Fab 8 最新进展:14 纳米在生态系统中创造和获取价值

在 Fab 8 的发展历程中,我们取得了长足的进步。去年,我们跨过了一个重要的里程碑--从建设阶段进入全面生产阶段,并推动我们的 14nm FinFET 技术(14LPE)的早期接入版本进入量产阶段。

今年,我们利用性能增强型 14LPP 技术推动了执行力的稳步提升。今年伊始,我们就宣布了一个令人振奋的消息:我们的 14nm 技术将与AMD 的全新独立图形处理器阵容一起,为一些最强大的计算和图形应用提供动力。

在这一势头的推动下,我们在多个产品的大批量生产中实现了成熟的良品率,为主要客户推出了多款新产品(包括采用超大芯片的复杂芯片),并在硅片的首次正确良品率和积极提高产量以支持产品发布方面取得了 100% 的良好记录,从而取得了强劲的技术成果。

正是我们对执行力的不懈关注,才使得我们的客户能够使他们的产品与众不同,并按时推向市场。另一个很好的例子是AMD 的最新消息,该公司最近发布了下一代 "Zen "处理器内核的性能预览。与 AMD 最新推出的 Polaris 图形芯片一样,该处理器也是基于 GLOBALFOUNDRIES 的 14LPP 工艺技术制造的。正是 AMD 的设计专长与 GF 的 14nm FinFET 技术的强大结合,才使得 Zen 处理器的性能较前几代处理器有了里程碑式的提升。

我很高兴地向大家报告,在移动、消费电子和高性能计算等领域,客户对我们的青睐程度依然很高,目前已有 20 多家客户在积极洽谈业务。不仅是传统的代工客户,一些公司也希望利用我们的FX-14™ ASIC产品为云网络、无线基站、计算和存储应用提供的功能。

展望未来,我们将致力于提供领先的技术平台,同时加强我们的 14 纳米 FinFET 技术,以实现新的机遇,并为未来的成功奠定坚实的基础,包括 7 纳米下一代技术。

Fab 8 最新进展:14 纳米在生态系统中创造和获取价值

包装在创新舞台上占据中心位置

作者:戴夫-拉默斯

封装已成为半导体行业最有力的创新形式之一。随着传统的(几何)扩展变得越来越困难,各种 "等效扩展 "创新已崭露头角,特别是 193 纳米沉浸式光刻、应变硅、高 K/金属栅极、finFET全耗尽 SOI 和垂直 NAND。

现在轮到包装行业了,这让全球首创公司(GLOBALFOUNDRIES)包装研发副总裁戴夫-麦肯(Dave McCann)等专家成为焦点。

McCann 在纽约州马耳他市的办公室接受采访时说,越来越多的客户正在转向封装创新。"他说:"在所有应用领域,客户比以往任何时候都更倾向于在一个封装中集成多个芯片,以解决扩展方面的限制。

对于服务器和网络等高带宽应用,McCann 表示,GF 是唯一一家大批量生产 32 纳米 TSV 的代工厂。

GF 和 美光技术合作开发了 混合内存立方体(HMC)产品,GF 负责创建支持 TSV 的逻辑层,并将其与美光的 DRAM 芯片堆叠在一起。

"我们收到了许多客户对 2.5D 设计的要求,这些要求利用了我们在 ASIC 我们在 ASIC以及内存和高速 Serdes 方面的经验。其中大部分都是在硅插芯上进行的,我们在其上创建了高密度迹线,以实现 ASIC 和存储器之间的互连,从而使客户获得非常高的带宽产品"。

高级包装 射频和物联网创新也受到多芯片应用的推动,利用来自不同 GF 晶圆厂和节点的芯片。他补充说,这样就能在最具成本效益的节点上使用芯片,而不是强迫集成和次优成本。

在一些射频和物联网应用中,一个令人感兴趣的研发方向是使用玻璃基板,而不是损耗过大的硅。"我们相信,利用穿透玻璃通孔,我们可以创建非常密集的互连,并摆脱所有无源器件。产品可以变得更薄,"McCann 说。光子技术是另一个重要领域。我们的目标是将光子信号直接引入模块,而不是停留在电路板或背板上。

对于高端移动和其他市场,McCann 说:"晶圆级扇出是一项了不起的技术,首先可以实现更多的 IO。以后,我们还将看到它用于集成多个芯片,首先是内存和应用处理器。不过,高密度扇出应用的成本将高于它们将取代的低成本基板封装。

薄玻璃和 FO-WLP 使多个芯片可以非常靠近地放置在一起,从而实现了更小的占地面积、更薄的外形和更高的性能。由于省去了层压基板,因此外形更薄。McCann 指出,这些技术 "对射频和物联网特别有意义,因为高频信号损耗低"。

"成本最低的 WLFO 供应链将利用 OSAT 做它们最擅长的事情。我们不想做 OSAT 可以做得同样好或更好的事情。麦肯说:"特别是在主流技术领域,OSAT 可以向许多客户提供解决方案,而且比我们内部提供的成本更低。他补充说,这使客户可以灵活地使用他们想要使用的供应链。

"GF与IBM微电子部门的结合带来了新的机遇,包括高密度堆叠应用。作为唯一一家在逻辑高密度三维 TSV 方面拥有 HVM 经验的代工厂,我们为市场带来了可信度,"McCann 说。除了三维 TSV 之外,GF 还在内部设计和开发 2.5D 硅内插产品,在 OSAT 进行批量生产,"提供了设计技能与低成本生产途径的最佳组合"。

"GF 还在研究低成本的替代品 内存技术 McCann说:"这些技术可以在不增加层成本的情况下与新的硅节点一起扩展,并可用于多种产品技术。 下一代模块内通信 GF 产品组合涵盖 2.5D 和 3D 包装解决方案

行业分析师表示,他们正在密切关注该代工厂的封装技术。

渥太华ChipWorks高级研究员 Dick James 说,GF 有机会进一步利用 IBM Microelectronics 在过去十年中开发的硅通孔和内插技术。詹姆斯指出,最近发布的国际半导体技术路线图(ITRS)执行摘要强调了在系统级封装解决方案中集成异构集成电路的必要性。James说,将高带宽内存与图形处理器整合在一起是未来一个特别重要的领域,这将利用纽约州GF Fishkill工厂的插片经验。McCann 补充说,这也将利用 GF 在大型薄芯片堆叠方面的专业技术。

总部位于得克萨斯州奥斯汀的封装咨询公司TechSearch International 的总裁 Jan Vardaman 说,她的公司看到高性能应用中硅内插层的使用越来越多。"她指出:"使用硅内插件可以在顶部使用散热器来帮助散热。

Vardaman 说,晶圆级扇出封装的使用也带来了许多基础设施的变化,首先是集成电路/封装的协同设计。

迄今为止,大多数应用处理器一直使用带有倒装芯片互连的层压基板。"有了扇出 WLP,就不需要传统的带底部填充的层压基板了。只是基础设施发生了很大变化。所有的封装都可以在代工厂或拥有非传统 OSAT 组装线的 OSAT 进行,"Vardaman 说。

TechSearch 发现,FO-WLP 在基带处理器、射频收发器和开关、电源管理集成电路 (PMIC)、汽车雷达模块、近场通信 (NFC)、音频编解码器、安全设备和微控制器等领域的广泛应用正在迅速普及。GLOBALFOUNDRIES 2D、2.5D 和 3D 互连协作供应链模式

用于 2D、2.5D 和 3D 互联的 GF 协作供应链模型

这也难怪,客户们纷纷涌向戴夫-麦肯的办公室。麦肯说,"客户参与的数量正在成倍增加",OSAT 合作伙伴和内部开发技术的组合吸引了他们。

"GF不打算成为OSAT。但如果 OSAT 没有投资,我们可以在内部开发独特的能力并获得差异化优势,那么我们就会与 OSAT 合作,将该解决方案投入生产,"McCann 说。

硅光子学拐点--不是 "如果",而是 "何时

最近,数据中心行业对硅光子技术的讨论甚嚣尘上。这究竟是怎么回事呢?云计算、移动数据、视频流和物联网(IoT)推动着数字世界不断扩大。据估计,到 2016 年底,通过数据中心推送的数据将超过 6 ZB(即相当于约 2500 亿张 DVD),预计到 2020 年这一数字将翻一番。此外,网络带宽每两到三年翻一番,这意味着链路数量和每个链路的数据容量都在翻倍--10G 正在变成 25G,40G 端口正在演变为 100G 端口。要在数据中心内(服务器、交换机和存储设备之间)移动所有这些数据,就必须广泛采用光通信,以适应存储和计算需求的增长。使用铜线和光纤技术传输数字信息将无法跟上摩尔定律的步伐。

长期以来,光电子行业一直在研究混合硅技术,如磷化铟和硅锗。时至今日:传统的 CMOS 制造厂已经能够成功制造光子集成电路和光学元件,而无需特殊的加工步骤和额外的相关成本。激光技术也发展出了不同的光纤技术(SMF 和 MMF),支持 1550 和 1310 模式的多种波长。

 硅光子学拐点--不是 "如果",而是 "何时

对于数据中心而言,这有助于推动更长距离的光纤连接,以克服铜缆 100 米的限制。光连接可解决数据中心内长达 2 千米、数据中心外长达 80 千米的连接问题。最后,技术分析师预计,基于 SiPh 的模块、激光器和光纤部署将出现大幅增长,其中两大市场将推动这一势头:数据通信和电信正在数据中心互联(DCI)、城域网、内容分发网络(CDN)和基站前端市场创造新的市场。得益于云数据中心流量的高速增长和光传输网络向 400G 的过渡,云数据中心巨头们声称,到明年,他们将消耗全球四分之三的光纤。这意味着从 2017 年开始,基于 SiPh 的 100G 端口将以每年数百万个的速度递增。

英特尔对硅光子技术部署的看法:英特尔数据中心日-2015年8月

此外,每年部署的服务器数量激增至 1200 万台以上,机架到机架、机架到交换机以及交换机到交换机的连接正在向基于光纤的连接转变,以满足电力需求旺盛的数据中心的网络带宽要求,同时降低总体拥有成本(TCO)。

这让我对板载光学器件、PSM4、QSFP56 和 CFP4 类型的模块和外形尺寸持热切的乐观态度。SiPh 技术的进步对数据中心的速度至关重要。思科 VNI最近的一次更新估计,DCI 到 DCI 之间的流量相当于数据中心内部流量的 1/7。这意味着,在不久的将来,DCI 到 DCI 和城域链路将需要 100G 链路的带宽和密集连接。出于所有显而易见的原因,SiPh 芯片是降低成本和功耗,同时提高带宽和容量的正确选择。值得注意的是,城域网和 CDN 网络将成为推动硅光子技术发展的关键因素。

2019 年按目的地划分的全球数据中心流量

来源:思科全球云指数来源:思科全球云指数:2014-2019

在视频流和整体宽带接入及回程网络的推动下,内容提供商、网络运营商和内容交付网络都出现了巨大的增长。这种永不满足的带宽需求促使视频流网络转向基于多 100G SiPh 的解决方案。特别是在长途传输网络中,将需要多 100G 线路速率、400G 以及高达 1.2Tera bits 的转发器和 muxponders 线路卡。一些光学公司已经开始在这一领域展示基于 200G 的解决方案,这为光学元件供应商、模块制造商和硅光子芯片制造商创造了巨大的机会。硅光子技术的增长阶梯来自新的第五代蜂窝系统 5G 技术。真正的问题是:为什么 5G 会推动硅光子技术出现拐点?无线基础设施专家声称 5G 是一项万能技术,与 LTE 技术相比,它将支持 10G/s 的带宽,1000 倍的容量,最低往返延迟 ~1ms。爱立信诺基亚华为等顶级基础设施供应商正在积极寻找新的架构,以最低的总体拥有成本满足带宽要求,实现 5G 梦想。一些主要趋势是大规模阵列天线和毫米波通信,并在现场部署许多远程射频头(RRH)(又是小蜂窝!)。在前端,所有这些远程射频头都连接到一个集中式无线接入网(CRAN),即超级基站(应该说是虚拟化基站吗?)由于这些基站相互隔离,距离长达数公里,因此需要高速可靠的连接网络。这就是基于 OTN 的硅光子连接的需求所在,当 5G 基站部署加速时,基础设施的增长将呈爆炸式增长,仅中国就将拥有数以百万计的硅光子端口和容量。但实际上,5G 部署还有点遥远,也就是说,可能要到 2018 年及以后(更有可能是 2020 年以上)才会开始。但很明显,5G 前沿架构将推动对各种硅光子模块和芯片组的需求。超级互联世界的逐步发展正将光子学推向一个拐点。现在,问题不在于 "是否",而在于 "何时"?从云数据中心、DCI-to-DCI、城域网和长途传输网络以及 5G 基站开始,将推动硅光子解决方案和部署端口的发展势头和需求。随着 2017 年的临近,数据中心原始设备制造商和电信运营商将迎来一个拐点。最终,电信和数据中心对高速、高带宽数据的需求将推动生态系统和硅光子技术的发展。要了解有关采用突破性半导体技术的超云数据中心解决方案的更多信息,请下载本最新演示文稿或联系您的 GLOBALFOUNDRIES 销售代表。

ASIC - 汽车 IVI 开发需要速度

伊恩-威廉姆斯

如今,越来越多的汽车提供车载信息娱乐系统(IVI),通常嵌入在后座或仪表板上。这些集成系统在单一平台上提供娱乐、多媒体和驾驶员信息,通常有三种交付形式:集成智能手机的基座、与汽车开发紧密相连的全封闭平台以及用于汽车升级的售后市场。这种日益增长的现象可以创造产品生命周期的收入流,以及与客户保持长期互动的途径。如今,购车者在做出购买决定时,考虑的不仅仅是汽车的驾驶性能。随着我们对智能手机的依赖与日俱增,以及智能手机如何让我们与世界其他地方保持联系,移动设备与汽车的无缝集成在我们评估新车的过程中发挥着重要的影响作用。苹果和谷歌等非传统汽车供应商显然将互联汽车视为一个巨大的机遇。苹果 CarPlay安卓 Auto标准使 IVI 系统成为支持 iOS 和安卓系统的智能手机的显示屏和控制器。虽然汽车远不止是装在轮子上的智能手机,但在驾驶过程中拥有我们喜爱的所有智能手机功能和应用程序是一个引人注目的价值主张。在汽车 IVI 系统中,USB、DDR/LPDDR、MIPI-D PHY、WiFi 和蓝牙等半导体 IP 最适合与高性能 CPU 和 GPU 内核集成,以提供所需的系统音频、视频和驾驶员信息功能。将所有这些模块集成到单个芯片中的要求也越来越高。除 IVI 系统外,高级驾驶辅助系统 (ADAS) 也是另一个快速增长的汽车应用。ADAS 应用 SoC 的设计人员需要将高性能和高能效 IP 功能相结合,以提供完整的解决方案。在这里,HDMI 等多媒体接口将实现高清显示,接口连接可通过支持PCIeSATA协议的 IP 提供。根据 Allied Market Research 发布的最新报告,全球 IVI 市场预计到 2022 年将达到 338 亿美元。新技术和新市场对低价汽车中更复杂的 IVI 系统日益增长的需求将推动这一细分市场的未来增长。例如,下图所示的是可能影响未来 IVI 系统架构的几个主要新兴车辆连接趋势。

 ASIC - 汽车 IVI 开发需要速度

 

来源:Frost Sullivan来源:Frost & Sullivan

尽管有一些汽车行业联盟,如致力于推动广泛采用 IVI 开源开发平台的非营利组织GENIVI 联盟,但汽车制造商的主要驱动力仍然是软件和硬件的产品差异化。不仅在信息娱乐领域,人机界面(HMI)功能(如 WiFi 连接、文本到语音、3D 图形以及语音和手势识别)也将成为产品差异化的主要驱动力。人机界面需要模块化、可扩展的系统解决方案,这必须在系统半导体规格阶段就加以考虑。此外,IVI 系统将成为另一个内容提供和消费平台。客户希望能从 IVI 平台无缝访问内容。对于汽车制造商来说,这一点至关重要,因为他们需要寻找能够降低成本和复杂性的解决方案,与此同时,创新和集成新技术的需求也将继续推动车载系统的发展。在复杂性不断增加的同时,汽车制造商还面临着上市周期从 5 年缩短到 2 年的压力,以及中期平台更新选择的压力。对于汽车制造商来说,拥有一个能够提供集成度更高、功能更强,同时又能降低生产成本的 ASIC 开发合作伙伴是一笔重要的财富。汽车供应商交付的产品必须能够经受汽车行业认证标准(如 AEC-Q100 和 ISO/TS 16949)的严格考验。AEC-Q100 是一项基于失效机制的应力测试鉴定要求,适用于汽车应用中的封装集成电路,即使是车内应用,大多数汽车制造商也会要求产品符合要求。GLOBALFOUNDRIES 是一家领先的汽车晶圆代工厂,提供汽车级晶圆已有 10 多年的历史,与 GLOBALFOUNDRIES 的合作为设计人员提供了汽车认证专业技术的信心。在紧凑的外形尺寸内提供所有这些新兴功能的能力,推动了未来 IVI 系统对 ASIC 集成度的需求。未来,随着显示技术和功能的改进,ADAS 和 IVI 系统也有可能合并,重点是减少驾驶员的视觉分心,推动在同一屏幕上集成相关内容的需求,包括语音和手势识别功能。更常见的情况是,为了跟上汽车 IVI 系统功能不断变化的步伐,设计人员传统上会寻求供应商的帮助,因为这些供应商拥有广泛的汽车集成电路设计 IP 库、执行能力、提供高性价比解决方案的灵活性以及满足严格的汽车行业质量要求的能力。但是,实现快速开发周期的能力将是未来的关键差异化因素。INVECAS的成立旨在为基于 GF 工艺技术开发产品的客户提供半导体 IP、设计实现和硅实现服务。INVECAS 为汽车客户带来最大价值的方式是帮助他们满足 ASIC 需求。能够整合他们的ASIC需求,并交付符合汽车标准的生产部件,是我们从供应商转变为合作伙伴的途径。因此,在您的下一个汽车项目中,与 INVECAS 和 GF 合作对于降低各种电子模块和子系统的成本非常重要。

从蓝色到橙色一年之后

在最近一次半导体制造会议期间的午餐会上,当我坐在一位良品率工程师旁边时,我们开始交谈起来。他说他在 GLOBALFOUNDRIES 的马耳他工厂工作,但他职业生涯的大部分时间是在 IBM 的 Fishkill 工厂度过的,去年 7 月 1 日 GF正式收购 IBM Microelectronics 时,他来到了这里。我问他关于过渡的情况,IBM 的员工,尤其是那些在 IBM 工作过几年的员工,是否对搬到一个新的组织感到焦虑。

"实际上,情况恰恰相反,"他很快回答道。"在 IBM,有一种感觉是,半导体制造不再是公司的核心目标。这种情况持续了一段时间。因此,当我们搬到 GF 时,就好像'现在我们知道自己在做什么了'。我们终于进入了一个以生产半导体为主要目的的组织。纽约和佛蒙特州的一些高层管理人员对涉及 5000 人和两个工厂的过渡过程表达了类似的看法。
继承创新传统

Geoff Akiki 现在负责 GF 佛蒙特州伯灵顿工厂的掩膜组织,但在此之前,他是一名集成主管,负责将 IBM 微电子公司纳入 GF 旗下。整合团队创建了一个简单的颜色代码:红色代表 IBM Microelectronics 的员工,橙色代表 GF 的员工,蓝色代表留在 IBM 的员工,这主要是为了管理与 GF 的代工关系。"IBM人和GF人都有些惶恐不安。一些 GF 人员想知道这将如何影响他们在扩大后的组织中的角色。在大多数情况下,红人都非常兴奋,因为他们觉得 GF 是以芯片制造为生,其战略比他们 10 年来所看到的都要好。"如果说 GF 带来了资源和重点,那么 IBM 则带来了世界一流的工程师、ASIC 业务以及基于 RF-SOI 和 SiGe 工艺的射频(RF)技术,这在这个移动时代是一笔宝贵的财富。位于纽约州马耳他的 Fab 8 总经理 Tom Caulfield 说,在 2015 年 7 月 1 日正式整合日期之后,约有 600 人来到马耳他。不过,在此之前,相当多的工程师已经离开了 IBM,他们看到了墙上的字迹,申请了 GF 的职位。考尔菲德在 2014 年担任现职时,从包括英特尔和三星在内的多家公司聘请了他所谓的 "A 级球员",以及大量经验丰富的 IBM 员工。"在IBM,微电子被视为成本中心,是达到目的的手段,但不是业务。这些人迫不及待地想去真正能生产半导体的地方"。将 5000 名员工(约 3000 人来自伯灵顿工厂,另外 2000 人在纽约州菲什基尔工厂工作)整合到 GF 是一项艰巨的任务。为了做好准备,Akiki 说整合团队创建了 14 个工作流,并组织了多达 200 人参加的会议。有两个关键决定缓解了过渡进程。最重要的一点是基本上不会裁员。GF 首席执行官桑杰-贾(Sanjay Jha)在整合过程中提出了 "尽可能减少干扰 "的理念。Akiki 说,把 IBM 的所有人都调过来,大大降低了焦虑程度。其次,GF 决定整体收购 IBM 位于伯灵顿和菲什基尔的两个生产基地(以及设施支持人员),从而避免了分隔财产的需要。(IBM 保留了位于加拿大布罗蒙的包装技术中心)。

IP 整合

在最近于奥斯汀举行的 2016 年设计自动化大会 (DAC) 上,一位发言人指出,当 A 公司收购 B 公司时,通常最先被解雇的是 B 公司的 EDA 工程师。

从蓝色到橙色一年之后
Akiki 说,从一开始,知识产权就被视为 IBM 整合交易 "价值的一大部分"。"我们夸耀过我们获得的专利数量。但我们知道,知识产权往往会被搁置,因此我们设定了一个具体目标,既要整合人员,也要整合知识产权文件。我们花了很大力气确保对所有知识产权进行分类,这样 GF 就可以 "最终宣布我们已经收到了关键的可交付成果"。加里-帕顿(Gary Patton)在整合过程中成为了 GF 的首席技术官,可以说他的技术开发组织从这笔交易中获益最大。考菲尔德指出,马耳他是一个 "绿地",其后果之一就是需要时间来培养人才。在技术开发(TD)方面尤其如此,Patton 补充说,在过去,保持 TD 的进度 "一直是一个关键因素"。

对于 10/7nm 开发计划,Patton 说 50% 以上的人员来自 IBM,并补充说 10/7nm 开发团队借鉴了 14nm 团队的经验。考尔菲德强调,马耳他受益于 IBM 交易给 GF 带来的 ASIC 业务 "新增规模"。IBM 工程师开发了高性能 ASIC 内核,如 56 千兆位/秒 Serdes 内核,Caulfield 说其他代工厂无法提供这些内核。"我们正在刷新 14nm 工艺的 ASIC 平台,我可以告诉你,我每周都会在这里接待一位新客户,其中至少有一半是 ASIC 客户。"我问到在初步整合一年后仍然存在的挑战。最重要的挑战是进一步整合两个组织,确保在 IBM 工作了二三十年的员工能够与马耳他的工程师分享他们的知识,反之亦然。正如考尔菲德所说:"我们的工作是让更多的人相互融合,取得更大的平衡。我们不想引进所有这些优秀的技术专家,却不利用他们的技能。帕顿曾管理过 IBM 的半导体研发中心(SRDC),他承诺将充分利用他现在在 GF 管理的人才。"在我领导 SRDC 的 10 年中,我可以告诉你,我们的性能始终高于英特尔。业界一直非常关注移动领域,而现在客户对我们的竞争对手在 16nm 工艺上的性能提升并不满意。他们正在寻求更高的性能。你猜怎么着?我们刚刚在 GF 引入了一个专业团队,他们知道如何实现性能。

高管视角:大收缩

作者:格雷格-巴特利特

当我们在半导体行业谈论缩减时,大多数时候我们指的是器件缩放。但另一种收缩也在发生,我想谈谈它对行业的影响。

我指的是由于无晶圆厂公司的不断整合,市场上处于顶端的公司数量不断减少。自2014年初以来,我们行业发生的并购案价值超过1500亿美元,几乎是年均值的10倍。低利率、移动领域的饱和、增长速度放缓以及盈利能力受到全面挤压等因素共同推动了这些并购活动的发生

这股企业合并浪潮给代工厂和代工厂客户都带来了巨大的干扰,因为新合并的公司正试图发挥其更大规模的采购能力,整合供应链,简化路线图,并推动众多新的整合协同效应。

新的架构和更复杂的封装技术也带来了颠覆,这使得晶圆加工的终点和封装的起点变得更加难以区分。

因此,我们看到系统厂商越来越倾向于直接与代工厂合作,提供从制造到测试到包装再到成品库存的全套交钥匙解决方案,这甚至可能涉及到设计中心和整个供应链。

在这些趋势的影响下,代工厂面临着许多关键要求和挑战。其一,大规模代工业务比以往任何时候都更加重要,因为最大的客户会简化其供应链,并要求其代工合作伙伴做得更多。利润率面临巨大压力的事实也推动了对规模和持续降低成本的需求。

此外,由于处于领先地位的客户和代工厂数量减少,决策过程的风险比以往任何时候都要高。

为应对这些挑战,全球晶圆厂正在采取多方面的措施。在规模方面,我们正在建设德累斯顿工厂的能力,使其每年能够启动数十万片 22FDX® FD-SOI 晶圆,该工厂的最终能力是每年启动超过一百万片晶圆。

此外,收购 IBM 的半导体业务也为我们提供了更大的产能和更多的客户供应。凭借新增的两座工厂(一座位于佛蒙特州伯灵顿,另一座位于纽约州东菲什基尔),我们可以扩大射频 SOI 及其他工艺的产能。此外,在 ASIC 方面,我们拥有非常强大的 14 纳米 ASIC 业务和 IP 组合,这将我们的代工厂与终端市场的系统厂商直接联系起来。

同时,通过与精选的设计合作伙伴、设备和材料供应商以及 OSAT 合作伙伴的合作,我们的产品涵盖了设计-制造-交钥匙解决方案。我可以自豪地说,没有比我们的工作更能体现我们在终端市场的专业能力(即我们与建筑师合作的能力)的了,我们的工作就是确保为即将到来的 5G 蜂窝网络迁移提供可行的、具有成本效益的解决方案。

归根结底,这个行业的变化如此迅速而深刻,以至于没有人能确定它将如何发展。但有一点是肯定的:我们 GF 正在规划和实施解决方案,以尽可能广泛地满足客户当前和未来的需求,无论事态如何发展。

射频驱动新一代工艺

作者:戴夫-拉默斯
 
GLOBALFOUNDRIES is expanding its RF capabilities in two important ways: moving RF SOI manufacturing to larger wafers and a new technology platform at its East Fishkill 300mm fab. Secondly, RF IP development plays a key role in the 22FDX® platform.</em>
 
成功的半导体公司正面临着一个有趣的挑战:它们必须能够通过将处理器和其他数字内核、存储器和射频这三种在历史上通常是分离的技术结合起来,为快速增长的汽车和物联网市场创造解决方案。

GF CMOS 平台业务部副总裁 Subramani Kengeri 说:"未来,每个新兴市场的 SoC 都将配备无线电。通过 22FDX 平台,我们拥有了一个高性价比的解决方案,射频和模拟技术与数字技术相同。

射频与数字融合

全耗尽式 SOI 具有片上射频的优势。22FDX 技术中的平面晶体管比体硅衬底上的鳍式场效应晶体管可变性更小,而体硅衬底上的鳍式场效应晶体管在控制鳍的高度和宽度方面具有挑战性。
 
"FD-SOI 技术具有更好的晶体管匹配特性。Kengeri 说:"由于 22FDX 是平面的,可变性低得多,这有助于构建更纯净的射频和模拟以及高性能的数字技术。
 
为了加快 22FDX 的推出,GF 与总部位于圣克拉拉的 IP 供应商 INVECAS 签订了合同,以提供 GF 芯片专用的 22nm 库和更高级别的 IP 产品。其他生态系统合作伙伴正在优先开发经过硅验证的 WiFi 和蓝牙内核。
 
"超过 45 家客户正处于不同的参与阶段,主要客户已经推出了测试芯片。所有五大 EDA 供应商都已宣布支持 22FDX。Kengeri 说:"我们正在按计划在今年晚些时候对该技术进行鉴定,并将很快进行大批量生产。

射频 SOI 向 300 毫米发展

GF 还致力于开发下一代射频 SOI 工艺,继续保持其在射频前端硅技术领域的领先地位。该代工厂最近达到了一个重要的里程碑,出货量达到了第 200 亿颗射频 SOI 芯片。随着射频 SOI 技术的性能要求变得更具挑战性,以及智能手机无线电复杂性带来的需求持续增长,GF 正在努力应对移动射频前端的下一波创新浪潮。在 300mm 晶圆上实现制造是这一战略的重要组成部分。
 
射频业务部高级总监 Peter Rabbeni 说:"我们已经证明,除了提高产能外,300 毫米还能带来许多额外的好处。新材料的可用性和更小的光刻尺寸是 300mm 制造能力中有利于设备性能的部分能力。
 
射频 SOI 的关键区别之一在于电路是在工程基底上构建的,这与用于低功耗微控制器等数字应用的 SOI 基底大不相同,后者具有更适合高性能射频的特性。Rabbeni 解释说,这种基板特性支持射频前端电路所需的高隔离度和低谐波响应,可防止无线电干扰并保持信号保真度。
 
GF 与基板供应商紧密合作,开发出一种射频 SOI 技术,可满足当今射频前端开关和调谐器对谐波和线性度的严格要求。
 
LTE 通信和载波聚合需要插入损耗和线性度更高的下一代射频 SOI。例如,载波聚合引入了数据速率扩展方法,将两个或多个载波绑定到一个数据流中。这就在射频路径中引入了一些需要考虑的复杂因素,以确保最大限度地减少这种操作所产生的任何非线性产品。
 
"我们观察到的另一个主要趋势是集成更多的数字内容。例如,射频前端控制大量采用 MIPI 接口,这在芯片中所占比例越来越大,"他说。
 
除了满足 LTE 标准的需求外,Rabbeni 还表示,下一代射频 SOI 工艺将为 5G 蜂窝标准奠定基础。虽然最终的 5G 标准尚未批准,但客户已经在开发 5G 演示系统,以配合 2018 年和 2020 年奥运会。毫米波频率操作似乎最适合实现 5G 的承诺,包括低延迟、频谱效率和高小区边缘数据传输速率。"Rabbeni 说:"如果这是行业发展的方向,那么所需的集成度将超过当今射频 SOI 技术所能达到的水平。
 
客户可以在高速数字控制下将波束形成器、功率放大器、移相器、LNA(低噪声放大器)甚至收发器的某些部分集成到单个芯片中。"可以肯定的是,未来我们的客户将希望通过射频 SOI 实现更高的集成度。我们正在利用我们在 45SOI 技术上已经取得的许多经验,帮助实现这一飞跃,"他说。
 
归根结底,这一切都要归功于帮助设计人员快速将产品推向市场的能力。"我们在提供非常精确的模型和高质量的工艺设计工具包(PDK)方面花费了大量精力,并引以为豪,这样客户就可以确信他们所模拟的正是硅片出厂时的性能。我们在射频硅技术领域拥有数十年的制造经验。能够做到这一点的大型代工厂并不多。
 
这些不断增长的市场机遇促使我们 "高度重视生产能力的转型"。我们已经就射频 SOI 和硅锗的产能增加做出了一些非常有针对性的决定,以确保我们能够满足预期的需求。Rabbeni 说:"扩大产能以满足中国即将到来的需求是我们的一大重点。
 
随着中国手机用户开始使用支持 4G 和 LTE 的手机,以及 5G 标准开始普及,对基于射频 SOI 和 SiGe 的芯片的需求可能会像几年前一样迅速扩大。

观察 300 毫米移动

Semico Research(凤凰城)公司总经理 Joanne Itow 说,她正在密切关注 GF 和其他代工厂商向 300mm 射频 SOI 晶圆过渡的情况。
 
当 IBM 的伯灵顿业务部门开发出基于硅的射频前端集成电路时,"转向射频 SOI 而放弃砷化镓的速度非常快,因为其优势显而易见。有能力转向 300mm 晶圆的代工厂会更有优势。Itow 说:"只要有这种选择,就是真正的优势。
 
Itow 表示,她正在关注 SOI 晶圆供应商(主要是 Soitec 公司(法国格勒诺布尔))如何应对 300 毫米射频 SOI 晶圆的可靠供应,以及代工厂和客户如何利用更大尺寸的晶圆。
 
"我们正在考虑下一步如何将产品提高到 300 毫米的产能。代工厂告诉我们的情况听起来不错,而且听起来似乎 GF 正处于正确的位置,为正确的市场做好了准备。她说:"现在我们必须拭目以待,看看是否会成功。

偏执还是不偏执,这是一个问题

作者:约尔格-温克勒

高性能、低功耗处理器是移动、普适和智能计算领域应用的重要组成部分之一。对于这些应用,采用 22 纳米全耗尽型绝缘体上硅(FD-SOI)技术的 GLOBALFOUNDRIES 22FDX® 平台提供了性能、低功耗和成本的最佳组合。22FDX 的一大优势是能够通过对晶体管施加正向和反向体偏压来优化性能和功耗。我们的设计团队面临的挑战是如何成功应用体偏压来提高采用 22FDX FD-SOI 技术的四核 ARM Cortex-A17 处理器的 PPA。在 GF 的网络研讨会上、 在 22FDX 技术中实现 ARM® Cortex®-A17 处理器中,我们研究了使用行业标准 EDA 工具的数字实现流程、针对特定设计意图和功耗场景的体偏压应用、物理架构细节分析以及 ARM Cortex 子模块的初始 PPA 结果。

偏不偏心,这是个问题

可优化技术平台的概念蕴含着巨大的潜力,但采用新平台往往也意味着采用新的设计流程。工程师们都知道,对于新的设计流程,除非实施细节考虑周全,否则从概念到现实的道路可能会崎岖不平。幸运的是,GF 22FDX FD-SOI 设计流程的架构与现有的批量流程非常相似。在所有主要 EDA 供应商的支持下,22FDX 流程采用了已在早期节点上部署的各种设计技术(植入感知、源/漏感知、双图案化、UPF 支持)。本案例从初始设计创建到签收均使用了 Cadence 工具套件。我们详细介绍了作为参考设计的 ARM Cortex 处理器的实现过程,重点介绍了如何通过对平面图中的不同域应用正向和反向体偏置来获得范围广泛的 PPA 结果。利用这种易于调整的折衷方法,您可以有效地在更高性能和更低功耗之间取得平衡,从而满足 SoC 设计的整体性能规格和功耗预算。用于 ARM Cortex-A17 处理器的 GF 设计 IP 包括标准单元基础库、电源管理套件和高速缓冲存储器套件,每个套件都支持体偏压。22FDX 平台可随时用于新设计,22FDX 数字设计流程入门套件现已推出。要重播网络研讨会,请单击此处。更多信息,包括视频和白皮书,请访问GF.com/22FDX

FD-SOI:颠覆的推动者

多年来,随着业界对 FD-SOI 技术的热议,Dan Hutcheson 一直置身事外。"我一直很沉默,因为我从不相信成本的说法。我从不认为几个掩膜层就能左右决定,"身为分析公司 VLSI Research 首席执行官兼董事长的 Hutcheson 说。"但去年当我看到 GLOBALFOUNDRIES 的 22FDX® 时,我第一次看到了一些改变游戏规则的功能。五年前,功耗并不重要,但现在是一个非常耗电的世界。设计人员的差异化在于功耗,而不一定是性能。在我看来,FD-SOI 提供的实时功耗权衡开始变得相当令人兴奋。

Hutcheson 希望验证他对 FD-SOI 越来越浓厚的兴趣,因此在 GF 的帮助下,他开始对芯片设计生态系统中的关键影响者和决策者进行调查。在下面的视频中,Hutcheson 介绍了他深入访谈的主要发现,他向参与者询问了使用 FD-SOI 进行设计的一些关键技术和商业原因、该技术与业界 FinFET 产品的定位,以及其他旨在回答首要问题的问题:"FD-SOI 是颠覆性的,还是另一种工艺?

答案是什么?"不,它不是颠覆性的,但它是颠覆的助推器,"Hutcheson 总结道。"物联网(IoT)是目前最具颠覆性的力量。它将与智能手机一样具有颠覆性,我相信 FD-SOI 技术将成为这种颠覆的关键推动力。

要查看 Dan Hutcheson 的 FD-SOI 演讲,请单击此处

科学、技术、工程和数学领域的女孩:人类的飞跃

作者:Gwendolyn Bluemich

当我还是个小女孩时,父亲在我 13 岁生日时送给我一套化学试剂 我要用它来做什么呢?但我爸爸是个科学家。而且是一位非常重要的科学家。所以,很自然地,他希望他的女儿既能欣赏也能探索这个日益受到关注的领域的奥妙:STEM(科学、技术、工程和数学)。渐渐地,我做到了。

不幸的是,如今没有多少女孩能拥有像我这样的父亲。当然,我最终选择的学术道路可能与他希望的略有不同--我学的不是理科本身,而是经济学和公共政策这些 "更软 "的领域。然而,几年后的今天,在我们最近举办的 GLOBALGirls 活动中,我看到了初中女孩们穿着无尘室 "兔子 "服,用硼砂制造粘稠的粘液,在乐高机器人的现场欢呼雀跃的兴奋表情。

出于多种原因,让更多女性加入 STEM(科学、技术、工程和数学)行列非常重要:首先,她们增加了思想、交流和领导风格的多样性。她们带来了新的视角和解决问题的新方法--这些都是制造商正在寻找的关键特质。此外,她们还有助于企业取得更大的成功--根据最近的一项研究,成功率可提高 35%。

没有女性,我们就不会有计算机(向艾达-拉芙蕾丝(Ada Lovelace)和她的分析机器致敬);我们就不会在物理和化学领域取得许多进步(谢谢你, 玛丽-居里( Marie Curie));如果没有铆工罗茜(Rosie the Riveter)和所有那些在制造业前线支持美国努力的勇敢女性,我们可能就无法取得第二次世界大战的胜利。通过拥抱性别多元化,我们赢了:我们提高了生产力和创造力,同时推动了经济增长。

女性也是赢家!根据白宫的数据,从事 STEM 工作的女性比从事非 STEM 职业的女性工资高出 33%,与男性相比,她们面临的工资差距更小。此外,STEM 职业为女性提供了参与创新和技术前沿的机会。

我可能没有学过物理(像我父亲那样)或材料科学(像我的女同事那样),但今天我在一家高科技公司工作,帮助培养未来的人才梯队。额外的收获是什么?作为 GLOBALFOUNDRIES 战略教育和劳动力发展计划的经理,我可以像我父亲 20 年前激励我那样激励年轻女性,并一直延续至今。

STEP Ahead等倡议试图通过提升女性在制造业中的作用来解决性别差距问题。制造研究所已将 GF 的采购高级总监 Deb Leach 和 Amelia Folkins.在 2016 STEP Ahead 奖项的 130 位新兴领袖和获奖者中,GF 的 300mm 制造工程师 Deb Leach 和 Amelia Folkins 名列其中。

但是,女性也曾经是女孩!那么,我们该如何让化学套装重新变得酷起来,以吸引更多女孩进入 STEM 领域呢?

无论您是母亲、父亲、教育工作者还是商业专业人士,今天就来改变现状。通过以下方式帮助 "赋能 "年轻女性

  • 教育您自己、您的学生、您的员工和您的社区,他们了解当今在 STEM 领域可获得的机会
  • 指导一名学生;为她树立积极的榜样,帮助她树立相信自己的信心,让她也能改变世界。
  • 与已经参与 "STEM 女孩"计划的组织合作,最大限度地扩大宣传范围和影响。
  • 在您的学校或设施举办开放日或制造日(MFG DAY),以庆祝 STEM 领域的女性并激励下一代领导者。
  • 消除 隐性偏见,因为这种偏见导致许多机会丧失,无法认识、接受和赞美女孩在 STEM 方面的潜力和才能。
  • 通过制定自己的 STEM大使计划影响力扩展到社区;以及
  • 经常重新评估你的举措。找出哪些措施行之有效,哪些措施可以做得更好。继续寻找新的方法和新的解决方案--总有改进的余地。改变世界的机会无穷无尽。

这些行动看似微不足道,但对(我们)人类却意义重大。

有灵感了吗?寻找更多创意?请随时通过 [email protected] 与我联系。