Datenraten, eine viel höhere spektrale Effizienz, extrem niedrige Latenzzeiten, eine viel höhere Zuverlässigkeit und robuste Sicherheit erfordern. Die beste RF-Technologie wird sich durchsetzen Das ist alles schön und gut, aber jeder, der schon einmal Schwierigkeiten beim Anschluss an ein Netz hatte, fragt sich vielleicht, wie wir jemals einen Zustand der reibungslosen Vernetzung erreichen werden. Was ist nötig, um dorthin zu gelangen? "Ich bin seit 40 Jahren in dieser Branche tätig, und die Art und Weise, wie man Erfolg misst, hat sich nie geändert: Es kommt immer auf die Führungsrolle bei HF-Technologien an, die für die Leistung und den Stromverbrauch von Front-End-Modulen (FEMs) und Leistungsverstärkern, den kritischsten Elementen eines drahtlosen Kommunikationssystems, entscheidend sind", sagte Gammel. Um die Nutzung des verfügbaren Spektrums zu maximieren, müsse die Ausgangsleistung so nah wie möglich an die Zuverlässigkeitsgrenzen heranreichen, sagte er. Dies kommt den Stärken von GF als langjährigem Marktführer in vielen verschiedenen RF-Technologien zugute, darunter RF-SOI (RF-Silizium auf Isolator), FD-SOI (vollständig verarmtes Silizium auf Isolator) und SiGe-Lösungen (Silizium-Germanium). "Unsere RF-SOI-Lösungen sind die erste Wahl für integrierte FEMs und Beamformer in 5G-Basisstationen und -Smartphones", so Gammel. "Da unsere 22FDX™ FD-SOI-Lösung HF, Analogtechnik, eingebetteten Speicher und fortschrittliche Logik in einem Chip vereint, bieten sie unübertroffene Spitzenleistung und Energieeffizienz für die Integration von FEM-Elementen wie Datenkonvertern, LNAs, Leistungsverstärkern (PAs) und Schaltern mit einem Transceiver. Darüber hinaus seien die SiGe-Lösungen von GF in Wi-Fi- und Mobilfunk-Leistungsverstärkern weit verbreitet, und die SiGe-Technologie biete einen Weg zu den Terahertz-Frequenzen, die für zukünftige Netzwerkarchitekturen benötigt werden. "Das Beste kommt erst noch" Gammel erläuterte, was seiner Meinung nach die weiteren notwendigen Voraussetzungen für eine reibungslose Vernetzung sind. "Schlüsselfertige Montage- und Testkapazitäten werden in dem Maße wichtiger, wie sich die Industrie auf Terahertz-Frequenzen zubewegt, weil die Schnittstelle zwischen Schaltkreisen und Gehäuse für die Leistung immer wichtiger wird. Bringt man die Antenne auf dem Gehäuse oder auf dem Chip an, und was ist die beste Konfiguration", sagte er. Offene Schnittstellen sind eine weitere Voraussetzung. "Proprietäre Schnittstellenprotokolle sind nie erfolgreich. Offene Schnittstellen sind entscheidend für den Aufbau eines Ökosystems, und wir sehen dies bereits in der Netzinfrastruktur und bei der Festlegung von Standards", sagte er. Ein Beispiel ist die 5G Open Radio Access Networks (Open RAN) Initiative. Außerdem sind nicht-terrestrische Netze, die Satelliten in erdnahen Umlaufbahnen (LEO) nutzen, der Schlüssel zur Anbindung unterversorgter Gebiete. "Der kommerzielle Einsatz von LEO-Konstellationen ist keine Science-Fiction, er findet bereits statt. Die Starlink-Konstellation von SpaceX ist ein Beispiel dafür", sagte er. "Es bleibt noch viel zu tun, und es sind noch viele technologische Innovationen erforderlich, um das riesige, ungenutzte Spektrum von 100 GHz bis 1 THz zu nutzen, aber wir haben bereits große Fortschritte gemacht, und das Beste steht uns noch bevor", sagte Gammel. Der nächste Artikel in dieser Reihe wird sich mit dem Megatrend Virtualisierung beschäftigen.
平顺的网络：一个需要强大射频解决方案的大趋势 May 28, 2021平顺的网络、虚拟化和分层人工智能，这三大技术趋势将改变我们的生活和工作方式。本文围绕平顺的网络而展开，是系列文章的一部分，该系列文章将探讨格芯®（GLOBALFOUNDRIES®）解决方案如何让这些大趋势得以实现。 尽管晶体管在近75年前就首次亮相，为固态集成电路铺平了道路，并迎来了电子革命，但过去两年可能才是行业历史上最重要的两年。 2019年，地缘政治的紧张局势使人们更加关注全球半导体供应链的优势和短板。由于各种产品都需要可靠的芯片供应，半导体突然成为工业、商业和外交政策的一个热点。 随后，在2020年新冠疫情的推动下，人们愈发认识到全球数字化基础设施的强大力量，因为人们变得比以往任何时候都更加依赖它来对抗疫情、远程运营公司、开展线上教学、社交，以及处理许多其他大小事情。 格芯首席执行官Tom Caulfield表示，自从社会意识到供应链问题和疫情不是短期危机以来，人们对数字技术的重要性及其将如何永远改变我们生活的认识便不断加深。 他说：“令人惊讶的是，虽然数字化基础设施在过去的十年里变得如此普及和富有弹性，但直到新冠肺炎疫情的爆发，它的潜力才得以充分发掘。我们开始想象的不是‘新常态’，而是‘更好的常态’。这种更好的常态就是利用我们广泛普及的能力扩展和改进数字化基础设施。….这不仅是我们行业的发展良机，也是我们的使命。” 因此，Caulfield说道，格芯发现在这个进程中出现了三个大趋势和一个大阻碍，而格芯解决方案对所有这些都至关重要。第一个大趋势是平顺的网络，这是一种无处不在的“全天候、不间断、7X24小时的安全智能化连接”——我们将在本文稍后更深入地探讨这个问题。 第二个大趋势是虚拟化部署的普及。Caulfield说：“网络功能虚拟化（NFV）就是一个非常好的例子。在这些领域，网络处理在云端进行，且数据从‘哑’接入点传输至云端进行处理。这样就产生了巨大的规模优势，类似于我们现在享受的云存储和云计算价值主张。NFV能够以明显更低的成本和功率大幅提升网络带宽和速度。同时，鉴于虚拟化网络的灵活特性，部署新服务所需的时间和精力得以缩减，因为新功能将通过向用户进行软件‘推送’而不是硬件升级的方式来实现。” 最后一个大趋势是从器件到传感器、从网络边缘到云端的分层人工智能，也即“无处不在的人工智能”。Caulfield表示：“数据是一种新型黄金，但只有当我们将数据从一种原始、非结构化格式中提取出来，并利用它来获得见解、采取行动和做出决策时，才能找到金矿。仅过去两年产生的结构化和非结构化数据的数量就比之前产生的所有数据都要多，然而我们只使用了所有这些数据中的3%。分层人工智能是从大量非结构化数据中提取价值的关键，它通过解析数据来提取重要信息，然后压缩数据以提高计算和存储的传输效率。” 虽然每个大趋势都有其自身的阻碍和挑战，而降低功耗是决定所有大趋势成败的一个关键问题，但向数字化未来的发展步伐是势不可挡的。 平顺的网络即将到来 格芯移动和无线基础架构业务部副总裁兼首席技术官Peter Gammel表示：“我们对未来网络连接的设想是，您甚至不用知道要连接什么网络，您的设备会自动找到它，对它进行认证，并针对带宽、延迟和其他关键属性进行优化。我们之所以称之为平顺的网络，是因为当我们谈到随着无线系统使用越来越快的射频和毫米波频谱，我们要如何看待未来几年的连通方式时，我们不想迷失在5G、6G、Wi-Fi、蓝牙或其他一些网络协议的细节中。” “关键在于：无论您通过什么方式连接，网络和设备之间的最后一跳都是采用无线方式，”他说。“这意味着，即使各种设备中的射频（RF）内容已经有了实质性的爆炸增长，但这一趋势只会加速。” Gammel表示，不仅仅是智能手机、平板电脑和个人电脑将依赖于平顺网络功能。各种不同的产品都将需要它来发挥作用，比如工业4.0（即自动化智能制造）应用、物联网（IoT）、可穿戴医疗保健设备、先进驾驶辅助（ADAS）等汽车系统，以及众多其他应用。 挑战是巨大的。Gammel在2021年IEEE国际可靠性物理学研讨会（IEEE International Reliability Physics Symposium）的主题演讲中说道，关键网络枢纽的数据流量会急剧增长，在某些情况下增长高达40%，而且这些比率在未来几年只会更高。“未来的网络将需要极高的容量和数据速率、更高的频谱效率、超低延迟、更高的可靠性和强大的安全性。” 出色的射频技术将扛起大旗 一切听起来都是那么好，但任何经历过网络连接困难的人可能都会想，我们要如何达到平顺的网络状态。要怎样才能实现这个目标呢？ Gammel说：“我已经在这个行业工作了40年，在这里，衡量成功的方法从未变过，那就是：最后都要归结于在射频技术方面的领导地位，这对前端模块（FEM）及功率放大器的性能和功耗至关重要，而这些又是无线通信系统中最关键的元件。” 他说道，为了最大限度地利用可用频谱，我们正在努力使输出功率尽可能地接近可靠性极限。这就发挥了格芯作为多种不同射频技术的长期领导者的优势，包括RF-SOI（射频绝缘体上硅）、FD-SOI（全耗尽绝缘体上硅）和SiGe（硅锗）解决方案。 Gammel说：“我们的RF SOI解决方案是5G基站和智能手机中集成FEM和波束形成器的首选。同时，由于我们的22FDX™ FD-SOI解决方案将射频、模拟、嵌入式存储器和先进逻辑整合到一个芯片中，它们为数据转换器、LNA、功率放大器（PA）和带收发器的开关等FEM元件的集成提供了出色的峰值性能和能效。” 此外，他表示，格芯的SiGe解决方案广泛用于Wi-Fi和蜂窝功率放大器，SiGe技术为未来网络架构所需的太赫兹频率提供了一条途径。 “更好的还在后头” Gammel提出了他认为平顺的网络中必不可少的其他因素。他说：“随着行业向太赫兹频率发展，统包式组装和测试能力将变得更加重要，因为电路和封装之间的接口对性能而言变得更加关键。是把天线放在封装上还是放在裸片上？最好的配置是什么？” 另一个必要因素是开放式接口。他说：“专有接口协议永远不会占上风。开放式接口对于构建生态系统至关重要，我们已经在网络基础设施和标准制定活动中看到了这一点。”一个例子是5G开放式无线接入网（Open RAN）倡议。 此外，利用近地轨道（LEO）星座卫星的非地面网络是向信号覆盖不佳的地区提供连接的关键所在。他说：“LEO星座的商业部署不是科幻小说，而是现实。来自SpaceX的星链（Starlink）星座就是一个例子。” Gammel表示：“要利用从100 GHz到1 THz的大量尚未开发的频谱，还有很多工作要做，并需要进行技术创新，但我们已经取得了很大的进展，更好的还在后头。” 本系列的下一篇文章将重点介绍虚拟化大趋势。敬请期待！
Raytheon Technologies和格芯携手加快5G无线连接技术发展 19. Mai 2021双方达成战略协作并签订许可协议，共同开发新的氮化镓技术，助力发展未来的无线网络 马萨诸塞州沃尔瑟姆和佛蒙特州伯灵顿，2021年5月19日 - 领先的航空航天和国防科技公司Raytheon Technologies（NYSE：RTX）和全球领先的特殊工艺半导体制造商格芯®（GLOBALFOUNDRIES®，GF®）将协作开发新型硅基氮化镓（GaN-on-Si）半导体并实现其商业化。这种半导体将为5G和6G移动及无线基础设施应用带来颠覆性的射频性能。 根据协议，Raytheon Technologies将授权格芯使用其专有的硅基氮化镓技术和专业知识，在其位于佛蒙特州伯灵顿的Fab 9厂开发这种新型半导体。氮化镓是一种独特的材料，用于制造可耐受高热量和高功率水平的高性能半导体。这种优点使得它非常适合处理5G和6G无线信号，因为这些信号需要比传统无线系统更高的性能水平。 "Raytheon Technologies是推动射频砷化镓技术发展的先驱之一，该技术已经广泛应用于移动和无线市场。同样，在推动氮化镓在先进军事系统中的使用方面，我们也处于前沿，"Raytheon Technologies首席技术官Mark Russell表示，"我们与格芯®（GLOBALFOUNDRIES®）达成的协议不仅展现了我们共同的目标，即以低廉的成本为客户提供高性能的通信技术，同时还将继续证明我们在先进国防技术上的投资如何改善人们的生活，并且保护人们的安全。" "在这种重要5G实现技术的国内生产方面，格芯®（GLOBALFOUNDRIES®）设在埃塞克斯的晶圆厂处于领先地位，这令我倍感自豪。对于佛蒙特州及至整个美国，这都是一场胜利，"美国参议院拨款委员会主席Patrick Leahy参议员表示，"对于美国的半导体供应链和竞争能力而言，世界一流制造商格芯®（GLOBALFOUNDRIES®）与技术创新领导者Raytheon Technologies之间的这次协作是一大利好消息，在佛蒙特州开发的这种技术将掀起我们生活中的一场革命。" "格芯®（GLOBALFOUNDRIES®）的创新推动了四代无线通信技术的演进，让40多亿人能够进行通信交流。我们与Raytheon Technologies的协作是一个非常重要的举措，旨在确保关键未来5G应用解决方案的开发和制造能力，"格芯首席执行官Tom Caulfield说道，"此次合作将涉及到众多应用领域，从支持人 工智能的手机和无人驾驶汽车到智能电网，以及政府对数据和网络的访问，这种应用对国家安全至关重要。" 凭借格芯出色的制造能力，结合在射频、测试和封装方面的差异化服务，新的GaN产品将能提升射频性能，同时维持生产和运营成本，让客户能够达到全新功耗水平和功率附加效率（PAE），以满足不断演进的5G和6G射频毫米波工作频率标准。 与Raytheon Technologies的此次协作是格芯的最新战略性合作，它进一步证明了格芯公司致力于通过提供差异化解决方案来重新定义创新前沿，而业界的其他公司仍在采用日趋困难的传统技术升级。 作为深受客户信赖的半导体制造工厂，自2005年以来，格芯在Fab 9厂聘用了将近2,000名员工，在美国聘用了超过7,000名员工。过去10年内，该公司在美国半导体发展方面投资了150亿美元，并计划在2021年将投资增加一倍，目的是提高全球生产能力，满足美国政府和工业客户在安全处理和连接应用方面不断增长的需求。 关于格芯 格芯®（GLOBALFOUNDRIES®）是全球领先的半导体制造商，也是唯一一家真正实现全球运营的半导体制造商。格芯提供功能丰富的解决方案，赋能客户为高增长的市场领域开发普适芯片。格芯拥有广泛的工艺平台及特性，并提供独特的融合设计、开发和生产为一体的服务。格芯拥有遍布美洲、亚洲和欧洲的规模生产足迹，以其灵活性与应变力满足全球客户的动态需求。格芯隶属Mubadala Investition Company。如需了解更多信息，请访问www.globalfoundries.com。 关于Raytheon Technologies Raytheon Technologies Corporation是一家航空航天和国防公司，致力于为全球各地的商业、军事、政府机构用户提供先进的系统和服务。该公司旗下拥有四家行业领先的企业，包括Collins Aerospace、Pratt & Whitney、Raytheon Intelligence & Space和Raytheon Missiles & Defense，其提供的解决方案推动在航空电子、网络安全、定向能源、电力推进、特超声和量子物理等领域内不断取得突破。该公司是在2020年由Raytheon Unternehmen和United Technologies Corporation航空航天业务部门合并组成，总部位于马萨诸塞州沃尔瑟姆。 媒体联系人
Raytheon Technologies und GlobalFoundries kooperieren zur Beschleunigung der drahtlosen 5G-Konnektivität 19. Mai 2021 Strategische Zusammenarbeit und Lizenzvereinbarung zur Entwicklung einer neuen Galliumnitrid-Technologie für künftige drahtlose Netzwerke Waltham, Massachusetts, und Burlington, Virginia, 19. Mai 2021 - Raytheon Technologies (NYSE: RTX), ein führendes Unternehmen für Luft- und Raumfahrt und Verteidigungstechnologie, und GlobalFoundries® (GF®), der weltweit führende Anbieter von Halbleitern mit vielen Funktionen, werden gemeinsam einen neuen Galliumnitrid-auf-Silizium-Halbleiter (GaN-on-Si) entwickeln und vermarkten, der eine bahnbrechende Funkfrequenzleistung für 5G- und 6G-Mobilfunk- und Drahtlosinfrastrukturanwendungen ermöglicht. Im Rahmen der Vereinbarung wird Raytheon Technologies seine proprietäre Galliumnitrid-auf-Silizium-Technologie und sein technisches Know-how an GF lizenzieren, das den neuen Halbleiter in seiner Fab 9 in Burlington, Vermont, entwickeln wird. Galliumnitrid ist ein einzigartiges Material, das für die Herstellung von Hochleistungshalbleitern verwendet wird, die eine hohe Wärme- und Leistungsaufnahme haben. Damit ist es ideal für die Verarbeitung von 5G- und 6G-Mobilfunksignalen geeignet, die eine höhere Leistung als herkömmliche Mobilfunksysteme erfordern. "Raytheon Technologies gehörte zu den Pionieren bei der Entwicklung der RF-Galliumarsenid-Technologie, die auf dem Mobilfunk- und Wireless-Markt breite Anwendung findet. Auch bei der Weiterentwicklung der Galliumnitrid-Technologie für den Einsatz in fortschrittlichen militärischen Systemen waren wir führend", sagte Mark Russell, Chief Technology Officer von Raytheon Technologies. "Unsere Vereinbarung mit GlobalFoundries unterstreicht nicht nur unser gemeinsames Ziel, unseren Kunden leistungsstarke Kommunikationstechnologien zu erschwinglichen Kosten zur Verfügung zu stellen, sondern zeigt auch, wie Investitionen in fortschrittliche Verteidigungstechnologien das Leben der Menschen nicht nur verbessern, sondern auch verteidigen können." "Ich bin stolz darauf, dass die Fabrik von GlobalFoundries in Essex eine Vorreiterrolle bei der inländischen Produktion dieser wichtigen 5G-Technologie und darüber hinaus einnimmt. Dies ist ein Gewinn für Vermont und ein Gewinn für die Vereinigten Staaten", sagte Senator Patrick Leahy, Vorsitzender des Bewilligungsausschusses des Senats. "Diese Zusammenarbeit zwischen einem Weltklasse-Hersteller, GlobalFoundries, und Raytheon Technologies, einem führenden Unternehmen im Bereich der technologischen Innovation, ist eine gute Nachricht für die Halbleiterlieferkette und die Wettbewerbsfähigkeit der USA. Die Technologie, die von den Einwohnern Vermonts produziert werden wird, wird unser Leben revolutionieren." "Die Innovationen von GlobalFoundries haben dazu beigetragen, die Entwicklung von vier Generationen der drahtlosen Kommunikation voranzutreiben, die mehr als 4 Milliarden Menschen miteinander verbinden. Unsere Zusammenarbeit mit Raytheon Technologies ist ein wichtiger Schritt, um die Entwicklung und Herstellung von Lösungen für kritische künftige 5G-Anwendungen sicherzustellen", so Tom Caulfield, CEO von GF. "Diese Partnerschaft wird alles ermöglichen, von KI-gestützten Telefonen und fahrerlosen Autos bis hin zum intelligenten Stromnetz, sowie den Zugang von Regierungen zu Daten und Netzwerken, die für die nationale Sicherheit unerlässlich sind." In Kombination mit der Fertigungsexzellenz und den differenzierten Dienstleistungen von GF in den Bereichen RF, Tests und Packaging wird das neue GaN-Angebot die RF-Leistung bei gleichbleibenden Produktions- und Betriebskosten steigern und Kunden in die Lage versetzen, neue Leistungs- und Leistungszusatzeffizienzniveaus zu erreichen, um die sich entwickelnden 5G- und 6G RF-Millimeterwellen-Betriebsfrequenzstandards zu erfüllen. Die Zusammenarbeit mit Raytheon Technologies ist die jüngste von mehreren strategischen Partnerschaften für GF und ein weiterer Beweis für das Engagement des Unternehmens, durch die Bereitstellung differenzierter Lösungen die Spitzenposition neu zu definieren, während der Rest der Branche weiterhin die traditionelle und zunehmend schwierige Technologie-Skalierung verfolgt. GF ist seit 2005 eine vertrauenswürdige Halbleiterproduktionsstätte und beschäftigt fast 2.000 Mitarbeiter in Fab 9 und mehr als 7.000 Mitarbeiter in den gesamten USA. In den letzten zehn Jahren hat das Unternehmen 15 Milliarden US-Dollar in die Entwicklung von Halbleitern in den USA investiert und wird seine geplanten Investitionen bis 2021 verdoppeln, um die globalen Kapazitäten zu erweitern und die wachsende Nachfrage der US-Regierung und von Industriekunden nach sicheren Verarbeitungs- und Konnektivitätsanwendungen zu bedienen. Über GF GF ist der weltweit führende Halbleiterhersteller und der einzige, der wirklich global aufgestellt ist. GF liefert funktionsreiche Lösungen, die es seinen Kunden ermöglichen, durchgängige Chips für wachstumsstarke Marktsegmente zu entwickeln. GF bietet eine breite Palette von Plattformen und Funktionen mit einer einzigartigen Mischung aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen. Mit einer Produktionsbasis, die sich über die USA, Europa und Asien erstreckt, verfügt GF über die nötige Flexibilität und Agilität, um die dynamischen Anforderungen von Kunden auf der ganzen Welt zu erfüllen. GF ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter www.globalfoundries.com. Über Raytheon Technologies Raytheon Technologies Corporation ist ein Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungsunternehmen, das fortschrittliche Systeme und Dienstleistungen für kommerzielle, militärische und staatliche Kunden weltweit anbietet. Mit vier branchenführenden Geschäftsbereichen - Collins Aerospace, Pratt & Whitney, Raytheon Intelligence & Space und Raytheon Missiles & Defense - liefert das Unternehmen Lösungen, die die Grenzen in den Bereichen Avionik, Cybersicherheit, gerichtete Energie, elektrische Antriebe, Hyperschall und Quantenphysik zu erweitern. Das Unternehmen, das 2020 aus dem Zusammenschluss der Raytheon Company und der Luft- und Raumfahrtsparte der United Technologies Corporation entstand, hat seinen Hauptsitz in Waltham, Massachusetts. Medienkontakte GlobalFoundriesErica McGill+1-518-795-5240[email protected] Raytheon TechnologiesChris JohnsonC: +1 202-384.2474[email protected]
