GLOBALFOUNDRIES bringt Embedded MRAM auf 22FDX®-Plattform auf den Markt September 15, 2016Leistungsstarke eingebettete nichtflüchtige Speicherlösung eignet sich ideal für neue Anwendungen im modernen IoT und in der Automobilindustrie Santa Clara, Kalifornien, 15. September 2016 - GLOBALFOUNDRIES hat heute eine skalierbare, eingebettete magnetoresistive nichtflüchtige Speichertechnologie (eMRAM) auf seiner 22FDX-Plattform vorgestellt, die Systementwicklern Zugang zu 1.000-mal schnelleren Schreibgeschwindigkeiten und 1.000-mal längerer Lebensdauer als die heutigen nichtflüchtigen Speicher (NVM) bietet. Der 22FDX eMRAM ist außerdem in der Lage, Daten bei 260°C Reflow-Lötung und bei industriellen Temperaturen zu speichern und dabei eine branchenführende eMRAM-Bitzellengröße beizubehalten. Das eMRAM von GF wird zunächst auf der 22FDX-Plattform angeboten, die auf der branchenweit ersten 22-nm-FD-SOI-Technologie (Full-Depleted Silicon-on-Insulator) basiert. Diese vielseitige eMRAM-Technologie ist sowohl für die Codespeicherung (Flash) als auch für den Arbeitsspeicher (SRAM) konzipiert und ermöglicht so hocheffiziente Speicher-Subsysteme, die ohne Energie- oder Leistungseinbußen mit Strom versorgt werden können. Die Energieeffizienz von FDX™ und eMRAM in Verbindung mit der verfügbaren RF-Konnektivitäts-IP macht den 22FDX zu einer idealen Plattform für batteriebetriebene IoT-Produkte und Automotive-MCUs. "Kunden sind auf der Suche nach einer leistungsstarken nichtflüchtigen Speicherlösung, die ihre Produktmöglichkeiten erweitert", so Gregg Bartlett, Senior Vice President CMOS Platforms Business Unit, GF. "Mit der Einführung von 22FDX eMRAM bieten wir Systementwicklern neue Möglichkeiten, um ihre MCUs und SoCs mit mehr Funktionen auszustatten und gleichzeitig die Leistung und Energieeffizienz zu verbessern. Das Aufkommen autonomer Fahrzeuge führt zu einem raschen Anstieg der On-Chip-Speicherkapazitäten, die für die Echtzeit-Vision-Verarbeitung, hochpräzise, kontinuierliche 3D-Mapping-Daten und MCUs der nächsten Generation, die Over-the-Air aktualisiert werden, erforderlich sind. Der eMRAM von GF erfüllt diese Anforderungen an fortschrittliche Fahrassistenzsysteme (ADAS) auf einzigartige Weise, indem er eine höhere Speicherdichte als SRAM mit der schnellen Schreibfähigkeit, der sehr hohen Ausdauer und der Unveränderlichkeit kombiniert, die nur magnetoresistive Speicher bieten können. "Neuartige nichtflüchtige Speicher werden vom Labor in die Fertigung verlagert", so Thomas Coughlin, Präsident von Coughlin Associates. "Der 22FDX eMRAM von GF bietet einen bedeutenden Fortschritt bei den SoC-Fähigkeiten, indem er die wichtigsten Leistungsmerkmale von Embedded MRAM nutzt. Entwickler von batteriebetriebenen IoT-Geräten, MCUs und SoCs für den Automobilbereich sowie von SSD-Speicher-Controllern werden diese vielseitige Embedded-NVM-Technologie sicherlich nutzen wollen." Die Einführung des 22FDX eMRAM von GF ist das Ergebnis der mehrjährigen Partnerschaft des Unternehmens mit dem MRAM-Pionier Everspin Technologies. Im Rahmen dieser Partnerschaft wurde bereits im August 2016 das weltweit dichteste ST-MRAM geliefert - Everspins 256-MB-DDR3-Produkt mit perpendikulärem magnetischem Tunnelübergang (pMTJ), das nun erfolgreich bemustert und bei GF für die Massenproduktion vorbereitet wird. Das 22FDX eMRAM von GF befindet sich derzeit in der Entwicklung und wird voraussichtlich 2017 für Kundenprototypen und 2018 für die Serienproduktion verfügbar sein. Die eMRAM-Technologie von GF ist über 22nm hinaus skalierbar und wird voraussichtlich sowohl auf FinFET- als auch auf zukünftigen FDX-Plattformen verfügbar sein. Über GF GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den USA, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakt:Erica McGillGF(518) 305-5978[email protected]
Synopsys公司加入格芯的FDXcelerator合作伙伴计划,以实现使用FD-SOI过程的创新设计 September 9, 2016MOUNTAIN VIEWKalifornien, und SANTA CLARA, Kalifornien., Sept. 8, 2016 /PRNewswire/ - Synopsys, Inc. (Nasdaq: SNPS) und GLOBALFOUNDRIES gaben heute bekannt, dass Synopsys dem foundry's FDXcelerator™ Partner Program beigetreten ist, einem Ökosystem, das 22FDX™ System-on-Chip (SoC) Designs erleichtern soll. Dieses Programm ermöglicht es Entwicklern, die umfassende RTL-to-GSDII-Lösung von Synopsys mit überlegenen Energie- und Leistungsmetriken für FDX-basierte Designs einzusetzen. Die Zusammenarbeit beschleunigt die Entwicklung innovativer Produkte in Anwendungen, die Systeme für intelligente Kunden, 5G-Konnektivität, Augmented und Virtual Reality sowie Automotive umfassen.
Synopsys tritt GLOBALFOUNDRIES FDXcelerator Partnerprogramm bei, um innovative Designs mit dem FD-SOI-Prozess zu ermöglichen September 9, 2016Programm verschafft Synopsys Zugang zu GLOBALFOUNDRIES FDX-Portfolio und stellt Kunden Werkzeuge zur Verfügung, die die differenzierten Eigenschaften von FD-SOI unterstützen MOUNTAIN VIEW, Kalifornien und SANTA CLARA, Kalifornien, 8. September 2016 /PRNewswire/ - Synopsys, Inc. (Nasdaq: SNPS) und GLOBALFOUNDRIES gaben heute bekannt, dass Synopsys dem FDXcelerator™ Partnerprogramm von foundrybeigetreten ist, einem Ökosystem, das 22FDX™ System-on-Chip (SoC)-Designs erleichtern soll. Dieses Programm ermöglicht es Entwicklern, die umfassende RTL-to-GSDII-Lösung von Synopsys mit überlegenen Energie- und Leistungsmetriken für FDX-basierte Designs einzusetzen. Die Zusammenarbeit beschleunigt die Entwicklung innovativer Produkte in Anwendungen, die Systeme für intelligente Kunden, 5G-Konnektivität, Augmented und Virtual Reality sowie Automotive umfassen.
格芯使用12nm FD-SOI技术扩展FDX™路线图 September 8, 20162016年9月8日 12FDX™可根据需要提供全节点扩展,超低功耗和性能 加利福尼亚州圣克拉拉市 2006年9月29日 格芯今天公布了新的12nm FD-SOI半导体技术,通过提供业界首个多节点FD-SOI线路图,扩展了其领先地位。基于其22FDX®产品的成功,该公司的下一代12FDX™平台旨在实现包括移动计算,5G连联接,人工智能和自主车辆的各种应用的未来智能系统。 这个世界正在被数万亿的设备连接起来,这种趋势使得这个世界更加的集成化,同时许多新兴的应用需要采用新的半导体创新方法来实现。使这些应用成为现实,芯片正在发展成为微型系统。同时,这些微型系统中集成了超低功耗智能组件,包括无线连接,非易失性存储器和电源管理。 格芯的全新12FDX技术专门用于提供前所未有的系统集成度,以及设计灵活性和功率扩展。 12FDX为系统集成设定了新的标准,同时也提供了一个优化平台,把射频(RF),模拟,嵌入式存储器和高级逻辑集成到单个芯片上。通过使用软件控制的晶体管,该技术可以提供业界最广泛的动态电压调整和无与伦比的设计灵活性。同时,能够及时提供峰值性能,并且可以平衡静态和动态功率以实现最终的能源效率。 “某些应用需要FinFET晶体管的卓越性能,但绝大多数连接设备则需要高水平的集成度,以及在性能和功耗上的灵活性。在这些方面,FinFET是无法实现的”,格芯的首席执行官Sanjay Jha说。 “我们的22FDX和12FDX技术通过为下一代连接的智能系统提供替代途径,填补了行业路线图的空白。通过我们的FDX平台,设计成本明显降低。同时,也重新开启了高级节点迁移的门户,从而激发了整个生态系统的创新。“ 格芯的新型12FDX技术建立在12nm全耗尽绝缘体(FD-SOI)平台上,能够实现10nm FinFET的性能,同时具有比16nm FinFET更少的功耗和更低的成本。该平台提供了全节点的扩展能力,相比现今的FinFET技术,提供15%的性能提升,并节省达50%的功耗。 “芯片制造业已不再是一体化的。虽然FinFET是最高性能产品的首选技术,但是对于许多追求性价比的移动产品和物联网产品,其行业产品路线图并不是太清晰。这些产品需要尽可能低的功耗,同时能有足够快的频率。”Linley Group的创始人兼首席分析师Linley Gwennap表示, “格芯的22FDX和12FDX技术已经很好地弥补了这一空白,为先进的节点设计提供了一个替代的迁移路径,特别是针对那些在不增加裸片成本的情况下寻求降低功耗的方案。今天,格芯是22nm及以下FD-SOI唯一的供应商,这一点能让格芯显得独一无二。” “当GF推出22FDX以来,我看到一些全新的功能。” VLSI研究公司董事长兼首席执行官G. Dan Hutcheson表示,“需要特殊化设计的人们无法忽视电力和性能的动态平衡。 现在,凭借其全新的12FDX产品,格芯正在为此技术提供明确的承诺,特别是对于目前市场上最具突破性创新的物联网和汽车。 格芯的FD-SOI技术将成为这一突破性创新的关键因素。” IBS公司创始人兼首席执行官Handel Jones表示:“FD-SOI技术可以为那些需要特殊化设计的用户提供功率,性能和成本的动态平衡。”格芯的全新12FDX产品提供了业界首个FD-SOI的产品规划,这样就能将低成本的迁移路径提供给智能客户端,5G,AR / VR,和汽车等领域。 格芯在德国德累斯顿的Fab 1晶圆厂目前正在为12FDX的发展和后续制造准备进行准备。第一批为客户生产的产品预计将于2019年上半年开始生产。 “我们对于格芯12FDX产品的推出感到非常兴奋,并希望这样的产品能提供给中国的客户。”中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长的王曦院士说,“扩展FD-SOI产品路线图将使移动,物联网和汽车等市场的客户能够利用FDX技术的功耗优势和性能优势来创造有竞争力的产品。” “NXP半导体公司的的下一代i.MX多媒体应用处理器正在利用FD-SOI的优势,实现在汽车,工业和消费应用领域的功效方面和随时进行调整能力的领先地位。” NXP半导体公司应用处理器产品线的的副总裁Ron Martino表示, “格芯的12FDX技术是对整个行业的一个巨大贡献,因为它为FD-SOI提供了下一代节点,并且将进一步扩展平面设备的能力,为未来智能、联通的安全系统提供更低的风险,更广泛的动态范围和高的性价比。” “在INVECAS,我们的授权是向格芯客户提供无与伦比的IP解决方案,ASIC,设计服务以及软件和系统级专业知识,从而确保他们充分利用技术来降低设计的复杂性和时间门槛。” INVECAS首席执行官Dasaradha Gude说, “基于我们已经为22FDX完成的工作,我们期待扩大我们的战略关系,以支持格芯的新型12FDX技术,为客户提供创新的FD-SOI设计的路线图。” “VeriSilicon作为FD-SOI设计推动者之一,充分地利用了其硅平台服务(SiPaaS)以及为SoC提供一流的IP和设计服务的经验。” VeriSilicon的总裁兼首席执行官Wayne Dai说, “FD-SOI技术的独特优势能使我们在汽车,物联网,移动和消费市场脱颖而出。我们期待与格芯扩大其在12FDX产品线上的合作,并为中国市场的客户提供高质量,低功耗和高性价比的解决方案。” “12FDX开发将在功率,性能和智能扩展方面获得更大的突破,因为12nm最适合双重刻印复写,并以最低的制程复杂度提供最佳的系统性能和功耗表现。”CEA技术研究所Leti首席执行官Marie Semeria表示,“我们很高兴看到莱迪团队与格芯在美国和德国的合作结果,扩展了FD-SOI技术的路线图,这将成为连接设备的全系统芯片集成的最佳平台。” “我们非常高兴看到22FDX产品在无晶圆厂客户圈内的强劲势头,它得到了广泛的采用。现在,这款新的12FDX产品将进一步扩大FD-SOI市场的应用。”Soitec首席执行官Paul Boudre表示, “在Soitec,我们已经准备好支持格芯,从22nm到12nm的高容量,高质量的FD-SOI衬底。这对于我们的行业来说是一个惊人的机会,可以及时支持大量新的移动和连接应用程序。” 关于格芯 GF是世界上第一个具有真正意义上足迹遍布全球的全方位服务晶圆制造商。该公司于2009年3月成名,并迅速实现了规模化,成为世界最大的晶圆生产商之一,为250多个客户提供先进技术和独特制造的组合。格芯在新加坡,德国和美国经营,是唯一提供跨越全球三大洲的制造中心,并提供的足够灵活性和高度安全性的代工厂。该公司的300mm晶圆厂和200mm晶圆厂提供从主流到前沿的全系列制程技术。格芯的制造业务遍及全球,而格芯位于美国,欧洲和亚洲的半导体业务中心的大量的研发和设计实现人员为格芯的全球制造业务提供全面的支持。格芯由Mubadala Development Company拥有。欲了解更多信息,请访问https://www.globalfoundries.com。 联系人: Jason Gorss 电话:(518)698-7765 [email protected]
格芯公布生态系统合作伙伴计划,加速未来互联系统的创新 September 8, 2016 FDXcelerator™合作伙伴计划扩展了生态系统,并促进了格芯的FDX™产品组合的更快更广泛的部署 加利福尼亚州圣克拉拉市 2016年9月8日 格芯今天宣布推出新的合作伙伴计划FDXcelerator™,这是一个旨在促进22FDX®片上系统(SoC)设计的生态系统,该系统可以缩短客户的产品上市时间。 随着近期公布的下一代12FDX™技术,FDXcelerator合作伙伴计划基于格芯在行业首创的FD-SOI路线图,为进行先进节点设计的客户提供了较低的成本迁移途径。 参与格芯和FDXcelerator合作伙伴解决方案,客户将能够构建创新的22FDX SoC解决方案,并轻松从40nm和28nm等传统节点迁移到FD-SOI。初期的FDXcelerator合作伙伴已经为该计划提供了一系列重要的产品,其中包括: · 工具(EDA)可以添加特定的模块来轻松地利用FDSOI偏差的差异化功能来补足行业领先的设计流程 · 一个全面的设计元素库(IP),包括基础知识产权,接口和复杂的IP。这样的元素设计库(IP)可以使铸造厂客户能够从验证的IP元素开始设计 · 平台(ASIC)允许客户在22FDX上构建完整的ASIC产品 · 参考解决方案(参考设计和系统IP)。合作伙伴在新兴应用领域提供系统级专业知识,使客户能够加快其产品的上市时间 · 资源(设计咨询和服务)。合作伙伴接受了专门的培训用以支持22FDX技术 · 产品包装和测试(OSAT)解决方案 格芯的产品管理高级副总裁Alain Mutricy说:“以22FDX作为建立差异化,高度集成的系统的平台越来越成为一种行业趋势。现在是加强行业合作的好时机,使我们的客户能更快的接受和采用22FDX。 FDXcelerator将通过为真正创新的FDX定制解决方案和服务创造市场,扩展FD-SOI生态系统的覆盖范围。 FDXcelerator合作伙伴计划创建一个开放框架,允许选定的合作伙伴将其产品或服务集成到经过验证的即插即用设计解决方案目录中。这种集成度允许客户创建高性能设计,同时通过接触特定于22FDX技术的广泛的优质产品,最大限度地减少开发成本。合作伙伴生态系统使其成员和客户能够利用FDX市场的广泛使用来加速发展。 随着设计人员利用该过程作为基于Fin-FET的芯片技术的替代品,FD-SOI技术已经越来越多的被设计者使用。该技术以最低的解决方案成本来实现所需要的性能和能耗要求。根据最近的Linley Group微处理器报告,FD-SOI提供了FinFET的替代方案,格芯的FDX技术为那些不太能接受FinFET的成本和复杂性的应用提供了替代的方案。 FDXcelerator合作伙伴计划的初始合作伙伴包括:Synopsys(EDA),Cadence(EDA),INVECAS(IP和设计解决方案),VeriSilicon(ASIC),CEA Leti(服务),Dreamchip(参考解决方案)和Encore Semi(服务)。这些公司已经开始提供先进的22FDX SoC解决方案和服务。更多的FDXcelerator成员将在接下来的几个月内公布。 有兴趣了解FDXcelerator的客户和合作伙伴,请访问www.globalfoundries.com/FDXcelerator 行业寄语 “我们与格芯合作,一起使用FDX技术来为客户开发全面的Cadence FD-SOI。通过格芯的 FDXcelerator合作伙伴计划,我们的共同客户可以在紧凑的市场期限内获得创建高级SoC设计所需的工具和支持。” Custom IC and PCB Group at Cadence高级副总裁兼总经理 Tom Beckley “FD-SOI技术是Dreamchip的战略解决方案推动者,我们很高兴加入FDXcelerator合作伙伴计划。作为初始成员,这一合作将使共同客户能够接触Dreamchip经验证的设计能力。该能力主要专注于汽车ADAS多处理器SoC FDX,系统和嵌入式软件解决方案,这样可以产生具有成本优势的自动驾驶应用。 Dreamchip常务董事兼首席运营官Jens Benndorf博士 “Encore Semi很高兴扩大与格芯的合作,我们非常支持FDXcelerator计划。 FD-SOI技术真正打开了设计创新的大门。 格芯及客户可以依靠Encore Semi的专家为FD-SOI项目带来积极的影响。” Encore Semi总裁兼首席运营官Olivier Lauvray “我们的目的是为格芯客户提供无与伦比的IP解决方案,ASIC和设计服务,以及软件和系统级专业知识,从而确保22FDX客户充分利用技术来降低设计在复杂性和时间安排方面的困难。在我们的战略关系上,我们很荣幸能够成为格芯FDXcelerator计划的初期合作伙伴。该计划是一项突破性的举措,旨在帮助广大客户加速投入量产的过程,并在格芯FDX技术上创建更广泛的解决方案。” INVASAS首席执行官Dasaradha Gude “这种伙伴关系是Leti全球战略的一个关键组成部分。格芯FDXcelerator可以帮助Leti的广大的设计人员利用FD-SOI技术在超低功耗设计中获得显著的优势,同时增加我们各自的客户对于我们技术的使用。 Leti首席执行官Marie Semeria “Synopsys很高兴成为FDXcelerator计划的一部分,作为初始成员,Synopsys和格芯在FDX平台上的合作为共同客户提供了FD-SOI特别的端对端EDA解决方案。这包括对体偏置设计能力无缝支持,同时这种能力也会适应SoC操作与高性能设计的超低功耗操作相结合。很多客户希望通过经验证的Synopsys Galaxy设计平台来开放FDX价值主张,我们也期待着更多的支持这些客户。 Synopsys设计集团产品营销副总裁Bijan Kiani “VeriSilicon为客户提供基于我们一流的IP的定制芯片解决方案。我们的端到端半导体服务不仅可以缩短设计周期,还可以提高质量,降低风险。通过成为FDXcelerator合作伙伴,我们可以获得更加丰富的IP和设计工具,为客户提供最广泛和最具灵活性的22FDX解决方案和设计服务。 VeriSilicon主席,总裁兼首席执行官Wayne Dai 关于格芯 格芯是世界上第一个具有真正意义上足迹遍布全球的全方位服务晶圆制造商。该公司于2009年3月成名,并迅速实现了规模化,成为世界最大的晶圆生产商之一,为250多个客户提供先进技术和独特制造的组合。格芯在新加坡,德国和美国经营,是唯一提供跨越全球三大洲的制造中心,并提供的足够灵活性和高度安全性的代工厂。该公司的300mm晶圆厂和200mm晶圆厂提供从主流到前沿的全系列制程技术。格芯的制造业务遍及全球,而格芯位于美国,欧洲和亚洲的半导体业务中心的大量的研发和设计实现人员为格芯的全球制造业务提供全面的支持。格芯由Mubadala Development Company拥有。欲了解更多信息,请访问https://www.globalfoundries.com。 联系人: Jason Gorss 电话:(518)698-7765 [email protected]
GlobalFoundries stellt Ökosystem-Partnerprogramm zur Beschleunigung von Innovationen für die vernetzten Systeme von morgen vor September 8, 2016 FDXcelerator™-Partnerprogramm erweitert das Ökosystem und fördert eine schnellere und breitere Einführung des FDX™-Portfolios von GF Santa Clara, Kalifornien, 8. September 2016 - GlobalFoundries kündigte heute ein neues Partnerprogramm namens FDXcelerator™ an, ein Ökosystem, das das 22FDX® System-on-Chip (SoC)-Design erleichtern und die Markteinführungszeit für seine Kunden verkürzen soll. Mit der kürzlichen Ankündigung der 12FDX™-Technologie der nächsten Generation baut das FDXcelerator-Partnerprogramm auf der branchenweit ersten FD-SOI-Roadmap von GF auf, die einen kostengünstigeren Migrationspfad für Kunden darstellt, die ein fortschrittliches Node-Design wünschen. Zusammen mit den Lösungen von GF und FDXcelerator-Partnern können Kunden innovative 22FDX-SoC-Lösungen entwickeln und die Migration zu FD-SOI von Bulk-Nodes wie 40nm und 28nm erleichtern. Die ersten FDXcelerator-Partner haben eine Reihe von Schlüsselangeboten für das Programm zugesagt, darunter: Tools (EDA), die die branchenführenden Design-Flows ergänzen, indem sie spezifische Module zur einfachen Nutzung der differenzierten FDSOI-Body-Bias-Funktionen hinzufügen,eine umfassende Bibliothek von Designelementen (IP), einschließlich Basis-IP, Schnittstellen und komplexer IP, die es den Kunden von foundry ermöglicht, ihre Designs mit validierten IP-Elementen zu beginnen,Plattformen (ASIC), die es einem Kunden ermöglichen, ein komplettes ASIC-Angebot auf 22FDX aufzubauen,Referenzlösungen (Referenzdesigns, System-IP), wobei der Partner Fachwissen auf Systemebene in aufstrebenden Anwendungsbereichen einbringt, wodurch die Kunden die Markteinführung beschleunigen können,Ressourcen (Designberatung, Dienstleistungen), wobei die Partner spezielle Ressourcen für die Unterstützung der 22FDX-Technologie ausgebildet haben, und;Produktverpackungs- und Testlösungen (OSAT). "22FDX gewinnt zunehmend an Bedeutung als Plattform der Wahl für die Entwicklung differenzierter, hoch integrierter Systemlösungen", so Alain Mutricy, Senior Vice President of Product Management bei GF. "Jetzt ist es an der Zeit, die Zusammenarbeit mit der Industrie zu intensivieren, damit unsere Kunden die Einführung von 22FDX beschleunigen können. FDXcelerator wird die Reichweite des FD-SOI-Ökosystems durch die Schaffung eines Marktplatzes für wirklich innovative, auf FDX zugeschnittene Lösungen und Dienstleistungen erweitern." Das FDXcelerator-Partnerprogramm schafft ein offenes Rahmenwerk, das es ausgewählten Partnern ermöglicht, ihre Produkte oder Dienstleistungen in einen validierten Plug-and-Play-Katalog von Designlösungen zu integrieren. Dieses Maß an Integration ermöglicht es den Kunden, Hochleistungsdesigns zu erstellen und gleichzeitig die Entwicklungskosten zu minimieren, da sie Zugang zu einer breiten Palette von Qualitätsangeboten haben, die speziell auf die 22FDX-Technologie zugeschnitten sind. Das Partner-Ökosystem versetzt Mitglieder und Kunden in die Lage, von der breiten Akzeptanz und dem beschleunigten Wachstum des FDX-Marktes zu profitieren. Die FD-SOI-Technologie ist auf dem Vormarsch, da Entwickler den Prozess als Alternative zu Fin-FET-basierten Technologien für Chips nutzen, bei denen es auf bedarfsgerechte Leistung und Energieeffizienz bei niedrigsten Lösungskosten ankommt. Laut einem aktuellen Bericht der Linley Group über Mikroprozessoren, FD-SOI bietet Alternative zu FinFETbieten die FDX-Technologien von GF einen alternativen Weg für Anwendungen, die die Kosten und die Komplexität von FinFETs nicht akzeptieren können. Die ersten Partner des FDXcelerator Partnerprogramms sind: Synopsys (EDA), Cadence (EDA), INVECAS (IP und Designlösungen), VeriSilicon (ASIC), CEA Leti (Dienstleistungen), Dreamchip (Referenzlösungen) und Encore Semi (Dienstleistungen). Diese Unternehmen haben bereits damit begonnen, fortschrittliche 22FDX-SoC-Lösungen und -Dienstleistungen anzubieten. Weitere FDXcelerator-Mitglieder werden in den kommenden Monaten bekannt gegeben. Kunden und Partner, die mehr über FDXcelerator erfahren möchten, können dies hier tun. Unterstützende Zitate "Wir haben mit GF zusammengearbeitet, um umfassende Cadence FD-SOI-kompatible Flows für Kunden zu entwickeln, die FDX-Technologien verwenden. Durch das GF FDXcelerator Partnerprogramm haben unsere gemeinsamen Kunden Zugang zu den Werkzeugen und der Unterstützung, die sie benötigen, um fortschrittliche SoC-Designs innerhalb enger Marktfristen zu entwickeln." Tom Beckley, Senior Vice President und General Manager, Custom IC and PCB Group bei Cadence "Die FD-SOI-Technologie ist ein strategischer Lösungsansatz für Dreamchip. Wir sind begeistert, dem FDXcelerator Partnership Program als erstes Mitglied beizutreten. Diese Zusammenarbeit wird es unseren gemeinsamen Kunden ermöglichen, auf die validierten Designfähigkeiten von Dreamchip zuzugreifen, die sich auf FDX-zentrierte Implementierungs-, System- und Embedded-Software-Lösungen für ADAS-Multiprozessor-SoCs im Automobilbereich konzentrieren und der Industrie kosteneffiziente Anwendungen für autonomes Fahren ermöglichen." Dr. Jens Benndorf, Geschäftsführer und COO, Dreamchip "Encore Semi freut sich, seine Zusammenarbeit mit GF auszubauen und die FDXcelerator-Initiative zu unterstützen. Die FD-SOI-Technologie öffnet wirklich die Tür für Design-Innovationen. GF und seine Kunden können sich auf die Experten von Encore Semi verlassen, um ihre FD-SOI-Projekte positiv zu beeinflussen." Olivier Lauvray, Präsident und COO, Encore Semi "Unser Unternehmen hat es sich zur Aufgabe gemacht, GF-Kunden unübertroffene IP-Lösungen, ASIC- und Design-Services sowie Software- und System-Know-how zu bieten. Dadurch stellen wir sicher, dass 22FDX-Kunden das Beste aus der Technologie herausholen und die Hürde der Designkomplexität und des Zeitplans senken. Aufbauend auf unserer strategischen Beziehung fühlen wir uns geehrt, einer der ersten Partner im GF FDXcelerator Program zu sein, einer bahnbrechenden Initiative, die es einem breiteren Kundenkreis ermöglicht, die Time-to-Volume zu beschleunigen und eine breitere Palette von Lösungen auf Basis der GF FDX-Technologien zu entwickeln." Dasaradha Gude, Geschäftsführer, INVECAS "Diese Art der Partnerschaft ist ein wichtiger Bestandteil der globalen Strategie von Leti. Mit dem GF FDXcelerator ist Leti in der Lage, ein breites Spektrum von Designern bei der Nutzung der FD-SOI-Technologien zu unterstützen und ihnen einen besseren Zugang zu unseren jeweiligen Technologien zu ermöglichen." Marie Semeria, CEO, Leti "Synopsys freut sich, als erstes Mitglied am FDXcelerator-Programm teilzunehmen. Die Zusammenarbeit zwischen Synopsys und GF auf der FDX-Plattform bietet gemeinsamen Kunden Zugang zu FD-SOI-spezifischen End-to-End-EDA-Lösungen. Dazu gehört die nahtlose Unterstützung der Body-Bias-Design-Fähigkeit, die einen adaptiven SoC-Betrieb ermöglicht, der Hochleistungsdesign und Ultra-Low-Power-Betrieb miteinander verbindet. Wir freuen uns darauf, Kunden zu unterstützen, die das FDX-Wertversprechen durch die validierte Synopsys Galaxy Design Platform nutzen werden." Bijan Kiani, Vizepräsident für Produktmarketing bei der Design Group von Synopsys "VeriSilicon bietet seinen Kunden maßgeschneiderte Siliziumlösungen, die auf unseren branchenführenden IPs basieren. Unsere schlüsselfertigen End-to-End-Services für Halbleiter können nicht nur den Designzyklus verkürzen, sondern auch die Qualität verbessern und das Risiko reduzieren. Als FDXcelerator-Partner verfügen wir über reichhaltige IPs und Design-Tools, um unseren Kunden das Beste an Breite und Flexibilität bei 22FDX-Lösungen und Design-Services zu bieten." Wayne Dai, Vorsitzender, Präsident und Vorstandsvorsitzender von VeriSilicon Über GF GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten bietet GF unter foundry die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, von Mainstream- bis hin zu Spitzentechnologien. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den USA, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.gf.com. Kontakte: Erica McGillGF(518) 305-5978[email protected]
GLOBALFOUNDRIES erweitert FDX™-Roadmap mit 12nm FD-SOI-Technologie September 8, 201612FDX™ bietet vollständige Skalierung, extrem niedrigen Stromverbrauch und Leistung nach Bedarf Santa Clara, Kalifornien, 8. September 2016 - GLOBALFOUNDRIES hat heute eine neue 12-nm-FD-SOI-Halbleitertechnologie vorgestellt und baut damit seine Führungsposition aus, indem es die erste Multi-Knoten-FD-SOI-Roadmap der Branche anbietet. Aufbauend auf dem Erfolg seines 22FDX®-Angebots wurde die 12FDX™-Plattform der nächsten Generation entwickelt, um die intelligenten Systeme von morgen in einer Reihe von Anwendungen zu ermöglichen, von Mobile Computing und 5G-Konnektivität bis hin zu künstlicher Intelligenz und autonomen Fahrzeugen. Da die Welt durch Milliarden von vernetzten Geräten immer vernetzter wird, erfordern viele neue Anwendungen einen neuen Ansatz für Halbleiterinnovationen. Die Chips, die diese Anwendungen ermöglichen, entwickeln sich zu Mini-Systemen mit einer verstärkten Integration von intelligenten Komponenten wie drahtloser Konnektivität, nichtflüchtigem Speicher und Energiemanagement - und das alles bei extrem niedrigem Stromverbrauch. Die neue 12FDX-Technologie von GF wurde speziell entwickelt, um dieses beispiellose Niveau an Systemintegration, Designflexibilität und Leistungsskalierung zu erreichen. Der 12FDX setzt einen neuen Standard für die Systemintegration und bietet eine optimierte Plattform für die Kombination von Hochfrequenz (HF), Analogtechnik, eingebettetem Speicher und fortschrittlicher Logik auf einem einzigen Chip. Die Technologie bietet außerdem die branchenweit größte Bandbreite an dynamischer Spannungsskalierung und unübertroffene Design-Flexibilität durch softwaregesteuerte Transistoren, die Spitzenleistung liefern können, wann und wo sie benötigt wird, und gleichzeitig statische und dynamische Leistung für höchste Energieeffizienz ausgleichen. "Einige Anwendungen erfordern die unübertroffene Leistung von FinFET-Transistoren, aber die überwiegende Mehrheit der vernetzten Geräte benötigt ein hohes Maß an Integration und mehr Flexibilität in Bezug auf Leistung und Stromverbrauch, und das zu Kosten, die mit FinFET nicht zu erreichen sind", so Sanjay Jha, CEO von GF. "Unsere 22FDX- und 12FDX-Technologien schließen eine Lücke in der Roadmap der Branche, indem sie einen alternativen Weg für die nächste Generation vernetzter intelligenter Systeme bieten. Und mit unseren FDX-Plattformen sind die Designkosten deutlich niedriger, was die Tür für die Migration zu fortschrittlichen Knoten öffnet und die Innovation im gesamten Ökosystem fördert." Die neue 12FDX-Technologie von GF basiert auf einer 12-nm-Plattform mit vollständig verarmtem Silizium auf Isolator (FD-SOI), die die Leistung von 10-nm-FinFET bei besserem Stromverbrauch und niedrigeren Kosten als 16-nm-FinFET ermöglicht. Die Plattform bietet einen Skalierungsvorteil über einen ganzen Knotenpunkt, der eine Leistungssteigerung von 15 Prozent gegenüber den heutigen FinFET-Technologien und einen um bis zu 50 Prozent geringeren Stromverbrauch ermöglicht. "Die Chipherstellung ist nicht länger eine Einheitslösung für alle. Während FinFET die Technologie der Wahl für die leistungsstärksten Produkte ist, ist die Roadmap der Branche für viele kostensensitive Mobil- und IoT-Produkte, die einen möglichst geringen Stromverbrauch bei gleichzeitig angemessenen Taktraten erfordern, weniger klar", so Linley Gwennap, Gründer und leitender Analyst der Linley Group. "Die 22FDX- und 12FDX-Technologien von GF sind gut positioniert, um diese Lücke zu schließen, indem sie einen alternativen Migrationspfad für Advanced-Node-Designs bieten, insbesondere für solche, die den Stromverbrauch senken wollen, ohne die Chipkosten zu erhöhen. GF ist heute der einzige Anbieter von FD-SOI bei 22nm und darunter, was ihm eine klare Differenzierung ermöglicht." "Als der 22FDX von GF zum ersten Mal auf den Markt kam, sah ich einige bahnbrechende Funktionen. Die Echtzeit-Kompromisse bei Stromverbrauch und Leistung konnten von denjenigen, die ihre Designs differenzieren müssen, nicht ignoriert werden", sagte G. Dan Hutcheson, Vorsitzender und CEO von VLSI Research. "Mit seinem neuen 12FDX-Angebot zeigt GF ein klares Bekenntnis zur Bereitstellung einer Roadmap für diese Technologie - insbesondere für die Bereiche IoT und Automotive, die heute die größten Umwälzungen auf dem Markt bewirken. Die FD-SOI-Technologien von GF werden ein entscheidender Wegbereiter für diesen Umbruch sein. "Die FD-SOI-Technologie kann in Echtzeit Kompromisse bei Stromverbrauch, Leistung und Kosten für diejenigen bieten, die ihre Designs differenzieren müssen", so Handel Jones, Gründer und CEO von IBS, Inc. "Das neue 12FDX-Angebot von GF bietet die branchenweit erste FD-SOI-Roadmap, die den kostengünstigsten Migrationspfad für fortschrittliches Node-Design bietet und die vernetzten Systeme von morgen für intelligente Kunden, 5G, AR/VR und Automobilmärkte ermöglicht." GF Fab 1 in Dresden schafft derzeit die Voraussetzungen für die 12FDX-Entwicklungsaktivitäten und die anschließende Fertigung am Standort. Die Übergabe der Produkte an die Kunden wird voraussichtlich in der ersten Hälfte des Jahres 2019 beginnen. "Wir freuen uns über das Angebot von GF 12FDX und den Wert, den es Kunden in China bieten kann", sagte Dr. Xi Wang, Generaldirektor und Akademiemitglied der Chinesischen Akademie der Wissenschaften, Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology. "Die Erweiterung der FD-SOI-Roadmap wird es Kunden in Märkten wie Mobile, IoT und Automotive ermöglichen, die Energieeffizienz und Leistungsvorteile der FDX-Technologien zu nutzen, um wettbewerbsfähige Produkte zu entwickeln." "Die nächste Generation der i.MX-Multimedia-Anwendungsprozessoren von NXP nutzt die Vorteile von FD-SOI, um sowohl eine führende Energieeffizienz als auch eine bedarfsgerechte Leistungsskalierung für Automobil-, Industrie- und Verbraucheranwendungen zu erreichen", so Ron Martino, Vice President der i.MX-Produktlinie für Anwendungsprozessoren bei NXP Semiconductors. "Die 12FDX-Technologie von GF ist eine großartige Ergänzung für die Branche, da sie einen Knoten der nächsten Generation für FD-SOI bereitstellt, der die Fähigkeit planarer Bauelemente weiter ausbauen wird, um ein geringeres Risiko, einen größeren Dynamikbereich und ein überzeugendes Preis-Leistungs-Verhältnis für intelligente, vernetzte und sichere Systeme von morgen zu bieten." "INVECAS hat es sich zur Aufgabe gemacht, den Kunden von GF konkurrenzlose IP-Lösungen, ASIC- und Design-Services sowie Software- und System-Know-how zur Verfügung zu stellen und damit sicherzustellen, dass sie den größtmöglichen Nutzen aus der Technologie ziehen und die Hürde der Design-Komplexität und des Zeitplans senken", so Dasaradha Gude, CEO von INVECAS. "Aufbauend auf der Arbeit, die wir bereits für 22FDX geleistet haben, freuen wir uns auf die Ausweitung unserer strategischen Beziehung zur Unterstützung der neuen 12FDX-Technologie von GF, die den Kunden eine Roadmap für ihre innovativen FD-SOI-Designs bieten wird. "Als einer der ersten Anbieter von FD-SOI-Designs nutzt VeriSilicon seine Silicon Platform as a Service (SiPaaS) und seine Erfahrung bei der Bereitstellung von erstklassigen IPs und Design-Services für SoCs", sagte Wayne Dai, Präsident und CEO von VeriSilicon. "Die einzigartigen Vorteile von FD-SOI-Technologien ermöglichen uns eine Differenzierung in den Marktsegmenten Automotive, IoT, Mobilität und Consumer. Wir freuen uns darauf, unsere Zusammenarbeit mit GF bei ihrem 12FDX-Angebot auszubauen und unseren Kunden qualitativ hochwertige, stromsparende und kostengünstige Lösungen für den chinesischen Markt zu bieten." "Die 12FDX-Entwicklung wird einen weiteren Durchbruch bei Stromverbrauch, Leistung und intelligenter Skalierung bringen, da 12nm am besten für die doppelte Strukturierung geeignet ist und die beste Systemleistung und -leistung bei geringster Prozesskomplexität liefert", sagte Marie Semeria, CEO von Leti, einem Institut von CEA Tech. "Wir freuen uns über die Ergebnisse der Zusammenarbeit zwischen den Leti-Teams und GF in den USA und Deutschland, die die Roadmap für die FD-SOI-Technologie erweitern, welche die beste Plattform für die vollständige System-on-Chip-Integration von vernetzten Geräten sein wird." "Wir freuen uns sehr über die starke Dynamik und die solide Akzeptanz des 22FDX-Angebots bei Fabless-Kunden. Das neue 12FDX-Angebot wird die Akzeptanz des FD-SOI-Marktes weiter erhöhen", sagte Paul Boudre, CEO von Soitec. "Wir bei Soitec sind voll und ganz darauf vorbereitet, GF mit hochvolumigen, qualitativ hochwertigen FD-SOI-Substraten von 22nm bis 12nm zu unterstützen. Dies ist eine großartige Gelegenheit für unsere Branche, gerade rechtzeitig, um eine große Welle neuer mobiler und vernetzter Anwendungen zu unterstützen." Über GF GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den USA, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakt:Jason GorssGF(518) 698-7765[email protected]
Perspektive für Führungskräfte: Alles wird drahtlos, und RF-Chips machen's möglich 1. September 2016Von Bami Bastani Technologische Fortschritte sind für den menschlichen Fortschritt von entscheidender Bedeutung, da sie bessere Möglichkeiten zur Befriedigung unserer Bedürfnisse schaffen und den nachfolgenden Generationen eine bessere Ausgangsposition auf dem Weg zur Entfaltung ihres Potenzials bieten. Denken Sie nur daran, wie viel einfacher, sicherer und produktiver unser tägliches Leben im Vergleich zu dem unserer Vorfahren ist, dank des Fortschritts in den Bereichen Landwirtschaft, Medizin, Energie, Verkehr und anderen Technologien. Die zunehmende Fähigkeit, jederzeit und überall drahtlos zu kommunizieren und auf Informationen zuzugreifen, führt nicht nur zu neuen Arten von vernetzten Produkten und Systemen, sondern auch zu einem grundlegenden Wandel in der Art und Weise, wie wir unser Leben gestalten und mit anderen interagieren. Unsere Abhängigkeit von der Mobilfunk- und Wi-Fi-Konnektivität ist bereits so stark, dass einige Leute darüber scherzen, dass ihr ein Platz in der Psychologie eingeräumt werden sollte Maslows Hierarchie der Bedürfnisse neben den Grundbedürfnissen des Lebens wie Nahrung und Wasser. Das ist natürlich mit einem Augenzwinkern gemeint, aber Eltern, deren Teenager an ihren Handys kleben, finden das vielleicht gar nicht so abwegig. Aber dieser Bedarf an drahtloser Konnektivität steht erst am Anfang. Unsere Abhängigkeit davon wird sich noch verstärken, denn die Möglichkeiten von Mobilfunk- und Wi-Fi-Netzen werden in den nächsten Jahren exponentiell zunehmen und Möglichkeiten eröffnen, die bisher nur im Bereich der Science-Fiction angesiedelt waren, wie z. B. selbstfahrende Fahrzeuge und Augmented oder Virtual Reality. Ein Grund dafür sind die weltweiten Anstrengungen zur Entwicklung von Netzen der fünften Generation (5G), die rasante Geschwindigkeiten und viel höhere Datenkapazitäten als die bestehenden Mobilfunksysteme bieten. 5G-Netze, für die derzeit Normen erarbeitet werden, werden es ermöglichen, dass mobile Geräte eine viel wichtigere Rolle im Internet spielen. Ein Beispiel: Ein Kfz-Radarsystem taugt nicht viel, wenn es ein Hindernis auf der Straße sieht, aber das Netz, in dem es sich befindet, zu langsam ist, um eine rechtzeitige Warnung zu liefern. Die viel schnelleren Reaktionszeiten bzw. geringen Latenzen der 5G-Netze werden dazu beitragen, solche Systeme praktikabel zu machen. Ein weiterer Grund, warum unsere Abhängigkeit von drahtlosen Verbindungen zunehmen wird, ist die wachsende Bedeutung der Integration der physischen Welt in Computersysteme, indem tragbare Geräte und andere Objekte in der Umgebung die Fähigkeit erhalten, Informationen zu erkennen, zu kommunizieren und zu verarbeiten. Fernüberwachung des Gesundheitszustands, "intelligente" Fabriken, erhöhte persönliche Sicherheit und bessere Bestandskontrolle sind nur einige der Vorteile, die durch die drahtlose Verbindung physischer Objekte im sogenannten Internet der Dinge (IoT), das sich gerade herausbildet, erzielt werden können. RF-ICs sind die Bausteine Die grundlegenden Bausteine fortschrittlicher Mobilfunk- und Wi-Fi-Netzausrüstung sind ultraschnelle integrierte Hochfrequenzschaltungen. Die Spezifikationen für 5G- und IoT-Netze entwickeln sich zwar weiter, aber es ist klar, dass beide Innovationen in der Funktechnologie erfordern werden. Dies wiederum erfordert immer ausgefeiltere HF-ICs, um die neuen Betriebsarten und höheren erforderlichen Fähigkeiten zu unterstützen. Ich bin stolz, sagen zu können, dass GLOBALFOUNDRIES eine herausragende Position bei den Technologien einnimmt, die für die Herstellung von HF-Chips für diese sich entwickelnden drahtlosen Anwendungen benötigt werden. Unser RF-Angebot umfasst komplette Wafer foundry Dienstleistungen für RF-Frontends, Transceiver, Hochleistungs-Leistungsverstärker, rauscharme Signalverstärker, Mischer, Antennentuner, Hochgeschwindigkeits-Analog- und Digitalwandler, Schalter, Controller, Millimeterwellen-Phased-Array-Antennenschaltungen und andere Komponenten. Diese werden mit modernsten RF Silicon-on-Insulator (RFSOI), Silizium-Germanium (SiGe) BiCMOS und RFCMOS Halbleiterfertigungsprozessen hergestellt, die auf spezifische RF-Anwendungen zugeschnitten sind. Da diese Technologien auf Silizium basieren, bieten sie den Kunden kostengünstige Lösungen, die Leistung, Integration und Energieeffizienz optimal kombinieren. Im Vergleich zu anderen Halbleiterherstellern bietet GLOBALFOUNDRIES eine komplette RF-Lösung an. Andere bieten nur Bruchstücke der siliziumbasierten RF-Technologie oder exotische, schwer zu integrierende und teure Nicht-Silizium-Alternativen. Unser Portfolio an RFSOI- und SiGe-Prozessen umfasst eine breite Palette von Technologieknoten und beinhaltet: Für Mobilgeräte optimierte RFSOI- und SiGe-Leistungsverstärker (PA)-Technologiefamilien für Mobilfunk- und Wi-Fi-Frontend-Module in mobilen Geräten und Access Points. Leistungsoptimierte SiGe-Technologien für anspruchsvolle RF-Lösungen in den Bereichen Kommunikation, optische Netzwerke, Luft- und Raumfahrt, Automobilbau, Industrie und Testgeräte. RFSOI hat die Mobilfunkwelt im Sturm erobert, da es zur Lösung der zahlreichen Herausforderungen beiträgt, die mit der Sicherstellung einer nahtlosen, zuverlässigen Konnektivität an jedem Ort verbunden sind, einschließlich der Verlängerung der Akkulaufzeit von Mobilgeräten und der Minimierung von Gesprächsabbrüchen. Gleichzeitig kann unsere fortschrittliche, vollständig verarmte SOI-Technologie dazu beitragen, den Stromverbrauch in RF-Transceivern deutlich zu senken. Durch die Kombination von FDSOI für Transceiver und RFSOI für Front-End-Module kann GLOBALFOUNDRIES seinen Kunden eine Reihe überzeugender HF-Lösungen anbieten, unabhängig davon, wie sich die Anforderungen an die Netze oder die Kundenarchitekturen und -aufteilungen entwickeln. Das ist wichtig für GLOBALFOUNDRIES, weil HF-Anwendungen einen bedeutenden Anteil an unserem Gesamtgeschäft ausmachen. Aber es ist auch in einem weiteren Sinne wichtig. Die drahtlose Konnektivität trägt dazu bei, eine weitere technologische Revolution herbeizuführen, die das Leben besser machen wird. Das bedeutet, dass die Arbeit, die wir hier jeden Tag leisten, wirklich wichtig ist, weil sie einen echten menschlichen Fortschritt darstellt.
Analysten-Perspektive: Warum GLOBALFOUNDRIES' 22FDX® eine große Revolution sein wird August 25, 2016Foundry Dateien Gast-Blog Dieser Artikel erschien ursprünglich in The Chip Insider, 7. August 2015, und wird hier mit Genehmigung von VLSI Research, Inc. abgedruckt. Der 22FDX von GLOBALFOUNDRIES ist der erste radikal neue Prozess, seit Intel den ersten funktionierenden finFET-Prozess eingeführt hat. Vielleicht ist Ihnen schon seit einiger Zeit ein Versäumnis meinerseits aufgefallen. Ich habe nämlich in den letzten Jahren nie viel über FD SOI geschrieben. Die Gründe dafür sind recht einfach. Erstens hatte ich nichts Positives zu sagen, von dem ich wirklich überzeugt war. Das Problem mit FD SOI war, dass sein einziger Verkaufsvorteil darin bestand, dass er billig war. Und selbst das wurde in Frage gestellt, weil die großen Hunde nicht angebissen haben - und denen geht es nur darum, die Kosten zu senken. Selbst wenn es billiger wäre, wird kein Fabless-Unternehmen seine Zukunft mit niedrigeren Waferkosten riskieren. Die NRE-Vorlaufkosten für ein neues Design, der Zeitdruck bis zur Markteinführung sowie die Folgen eines Misserfolgs, wenn es nicht funktioniert, überwiegen das Versprechen von billigeren Wafern. Die Hersteller von Giga-Fabbed-Chips wissen das und werden sich erst bewegen, wenn ihr Kunde sich bewegt. Das alles hat sich mit 22FDX geändert. Der große Vorteil von 22FDX ist die Möglichkeit, durch softwaregesteuertes Body-Biasing des Transistors in Echtzeit einen Kompromiss zwischen Stromverbrauch und Leistung zu finden. Ja, es gibt Kompromisse beim Stromverbrauch in Echtzeit, die auf der Bausteinebene vorgenommen werden können - meist durch das Ein- und Ausschalten wichtiger Funktionsblöcke. Aber soweit ich weiß, ist dies noch nie auf Transistorebene in einem marktfähigen Prozess geschehen. Wenn das so funktioniert, wie behauptet wird, wird 22FDX eine große Revolution sein, die die gesamte Elektronikindustrie umwälzen wird. Hier ist der Grund dafür: Stellen Sie sich eine Zukunft vor, in der Sie einstellen können, wie viele Stunden Ihre Batterie hält. Im Moment kann ein OEM bestenfalls bestimmte Funktionen abschalten, wenn die Leistung nachlässt, so wie es bei der Apple WATCH der Fall ist. Aber mit 22FDX könnte man die Uhr möglicherweise so einstellen, dass sie bis 21 Uhr läuft, wenn ich sie abnehmen möchte. Dann können Sie die Einstellung auf später ändern oder sie am nächsten Tag zurücksetzen, wenn Sie das möchten. Dann würde die Uhr das Verhältnis zwischen Energie und Leistung auf der Grundlage Ihrer typischen Nutzung anpassen und ihre Leistung entsprechend Ihrer Nutzung an diesem Tag ändern. Das funktioniert genauso bei Telefonen, Laptops und so ziemlich jeder anderen mobilen Elektronik, die Sie sich vorstellen können. Wie cool ist das denn! Dieser Gastartikel wurde von Dan Hutcheson, CEO und Vorsitzender von VLSI Research Inc. geschrieben. Hutcheson ist eine anerkannte Autorität auf dem Gebiet der Halbleiterindustrie und wurde 2012 mit dem SEMI Sales and Marketing Excellence Award ausgezeichnet, weil er "Führungskräften durch seinen e-Brief The Chip Insider®, sein Buch Maxims of Hi-Tech und seine vielen Interviews mit Führungskräften einen enormen strategischen und taktischen Marketingwert vermittelt". Zu Dans öffentlichen Arbeiten über die Branche gehören zwei innovative Artikel für Scientific American, in denen er die Vorhersagen über das Ende des Moore'schen Gesetzes in Frage stellt, indem er aufzeigt, dass die angeborene Innovationsfähigkeit der Wissenschaftler die Schwarzmaler übertrumpft hat, sowie ein eingeladener Artikel über die Geschichte und Wirtschaft des Moore'schen Gesetzes für die SIA.
Fab 8 Update: 14nm Wertschöpfung und -erfassung im Ökosystem August 18, 2016Auf unserem Weg in Fab 8 haben wir große Fortschritte gemacht. Letztes Jahr haben wir einen wichtigen Meilenstein erreicht: Wir sind vom Bau in die Serienproduktion übergegangen und haben die frühe Version unserer 14-nm-FinFET-Technologie (14LPE) in die Serienproduktion überführt. In diesem Jahr haben wir mit unserer leistungsgesteigerten 14LPP-Technologie einen stetigen Marsch der Umsetzung hingelegt. Wir begannen das Jahr mit der aufregenden Nachricht, dass unsere 14nm-Technologien einige der leistungsstärksten Rechen- und Grafikanwendungen mit AMDs neuer Reihe von diskreten Grafikprozessoren antreiben werden. Wir setzten diese Dynamik fort und erzielten starke technische Ergebnisse, indem wir bei mehreren Produkten ausgereifte Ausbeuten in der Massenproduktion erreichten, mehrere neue Produkte für Großkunden einführten - einschließlich komplexer Chips mit sehr großen Chips - und eine 100-prozentige Erfolgsbilanz bei der Ausbeute von First-Time-Right-Silizium erzielten und die Produktion aggressiv hochfuhren, um Produkteinführungen zu unterstützen. Es ist unser unerbittlicher Fokus auf die Umsetzung, der es unseren Kunden ermöglicht, ihre Produkte zu differenzieren und sie rechtzeitig auf den Markt zu bringen. Ein weiteres großartiges Beispiel sind die jüngsten Nachrichten von AMD, das vor kurzem eine Leistungsvorschau auf seinen "Zen"-Prozessorkern der nächsten Generation gab. Genau wie AMDs neu eingeführte Polaris-Grafikchips basiert auch dieser Prozessor auf der 14LPP-Prozesstechnologie von GLOBALFOUNDRIES. Die leistungsstarke Kombination aus AMDs Design-Know-how und der 14-nm-FinFET-Technologie von GLOBALFOUNDRIES ermöglicht es Zen, die Prozessorleistung im Vergleich zu früheren Generationen deutlich zu steigern. Ich freue mich, berichten zu können, dass der Kundenzuspruch in einer Reihe von Segmenten mit mehr als 20 aktiven Aufträgen in den Bereichen Mobilität, Unterhaltungselektronik und High-Performance-Computing weiterhin groß ist. Und das Interesse kommt nicht nur von traditionellen foundry Kunden, sondern auch von Unternehmen, die die Möglichkeiten unseres FX-14™ ASIC-Angebots für Cloud-Netzwerke, drahtlose Basisstationen, Rechen- und Speicheranwendungen nutzen möchten. Mit Blick auf die Zukunft sind wir bestrebt, führende Technologieplattformen zu liefern und gleichzeitig unsere 14-nm-FinFET-Technologie zu verbessern, um neue Möglichkeiten zu eröffnen und eine starke Grundlage für zukünftige Erfolge zu schaffen, einschließlich der 7-nm-Technologie der nächsten Generation.