Innovation durch kurze Entwicklungszyklen: Beschleunigung der GaN-Einführung durch durchgängiges Design und Validierung
Jedes wichtige Halbleitermaterial hat denselben Entwicklungsprozess durchlaufen, bevor es den Massenmarkt erreichte: angefangen bei der ersten Entwicklung, gefolgt von einer schrittweisen Weiterentwicklung und schließlich dem Einsatz. Zuerst war es Silizium, dann Galliumarsenid (GaAs) und Siliziumgermanium (SiGe), und nun durchlaufen Materialien mit großer Bandlücke denselben Weg. Heute macht Galliumnitrid (GaN) diesen Schritt in der Elektrotechnik…