Die bewährte Siliziumtechnologie von foundrywird dazu beitragen, die Leistung und Energieeffizienz von AMDs Produkten der nächsten Generation erheblich zu verbessern

Santa Clara, Kalifornien, 5. November 2015 - GLOBALFOUNDRIES hat heute bekannt gegeben, dass die ersten Produkte von AMD (NASDAQ: AMD), die die fortschrittlichste 14-nm-FinFET-Prozesstechnologie von GF nutzen, erfolgreich auf Siliziumbasis gefertigt wurden. Als Ergebnis dieses Meilensteins soll die siliziumerprobte Technologie von GF in mehrere AMD-Produkte integriert werden, die den wachsenden Bedarf an hochleistungsfähigen, energieeffizienten Rechen- und Grafiktechnologien für eine Vielzahl von Anwendungen decken, von Personal Computern über Rechenzentren bis hin zu immersiven Computergeräten.

AMD hat bereits mehrere Produkte mit der 14nm Low Power Plus (14LPP) Prozesstechnologie von GF hergestellt und führt derzeit Validierungsarbeiten an 14LPP-Produktionsmustern durch. Die heutige Ankündigung ist ein weiterer wichtiger Meilenstein auf dem Weg zur vollen Produktionsreife der 14LPP-Prozesstechnologie von GF, die 2016 die Massenproduktion erreichen wird. Die 14LPP-Plattform nutzt die Vorteile dreidimensionaler, vollständig verarmter FinFET-Transistoren und ermöglicht es Kunden wie AMD, mehr Rechenleistung auf kleinerem Raum für Anwendungen zu liefern, die höchste Leistung erfordern.

"Es wird erwartet, dass die FinFET-Technologie ab 2016 eine entscheidende Rolle für mehrere AMD-Produktlinien spielen wird", sagte Mark Papermaster, Senior Vice President und Chief Technology Officer bei AMD. "GF hat unermüdlich daran gearbeitet, diesen wichtigen Meilenstein mit seinem 14LPP-Prozess zu erreichen. Wir freuen uns auf die weiteren Fortschritte von GF auf dem Weg zur vollen Produktionsreife und gehen davon aus, dass wir die fortschrittliche 14LPP-Prozesstechnologie für eine breite Palette unserer CPU-, APU- und GPU-Produkte nutzen werden."

"Unsere 14-nm-FinFET-Technologie gehört zu den fortschrittlichsten in der Branche und bietet eine ideale Lösung für anspruchsvolle, hochleistungsfähige und energieeffiziente Designs mit der besten Die-Größe", so Mike Cadigan, Senior Vice President of Product Management bei GF. "Durch unsere enge Design- und Technologiepartnerschaft mit AMD können wir ihnen helfen, Produkte mit einer Leistungssteigerung gegenüber der 28-nm-Technologie zu liefern, während wir gleichzeitig einen überlegenen Stromverbrauch beibehalten und einen echten Kostenvorteil durch eine erhebliche Flächenskalierung bieten."

Die 14LPP-FinFET-Technologie von GF erreicht in der Fab 8 in New York produktionsreife Erträge und eine hervorragende Korrelation zwischen Modell und Hardware. Im Januar wurde die Early-Access-Version der Technologie (14LPE) erfolgreich für die Volumenproduktion qualifiziert, wobei die Ausbeuteziele für Produkte führender Kunden erreicht wurden. Die leistungsgesteigerte Version der Technologie (14LPP) wurde im dritten Quartal 2015 qualifiziert, wobei der frühe Anlauf im vierten Quartal 2015 erfolgte und die Serienproduktion für 2016 geplant ist.

ÜBER GF

GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den USA, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

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Santa Clara, Kalifornien, 5. Oktober 2015 - GLOBALFOUNDRIES, ein führender Anbieter von fortschrittlicher Halbleiterfertigungstechnologie, hat heute Bami Bastani zum Senior Vice President des Geschäftsbereichs Radio Frequency (RF) ernannt.

Mit der kürzlich erfolgten Übernahme der Microelectronics Division von IBM hat GF seine Technologieführerschaft bei drahtlosen Front-End-Modulen gefestigt. Das Unternehmen hat sein bestehendes RF-Angebot mit differenzierten RF-Silicon-on-Insulator (RFSOI)- und Hochleistungs-Silizium-Germanium (SiGe)-Technologien erheblich erweitert, um komplexe RF-Schalter, Hochleistungs-Leistungsverstärker und integrierte Front-End-Anwendungen in mobilen Geräten zu ermöglichen. Zusammen mit den bestehenden Hochspannungs-CMOS- und RF-MEMS-Technologien bietet GF nun eine Komplettlösung an, die auf dem Markt unübertroffen ist.

Bastani verfügt über mehr als 35 Jahre Erfahrung in den Bereichen Hightech, Halbleiter und RF und wird sich auf die Umsetzung der nächsten Generation der RF-Roadmap von GF konzentrieren. Er wird sich darauf konzentrieren, weitere Chancen in den Bereichen Automotive, Home und dem wachsenden Internet of Things (IoT) zu nutzen. Bastani wird ein starkes Team leiten, das in der Vergangenheit hochwertige und leistungsstarke Lösungen für die zunehmende Komplexität von Mobilfunkgeräten entwickelt hat.

"Bami ist eine erfahrene Führungskraft mit umfassenden Kenntnissen der RF-Branche. Er bringt jahrelange Führungs- und Managementfähigkeiten mit, die es uns ermöglichen werden, unser HF-Geschäft auszubauen", sagte GF-CEO Sanjay Jha. "Bami ist seit mehreren Jahrzehnten in der Halbleiterindustrie tätig, und seine Erfahrung reicht über die RF-Branche hinaus bis hin zur Waferfertigung und zu Marktwachstumsstrategien. Er ergänzt unser ohnehin schon starkes Führungsteam um eine unglaubliche Stärke."

Bevor er zu GF kam, war Bastani von 2012 bis Anfang dieses Jahres Präsident, CEO und Vorstandsmitglied von Meru Networks, einem globalen Anbieter von Wi-Fi-Netzwerklösungen für Unternehmen. Bastani wandelte Meru von einem Hardware-Unternehmen zu einem Lösungsanbieter mit Schwerpunkt auf Software, Software Defined Networks (2015 SDN Excellence Award) und Subscription Cloud-Angeboten (WaaS). Er brachte einen strategischen Fokus auf den vertikalen Markt in das Unternehmen ein, wodurch es sein Angebot und seinen Kundenstamm erweitern konnte.

Davor war Bastani als Präsident und CEO sowie in Vorstandspositionen in den Bereichen Mobilität, Verbraucher und Breitband tätig. Dazu gehören Präsident- und CEO-Positionen bei Trident Microsystems, Inc. und ANADIGICS Inc. Bastani war außerdem in leitenden Positionen bei Fujitsu Microelectronics, National Semiconductor und Intel Corporation tätig.

Bastani erwarb seinen Doktortitel und seinen MSEE in Mikroelektronik an der Ohio State University. Er ist Inhaber von drei US-Patenten, hat mehrere Veröffentlichungen zur Halbleitertechnologie und hielt mehrere eingeladene Vorträge zu Themen der Innovation und Unternehmensführung.

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GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den Vereinigten Staaten, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

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Wi-Fi- und Bluetooth-RF-Technologien von Catena auf GLOBALFOUNDRIES 28-nm-Super-Low-Power-Prozess-Technologie verfügbar

EuMW 2015, Paris, Frankreich, 3. September: GF, ein führender Anbieter fortschrittlicher Halbleiterfertigungstechnologien, hat heute eine Partnerschaft mit Catena bekannt gegeben, einem führenden Anbieter von IPs für die Radiofrequenz (RF)-Kommunikation und Konnektivität, um komplette Wi-Fi®- und Bluetooth®-Lösungen für System-on-Chip (SoC)-Entwickler anzubieten, die auf die Märkte für mobile Geräte, Internet-of-Things (IoT) und RF-Konnektivität ausgerichtet sind.

Entwickler benötigen heute eine optimierte, hochintegrierte Lösung für drahtlose Verbindungen, um die ständig steigenden Anforderungen von mobilen Plattformen, Wearables und anderen IoT-Geräten in Bezug auf niedrigen Stromverbrauch und Kosten zu erfüllen. Die marktführende 28-nm-Super-Low-Power (SLP)-Technologie von GF mit integrierter RF-Technologie in Kombination mit den siliziumerprobten RF-IPs von Catena bietet eine energieeffiziente, kostenoptimierte Lösung mit On-Chip-Funktionen, die sich leicht in Kundenanwendungen integrieren lassen.

"Wir freuen uns über die Zusammenarbeit mit GF bei der Entwicklung der nächsten Generation von Konnektivitätslösungen von Catena", sagt Mats Carlsson, Direktor für Geschäftsentwicklung bei Catena. "Diese Partnerschaft gibt Catena Zugang zu fortschrittlichen Technologieknoten, die unsere umfassende Technologie-Roadmap für Wi-Fi- und BT-Konnektivität unterstützen. Die enge Zusammenarbeit mit führenden Foundries wie GF in Verbindung mit den neuesten Innovationen von Catena bietet unseren Kunden ein neues Niveau an Produktleistung, Zuverlässigkeit und Skalierbarkeit und ermöglicht es uns, die Grenzen der integrierten RF-Front-End-Innovation zu überschreiten. Die Validierungsergebnisse des ersten 28-nm-SLP-Siliziums von Catena für RF-Anwendungen stimmen gut mit den Simulationen überein."

"Die IP-Fähigkeiten und Kompetenzen von Catena im Bereich der drahtlosen RF-Mixed-Signal-Technologien in Verbindung mit den RF-Lösungen von GF ermöglichen es uns, unsere Führungsposition im Bereich der drahtlosen Konnektivität und der vernetzten Geräte weiter auszubauen", sagte Peter Rabbeni, Director of RF Product Marketing and Business Development bei GF. "Da der Siliziumanteil der Kunden mit jeder neuen Smartphone-Generation zunimmt, steigt die Nachfrage nach diesen Chips rapide an. Die Partnerschaft mit Catena ermöglicht es uns, unser Know-how und unsere Fähigkeiten zu erweitern und Funkstromlösungen für hochintegrierte mobile Anwendungen anzubieten."

Die auf der 28-nm-SLP-Technologie von GF und HKMG basierende Prozesstechnologie bietet umfassende Designfunktionen, mit denen Chipdesigner wichtige RF-SoC-Funktionen in ihre Produkte integrieren können. Die Technologie wurde für die nächste Generation von vernetzten Geräten entwickelt, die einen geringen Standby-Stromverbrauch und eine lange Batterielebensdauer in Verbindung mit HF-/Wireless-Funktionen erfordern. Die Technologie ist mit wichtigen RF-Funktionen ausgestattet, einschließlich Core- und I/O-Transistor-RF-Modellen (1,5V/1,8V) sowie 5V-LDMOS-Bauteilen, was das RF-SoC-Design vereinfacht.

Das Connectivity RF IP-Portfolio von Catena umfasst optimierte Bluetooth Smart-Funkgeräte mit sehr geringem Stromverbrauch, Bluetooth Smart Ready-Funkgeräte, Wi-Fi-Funkgeräte (802.11a/b/g/n/ac 1×1, 2×2 und 4×4 MIMO) und kombinierte Bluetooth/Wi-Fi-Funkgeräte. Die Funk-IPs sind in der GF 28nm-SLP-Technologie verfügbar bzw. in der Entwicklung und können je nach Kundenanforderung auf Alternativen portiert werden. Lösungen für GNSS/FM-Rundfunksysteme sind ebenfalls im Angebot von Catena zu finden.

Die 28nm-SLP-Technologie von GF ist die erste in der Branche, die Design-Enablement-Unterstützung bietet, die für die niedrigen Energie- und Kostenanforderungen von integrierten RF-SoCs optimiert ist. Die Technologie nutzt die produktionserprobten, siliziumvalidierten 28nm-SLP-Design-Flows des Unternehmens, die einen kompletten Satz von Bibliotheken, Compilern und komplexer IP umfassen.

Über Catena

Seit der Gründung im Jahr 1986 ist Catena als Partner der Wahl für globale IC-Hersteller bei der Entwicklung von drahtlosen Konnektivitäts- und Sensorelektronik-Systemlösungen anerkannt, die von erstklassigen RF-, Signalverarbeitungs- und Systemarchitektur-Experten entwickelt werden. Catena bietet sowohl vollständige kundenspezifische IC-Entwicklungen als auch komplette System-IP für verschiedene Anwendungen an und ermöglicht seinen Kunden eine schnelle Markteinführung. Bei den Entwicklungen handelt es sich hauptsächlich um Ein-Chip-Lösungen, einschließlich RF, Analog, Mixed Signal, Digital Signal Processing, Embedded Cores, Embedded Software und Tooling. Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.catena.nl.

Über GF

GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den Vereinigten Staaten, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

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GLOBALSOLUTIONSSM Partnerschaft ermöglicht drahtlose Technologien der nächsten Generation für Anwendungen in IoT, 5G und Automotive

EuMW 2015, Paris, 3. September 2015 - QEOS, Inc., ein weltweit führender Entwickler von Konnektivitäts- und Sensor-CMOS-Lösungen im Millimeterwellenbereich (mmWave), und GLOBALFOUNDRIES, ein führender Anbieter fortschrittlicher Halbleiter-Fertigungstechnologien, gaben heute ihre Partnerschaft zur gemeinsamen Entwicklung der ersten mmW-CMOS-Plattform der Branche bekannt.

Die mmW-Plattform nutzt die 45-nm- und 40-nm-Low-Power-Prozesstechnologien von GF und unterstützt die höheren Datenraten, die in zukünftigen mobilen Breitband-Zugangsnetzen erforderlich sind. Gleichzeitig ermöglicht sie den Kunden die Integration von Mischern, rauscharmen Verstärkern (LNAs), Leistungsverstärkern (PAs) und Zwischenfrequenzverstärkern (IF) in einem einzigen Gehäuse. Die gemeinsam entwickelte Plattform wird das produktionserprobte Know-how von GF bei fortschrittlichen Silizium-HF-Technologien und die Designumgebung und IP der nächsten Generation von QEOS nutzen, um das Angebot an mmWave-Wireless-Technologien zu erweitern und Gigabit-Interaktivität überall zu ermöglichen - von Zentimetern bis zu Hunderten von Metern - zu Kosten von weniger als 500 US-Dollar pro Verbindung.

Auf der European Microwave Week, die vom 6. bis 11. September 2015 in Paris, Frankreich, stattfindet, werden eine 77-GHz-CMOS-Designbibliothek und eine adaptive 60-GHz-CMOS-Verbindung für drahtlose Gigabit-Verbindungen im Freien vorgestellt.

Zu den verfügbaren mmW IP gehören:

• Stromsparende Bits In/Out-Architektur
• BIST/BIOS für digitale Sortierung
• Balkenlenkung
• Integrierter Transceiver
• Frequenz-Synthesizer
• Mitentwickeltes System im Paket mit Antenne

"Die mmW-Technologie ist eine wichtige Säule für die drahtlosen Märkte der nächsten Generation, einschließlich IoT, 5G und Automotive", sagte Ted Letavic, Abteilungsleiter für strategische Anwendungen und Produktsegmente bei GF. "Unsere erweiterte Partnerschaft mit QEOS ermöglicht es unseren Kunden, die anspruchsvollen Anforderungen für adaptive drahtlose Gigabit-Sensorik und Konnektivität der nächsten Generation zu erfüllen, und legt den Grundstein für eine beschleunigte Marktakzeptanz von mmW-Produkten und -Lösungen in wachstumsstarken Märkten."

"Wir fühlen uns geehrt, mit einem der weltweit führenden Siliziumhersteller zusammenzuarbeiten, um die erste mmW-CMOS-Plattform der Branche zu entwickeln. Wir freuen uns darauf, unsere Kunden in den schnell wachsenden mmWave-Märkten zu unterstützen", sagte Ara Chakrabarti, Chief Operating Officer von QEOS, Inc.

"Die Partnerschaft von GF und QEOS ist ein wichtiger Meilenstein für die nächste Generation von mmWave-CMOS mit geringem Stromverbrauch", sagte Rob Shaddock, Chief Technology Officer von TE Connectivity. "TE Connectivity hat die Entwicklungen in diesem Bereich genau beobachtet und wir glauben, dass dies einen großen Einfluss auf die Verbindungs- und Sensormärkte haben wird.

Im Rahmen der GLOBALSOLUTIONS-Partnerschaft wird die 45/40nm-basierte mmWave CMOS-IP von QEOS in zwei Formen verfügbar sein. Basis-IP auf Blockebene wird von GF erhältlich sein, während komplexere Subsystem-IP direkt von QEOS lizenziert werden kann. QEOS wird Support und Design-Services für alle IP anbieten.

Über GF

GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den Vereinigten Staaten, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

Über QEOS, INC.

QEOS mit Hauptsitz in Milpitas, Kalifornien, ist ein führender Anbieter von stromsparenden CMOS-Millimeterwellen-Konnektivitäts- und Sensing-Lösungen, die über ein Portfolio innovativer Technologien für die drahtlose und drahtgebundene Datenkommunikation bereitgestellt werden.

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QEOS:

Romain Pelard
Direktor für Produktmanagement und Marketing
[email protected]

GF:

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Technologiekommunikation
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22FDX® bietet die beste Kombination aus Leistung, Stromverbrauch und Kosten für IoT, Mainstream-Mobilfunk, RF-Konnektivität und Netzwerke

Santa Clara, Kalifornien, und Dresden, Deutschland, 13. Juli 2015: GLOBALFOUNDRIES hat heute eine neue Halbleitertechnologie vorgestellt, die speziell für die Ultra-Low-Power-Anforderungen der nächsten Generation von vernetzten Geräten entwickelt wurde. Die "22FDX"-Plattform bietet FinFET-ähnliche Leistung und Energieeffizienz zu vergleichbaren Kosten wie 28-nm-Planar-Technologien und stellt damit eine optimale Lösung für die sich schnell entwickelnden Mainstream-Mobilfunk-, Internet-of-Things (IoT)-, RF-Konnektivitäts- und Netzwerkmärkte dar.

Während einige Anwendungen die ultimative Leistung von dreidimensionalen FinFET-Transistoren erfordern, brauchen die meisten drahtlosen Geräte ein besseres Gleichgewicht zwischen Leistung, Stromverbrauch und Kosten. Der 22FDX bietet den besten Weg für kostensensitive Anwendungen, indem er die branchenweit erste zweidimensionale, vollständig verarmte Silizium-auf-Isolator-Technologie (FD-SOI) mit 22 nm nutzt. Sie bietet die branchenweit niedrigste Betriebsspannung von 0,4 Volt und ermöglicht so einen extrem niedrigen dynamischen Stromverbrauch, eine geringere thermische Belastung und kleinere Formfaktoren für das Endprodukt. Die 22FDX-Plattform bietet eine um 20 Prozent kleinere Chipgröße und 10 Prozent weniger Masken als bei 28nm sowie fast 50 Prozent weniger Immersionslithographieschichten als foundry FinFET.

"Die 22FDX-Plattform ermöglicht es unseren Kunden, differenzierte Produkte mit einem optimalen Verhältnis von Stromverbrauch, Leistung und Kosten zu entwickeln", so Sanjay Jha, Chief Executive Officer von GF. "22FDX bietet erstmals in der Branche die Möglichkeit, die Transistoreigenschaften in Echtzeit über die Systemsoftware zu steuern: Der Systementwickler kann Stromverbrauch, Leistung und Leckage dynamisch ausgleichen. Darüber hinaus bietet die Plattform für die HF- und Analog-Integration die beste Skalierung in Kombination mit höchster Energieeffizienz."

22FDX nutzt die hochvolumige 28-nm-Plattform in der hochmodernen 300-mm-Produktionslinie von GF in Dresden, Deutschland. Diese Technologie läutet ein neues Kapitel in der Geschichte von "Silicon Saxony" ein und baut auf fast 20 Jahren nachhaltiger Investitionen in Europas größter Halbleiterfabrik auf. GF startet seine FDX-Plattform in Dresden und investiert 250 Millionen US-Dollar in die Technologieentwicklung und die erste 22FDX-Kapazität. Damit belaufen sich die Gesamtinvestitionen des Unternehmens in Fab 1 seit 2009 auf mehr als 5 Milliarden US-Dollar. Das Unternehmen plant weitere Investitionen, um die zusätzliche Kundennachfrage zu bedienen. GF arbeitet mit führenden Unternehmen aus Forschung und Entwicklung zusammen, um ein stabiles Ökosystem aufzubauen und eine schnellere Markteinführung sowie eine umfassende Roadmap für sein 22FDX-Angebot zu ermöglichen.

Die 22FDX-Plattform von GF ermöglicht die Softwaresteuerung der Transistoreigenschaften, um in Echtzeit einen Kompromiss zwischen statischem Stromverbrauch, dynamischem Stromverbrauch und Leistung zu erzielen. Diese Plattform besteht aus einer Familie von differenzierten Produkten, die auf die Bedürfnisse verschiedener Anwendungen zugeschnitten sind:

• 22FDX-ulp: Für den Mainstream- und Low-Cost-Smartphone-Markt bietet das Ultra-Low-Power-Basisangebot eine Alternative zu FinFET. Durch den Einsatz von Body-Biasing bietet 22FDX-ulp eine Leistungsreduzierung von mehr als 70 Prozent im Vergleich zu 0,9 Volt 28nm HKMG sowie eine Leistung, die der von FinFET entspricht. Für bestimmte IoT- und Verbraucheranwendungen kann die Plattform mit 0,4 Volt betrieben werden, was eine Leistungsreduzierung von bis zu 90 Prozent im Vergleich zu 28nm HKMG bedeutet.
• 22FDX-uhp: Für Netzwerkanwendungen mit analoger Integration wurde dieses Angebot optimiert, um die gleichen ultrahohen Leistungsfähigkeiten von FinFET zu erreichen und gleichzeitig den Energieverbrauch zu minimieren. Zu den Anpassungen des 22FDX-uhp gehören Vorwärts-Body-Bias, anwendungsoptimierte Metallstapel und Unterstützung für 0,95 Volt Overdrive.
• 22FDX-ull: Das Ultra-Low-Leakage-Angebot für Wearables und IoT bietet dieselben Funktionen wie 22FDX-ulp, reduziert aber die Leckage auf bis zu 1pa/um. Diese Kombination aus geringer aktiver Leistung, ultraniedrigem Leckstrom und flexiblem Body-Biasing kann eine neue Klasse von batteriebetriebenen tragbaren Geräten mit einer Leistungsreduzierung in der Größenordnung ermöglichen.
• 22FDX-rfa: Der analoge Hochfrequenzbaustein bietet eine um 50 Prozent geringere Leistung bei reduzierten Systemkosten und erfüllt damit die strengen Anforderungen hochvolumiger HF-Anwendungen wie z. B. LTE-A-Mobilfunk-Transceiver, MIMO-WiFi-Kombichips hoher Ordnung und Millimeterwellen-Radar. Die Back-Gate-Funktion des aktiven RF-Bauteils kann komplexe Kompensationsschaltungen im primären RF-Signalpfad reduzieren oder eliminieren, so dass RF-Designer mehr von der intrinsischen Ft-Leistung des Bauteils nutzen können.

GF hat eng mit wichtigen Kunden und Ökosystempartnern zusammengearbeitet, um eine optimierte Designmethodik und eine umfassende Palette an grundlegenden und komplexen IP zu ermöglichen. Design-Starter-Kits und frühe Versionen von Prozess-Design-Kits (PDKs) sind ab sofort verfügbar, die Risikoproduktion beginnt in der zweiten Jahreshälfte 2016.

Starke Unterstützung von Kunden und Partnern für 22FDX

Die FDX-Plattform von GF, bei der eine fortschrittliche FD-SOI-Transistorarchitektur zum Einsatz kommt, die im Rahmen unserer langjährigen Forschungspartnerschaft entwickelt wurde, bestätigt und stärkt die Dynamik dieser Technologie, indem sie das Ökosystem erweitert und eine Quelle für die Lieferung hoher Stückzahlen sicherstellt", sagte Jean-Marc Chery, Chief Operating Officer von STMicroelectronics. "FD-SOI ist eine ideale Prozesstechnologie, um die einzigartigen Anforderungen von IoT- und anderen stromsensiblen Geräten weltweit zu erfüllen, die immer eingeschaltet sind und wenig Strom verbrauchen."

"Die nächste Generation der i.MX-Serie von Freescale® nutzt die Vorteile von FD-SOI, um branchenführende Lösungen mit extrem niedrigem Stromverbrauch und bedarfsgerechter Leistung für Automobil-, Industrie- und Verbraucheranwendungen zu erzielen", so Ron Martino, Vice President of Applications Processors and Advanced Technology Adoption der MCU-Gruppe von Freescale. "Die 22FDX-Plattform von GF ist eine großartige Ergänzung für die Branche, die eine Erweiterung der FD-SOI-Fertigung in hohen Stückzahlen über 28 nm hinaus ermöglicht, indem sie die Kosten weiter senkt und die Möglichkeiten zur Optimierung der Stromverbrauchsleistung erweitert."

"Die vernetzte Welt der mobilen und IoT-Geräte ist auf SoCs angewiesen, die hinsichtlich Leistung, Stromverbrauch und Kosten optimiert sind", so Will Abbey, General Manager, Physical Design Group, ARM. "Wir arbeiten eng mit GF zusammen, um das IP-Ökosystem bereitzustellen, das unsere Kunden benötigen, um von den einzigartigen Vorteilen der 22FDX-Technologie zu profitieren."

"VeriSilicon hat Erfahrung in der Entwicklung von IoT-SoCs in FD-SOI-Technologie, und wir haben die Vorteile von FD-SOI bei Anwendungen mit extrem niedrigem Stromverbrauch und geringer Energieaufnahme nachgewiesen", sagte Wayne Dai, Präsident und CEO von VeriSilicon Holdings Co. Ltd. "Wir freuen uns auf die Zusammenarbeit mit GF bei ihrem 22FDX-Angebot, um energie-, leistungs- und kostenoptimierte Designs für Smartphones, Smart Homes und Smart Cars speziell für den chinesischen Markt zu entwickeln."

"Die nächste Generation von vernetzten Geräten in Märkten wie Wearables, IoT, Mobilfunk und Consumer erfordert Halbleiterlösungen, die ein optimales Gleichgewicht zwischen Leistung, Stromverbrauch und Kosten bieten", so Tony King-Smith, EVP Marketing, Imagination Technologies. "Die Kombination der neuen 22FDX-Technologie von GF mit Imagination's breitem Portfolio an fortschrittlichem IP - einschließlich PowerVR Multimedia, MIPS-CPUs und Ensigma-Kommunikation - wird unseren gemeinsamen Kunden mehr Innovation ermöglichen, wenn sie differenzierte neue Produkte auf den Markt bringen."

"Die FD-SOI-Technologie kann eine kostengünstige Roadmap für Wearable-, Consumer-, Multimedia-, Automotive- und andere Anwendungen darstellen", so Handel Jones, Gründer und CEO von IBS, Inc. "Das 22FDX-Angebot von GF vereint das Beste aus der Low-Power-FD-SOI-Technologie in einer kostengünstigen Plattform, für die eine sehr starke Nachfrage zu erwarten ist.

"FD-SOI kann erhebliche Verbesserungen bei der Leistung und Energieeinsparung bringen und gleichzeitig die Anpassungen an bestehende Design- und Fertigungsmethoden minimieren", sagte Marie-Noëlle Semeria, CEO von CEA-Leti. "Gemeinsam können wir bewährte, gut verstandene Design- und Fertigungstechniken für die erfolgreiche Produktion von GF' 22FDX für vernetzte Technologien bereitstellen."

"Die Ankündigung von GF ist ein wichtiger Meilenstein auf dem Weg zur nächsten Generation von Low-Power-Elektronik", sagte Paul Boudre, CEO von Soitec. "Wir freuen uns, strategischer Partner von GF zu sein. Unser ultradünnes SOI-Substrat ist bereit für die Großserienfertigung der 22FDX-Technologie".

Über GF

GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den Vereinigten Staaten, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

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Die Transaktion bringt differenzierende Technologien, erstklassige Technologen und geistiges Eigentum

Santa Clara, Kalifornien, 1. Juli 2015: GlobalFoundries gab heute bekannt, dass die Übernahme des Mikroelektronikgeschäfts von IBM abgeschlossen ist.

Mit der Akquisition gewinnt GF differenzierte Technologien zur Erweiterung seines Produktangebots in wichtigen Wachstumsmärkten, von Mobilität und Internet of Things (IoT) bis hin zu Big Data und High-Performance Computing. Die Übernahme stärkt die Belegschaft des Unternehmens durch jahrzehntelange Erfahrung und Fachwissen in der Halbleiterentwicklung, Geräteexpertise, Design und Fertigung. Mit mehr als 16.000 Patenten und Anmeldungen verfügt GF über eines der größten Halbleiter-Patentportfolios der Welt.

"Wir haben heute unsere technologischen Entwicklungskapazitäten erheblich erweitert und bekräftigen unser langfristiges Engagement, in Forschung und Entwicklung zu investieren, um technologisch führend zu sein", sagte Sanjay Jha, Chief Executive Officer von GF. "Wir haben erstklassige Technologen und differenzierte Technologien wie RF und ASIC hinzugefügt, um die Anforderungen unserer Kunden zu erfüllen und unsere Entwicklung zu einem foundry Powerhouse zu beschleunigen."

Durch den Zugang einiger der besten und innovativsten Wissenschaftler und Ingenieure der Halbleiterindustrie festigt GF seinen Weg zu fortschrittlichen Prozesstechnologien bei 10nm, 7nm und darüber hinaus.

Im Bereich RF ist GF nun Technologieführer bei drahtlosen Front-End-Modulen. IBM hat erstklassige Kompetenzen in den Bereichen RF-Silicon-on-Insulator (RFSOI) und Hochleistungs-Silizium-Germanium (SiGe)-Technologien entwickelt, die das bestehende Mainstream-Technologieangebot von GF hervorragend ergänzen. Das Unternehmen wird weiter investieren, um die nächste Generation seiner RFSOI-Roadmap zu entwickeln, und strebt an, Chancen in den Märkten Automotive und Home zu nutzen.

Bei ASICs ist GF nun Technologieführer im Bereich der kabelgebundenen Kommunikation. Dadurch ist das Unternehmen in der Lage, die für die Entwicklung dieser kundenspezifischen Hochleistungsprodukte und -lösungen erforderlichen Designkapazitäten und IP bereitzustellen. Mit erhöhten Investitionen plant das Unternehmen die Entwicklung weiterer ASIC-Lösungen in den Bereichen Speicher, Drucker und Netzwerke. Die jüngste ASIC-Familie, die im Januar angekündigt wurde und auf der 14-nm-LPP-Technologie von GF basiert, wurde auf dem Markt gut angenommen und hat bereits mehrere Design-Wins erzielt.

GF erweitert seine Fertigungskapazitäten mit Produktionsstätten in East Fishkill, NY und Essex Junction, VT. Diese Anlagen sind Teil der wachsenden globalen Aktivitäten des Unternehmens und bieten zusätzliche Kapazitäten und erstklassige Ingenieure, um die Anforderungen bestehender und neuer Kunden besser erfüllen zu können.

Darüber hinaus baut die Transaktion auf bedeutenden Investitionen im aufstrebenden Northeast Technology Corridor auf, zu dem auch die hochmoderne Fab 8 von GF in Saratoga County, NY, und gemeinsame Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten am College of Nanoscale Science and Engineering des SUNY Polytechnic Institute in Albany, NY, gehören. Die Präsenz des Unternehmens im Nordosten des Landes übersteigt inzwischen die Zahl von 8.000 direkten Mitarbeitern.

Die Übernahme beinhaltet die exklusive Verpflichtung, IBM in den nächsten zehn Jahren mit einigen der weltweit fortschrittlichsten Halbleiterprozessorlösungen zu beliefern. GF erhält außerdem direkten Zugang zu IBMs kontinuierlichen Investitionen in die Halbleiterforschung von Weltrang und festigt damit seinen Weg zu fortschrittlichen Prozessgeometrien bei 10nm und darüber hinaus.

Weitere Informationen über die Übernahme finden Sie unter: https://globalfoundries.com/acquisition/

Über GF

GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den Vereinigten Staaten, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

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Santa Clara, Kalifornien, 29. Juni 2015: GLOBALFOUNDRIES gab heute bekannt, dass das Unternehmen die Genehmigung des Committee on Foreign Investment in the United States (CFIUS) für die am 20. Oktober 2014 angekündigte Übernahme des Mikroelektronikgeschäfts von IBM erhalten hat. Mit dem Abschluss der CFIUS-Prüfung haben die Unternehmen den regulatorischen Prozess in den Vereinigten Staaten abgeschlossen. Alle erforderlichen behördlichen Genehmigungen außerhalb der Vereinigten Staaten wurden bereits erteilt. Der Abschluss der Transaktion wird in naher Zukunft erwartet.

Weitere Informationen über die geplante Transaktion finden Sie unter https://www.globalfoundries.com/pending-acquisition/home.

Über GF

GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den Vereinigten Staaten, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.