2013年2月5日公司预计，14纳米-XM的能效是28纳米-SLP的两倍以上，而芯片面积仅为其一半 加州圣克拉拉，2013年2月5日--在今天的通用平台技术论坛上，GLOBALFOUNDRIES宣布了业界首次使用三维14纳米-XM FinFET晶体管实现的双核ARM® Cortex™-A9处理器的结果。基于行业标准的设计实施流程和使用实际工艺数据的签收模拟，GF预计在GF的14纳米-XM技术上制造的双核ARM Cortex-A9处理器的能效将是基于28纳米-SLP技术的类似设计的两倍以上，而所需的芯片面积仅为一半。 GF利用其14nm-XM工艺设计套件（PDK）的技术规范，结合ARM Artisan®标准单元库和存储器，发布了一个图形数据库系统（GDS）文件，该文件被用来计算预期的性能、功率和面积指标。这些结果与在GF的28纳米-SLP技术上制造的双核ARM Cortex-A9处理器的硅实现进行了比较。 该实施方案清楚地表明了14纳米-XM FinFET技术对未来移动应用的价值主张。通过模拟确定的一些突出方面是：。 在28nm-SLP上实现的高性能、高能效的ARM处理器通常使用12轨库。然而，在14纳米-XM FinFET技术上，可以使用9轨库来实现更高的性能和更节能的ARM处理器，从而进一步缩小芯片尺寸。 在恒定功率下，基于14纳米-XM技术实现的频率（使用9轨库）预计将比基于28纳米-SLP技术实现的频率（使用12轨库）快61%。 在恒定频率下，基于14纳米-XM技术的实现所消耗的功率预计将比基于28纳米-SLP技术的实现所消耗的功率低62%。 基于14纳米-XM技术实现的性能-功率效率（以DMIPs/毫瓦表示）预计将是基于28纳米-SLP技术实现的两倍以上，而使用的硅面积是一半。 "GF市场、销售、设计和质量执行副总裁Mike Noonen表示："我们与ARM的深度合作正在不断得到回报，我们共同致力于为我们的领先工艺技术优化ARM的IP。"我们的14nm-XM FinFET技术是为下一代移动设备设计的，因此它与ARM的高能效处理器技术完美契合。我们的共同客户在为未来的移动、平板电脑和计算应用设计一系列产品时，将从这种伙伴关系中广泛受益。" "ARM公司执行副总裁兼物理IP部门总经理Dipesh Patel博士说："这些初步结果说明了FinFET技术应用于基于ARM处理器的系统级芯片（SoC）的潜在好处。"在制造工艺技术方面的早期合作使GF和ARM能够识别和解决SoC设计方面的挑战，并减少我们共同客户采用的风险。" 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。公司于2009年3月成立，迅速形成规模，成为全球第二大代工厂，为160多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF由先进技术投资公司（ATIC）拥有。欲了解更多信息，请访问：https://www.globalfoundries.com。
