Eine leistungsstarke Technologie für 5G-Anwendungen kommt auf den Markt Februar 15, 2018von: Baljit Chandhoke Wir können die Überlastung zwar nicht buchstäblich sehen, aber das elektromagnetische Spektrum ist bei den Frequenzen, die üblicherweise für drahtlose Verbindungen und Datenkommunikation verwendet werden, so überfüllt, dass Datenstaus immer wahrscheinlicher werden und zu Störungen führen. Erschwerend kommt hinzu, dass die heutigen drahtlosen Geräte und Netze, die mit weniger als 6 GHz betrieben werden, für die Anforderungen der nächsten Generation von Anwendungen von Natur aus ungeeignet sind. Die Lösung besteht darin, das Millimeterwellenband des Spektrums (30 bis 300 GHz) zu nutzen, das viel mehr Bandbreite bietet. Der sich entwickelnde 5G-Standard, von dem Sie schon so viel gehört haben, soll einen gemeinsamen Weg für die Nutzung dieses sogenannten mmWave-Bandes aufzeigen. Es ist jedoch keine leichte Aufgabe, eine Technologie zu entwickeln, die dies leisten kann, insbesondere für mobile Anwendungen. Ein Problem ist, dass ultrahohe Frequenzen unter hohen Ausbreitungsverlusten leiden. Das bedeutet, dass eine hohe Ausgangsleistung erforderlich ist, aber in einem batteriebetriebenen Gerät wie einem Smartphone ist auch eine hohe Energieeffizienz erforderlich - und das ist schwer zu erreichen. Ein weiteres Problem besteht darin, dass mmWellen-Übertragungen durch Gebäude oder andere Objekte blockiert werden können. Daher ist die Fähigkeit, präzise "Bleistift"-Strahlen zu bilden, die zu und von Phased-Array-Antennen abstrahlen, von entscheidender Bedeutung. Die 45-nm-RF-SOI-Technologieplattform (45RFSOI) von GF zielt auf HF- und mmWave-Anwendungen der nächsten Generation, wie integrierte Front-End-Module (FEMs) und Beamformer in 5G-Basisstationen und Smartphones, Breitband-Satcom-Phased-Array-Terminals, Kfz-Radar und andere sich entwickelnde drahtgebundene und drahtlose Hochleistungsanwendungen. Die 45RFSOI-Technologie ist vollständig qualifiziert und produktionsreif, und wir arbeiten bereits mit wichtigen Kunden an mehreren dieser Anwendungen. Wir gehen davon aus, dass mehrere Kunden in diesem und im nächsten Jahr mit der Produktion beginnen werden, und wir erwarten, dass die erste Serienproduktion noch in diesem Jahr anlaufen wird. Prozessdesign-Kits sind jetzt erhältlich, und vierteljährliche Wafer-Läufe mit mehreren Projekten sind ebenfalls für ein schnelles Prototyping verfügbar, so dass Kunden die Hardware-Ergebnisse so früh wie möglich bewerten können. Technische Höhepunkte Das Schöne an unserem 45RFSOI ist, dass er aus einer teilweise verarmten 45-nm-SOI-Basistechnologie der Serverklasse auf 300-mm-Basis hervorgegangen ist, die seit einem Jahrzehnt in mehreren GF-Fabriken in Serienproduktion ist. Wir haben sie umfassend für den Einsatz in mmWave-Anwendungen evaluiert und HF-zentrierte Aktivierungs-, Bauelemente- und Technologiemerkmale hinzugefügt, die sie in die Lage versetzen, die bevorstehenden 5G-Anforderungen besser zu erfüllen als konkurrierende Technologien. Für eine überragende HF-Leistung kombiniert die 45RFSOI-Plattform beispielsweise Hochfrequenztransistoren (ft/fmax von 305/380 GHz) mit einem SOI-Substrat mit hohem spezifischen Widerstand und HF-freundlichen Metallverbindungen. Es gibt ultradicke Top-Level-Kupferverbindungen für ein optimales Design der Übertragungsleitungen, und die Verbindung führt auch zu einer verbesserten Rauschisolierung und Unterdrückung von Oberwellen, so dass extrem rauscharme Verstärker (LNAs) erreicht werden können. Um den Leistungsbedarf, die Abmessungen und die Kosten zu reduzieren, wurde der 45RFSOI für die einfache Integration von Funktionen wie Leistungsverstärkern (PAs), Schaltern, LNAs, Phasenschiebern, Auf-/Abwärtswandlern und spannungsgesteuerten Oszillatoren/Phasenregelschleifen (VCOs/PLLs) konzipiert. Bei der SOI-Technologie sind die Transistoren elektrisch vom Substrat isoliert, anders als bei der Standard-CMOS-Technologie, bei der das Substrat ein gemeinsamer Knotenpunkt ist. Daher können HF-SOI-Transistoren gestapelt werden, um höhere Durchbruchsspannungen und Leistungsfähigkeiten zu erreichen, was besonders für Beamforming-Frontend-Schaltungen wie PAs, LNAs und Schalter wichtig ist. Da 45RFSOI so leistungsstarke und hochintegrierte Chips ermöglicht, werden im Vergleich zu anderen Technologien weniger Chips für ein Antennen-Array benötigt, was den Kunden die Möglichkeit gibt, kleinere, kostengünstigere Phased-Array-Systeme zu bauen. Eine Reihe von RF-Lösungen 45RFSOI ist der jüngste Zuwachs in der Palette der Technologielösungen von GF für RF-Anwendungen, die das branchenweit breiteste Angebot an RF foundry Prozessen umfasst. Dazu gehören 45RFSOI und 8SW RFSOI, Silizium-Germanium (SiGe) und RF-CMOS Technologien. Diese Technologien umfassen ein breites Spektrum an ausgereiften und fortschrittlichen Knoten mit RF-optimierten Optionen, ein breites Spektrum an ASIC-Design-Services und grundlegendes geistiges Eigentum (IP). Ihr wichtigstes Merkmal ist jedoch, dass sie unseren Kunden helfen, ihre schwierigen technologischen Herausforderungen zu bewältigen, und ihnen die Möglichkeit geben, die sich ihnen bietenden Marktchancen besser zu nutzen. mmWave-Anwendungen - Phased-Array-Antennensystem Über den Autor Baljit Chandhoke Baljit Chandhoke ist Product Line Manager für das branchenführende Portfolio an HF-Lösungen von GF. Er verfügt über mehr als 15 Jahre Erfahrung im Produktlinienmanagement bei der Definition neuer Produkte und der Wettbewerbspositionierung sowie bei der Förderung von Design Wins, Umsätzen und Markteinführungsstrategien in den Marktsegmenten drahtlose Infrastruktur, Mobilität (5G), Netzwerke und Verbraucher. Er hat mehrere Artikel in führenden Branchenpublikationen verfasst, viele YouTube-Videos erstellt und zahlreiche Webinare veranstaltet. Bevor er zu GF kam, arbeitete Baljit in Führungspositionen bei IDT, ON Semiconductor und Cypress Semiconductor. Er erwarb seinen MBA an der Arizona State University, seinen MS in Telekommunikation an der University of Colorado-Boulder und seinen Bachelor in Elektronik und Telekommunikation an der University of Mumbai, Indien. Er absolvierte das Leadership-Programm "Managing Teams for Innovation and Success" an der Stanford Graduate School of Business.
针对5G应用的强大技术即将闪亮面市 February 15, 2018作者: Baljit Chandhoke 虽然我们无法用肉眼看到,但在无线连接和数据通信通常使用的频率上,电磁频谱拥塞情况已经变得非常严重,导致数据流量堵塞的可能性越来越大,并且越来越具破坏性。令问题更加复杂的是,当今在6 GHz以下频率工作的无线设备和网络本质上不适合下一代应用需求。 解决方案是利用频谱的毫米波频段(30至300 GHz)来提供更多带宽。大家久闻大名的5G标准正在制定中,目标就是为这种所谓「毫米波频段」的应用建立一条共同的发展道路。 然而,开发能够胜任的技术并非易事,特别是对于移动应用来说。一个问题在于超高频率会遭受高传播损耗,这意味着需要高功率输出。但智能手机之类的电池供电设备同样要求高能效,这二者很难同时达成。另一个问题在于毫米波传输很容易被建筑物或其他物体阻挡,因此必须形成精密的「铅笔」型波束,以便相控阵天线辐射和接收。 格芯推出45nm RFSOI技术平台(45RFSOI),适用于下一代RF和毫米波应用,例如:5G基站和智能手机中的集成前端模块(FEM)和波束成形器、宽带卫星通信相控阵终端、汽车雷达及其他正在开发中的高性能有线和无线应用。 45RFSOI技术经过全面认证,已准备好投入生产,我们已经就一些应用与主要客户展开合作。预计今年晚些时候开始首批量产,今年和明年将有多家客户开始提高产量。 工艺设计套件现已推出,季度多项目晶圆运行也已开始,可用于快速原型开发,方便客户尽早评估硬件结果。 技术亮点 45RFSOI的美妙之处在于,它是45nm部分耗尽型SOI服务器级基线300mm技术的产物,该技术已经在格芯多家晶圆厂量产了十年。我们对其在毫米波应用中的使用进行了广泛评估,并增加了以RF为中心的赋能、器件和技术特性,使其能够比竞争技术更好地满足即将到来的5G需求。 例如,45RFSOI平台将高频晶体管(ft/fmax分别为305/380 GHz)与高电阻率SOI衬底和RF友好型金属互连结合在一起,提供出色的RF性能。它有超厚顶层铜互连以支持最佳传输线路设计,该互连还能改善噪声隔离和谐波抑制,从而实现极低噪声放大器(LNA)。 同时,为了降低功耗要求、物理尺寸和成本,45RFSOI可以轻松集成很多特性,例如功率放大器(PA)、开关、LNA、移相器、上/下变频器和压控振荡器/锁相环(VCO/PLL)。 SOI技术将晶体管与衬底进行电隔离,这不同于将衬底用作公共节点的标准CMOS技术。因此,RFSOI晶体管可以堆叠以实现更高的击穿电压和功率处理能力,这对于PA、LNA和开关等波束成形前端电路尤其重要。 此外,由于45RFSOI能够实现非常强大且高度集成的芯片,故与其他技术相比,天线阵列需要的芯片更少,让客户可以构建尺寸更小、成本效益更高的相控阵系统。 系列RF解决方案 45RFSOI是格芯针对RF应用提供的最新技术解决方案。格芯拥有业界最广泛的射频代工工艺,包括45RFSOI和8SW RFSOI、硅锗(SiGe)和RF-CMOS技术。 这些技术涵盖各种各样成熟先进的节点,提供RF优化选项、广泛的ASIC设计服务和基础知识产权(IP)。 不过,它们最重要的特点是帮助客户应对困难的技术挑战,帮助他们更好地抓住市场机遇。 毫米波应用 – 相控阵天线系统
格芯推出面向5G应用的45nm RF SOI客户原型设计 January 24, 2018格芯300mm RF SOI产品已准备投入量产 加利福尼亚州圣克拉拉,2018年1月24日–格芯今日宣布,其45nm RF SOI (45RFSOI)技术平台已通过认证,准备投入量产。这种先进的RF SOI工艺引发了多位客户的关注和兴趣,它主要面向5G毫米波(mmWave)前端模块(FEM)应用,包括智能手机和适合未来基站的新一代毫米波波束成形系统。 由于新一代系统的工作频率会增加到24GHz以上,所以需要采用性能更高的RF芯片解决方案,以充分利用毫米波频谱中的大量可用带宽。格芯45RFSOI平台专门针对波束成形FEM实施了优化,功能先进,能够通过集成高频率晶体管、高电阻绝缘体上硅(SOI)衬底和超厚铜制程来提升RF性能。此外,SOI技术还支持轻松集成功率放大器、开关、LNA、移相器、上/下变频器和压控振荡器/锁相环(VCO/PLL),与面向未来每秒数千兆位的通信系统(包括互联网宽带卫星、智能手机以及5G基础设施)的竞争性技术相比,它能够降低成本和功耗,并减小尺寸。 Peregrine Semiconductor总裁兼首席技术官Jim Cable表示:“格芯是RF SOI解决方案领域的领导者,对Peregrine来说,选择格芯作为新一代RF SOI技术的战略合作伙伴乃明智之举,这种战略合作有助于我们推出更好的RF解决方案,为客户提供更高水平的产品性能、可靠性和可扩展性,并且,让我们能够挑战极限,开发集成式RF前端创新技术,满足不断演变的毫米波应用和新兴的5G市场需求。” Anokiwave的首席执行官Bob Donahue表示:“要引领5G走向未来,就需要使用毫米波创新技术来分配更多带宽,以提供交付速度更快、品质更高的视频和多媒体内容和服务,格芯是RF SOI技术领域的领导者,通过利用其45RFSOI平台,Anokiwave能够开发适用于高速无线通信和网络、工作频段介于毫米波和sub-6GHz频段之间的差异化解决方案。” 格芯射频业务部资深副总裁Bami Bastani表示:“格芯不断扩展RF功能和产品组合,提供具有竞争力的RF SOI优势和精良的制造工艺,此举让我们的客户受益匪浅,从而在实际应用5G设备和网络的过程中发挥关键作用,对客户来说,我们的45RFSOI是一种理想技术,它力图提供最高性能的毫米波解决方案,以应对新一代移动和5G通信对高性能的需求。” 格芯的RF SOI解决方案是公司愿景的有机组成部分,公司致力于开发和交付新一代5G技术,帮助新一代设备、网络和有线/无线系统实现智能互联。格芯位于纽约州东菲什基尔的300mm生产线已成功实现了RF SOI解决方案的生产。客户现在可以着手优化其芯片设计,开发面向5G和毫米波应用的RF前端差异化、高性能解决方案。 如需了解更多有关格芯RF SOI解决方案的信息,请联系您的格芯销售代表或访问https://www.globalfoundries.com/cn。 关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂,为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐,格芯促生了改变行业的技术和系统的出现,并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司(Mubadala Investment Company)所有。欲了解更多信息,请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。 媒体垂询: 杨颖(Jessie Yang) (021) 8029 6826 [email protected]
GLOBALFOUNDRIES liefert 45nm RF SOI-Kundenprototypen für 5G-Anwendungen Januar 24, 2018Das fortschrittliche 300-mm-RF-SOI-Angebot des Unternehmens ist bereit für die Serienproduktion Santa Clara, Kalifornien, 24. Januar 2018 - GLOBALFOUNDRIES gab heute bekannt, dass seine 45-nm-RF-SOI (45RFSOI)-Technologieplattform qualifiziert wurde und für die Volumenproduktion bereit ist. Mehrere Kunden arbeiten derzeit an diesem fortschrittlichen RF SOI-Prozess, der für 5G-Millimeterwellen (mmWave)-Front-End-Module (FEM) vorgesehen ist, darunter Smartphones und mmWave-Beamforming-Systeme der nächsten Generation in zukünftigen Basisstationen. Die nächste Generation von Systemen mit Frequenzen über 24 GHz erfordert leistungsfähigere HF-Siliziumlösungen, um die große verfügbare Bandbreite im mmWave-Spektrum zu nutzen. Die 45RFSOI-Plattform von GF ist für Beamforming-FEMs optimiert und verfügt über Funktionen, die die HF-Leistung durch die Kombination von Hochfrequenztransistoren, hochresistiven Silizium-auf-Isolator-Substraten (SOI) und ultradicken Kupferleitungen verbessern. Darüber hinaus ermöglicht die SOI-Technologie eine einfache Integration von Leistungsverstärkern, Schaltern, LNAs, Phasenschiebern, Auf-/Abwärtswandlern und VCO/PLLs, die im Vergleich zu konkurrierenden Technologien Kosten, Größe und Stromverbrauch für die Multi-Gigabit-pro-Sekunde-Kommunikationssysteme von morgen, einschließlich Internet-Breitbandsatelliten, Smartphones und 5G-Infrastruktur, senken. "Die führende Position von GF bei RF-SOI-Lösungen macht das Unternehmen zu einem perfekten strategischen Partner für die nächste Generation von RF-SOI-Technologien von Peregrine", so Jim Cable, Chairman und CTO von Peregrine Semiconductor. "Sie ermöglicht es uns, RF-Lösungen zu entwickeln, die unseren Kunden ein neues Niveau an Produktleistung, Zuverlässigkeit und Skalierbarkeit bieten, und sie erlaubt es uns, die Grenzen der integrierten RF-Front-End-Innovation für sich entwickelnde mmWave-Anwendungen und aufkommende 5G-Märkte zu erweitern." "Um 5G in die Zukunft zu bringen, werden mmWave-Innovationen benötigt, um mehr Bandbreite für die Bereitstellung schnellerer und qualitativ hochwertigerer Video- und Multimedia-Inhalte und -Dienste bereitzustellen", so Bob Donahue, CEO von Anokiwave. "Die führende RF SOI-Technologie und die 45RFSOI-Plattform von GF ermöglichen es Anokiwave, differenzierte Lösungen zu entwickeln, die für den Betrieb zwischen dem mmWave- und dem Sub-6GHz-Frequenzband für drahtlose Hochgeschwindigkeitskommunikation und -netzwerke ausgelegt sind." "GF baut seine RF-Kapazitäten und sein Portfolio weiter aus, um wettbewerbsfähige RF-SOI-Vorteile und Fertigungsexzellenz zu bieten, die es unseren Kunden ermöglichen, eine entscheidende Rolle bei der Einführung von 5G-Geräten und -Netzwerken in realen Umgebungen zu spielen", so Bami Bastani, Senior Vice President der RF Business Unit bei GF. "Unser 45RFSOI ist eine ideale Technologie für Kunden, die die leistungsfähigsten mmWave-Lösungen für die anspruchsvollen Leistungsanforderungen der nächsten Generation der Mobil- und 5G-Kommunikation suchen." Die RF-SOI-Lösungen von GF sind Teil der Vision des Unternehmens, die nächste Welle der 5G-Technologie zu entwickeln und bereitzustellen, um vernetzte Intelligenz für Geräte, Netzwerke und drahtgebundene/drahtlose Systeme der nächsten Generation zu ermöglichen. GF hat eine erfolgreiche Erfolgsbilanz bei der Herstellung von RF-SOI-Lösungen in seiner 300-mm-Produktionslinie in East Fishkill, N.Y. Kunden können jetzt damit beginnen, ihre Chipdesigns zu optimieren, um differenzierte Lösungen für hohe Leistung im RF-Front-End für 5G- und mmWave-Anwendungen zu entwickeln. Weitere Informationen zu den RF SOI-Lösungen von GF erhalten Sie bei Ihrem GF-Vertriebsmitarbeiter oder unter www.globalfoundries.com. Über GF: GLOBALFOUNDRIES ist ein führender Full-Service-Halbleiterhersteller foundry und bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen für einige der weltweit führenden Technologieunternehmen. Mit einer globalen Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, ermöglicht GLOBALFOUNDRIES die Technologien und Systeme, die Industrien verändern und Kunden die Möglichkeit geben, ihre Märkte zu gestalten. GLOBALFOUNDRIES ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakte: Erica McGillGLOBALFOUNDRIES(518) 795-5240[email protected]
意法半导体公司选择格芯22FDX®提升其FD-SOI平台和技术领导力 January 10, 2018格芯FDX技术将赋能ST为新一代消费者和工业应用提供高性能、低功耗的产品 加利福尼亚州圣克拉拉和瑞士日内瓦,2018 年 1 月 9 日 —— 格芯(GLOBALFOUNDRIES)与意法半导体公司(STMicroelectronics,NYSE:STM)于今日宣布,意法半导体公司选定格芯 22 纳米 FD-SOI(22FDX®)技术平台,为其新一代工业和消费应用的处理器解决方案提供支持。 在部署了业界首个 28 纳米 FD-SOI 技术平台之后,意法半导体公司采用格芯可量产的 22FDX 工艺和生态系统,为未来智能系统提供第二代 FD-SOI 解决方案,以拓展公司业务发展路径图。 “FD-SOI 是对低功耗、高处理性能与高连接能力有较高要求的成本敏感型应用的理想选择”,意法半导体公司数字前端制造与技术执行副总裁 Joël Hartmann 表示,“格芯 22FDX 平台具有成本优化的超高性能与同类最佳的能源效率优势,再加上意法半导体公司在 FD-SOI 领域的丰富设计经验和IP基础,必将为我们的客户提供无与伦比的功耗、性能和成本价值。” “意法半导体公司在 FD-SOI 技术方面拥有良好的业绩记录”,格芯的产品管理高级副总裁 Alain Mutricy 表示,“意法半导体公司拥有开创新技术和产品的悠久历史,有了格芯 22FDX 平台的加入,两家公司将能够在 22 纳米节点上提供差异化的 FD-SOI 产品。” 作为 FinFET 的补充路径,格芯多功能 FDX 平台可以将数字、模拟和射频功能集成到单一芯片,从而使客户能够设计出智能化且完全集成的系统解决方案。此项技术尤其适用于要求以最低成本的解决方案成本实现高性能、高能效的芯片,非常适合从智能客户端、无线连接到人工智能和智能汽车的广泛应用。 关于意法半导体公司 意法半导体(STMicroelectronics; ST)是全球领先的半导体公司,提供与日常生活息息相关的智能的、高能效的产品及解决方案。意法半导体的产品无处不在,致力于与客户共同努力实现智能驾驶、智能工厂、智慧城市和智能家居,以及下一代移动和物联网产品。享受科技、享受生活,意法半导体主张科技引领智能生活(life.augmented)的理念。 意法半导体 2016 年净收入 69.7 亿美元,在全球拥有 10 万余客户。详情请浏览意法半导体公司网站:www.st.com 关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂,为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐,格芯促生了改变行业的技术和系统的出现,并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司(Mubadala Investment Company)所有。欲了解更多信息,请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。 媒体垂询: 杨颖(Jessie Yang) (021) 8029 6826 [email protected] 关慧珠 (Sunny Guan) 86 13564132717 [email protected] 邢芳洁(Jay Xing) 86 18801624170 [email protected] 范怡唯(Yiwei Fan) 86 13585713665 [email protected]
STMicroelectronics wählt GLOBALFOUNDRIES 22FDX®, um seine FD-SOI-Plattform und Technologieführerschaft auszubauen Januar 9, 2018Die FDX-Technologie von GF ermöglicht es ST, leistungsstarke und stromsparende Produkte für Verbraucher- und Industrieanwendungen der nächsten Generation zu entwickeln Santa Clara, Kalifornien und Genf, Schweiz, 9. Januar 2018 - GLOBALFOUNDRIES und STMicroelectronics (NYSE: STM) gaben heute bekannt, dass sich ST für die 22nm FD-SOI (22FDX®)-Technologieplattform von GF entschieden hat, um seine nächste Generation von Prozessorlösungen für Industrie- und Verbraucheranwendungen zu unterstützen. Nach dem Einsatz der branchenweit ersten 28-nm-FD-SOI-Technologieplattform erweitert ST sein Engagement und seine Roadmap durch die Übernahme des produktionsreifen 22FDX-Prozesses und des Ökosystems von GF, um FD-SOI-Lösungen der zweiten Generation für die intelligenten Systeme von morgen zu liefern. "FD-SOI eignet sich ideal für kostensensitive Anwendungen, die umfangreiche Verarbeitungs- und Konnektivitätsfunktionen bei geringerem Stromverbrauch erfordern", sagte Joël Hartmann, Executive Vice President, Digital Front-End Manufacturing and Technology, STMicroelectronics. "Die kosteneffiziente Leistung und die klassenbesten Energieeffizienzvorteile der 22FDX-Plattform von GF in Verbindung mit der umfangreichen Design-Erfahrung und IP-Basis von ST im Bereich FD-SOI ermöglichen unseren Kunden ein unvergleichliches Preis-Leistungs-Verhältnis bei Stromverbrauch, Leistung und Kosten. Wir verlassen uns bei der Herstellung von Produkten mit dieser Technologie auf den Dresdner Standort von GF." "ST hat mit der FD-SOI-Technologie eine starke Erfolgsbilanz vorzuweisen", sagte Alain Mutricy, Senior Vice President of Product Management bei GF. "Die 22FDX-Plattform von GF in Verbindung mit der langjährigen Erfahrung von ST in der Entwicklung neuer Technologien und Produkte wird es beiden Unternehmen ermöglichen, differenzierte FD-SOI-Produkte für den 22-nm-Knoten zu liefern. Als Ergänzung zu FinFETs bietet die vielseitige FDX-Plattform von GF die Möglichkeit, digitale, analoge und HF-Funktionen auf einem einzigen Chip zu integrieren, was Kunden die Entwicklung intelligenter und vollständig integrierter Systemlösungen ermöglicht. Die Technologie eignet sich hervorragend für Chips, die eine bedarfsgerechte Leistung und Energieeffizienz bei niedrigsten Lösungskosten erfordern. Damit ist sie ideal für eine breite Palette von Anwendungen, von intelligenten Clients und drahtlosen Verbindungen bis hin zu künstlicher Intelligenz und intelligenten Fahrzeugen. Über STMicroelectronics ST ist ein weltweit führender Halbleiterhersteller, der intelligente und energieeffiziente Produkte und Lösungen anbietet, die die Elektronik im Herzen des täglichen Lebens betreiben. Die Produkte von ST sind heute überall zu finden. Gemeinsam mit unseren Kunden ermöglichen wir intelligenteres Fahren, intelligentere Fabriken, Städte und Häuser sowie die nächste Generation von mobilen Geräten und Geräten des Internets der Dinge. ST steht für life.augmented, indem wir mehr aus der Technologie herausholen, um mehr aus dem Leben zu machen. Im Jahr 2016 erzielte das Unternehmen einen Nettoumsatz von 6,97 Milliarden US-Dollar und bedient mehr als 100.000 Kunden weltweit. Weitere Informationen finden Sie unter www.st.com. Über GF: GLOBALFOUNDRIES ist ein führender Full-Service-Halbleiterhersteller foundry und bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen für einige der weltweit führenden Technologieunternehmen. Mit einer globalen Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, ermöglicht GLOBALFOUNDRIES die Technologien und Systeme, die Industrien verändern und Kunden die Möglichkeit geben, ihre Märkte zu gestalten. GLOBALFOUNDRIES ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Für weitere Informationen wenden Sie sich bitte an: STMicroelectronicsMichael MarkowitzDirector, Technical Media Relations+1-781-591-0354[email protected] GFErica McGillGF(518) 795-5240[email protected]
Wird 2018 wirklich das "Jahr der 5G" sein? Januar 9, 2018von: Dr. Bami Bastani Als ich aus den Ferien zurückkam, dachte ich, ich sei in eine Zeitschleife geraten. Habe ich den Januar verschlafen und bin erst Ende Februar aufgewacht? Ich erwartete die übliche Flut von Nachrichten über die Gadgets und Geräte, die auf der kommenden Consumer Electronics Show(CES 2018) vorgestellt werden. Stattdessen habe ich eine Geschichte nach der anderen über 5G-Mobilfunknetze der nächsten Generation gesehen - typischerweise der Stoff, aus dem der Mobile World Congress in Barcelona ist. Zeitverschiebung hin oder her, eines ist klar: 2018 wird ein großes Jahr für 5G werden. Da bis 2020 schätzungsweise 8,4 Milliarden vernetzte Geräte auf dem Markt sein werden, steigt der Bedarf an einem ultraschnellen Netz mit hoher Bandbreite und geringer Latenz, um sie zu verbinden. 5G wird kommen, und es kann nicht früh genug kommen. Die Keynote von Qualcomm am 10. Januar wird mit Sicherheit ein Höhepunkt des 5G-Trubels auf der CES 2018 sein. Cristiano Amon, Präsident von Qualcomm, wird die Vision von Qualcomm für die Führung im 5G-Zeitalter vorstellen. Wir hatten das Glück, eine Vorschau auf Cristianos Geschichte zu hören, als er im September eine Keynote auf unserer GLOBALFOUNDRIES Technical Conference (GTC 2017) hielt. Einer seiner Hauptpunkte war, dass die anspruchsvollen Anforderungen von 5G-Netzwerken die Komplexität auf der Chipsatz-Ebene erhöhen. Dies bedeutet, dass Siliziuminnovationen für den Übergang zu 5G unerlässlich sind. GF bietet eine breite Palette von Halbleitertechnologien an, die den Kunden den Übergang zu 5G-Mobilfunknetzen der nächsten Generation erleichtern. Wir verfügen über das branchenweit breiteste Angebot an Technologielösungen für eine Reihe von 5G-Anwendungen, darunter mmWave-Front-End-Module (FEMs), eigenständige oder integrierte mmWave-Transceiver und Basisband-Chips sowie Hochleistungs-Anwendungsprozessoren für Mobilfunk und Netzwerke. Unsere Roadmap umfasst Angebote in RF-SOI, Silizium-Germanium (SiGe) und CMOS, einschließlich einer breiten Palette an ausgereiften und fortschrittlichen Knoten mit RF-optimierten Optionen in Kombination mit einer breiten Palette an ASIC-Designdienstleistungen und IP. Diese anwendungsspezifischen Lösungen adressieren verschiedene Kundenansätze für 5G, indem sie ein breites Spektrum an Fähigkeiten unterstützen, von Sensoren mit extrem niedrigem Energieverbrauch über ultraschnelle Geräte mit langer Batterielebensdauer bis hin zu höheren Integrationsniveaus, die On-Chip-Speicher unterstützen. 5G RF and mmWave Transceivers and Baseband Processing: Whether it’s for 5G <6GHz applications or the new 5G mmWave bands, GF’s broad range of CMOS technologies with FinFET, FD-SOI and more mature bulk CMOS technologies have optimized RF and mmWave offerings that allow our customers to make the best design trade-offs between cost, power consumption and performance. GF’s FD-SOI technologies (22FDX and 12FDX) are truly differentiated CMOS platforms that provide the lowest power consumption solution for any RF or mmWave transceiver. In addition, FDX is very well suited to address another part of the 5G standard, massive IoT networks. GF’s optimized solutions provide customers a flexible and cost-effective solution to integrate RF and mmWave transceivers with baseband modem or digital “calibration” processing in 5G handsets and base stations, NB-IoT solutions and other high-performance applications. 5G mmWave Front End Module: Die RF-SOI- und SiGe-Lösungen von GF (130nm-45nm) bieten eine optimale Kombination aus Leistung, Integration und Energieeffizienz für FEMs mit integrierten Schaltern, rauscharmen Verstärkern und Leistungsverstärkeranwendungen. Für bestimmte Anwendungen wie 5G mmWave Handsets und kleine Basisstationen ermöglicht das optimierte 22FDX mmWave-Angebot von GF die Integration von FEMs und Transceivern auf einem einzigen Chip, was erhebliche Vorteile in Bezug auf Kosten, Stromverbrauch und Platzbedarf mit sich bringt. Die mmWave-Lösungen von GF sind für Anwendungen in Frequenzbändern von unter 6 GHz bis mmWave ausgelegt. Fortschrittliche Anwendungsverarbeitung: Die fortschrittlichen CMOS FinFET-basierten Prozesstechnologien von GF bieten eine optimale Kombination aus Leistung, Integration und Energieeffizienz für Smartphone-Prozessoren der nächsten Generation, Netzwerke mit geringer Latenzzeit und massive MIMO-Netzwerke. Fortschrittliche CMOS-Lösungen sind ab sofort bei GF erhältlich. Kundenspezifisches Design für 5G Wireless-Basisstationen: Die anwendungsspezifischen ASIC-Designsysteme (FX-14 und FX-7) des Unternehmens ermöglichen optimierte 5G-Lösungen (Funktionsmodule) durch die Unterstützung von drahtlosen Infrastrukturprotokollen auf Hochgeschwindigkeits-SerDes, Lösungen zur Integration von fortschrittlichem Packaging, monolithischer, ADC/DAC- und programmierbarer Logik. 5G wird zweifellos eine wesentliche Rolle dabei spielen, dass die Netze der nächsten Generation eine "Null-Distanz-Konnektivität" zwischen Nutzern und ihren Geräten bieten, so dass die Menschen die Rechenleistung der Cloud und die Edge-to-Edge-Konnektivität voll nutzen können. Angesichts der rasant steigenden Nachfrage nach 5G wird GF weiterhin mit seinen Partnern zusammenarbeiten, um Lösungen anzubieten, die es unseren Kunden ermöglichen, in diesem wettbewerbsintensiven Bereich erfolgreich zu sein. Bleiben Sie dran, denn wir werden im Laufe des kommenden Jahres weitere Details zu unseren Technologielösungen für 5G bekannt geben. Über den Autor Dr. Bami Bastani Dr. Bami Bastani ist Leiter des Geschäftsbereichs Hochfrequenz (RF) von GLOBALFOUNDRIES und verantwortlich für den Ausbau der Führungsposition des Unternehmens im Bereich RF. Bastani verfügt über mehr als 35 Jahre Branchenerfahrung in der Halbleiterindustrie, einschließlich RF-Technologien auf Komponenten- und Systemebene. Bevor er zu GLOBALFOUNDRIES kam, war er Präsident, CEO und Vorstandsmitglied von Meru Networks, einem globalen Anbieter von Wi-Fi-Netzwerklösungen für Unternehmen. Während seiner Zeit bei dem Unternehmen wandelte Bastani Meru Networks von einem Hardware-Unternehmen zu einem Lösungsanbieter, der ein Portfolio von Software, softwaredefinierten Netzwerken (2015 SDN Excellence Award) und Abonnement-Cloud-Angeboten (WaaS) bereitstellt. Dr. Bastani war außerdem als Präsident, CEO und Vorstandsmitglied in den Bereichen Mobilität, Verbraucher und Breitband tätig, unter anderem als Präsident und CEO von Trident Microsystems, Inc. und ANADIGICS, Inc. Darüber hinaus war er in leitenden Positionen bei Fujitsu Microelectronics, National Semiconductor und Intel Corporation tätig. Dr. Bastani hat einen Doktortitel und einen MSEE in Mikroelektronik von der Ohio State University.
2018年真会成为“5G元年”吗? January 9, 2018作者: Dr. Bami Bastani 当我度假回来时,我以为发生了时间扭曲。我是否一觉睡过了一月份,接近二月底才醒来?我本来预计会像通常一样看到关于即将到来的国际消费电子展(CES 2018)上要展出的新奇产品的大量消息。不料,我看到的是一篇接一篇关于下一代5G移动网络的故事,而这一般是巴塞罗那移动世界大会才有的内容。 不管时间扭曲与否,有一点很明确:2018年将是对5G有重大意义的一年。预计到2020年市场上将有84亿台联网设备,为了连接如此多的设备,对超高速、高带宽、低延时网络的需求正在加速增长。5G即将到来,但不会说来就来。 高通公司1月10日的主题演讲无疑将使CES 2018的5G热推到高潮。高通公司总裁Cristiano Amon将同与会者分享高通公司如何在5G时代引领行业发展。我们有幸在去年9月份的格芯技术大会(GTC 2017)上听到了Cristiano关于此次发言的预告,他当时在给我们做主题演讲。他的一个重要观点是,5G网络的苛刻要求驱使芯片组的复杂性提高。这意味着硅片创新对于实现向5G过渡至关重要。 格芯提供全面的半导体技术来帮助客户向下一代5G无线网络过渡。我们拥有业界最广泛的技术解决方案,适合各种5G应用,包括毫米波前端模块(FEM)、独立或集成毫米波收发器与基带芯片,以及用于移动和联网的高性能应用处理器。 我们的路线图包括RF-SOI、硅锗(SiGe)和CMOS产品,其中有各种成熟先进的节点,RF优化选项与广泛的ASIC设计服务和IP结合在一起。这些专用解决方案满足了客户多种多样的5G需求,支持广泛的功能——从超低能量传感器,到具有持久电池寿命的超高速器件,再到支持片上存储器的更高集成度。 5G RF和毫米波收发器及基带处理:无论是针对5G sub-6GHz应用还是针对新的5G毫米波频段,格芯类型多样的CMOS技术(FinFET、FD-SOI和更成熟的体硅CMOS技术)都优化了RF和毫米波产品,使我们的客户能够作出关于成本、功耗和性能的最佳设计权衡。格芯FD-SOI技术(22FDX和12FDX)是真正差异化的CMOS平台,可为任何RF或毫米波收发器提供最低功耗的解决方案。此外,FDX非常适合解决5G标准的另一部分需求——大规模IoT网络。格芯的优化解决方案为客户提供一种灵活且经济高效的方法,以将RF和毫米波收发器与基带调制解调器或数字“校准”处理集成起来,适合5G手机和基站、NB-IoT解决方案及其他高性能应用。 5G毫米波前端模块:格芯RF-SOI和SiGe解决方案(130nm-45nm)为集成开关、低噪声放大器和功率放大器的FEM提供最佳的性能、集成度与功效组合。对于某些应用,例如5G毫米波手机和小型基站,格芯22FDX毫米波优化方案使得将FEM和收发器集成到单个芯片成为可能,这在成本、功耗和尺寸方面有着显著的优势。格芯毫米波解决方案旨在服务于从sub-6 GHz到毫米波频段的应用。 先进应用处理:格芯基于先进CMOS FinFET的工艺技术为下一代智能手机处理器、低延时网络和大规模MIMO网络提供最佳的性能、集成度与功效组合。格芯现在提供先进的CMOS解决方案。 5G无线基站的定制设计:格芯专用集成电路(ASIC)设计系统(FX-14和FX-7)通过支持高速SerDes上的无线基础架构协议来实现优化的5G解决方案(功能模块)——集成先进封装、单片ADC/DAC和可编程逻辑的解决方案。 在帮助下一代网络提供用户与设备之间的“零距离连接”方面,5G无疑将发挥无可替代的作用,让人们得以充分利用云端的处理能力和边缘到边缘连接。随着5G需求的加速增长,格芯将继续与合作伙伴合作,提供让我们的客户在激烈竞争中胜出的解决方案。请继续关注我们在未来一年持续发布的5G技术解决方案最新细节。
Rückblick auf 2017: GF macht einen Unterschied Januar 5, 2018GF hat eine globale Präsenz und damit auch eine Verantwortung für unsere lokalen Gemeinschaften. Mit dem Programm GlobalGives bietet das Unternehmen seinen Mitarbeitenden die Möglichkeit, sich in ihren lokalen Gemeinschaften in den Bereichen Bildung, Philanthropie und Umwelt zu engagieren. Im Jahr 2017 haben unsere Mitarbeiter in vielerlei Hinsicht einen Unterschied gemacht, indem sie ihre Zeit, ihr Geld und ihre Güter gespendet haben. Im Folgenden finden Sie einige Beispiele für die wunderbaren Programme und Veranstaltungen, die unsere Mitarbeiter 2017 unterstützt haben. Hilfe für die Opfer von Katastrophen (GF WW) GF hat in diesem Jahr eine Reihe globaler Kampagnen gestartet, um den Opfern einer Reihe von Naturkatastrophen zu helfen, die auf der ganzen Welt große Schäden und Verwüstungen angerichtet haben. Dazu gehörten die Wirbelstürme Matthew, Irma und Maria, Überschwemmungen in Südasien, ein Erdbeben in Mexiko, Waldbrände in Kalifornien und ein Erdbeben im Iran/Irak. Die Resonanz des GF-Teams war enorm, und es konnten wertvolle Spenden für alle Zwecke gesammelt werden, in einigen Fällen sogar in gleicher Höhe wie die Spenden des Unternehmens. Während sich die Soforthilfe auf die Versorgung der Opfer mit Medikamenten, Lebensmitteln, Wasser und anderen wichtigen Dingen konzentrierte, werden die Menschen in den am stärksten betroffenen Gebieten in den kommenden Monaten noch mehr Unterstützung benötigen, um ihre Häuser und Gemeinden wieder aufzubauen. Burlington Food Drive (Vermont) Fab 9 in Burlington, Vermont, hat ihre jährliche Lebensmittelsammlung durchgeführt und dabei 4.817 Pfund oder fast 2,5 Tonnen Lebensmittel gesammelt, die in den umliegenden Gemeinden einen großen Beitrag leisten werden. In Verbindung mit der Aktion veranstaltete der Standort seinen jährlichen Lebensmittelskulpturen-Wettbewerb, bei dem Teams von Freiwilligen die Spenden in unglaubliche, kreative "Lebensmittelskulpturen" verwandelten. Dank der Hilfe von GF's 971 Dock, das die Aktion durch das Lagern, Wiegen und Transportieren der Lebensmittel unterstützte, erhielten verschiedene Hilfsorganisationen in der Region Kisten mit Lebensmitteln und anderen notwendigen Gütern. Zu den weiteren Veranstaltungen in Burlington gehörten eine Wintersammelaktion, ein Fahrradbauwettbewerb (zugunsten einer lokalen Wohltätigkeitsorganisation) und eine Benevity-Schulung. Toys for Tots Aktion/Haus der offenen Tür (New York) Fab 8 in Malta, New York, veranstaltete seine jährliche "Toys for Tots"-Aktion, bei der Mitarbeiter und Gemeindemitglieder die Möglichkeit hatten, bedürftigen Kindern in der Hauptstadtregion über die Feiertage zu helfen. Die örtlichen Veteranen begannen mit dem Sammeln von Spenden beim Tag der offenen Tür von Fab 8. Im Rahmen der Veranstaltung überreichte GF auch Schecks mit Geldern, die durch unser Titelsponsoring des Malta 5K-Laufs gesammelt wurden, an zahlreiche kommunale Organisationen. Die Veranstaltung gipfelte in einer Scheckübergabe an fast ein Dutzend FIRSTⒸ-Robotik-Teams und New York Tech Valley (NYTV) FIRSTⒸ-Partner, die Empfänger der NYTV FIRSTⒸ-Zuschüsse für 2018 sind. Im Jahr 2017 spendete der Standort Malta außerdem der Ballston Spa High School Ausrüstung im Wert von rund 3.000 USD für ein neues Virtual-Reality-Labor. Haare für die Hoffnung (Singapur) Der Standort Singapur veranstaltete seine jährliche "Hair for Hope"-Spendenaktion, um Spenden für die Children's Cancer Foundation zu sammeln und das Bewusstsein für Kinderkrebs zu fördern. Insgesamt 68 Mitarbeitende von GF liessen sich am Standort Singapur die Haare rasieren und sammelten so bis heute insgesamt 116.290,00 US-Dollar. Die Mitarbeiter des Standorts Singapur unterstützten auch das Programm "Boy's Brigade Give-A-Gift Wishes" und verteilten 815 Geschenke an verschiedene Wohltätigkeitsorganisationen. Weihnachts-Freiwilligenprojekt (Deutschland) Fab 1 in Dresden sammelte Geschenke für 50 Kinder und Jugendliche der Wohlfahrtsorganisation Louisenstift gGmbH. Die sechs Gruppen von Kindern aus benachteiligten Familien sind zwischen 3 und 17 Jahren alt. Viele von ihnen werden das Weihnachtsfest nicht mit ihren Familien feiern können. Außerdem spendeten die Mitarbeiter an zwei gemeinnützige Organisationen: Die Treberhilfe Dresden e.V., die Jugendliche und junge Erwachsene ohne Wohnung und Einkommen unterstützt, und INTERPLAST Deutschland e.V., eine Gruppe von Chirurgen und Krankenschwestern aus Sachsen, die in ihrer Urlaubszeit kostenlos Patienten in Tansania (Afrika) operieren. ALS Walk/Treat the Troops Programm (New York) Das Fab 10-Team in East Fishkill, N.Y., nahm am jährlichen Hudson Valley ALS Walk auf dem Walkway Over the Hudson teil. Mit den gesammelten Geldern werden Menschen unterstützt, die in der örtlichen Gemeinde mit ALS leben, und es wird dazu beigetragen, die weltweite ALS-Forschung und politische Initiativen voranzutreiben, die darauf abzielen, Behandlungen und ein Heilmittel für die Krankheit zu finden. Im Rahmen des Treat the Troops "-Programms sammelten die Mitarbeitenden von GF zusammen mit IBM mehr als 16'000 Süssigkeiten. Die Mitarbeitenden von GF brachten die Süssigkeiten, darunter Kekse, Bonbons, Müsli, Kekse, Chips und Popcorn sowie Getränkemischungen und Karten, zu einer Sammelstelle am IBM-Standort in Poughkeepsie. Insgesamt wurden 211 gepackte Kartons an unsere Männer und Frauen im Einsatz verschickt! Don Edwards San Francisco Bay Refuge (Kalifornien) Mitarbeiter des GF-Standorts Santa Clara sponserten einen Tag der freiwilligen Mitarbeit im Don Edwards San Francisco Bay Refuge in Alviso, nur 10 Minuten vom Campus entfernt. Neunzehn Mitarbeiter arbeiteten ehrenamtlich und verbrachten etwa zwei Stunden damit, Unkraut zu jäten, zu pflanzen, Müll aufzusammeln und ähnliches, um die natürliche Schönheit dieses örtlichen Kleinods zu erhalten. Insgesamt sammelten die GF-Freiwilligen etwas mehr als 27 Pfund Müll ein. Zu den weiteren gemeinnützigen Aktivitäten am Standort Santa Clara gehörten 2017 eine Lebensmittelsammlung zugunsten der Redwood Empire Food Bank, eine Schulanfangsaktion und ein Family Giving Tree Holiday Wish Drive. Austin Food Drive (Texas) Mitarbeitende des GF-Standorts in Austin nahmen an der Lebensmittel- und Spendenaktion 2017 zugunsten der Central Texas Food Bank teil. Insgesamt spendeten die Mitarbeitenden von GF 142 Pfund an Lebensmitteln (gut für 113 gesunde Mahlzeiten!). Die Central Texas Food Bank kümmert sich auf dreierlei Weise um die ungedeckten Bedürfnisse der Menschen in Zentraltexas: Sie gibt kostenlose Lebensmittel und ihr Wissen über kostengünstige, gesunde Ernährung an bedürftige Familien weiter, unterstützt Familien, die sich für staatliche Hilfsprogramme qualifizieren, und macht Lebensmittel für karitative und staatliche Partner erschwinglich. Sri Channabasaveshwara Gov't School/Kidwai Memorial Institute of Oncology (Indien) In diesem Jahr spendete die GF-Niederlassung in Bangalore der Sri Channabasaveshwara Government School in Bellary, Karnataka, einen Projektor und Computer, damit die Schüler am "intelligenten" Unterricht teilnehmen können. Die Schule hat etwa 200 Schüler in der Primarstufe und 200 Schüler in der Sekundarstufe. Die Schule verfügt über qualifizierte und engagierte Lehrkräfte, die sich neben den akademischen Fächern auch auf die allgemeine Entwicklung der Kinder und ausserschulische Aktivitäten wie den eigenen ökologischen Gartenbau, Sport und kulturelle Veranstaltungen konzentrieren. GF hat auch einen Projektor gespendet, um in Zusammenarbeit mit dem Kidwai Memorial Institute of Oncology, einem bekannten, umfassenden regionalen Zentrum für Krebsforschung und -behandlung, das hochentwickelte Diagnose- und Behandlungsdienste in Indien anbietet, Krebsaufklärungscamps in ländlichen Gebieten zu unterstützen. Als Unternehmen engagiert sich GF weiterhin für die Gemeinden, in denen wir arbeiten. Über GlobalGives haben die Mitarbeitenden Zugang zu mehr als zwei Millionen gemeinnützigen Organisationen, um einen breiteren Spendenprozess zu ermöglichen und die Möglichkeit zu haben, durch die Unterstützung unserer Gemeinschaften Empathie zu fördern. Die Mitarbeitenden von GF auf der ganzen Welt sind stolz darauf, sich für ihre Gemeinden einzusetzen, und wir alle freuen uns auf ein großartiges Jahr 2018.
nvNITRO beschleunigt das Geschäft Dezember 7, 2017 von: Pat Patla Der Informationsbedarf steigt dramatisch an, da die digitale Transformation und andere Geschäftstrends die Notwendigkeit einer Echtzeit-Entscheidungsfindung mit sich bringen. Das Sammeln, Übertragen und Speichern von Daten, die zur Gewinnung von Geschäftserkenntnissen beitragen, stellt Unternehmen vor große Herausforderungen, da sie sich mit der Optimierung des zunehmenden Datenflusses auseinandersetzen müssen. Nirgendwo fordert dies mehr Tribut von den traditionellen Systemen als bei der Speicherung, wo sowohl das Volumen als auch die kritische Natur der Informationen rasche Veränderungen in der Art und Weise, wie Daten gehandhabt und geordnet werden, erfordern. Die Speicherung ist der Engpass der meisten Umgebungen und gleichzeitig die wichtigste Komponente jeder Anwendung. Everspin hat seine nvNITRO™-Technologie entwickelt, um dem wachsenden Bedarf an schnellerer und dauerhafterer Speicherung gerecht zu werden. Basierend auf magnetoresistivem Direktzugriffsspeicher (MRAM), der von GLOBALFOUNDRIES hergestellt wird, bringt nvNITRO sowohl hohe Leistung als auch Beständigkeit in die Datenspeicherung und ermöglicht so eine neue Generation der Anwendungsleistung. Vor kurzem haben wir die Leistungsfähigkeit von nvNITRO auf der Supercomputing 17, der weltweiten Veranstaltung für Hochleistungsrechnen, vorgestellt. In einer Demonstration mit SMART Modular Technologies war die NVMe-Beschleunigerkarte von SMART in der Lage, eine hohe Leistung bei extrem niedriger Latenzzeit zu erzielen. Die Demo zeigte einen NVMe-Beschleuniger, der als Front-End-Puffer für eine Unternehmens-SSD fungiert. Während SSDs heute Unternehmen verändern und alle Flash-Arrays aufgrund ihrer Leistungsvorteile gegenüber rotierenden Medien an Beliebtheit gewinnen, kann NAND-Speicher immer noch nicht mit der hohen Geschwindigkeit und der geringen Latenz von MRAM mithalten. Die Transaktionsverarbeitung ist nur einer der Bereiche, in denen wir Chancen für MRAM sehen. In diesen Umgebungen erfordern viele Systeme zur Gewährleistung der Integrität und Konformität von Transaktionen eine Protokollierung oder Aufzeichnung jeder Transaktion vor Beginn der nächsten neuen Transaktion. Diese Anwendungen - wie Bankwesen, Zahlungsverarbeitung, Aktienhandel, E-Commerce, Lieferkette oder ERP/CRM - können alle von der nvNITRO-Technologie profitieren. Wenn der Nachrichtenverkehr zunimmt, kann diese zusätzliche Protokollierung zu einem Engpass werden, wenn sie nicht schnell und effizient erfolgt. Mit einem MRAM-Speicherbeschleuniger als Front-End zu einer SSD kann die Transaktionsprotokollierung in einem Bruchteil der Zeit erfolgen, die mit einer SSD benötigt wird. Die geringere Latenzzeit von MRAM bedeutet, dass diese Protokolle schneller geschrieben werden können, wodurch das System ohne Verzögerung mit der nächsten Transaktion beginnen kann. Die 9-fache Reduzierung der Latenzzeit von nvNITRO durch die Verwendung von MRAM bedeutet, dass mehr Transaktionen pro Sekunde aufgezeichnet werden können, was das Potenzial für einen höheren Gesamtdurchsatz der Anwendung bietet. Ein weiterer wichtiger Vorteil von MRAM ist die Fähigkeit, den Zustand der Daten aufrechtzuerhalten, ohne dass Batterien oder Superkondensatoren benötigt werden. Für diese Unternehmen stellt das Schreiben riesiger Transaktionsmengen neben der Geschwindigkeit noch eine zweite Herausforderung dar - die Aufrechterhaltung der Daten unabhängig vom Zustand des zugrunde liegenden Systems. Wenn ein System die Stromversorgung verliert oder unterbrochen wird, können Transaktionen, die gerade geschrieben oder protokolliert werden, verloren gehen, weil der Standard-DRAM-Speicher nicht persistent ist und der NAND-Speicher in SSDs nicht schnell genug schreiben kann, um alle Daten zu erfassen, bevor die Stromversorgung unterbrochen wird. Dank der Beständigkeit von MRAM können diese Daten schneller geschrieben werden, wodurch die im Puffer gespeicherten Daten reduziert werden. Wenn das System neu gestartet werden muss, sind diese Daten bei der Initialisierung immer noch im MRAM vorhanden. In einer Welt, in der die Aufsichtsbehörden jede Transaktion prüfen und ein Finanzunternehmen unter Umständen seine Transaktionen "nachspielen" muss, ist es von unschätzbarem Wert, sicherzustellen, dass alles beim ersten Mal korrekt protokolliert wurde. Diese Art von Schutz geht über den bloßen Schutz der Daten hinaus; an diesem Punkt schützt sie tatsächlich das Unternehmen. Die Supercomputing-Messe war gut besucht, und wir haben uns über die Begeisterung gefreut, die unsere Demo ausgelöst hat. Technologie wie MRAM kann eine großartige Grundlage für viele zukünftige Plattformen werden. Die Möglichkeit, die nvNITRO-Technologie über eine Vielzahl von Schnittstellen in Speicherlösungen zu integrieren - direkt als PCIe- oder U.2-Gerät, integriert in das Gehäuse oder direkt in die Systemplatinen - bedeutet, dass es eine große Vielfalt an Implementierungen gibt, die den spezifischen Anforderungen entsprechen. Diskussionen über nvNITRO beginnen immer mit dem spezifischen Anwendungsfall, der gezeigt wird, aber letztendlich wird daraus "Hey, könntest du...?". Und genau da wird es interessant. Neben dem STT-MRAM, das wir in der nvNITRO-Demo gezeigt haben, ist STT-MRAM auch als eingebettetes MRAM (eMRAM) über GF für Anwendungen erhältlich, die die Persistenz, Haltbarkeit und Schreibleistung benötigen, die eingebetteter Flash (eFlash) nicht bieten kann. Mit dem Wachstum in Bereichen wie Drohnen, IoT und autonomen Fahrzeugen wird der Wert der direkten Einbettung von MRAM in Designs steigen. Die heutigen nvNITRO-Lösungen basieren auf der Everspin 40nm STT-MRAM-Technologie, die von unserem Partner GF hergestellt wird. Zusätzlich bietet GF jetzt Prozessdesign-Kits für 22FDX eMRAM an. GF erwartet, dass Kunden im ersten Quartal 2018 mit dem Prototyping von MRAM auf Multiprojekt-Wafern (MPWs) beginnen werden. Wir sehen heute die unmittelbare Chance in der Beschleunigung der Speicherung massiver Datenströme. Diese großen Mengen an Telemetriedaten müssen effizient verarbeitet werden, und zwar auf eine Weise, die sowohl eine schnelle Erfassung als auch eine langfristige Speicherung gewährleistet. Aber wenn MRAM und eMRAM weiter an Marktdynamik gewinnen (und herkömmliche Speicherprodukte verdrängen) und die Formfaktoren schrumpfen, werden sich uns noch größere Möglichkeiten bieten. Heute beschleunigen wir den Teil der Gleichung, der sich auf die Back-End-Speicherung und -Verarbeitung bezieht, aber es ist nicht weit hergeholt, dass MRAM und eMRAM möglicherweise in die Front-End- und Edge-Geräte integriert werden, die diese Daten erzeugen - und genau hier werden die Dinge noch interessanter. Wenn die Supercomputing 17 ein Hinweis darauf war, dass die Zukunft für MRAM vielversprechend ist. Über den Autor Pat Patla Pat Patla ist der Senior Vice President für Marketing bei Everspin. Er ist verantwortlich für die strategische Ausrichtung von Everspin und leitet die Marketingbemühungen, um das Wachstum in unserem gesamten Unternehmen voranzutreiben. Dazu gehören Produktpläne und die Entwicklung und Umsetzung globaler Marketingstrategien, die die Führungsposition des Unternehmens festigen. Bevor er zu Everspin kam, war Pat Senior VP und General Manager bei KNUPATH, einem privaten Halbleiterunternehmen, wo er für die Entwicklung von Produktstrategien im Bereich des maschinellen Lernens verantwortlich war. Darüber hinaus hatte er mehrere leitende Positionen inne, darunter VP of Server Business Marketing bei Samsung und VP und GM der Server and Embedded Division von Advanced Micro Devices. Pat leitete auch die Einführung von PowerEdge-Servern bei Dell, Inc. und erreichte den größten Marktanteil bei Multi-Socket-Servern. Pat hat einen Bachelor of Science in Marketingmanagement von der DePaul University, Chicago, Illinois.