GLOBALFOUNDRIES展示20纳米技术上的3D TSV能力

纽约8号工厂提供带有通孔硅片(TSV)的20纳米功能硅片

加州米尔皮塔斯,2013年4月2日--全球方德公司今天宣布,在其为下一代移动和消费应用实现芯片三维堆叠的战略中,完成了一个关键的里程碑。在位于纽约州萨拉托加县的Fab 8园区,该公司展示了其首个集成了硅通孔(TSV)的20纳米功能性硅片。使用GF领先的20纳米-LPM工艺技术制造的TSV功能将使客户能够将多个芯片堆叠在一起,为满足当今电子设备对性能、功率和带宽的要求提供了另一种途径。

TSV是在硅片上蚀刻的垂直通孔,里面填充有导电材料,使垂直堆叠的集成电路之间能够进行通信。采用三维(3D)芯片堆叠越来越多地被视为晶体管水平上传统技术节点扩展的替代方案。然而,TSV给半导体制造商带来了许多新的挑战。

GF采用 "中间通孔 "的方法进行TSV集成,在晶圆完成生产线前端(FEOL)流程后,在开始生产线后端(BEOL)流程前,将TSV插入硅中。这种方法避免了FEOL制造过程中的高温,允许使用铜作为TSV填充材料。为了克服TSV技术从28纳米向20纳米迁移所带来的挑战,GF的工程师开发了一种专有的接触保护方案。该方案使该公司能够在对20纳米-LPM平台技术干扰最小的情况下集成TSV,展示了SRAM功能,其关键器件特性与标准20纳米-LPM硅的特性一致。

TSV集成

"我们的行业多年来一直在谈论3D芯片堆叠的承诺,但这一发展是另一个迹象,表明这一承诺将很快成为现实,"GF公司封装研发副总裁David McCann说。"我们的下一步是利用Fab 8的先进TSV能力,与我们的OSAT合作伙伴一起,为我们的开放式供应链模式组装和鉴定3D测试车,为客户提供灵活性,选择他们喜欢的后端供应链。"

随着无晶圆厂-晶圆厂业务模式的发展,以应对当今动态市场的现实情况,晶圆厂正在承担越来越多的责任,管理供应链,提供端到端的解决方案,以满足广泛的前沿设计要求。为了帮助应对这些挑战,GF正在与合作伙伴及早接触,共同开发解决方案,以实现行业的下一波创新。这种开放的合作方式将为客户提供最大的选择和灵活性,同时节约成本,加快量产时间,并降低与开发新技术相关的技术风险。

关于GF

GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业,其业务范围真正覆盖全球。公司于2009年3月成立,迅速形成规模,成为全球第二大代工厂,为160多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营,GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的三座300毫米晶圆厂和五座200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF由先进技术投资公司(ATIC)拥有。欲了解更多信息,请访问:https://www.globalfoundries.com。