2015年7月13日22FDX®为物联网、主流移动、射频连接和网络提供了性能、功耗和成本的最佳组合 2015年7月13日，加利福尼亚州圣克拉拉市和德国德累斯顿市。GLOBALFOUNDRIES今天推出了一项新的半导体技术，专门为满足下一代互联设备的超低功耗要求而开发。22FDX "平台具有类似于FinFET的性能和能效，其成本与28纳米平面技术相当，为快速发展的主流移动、物联网（IoT）、射频连接和网络市场提供了最佳解决方案。 虽然有些应用需要三维FinFET晶体管的终极性能，但大多数无线设备需要在性能、功耗和成本之间取得更好的平衡。22FDX利用业界首个22纳米二维全耗尽绝缘体上的硅（FD-SOI）技术，为对成本敏感的应用提供了最佳途径。它提供了业界最低的0.4伏工作电压，实现了超低的动态功耗，减少了热影响，并缩小了终端产品的外形尺寸。与28纳米相比，22FDX平台的芯片尺寸缩小了20%，掩模数减少了10%，浸入式光刻层数也比FinFET少了近50%。 "GF首席执行官Sanjay Jha说："22FDX平台使我们的客户能够提供差异化的产品，在功率、性能和成本之间取得最佳平衡。"作为行业首创，22FDX提供了晶体管特性的实时系统软件控制：系统设计者可以动态地平衡功率、性能和漏电。此外，对于射频和模拟集成，该平台提供了最佳的扩展性和最高的能源效率。" 22FDX利用了GF位于德国德累斯顿的最先进的300毫米生产线上的大批量28纳米平台。这项技术预示着 "Silicon Saxony "故事的新篇章，它建立在对欧洲最大的半导体工厂近20年的持续投资之上。GF在德累斯顿启动了FDX平台，投资2.5亿美元用于技术开发和22FDX的初始产能。这使得该公司自2009年以来在1号厂的投资总额超过了50亿美元。该公司计划进行进一步投资，以支持更多的客户需求。GF正在与研发和行业领导者合作，以发展一个强大的生态系统，使其22FDX产品能够更快地进入市场，并制定全面的路线图。 GF的22FDX平台实现了对晶体管特性的软件控制，以实现静态功率、动态功率和性能之间的实时权衡。该平台由一系列差异化的产品组成，以支持各种应用的需要。 22FDX-ulp。对于主流和低成本的智能手机市场，基本的超低功耗产品提供了FinFET的替代方案。通过使用体偏压，22FDX-ulp与0.9伏的28纳米HKMG相比，功率降低了70%以上，而且性能与FinFET相当。对于某些物联网和消费类应用，该平台可以在0.4伏电压下运行，与28纳米HKMG相比，可减少90%的功率。 22FDX-uhp。对于具有模拟集成的网络应用，该产品经过优化，实现了与FinFET相同的超高性能能力，同时最大限度地降低了能耗。22FDX-uhp的定制包括正向体偏，应用优化的金属堆栈，以及支持0.95伏的超速。 22FDX-ull。用于可穿戴设备和物联网的超低漏电产品提供了与22FDX-ulp相同的功能，同时将漏电降低到1pa/um。这种低有功功率、超低漏电和灵活的主体偏置的组合，可以使一类新的电池操作的可穿戴设备的功率降低一个数量级。 22FDX-rfa。这款射频模拟产品可在降低系统成本的同时降低50%的功率，以满足大批量射频应用的严格要求，如LTE-A蜂窝收发器、高阶MIMO WiFi组合芯片和毫米波雷达。射频有源器件后门功能可以减少或消除主要射频信号路径中的复杂补偿电路，使射频设计人员能够提取更多的固有器件Ft性能。 GF一直与主要客户和生态系统合作伙伴密切合作，以实现优化的设计方法和全套的基础和复杂IP。设计入门套件和早期版本的工艺设计套件（PDK）现在已经推出，风险生产将在2016年下半年开始。 来自客户和合作伙伴对22FDX的有力支持 意法半导体首席运营官Jean-Marc Chery表示："GF的FDX平台采用我们长期研究合作开发的先进FD-SOI晶体管架构，通过扩大生态系统和确保大批量供应来源，证实并加强了这项技术的发展势头。"FD-SOI是一种理想的工艺技术，可以满足全球物联网和其他功耗敏感型设备独特的永远在线的低功耗要求。" "飞思卡尔MCU集团应用处理器和先进技术应用副总裁Ron Martino表示："飞思卡尔的®下一代i.MX系列应用处理器正在利用FD-SOI的优势，为汽车、工业和消费类应用实现业界领先的超低功率按需解决方案。"GF的22FDX平台是对该行业的一大补充，它为FD-SOI提供了28纳米以上的大批量制造扩展，继续缩减成本并扩大功率性能优化的能力。" "ARM物理设计部总经理Will Abbey表示："移动和物联网设备的互联世界依赖于在性能、功耗和成本方面进行优化的SoC。"我们正在与GF密切合作，为客户提供所需的IP生态系统，使其从22FDX技术的独特价值中受益。" "芯原控股有限公司总裁兼首席执行官Wayne Dai说："芯原拥有在FD-SOI技术上设计物联网SoC的经验，我们已经证明了FD-SOI在解决超低功率和低能耗应用方面的优势。芯原控股有限公司总裁兼首席执行官Wayne Dai表示："我们期待着能与芯原的合作。"我们期待与GF在22FDX产品上的合作，为智能手机、智能家居和智能汽车提供功耗、性能和成本优化的设计，特别是针对中国市场。" "Imagination Technologies市场执行副总裁Tony King-Smith表示："从可穿戴设备和物联网到移动和消费市场的下一代互联设备，都需要在性能、功耗和成本之间实现最佳平衡的半导体解决方案。"GF的新22FDX技术与Imagination广泛的先进IP组合（包括PowerVR多媒体、MIPS CPU和Ensigma通信）的结合，将使我们共同的客户在向市场推出差异化的新产品时能够进行更多创新。" "IBS公司创始人兼首席执行官Handel Jones表示："FD-SOI技术可以为可穿戴设备、消费者、多媒体、汽车和其他应用提供一个多节点、低成本的路线图。"GF的22FDX产品将低功耗FD-SOI技术中的佼佼者集中在一个低成本平台上，预计将出现非常强劲的需求。" "CEA-Leti首席执行官Marie-Noëlle Semeria表示："FD-SOI可以大幅提高性能和节省功耗，同时尽量减少对现有设计和制造方法的调整。"我们可以共同为GF'22FDX的成功生产提供成熟的、广为人知的设计和制造技术，用于连接技术。 "Soitec首席执行官Paul Boudre说："GF的宣布是实现下一代低功耗电子产品的一个关键里程碑。"我们很高兴能成为GF的战略合作伙伴。我们的超薄SOI衬底已经为22FDX技术的大批量生产做好了准备。" 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动，迅速形成规模，成为世界上最大的代工厂之一，为250多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系。 Jason Gorss(518) 698-7765[email protected] Erica McGill(518) 305-5978[email protected]
