IoT ist jetzt!

Das Internet der Dinge (Internet of Things, IoT) gewinnt - wieder einmal - enorm an Aufmerksamkeit. Der Hype um das IoT ist wieder da - von der beachtlichen Entwicklung bei kostengünstigen Sensoren, Cloud-basierten Diensten und Big-Data-Analysen bis hin zur großen Bedeutung auf der CES.

Hier sind einige Einzeiler, die ich bei meinem Rundgang auf der CES 2016 erlebt habe:

  • Drohnen - Stürmung des Horizonts
  • Automobilindustrie - Heiß! Heiß! Heiß!
  • Virtuelle Realität (VR) und erweiterte Realität (AR) - VR stärker ausgeprägt als AR
  • Robotik - Verschiedene Formfaktoren in Bewegung
  • 3D-Drucker - Es wird ernst
  • 3D-Fernseher ohne 3D-Brille/Brille - im Kommen und immer größer
  • Smart Home - Unmengen von Gadgets tauchen auf
  • Wearables und Smart-garments - Hier wird nichts vertuscht! Beginn der Verschmelzung mit VR/AR

Es ist wichtig zu erkennen, dass das IoT über die "Dinge" hinausgeht. Die damit verbundenen Marktchancen erstrecken sich auf die Netze zur Übertragung des Datenverkehrs und die Rechenzentren zur Nutzung der Daten und zur Durchführung von Analysen zur Umwandlung der Rohdaten in schnellere Entscheidungsgrundlagen und Ergebnisse.

Internet der Dinge ist mehr als nur Dinge

Die IoT-Anwendungen und -Anwendungsfälle, die sich über Dinge, Netzwerke und Datenzentren erstrecken, stellen neue Anforderungen an Halbleiter, darunter extrem niedriger Stromverbrauch, extrem geringe Leckage, kleinere und dichtere Gehäuse und Kosteneffizienz. Diese Anforderungen stehen im Mittelpunkt der von den Halbleiter-Foundries entwickelten IoT-Plattformtechnologien, die für IoT-Knoten energieeffizient, optimiert und kostengünstig sind. Diese "Under-the-Hood"-Differenzierung auf der Halbleiterebene ermöglicht verbesserte Endnutzer- und Anwendungserfahrungen für das IoT.

Basierend auf den Markt- und Kundentrends sind die vorherrschenden Prozesstechnologien für die Low- und Mid-End-IoT-Knoten 55nm und 40nm. Ab 2017-18 werden wir den Wechsel zu den führenden 28nm-, 22nm- und 14nm-Technologien und darüber hinaus sowie ein Wachstum im Edge-Node-Computing erleben.

Der beste Weg, die sich verändernde Technologie zu nutzen, ist, die richtigen strategischen Partnerschaften zu schmieden. Die Art und Weise, wie wir mit unseren Kunden zusammenarbeiten - seien es Supernovas, die aus der Konsolidierung kommen, oder Start-ups, die die Sterne sind, die gerade geboren werden - wird dazu beitragen, das IoT zu definieren.

Die Gießereien sind sich bewusst, dass sie bei der Verwirklichung des Internets der Dinge eine wichtige Rolle zu spielen haben. Durch den Aufbau und die Stärkung von Partnerschaften mit wichtigen Kunden, die Entwicklung effizienterer und effektiverer Technologien und die Sicherstellung einer exzellenten Ausführung - hohe Erträge und pünktliche Lieferung - spielt jeder von uns eine direkte Rolle bei der Realisierung des vollen Potenzials dieser entscheidenden Chance. In jeder Hinsicht ist dies die größte technologische Chance unseres Lebens.

SUNY Poly und GLOBALFOUNDRIES kündigen neues 500-Millionen-Dollar-F&E-Programm in Albany an, um die Chiptechnologie der nächsten Generation zu beschleunigen

Ankunft des zweiten hochmodernen EUV-Lithographie-Werkzeugs ist der Startschuss für ein neues Strukturierungszentrum, das über 100 neue High-Tech-Arbeitsplätze am SUNY Poly schaffen wird

ALBANY, NY - Zur Unterstützung des Engagements von Gouverneur Andrew M. Cuomo, die weltweite Führungsposition des Staates New York in der Nanotechnologieforschung und -entwicklung zu erhalten, gaben das SUNY Polytechnic Institute (SUNY Poly) und GLOBALFOUNDRIES heute die Einrichtung eines neuen Advanced Patterning and Productivity Center (APPC) bekannt, das am Colleges of Nanoscale Science and Engineering (CNSE) in Albany, N.Y., angesiedelt sein wird.

Das 500 Millionen Dollar teure und auf fünf Jahre angelegte Programm wird die Einführung der EUV-Lithografie in der Fertigung beschleunigen. Das Zentrum wird von einem Netz internationaler Chiphersteller sowie Material- und Ausrüstungslieferanten, darunter IBM und Tokyo Electron, getragen und wird 100 Arbeitsplätze schaffen.

"Diese fortschrittliche neue Partnerschaft zwischen der SUNY Poly und GF zeigt, wie Gouverneur Cuomos strategische Investitionen in die SUNY die Forschungskapazität des Systems stärken, private Gelder wirksam einsetzen und aufregende neue Möglichkeiten für Studenten und Lehrkräfte an unseren Standorten schaffen", sagte SUNY-Kanzlerin Nancy L. Zimpher. "Das Fachwissen der SUNY Poly in der Nanotechnologie in Verbindung mit dem innovativen öffentlich-privaten Partnerschaftsmodell des Gouverneurs hat New York zu einem weltweit führenden Unternehmen in der Forschung, Entwicklung und Herstellung von Computerchips gemacht. Die SUNY-Systemverwaltung zollt Dr. Kaloyeros großen Beifall für seine Führungsrolle bei der Ansiedlung des Advanced Patterning and Productivity Center in Albany."

"Die heutige Ankündigung ist ein direktes Ergebnis von Gouverneur Cuomos innovationsorientiertem Wirtschaftsentwicklungsmodell. Seine strategischen Investitionen zur Unterstützung der erstklassigen Nanotechnologie-Infrastruktur und der Arbeitskräfte des Bundesstaates haben uns zum idealen Standort für das neue APPC gemacht, das die Fortsetzung des Mooreschen Gesetzes ermöglichen und neue Fähigkeiten und Möglichkeiten für die gesamte Halbleiterindustrie erschließen wird", sagte Dr. Alain Kaloyeros, Präsident und CEO des SUNY Polytechnic Institute. "In Partnerschaft mit GF, IBM und Tokyo Electron werden wir unser kombiniertes Fachwissen und unsere technologischen Fähigkeiten nutzen, um die kritischen Bedürfnisse der Industrie zu erfüllen und die Einführung dieser komplexen Technologie voranzutreiben."

"GF hat sich einer aggressiven Forschungs-Roadmap verschrieben, die kontinuierlich die Grenzen der Halbleitertechnologie verschiebt. Mit der kürzlich erfolgten Übernahme von IBM Microelectronics hat GF direkten Zugang zu den kontinuierlichen Investitionen von IBM in die Halbleiterforschung von Weltrang erhalten und seine Fähigkeit, Spitzentechnologien zu entwickeln, deutlich verbessert", so Dr. Gary Patton, CTO und Senior Vice President of R&D bei GF. "Zusammen mit dem SUNY Poly wird das neue Zentrum unsere Fähigkeiten verbessern und uns in die Lage versetzen, unsere Prozessgeometrien bei 7nm und darüber hinaus voranzutreiben."

Die EUV-Lithografie ist ein Halbleiterherstellungsverfahren der nächsten Generation, bei dem Licht mit kurzen Wellenlängen (14 Nanometer und darunter) erzeugt wird, um winzige Muster auf integrierten Schaltungen zu erzeugen. Die Technologie ist entscheidend, um die Kosten-, Leistungs- und Stromverbrauchsverbesserungen zu erreichen, die erforderlich sind, um die erwarteten Anforderungen der Industrie in den Bereichen Cloud Computing, Big Data, mobile Geräte und andere neue Technologien zu erfüllen.

Das APPC wird sich mit den Herausforderungen befassen, die mit der Kommerzialisierung der EUV-Lithografie-Technologie verbunden sind. Eine Schlüsselkomponente des Zentrums wird die Installation des ASML NXE:3300 EUV-Scanners sein, ein hochmodernes Werkzeug für die Entwicklung und Herstellung von Halbleiterprozesstechnologien bei 7nm und darüber hinaus. Diese Installation folgt auf die Installation des von IBM unterstützten ASML NXE:3300B EUV-Scanners, der bereits am SUNY Poly in Betrieb ist.

Ziel des Zentrums ist es, Masken- und Materiallieferanten zusammenzubringen, um die Möglichkeiten der EUV-Lithografie durch die Erforschung grundlegender Aspekte des Strukturierungsprozesses zu erweitern. Andere Projekte konzentrieren sich auf die Verbesserung der Produktivität in Vorbereitung auf die Einführung der EUV-Lithografie bei der Herstellung von Spitzenprodukten in der Produktionsstätte von GF in Malta, NY.

Durch das APPC haben die Mitglieder Zugang zur Strukturierungsinfrastruktur des SUNY Poly, die hochmoderne Filmabscheidungs- und Ätzkapazitäten, hochmoderne Strukturierungssysteme, EUV-Maskeninfrastruktur und EUV-Bildgebungsfähigkeiten von Weltklasse umfasst.

"IBM ist bestrebt, Hochleistungs-Computing-Lösungen für das Cloud- und kognitive Zeitalter durch kontinuierliche Führung und Zusammenarbeit in der Halbleitertechnologie-Forschung bereitzustellen", sagte Mukesh Khare, Vizepräsident von IBM Research. "Die Investition des SUNY Poly CNSE in das APPC und das neue ASML-Tool wird die Reife der EUV-Technologie in Richtung Fertigung beschleunigen, was es uns ermöglichen wird, auf den Innovationen aufzubauen, die es einer von IBM Research geführten Allianz ermöglicht haben, Anfang dieses Jahres den ersten 7nm-Testchip der Branche zu demonstrieren. Dank der Vision und Führung des Gouverneurs und des CSNE sind Spitzenpartnerschaften wie diese möglich."

"Die EUV-Technologie ist aus der Forschung und Entwicklung hervorgegangen, und das neue Zentrum wird die steigende Nachfrage nach der Kommerzialisierung dieser Technologie befriedigen und sie in die Hände der Endnutzer bringen", sagte Gishi Chung, SVP & GM, Head of SPE Development Division von TEL. "TEL ist stolz auf die Partnerschaft mit der SUNY Poly in ihrem Albany NanoTech Complex, da wir unsere Arbeit mit anderen Branchenführern fortsetzen, um Spitzeninnovationen in der Halbleiterprozesstechnologie voranzutreiben."

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SUNY Polytechnisches Institut. Das SUNY Polytechnic Institute (SUNY Poly) ist New Yorks weltweit anerkanntes Hightech-Bildungssystem, das aus der Fusion des SUNY College of Nanoscale Science and Engineering und des SUNY Institute of Technology hervorgegangen ist. Das SUNY Poly bietet am Standort Albany Bachelor- und Masterstudiengänge in den aufstrebenden Disziplinen Nanowissenschaft und Nanotechnik sowie innovative Programme in den Bereichen Nanobiowissenschaft und Nanowirtschaft an. Am Standort Utica/Rom werden Bachelor- und Masterstudiengänge in den Bereichen Technologie, einschließlich Ingenieurwesen, Cybersicherheit, Informatik und Ingenieurtechnologien, Berufsstudien, einschließlich Wirtschaft, Kommunikation und Krankenpflege, sowie Kunst und Wissenschaften, einschließlich Naturwissenschaften, Mathematik, Geisteswissenschaften und Sozialwissenschaften angeboten. Florierende Sport-, Freizeit- und Kulturprogramme, Veranstaltungen und Aktivitäten ergänzen das Campus-Erlebnis. Als weltweit fortschrittlichstes universitäres Forschungsunternehmen verfügt die SUNY Poly über Hightech-Investitionen in Höhe von mehr als 43 Milliarden Dollar, über 300 Unternehmenspartner und ist im ganzen Bundesstaat vertreten. Der 1,3 Millionen Quadratfuß große Albany NanoTech Megaplex beherbergt mehr als 4.000 Wissenschaftler, Forscher, Ingenieure, Studenten, Dozenten und Mitarbeiter sowie die Tech Valley High School. Die SUNY Poly betreibt das Smart Cities Technology Innovation Center (SCiTI) am Kiernan Plaza in Albany, das Solar Energy Development Center in Halfmoon, das Children's Museum of Science and Technology (CMOST) in Troy, das Central New York Hub for Emerging Nano Industries in Syracuse, das Smart System Technology and Commercialization Center (STC) in Canandaigua und die Photovoltaic Manufacturing and Technology Development Facility in Rochester, wo die SUNY Poly auch das American Institute for Manufacturing Integrated Photonics leitet. Die SUNY Poly gründete und leitet das Computer Chip Commercialization Center (Quad-C) an ihrem Standort in Utica und verwaltet außerdem das 500 Millionen Dollar teure New York Power Electronics Manufacturing Consortium mit Knotenpunkten in Albany und Rochester sowie das Buffalo High-Tech Manufacturing Innovation Hub at RiverBend, Buffalo Information Technologies Innovation and Commercialization Hub und Buffalo Medical Innovation and Commercialization Hub. Weitere Informationen finden Sie unter www.sunycnse.com und www.sunypoly.edu.

GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den USA, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

纽约州立大学理工学院和格芯在奥尔巴尼宣布新的500万美元研发计划,以加速下一代芯片技术

 

第二款尖端EUV平版印刷工具推出新型图案化中心,这将为SUNY Poly创造超过100个新的高科技工作职位。

 

          纽约州阿尔巴尼 —为支持纽约州州长Andrew M. Cuomo承诺地维护纽约州在纳米技术研究与开发方面的全球领导力,纽约州立大学理工学院(SUNY Poly)和格芯今天宣布成立新的高级复写和创造力中心(APPC),该中心位于纽约州奥尔巴尼的纳米科学与工程学院(CNSE)。

        5亿美元的5年计划将加速将极紫外(EUV)光刻技术引入制造阶段。该中心由国际芯片制造商和材料和设备供应商(包括IBM和东京电子)组成,并将创造100个工作岗位。

       “纽约州立大学理工学院和格芯之间的这种先进的新型合作伙伴关系表明,州长Cuomo SUNY的战略投资正在加强系统的研究能力,高效的利用私人资金,并在校园为学生和教师创造令人兴奋的新机会,”SUNY总理Nancy L. Zimpher表示,“纽约州立大学理工学院的纳米技术的优势,以及州长创造性的公私伙伴关系模式将使纽约成为计算机芯片研发,制造领域的全球领导者。SUNY系统管理部门高度的赞扬了Kaloyeros博士在领导奥尔巴尼高级图案化和生产力中心方面的成就”。

        “今天的公告是州长Cuomo创新驱动的经济发展模式的直接成果。他战略投资支持纽约州发展成国家世界级纳米技术基础设施和劳动力,这使我们非常适合主办新的APPC并继续实施摩尔定律,为整个半导体行业开辟新的能力和机会。” 纽约州立大学理工学院院长Alain Kaloyeros博士说,“与格芯,IBM和东京电子合作,我们将利用我们的综合专业知识和技术能力来满足业界的核心需求,并推动这一复杂技术的引进。”

       “格芯致力于一个积极的研究规划发展,不断突破半导体技术的极限。随着最近收购IBM微电子,格芯已经直接获得了IBM对世界级半导体研究的持续投资,并大大提高了其开发尖端技术的能力。”格芯首席技术官,兼研发部高级副总裁Gary Patton博士表示, “与纽约州立大学理工学院一起,新的中心将提高我们的能力,并使我们能够在7nm及以上的技术上提升我们的几何制程和工艺。”

         EUV光刻技术是下一代半导体制造技术。这种技术产生短波光(14纳米及以下),并且在集成电路上产生微小的图案。该技术对于实现业界在云计算,大数据,移动设备和其他新兴技术方面的成本,性能和功耗改进发展是至关重要的。

         APPC将解决EUV光刻技术商业化将面临的相关挑战。该中心的关键组成部分将是安装ASML NXE:3300 EUV扫描仪,这是一种用于在7nm及以上的半导体制程技术开发和制造的最先进的工具。此安装遵循纽约州立大学理工学院已经安装的IBM支持的ASML NXE:3300B EUV扫描仪。

         该中心旨在通过探索图案复写过程的基本方面,将掩膜和材料供应商集中在一起,扩大EUV光刻的能力。其他项目将侧重于提高生产力,为格芯在纽约马耳他的生产设施制造领先产品做准备。

         通过APPC,成员将可以使用纽约州立大学理工学院的图案化基础设施,其中包括最先进的影像沉积和蚀刻能力,前沿图案系统,EUV掩膜基础设施以及世界一流的EUV成像能力。

         “IBM致力于通过半导体技术研究领域的不断领导和合作,为云和认知时代提供高性能的计算解决方案。”IBM研究部副总裁Mukesh Khare表示,“纽约州立大学理工学院CNSE对APPC的投资和新的ASML工具将加速EUV技术向制造阶段的迈进。这将使我们能够利用IBM研发主导的联盟在今年早些时候提供业界首个7nm测试芯片演示。通过州长和CSNE的愿景和领导,这样的前沿伙伴关系是完全可能实现的。”

        “EUV技术来源于研发。新中心将会满足这种技术日益增长的商业化需求,最终将这种技术带到用户手中。”TEL的SPE开发部门负责人Gishi Chung表示,“TEL很荣幸能与纽约州立大学理工学院在Albany NanoTech Complex合作。我们将继续与同行业领导者合作,推动半导体工艺技术的在尖端领域的创新。”

关于纽约州立大学理工学院

        纽约州立大学理工学院(SUNY Poly)是全球公认的高科技教育生态系统,由SUNY纳米科学与工程学院与SUNY理工学院合并组成。 SUNY Poly在新兴的纳米科学和纳米工程学科提供本科和研究生学位,同时在奥尔巴尼地区提供尖端纳米生物学和纳米经济学课程。该机构同时在各个方面提供本科和研究生学位,技术方向包括:工程,网络安全,计算机科学和工程技术;专业研究方向,包括商务,沟通和护理;艺术和科学方向,包括自然科学,数学,人文和社会科学。蓬勃进行的各类娱乐和文化活动,也进一步充实了学校的校园体验。作为世界最先进的大学驱动型研究型企业,纽约州立大学理工学院拥有超过430亿美元的高科技投资,超过300家企业合作伙伴,合作范围遍及全球。 Tech Valley中除了拥有130万平方英尺的奥尔巴​​尼纳米科技大型学院,还拥有超过4000名科学家,研究人员,工程师,学生,教职员工和员工。

        纽约州立大学理工学院运营管理着多个机构,包括:位于奥尔巴尼Kiernan广场的智能城市技术创新中心(SCiTI),位于Halfmoon的太阳能发展中心,位于特洛伊的儿童科技博物馆(CMOST),位于雪城的新兴纳米工业中心 ,位于卡南代瓜市的智能系统技术和商业中心(STC),以及位于罗彻斯特的光伏制造和技术开发设施和美国制造集成光子学研究所。纽约州立大学理工学院在创立并管理位于由提卡市的计算机芯片商业化中心(QuadC),并管理了5亿美元的纽约电力电子制造联盟(New York Power Electronics Manufacturing Consortium),其中包括在奥尔巴尼和罗切斯特的节点以及在RiverBend的布法罗高科技制造创新中心,布法罗信息技术创新和商业中心,以及布法罗医疗创新和商业化中心。有关信息,请访问www.sunycnse.com and www.sunypoly.edu.

关于格芯

        GF是世界上第一个具有真正意义上足迹遍布全球的全方位服务晶圆制造商。该公司于2009年3月成名,并迅速实现了规模化,成为世界最大的晶圆生产商之一,为250多个客户提供先进技术和独特制造的组合。格芯在新加坡,德国和美国经营,是唯一提供跨越全球三大洲的制造中心,并提供的足够灵活性和高度安全性的代工厂。该公司的300mm晶圆厂和200mm晶圆厂提供从主流到前沿的全系列制程技术。格芯的制造业务遍及全球,而格芯位于美国,欧洲和亚洲的半导体业务中心的大量的研发和设计实现人员为格芯的全球制造业务提供全面的支持。格芯由Mubadala Development Company拥有。欲了解更多信息,请访问https://www.globalfoundries.com.

新的Kadenz Modus测试解决方案可以降低高达3倍的SoC测试时间

SAN JOSE, Kalifornien, 01. Februar 2016

Cadence Design Systems, Inc. (NASDAQ: CDNS) kündigte heute die neue Modus™ Testlösung an, mit der Design-Ingenieure eine bis zu dreifache Reduzierung der Testzeit erreichen können, wodurch die Kosten für Produktionstests gesenkt und die Gewinnspannen auf dem Silizium erhöht werden. Diese Testlösung der nächsten Generation beinhaltet eine zum Patent angemeldete, physikalisch bewusste 2D Elastic Compression Architektur, die Kompressionsraten von mehr als dem 400-fachen ermöglicht, ohne Auswirkungen auf die Designgröße oder das Routing. 

 

Neue Cadence Modus-Testlösung ermöglicht bis zu 3-fache Reduzierung der SoC-Testzeit

Cadence Design Systems, Inc. (NASDAQ: CDNS) kündigte heute die neue Modus™ Testlösung an, mit der Design-Ingenieure eine bis zu 3-fache Reduzierung der Testzeit erreichen können, wodurch die Kosten für Produktionstests gesenkt und die Gewinnspannen auf dem Silizium erhöht werden. Diese Testlösung der nächsten Generation beinhaltet eine zum Patent angemeldete, physikalisch bewusste 2D Elastic Compression Architektur, die Kompressionsraten von mehr als dem 400-fachen ermöglicht, ohne die Designgröße oder das Routing zu beeinträchtigen.

22FDX®: Befähiger für das IoT?

Es steht außer Frage, dass das Internet der Dinge (IoT) die nächste große Anwendung für die Mikroelektronik sein wird. Bis zum Jahr 2020 sollen 50 Milliarden Geräte miteinander verbunden sein - das ist die Vision des IoT-Entwicklungsparadigmas.

IoT-Systeme werden eine große Vielfalt an Funktionen und Formen aufweisen. Während einige Systeme klein sein mögen, könnten andere so groß werden wie die heutigen SoC-Systeme für das mobile Internet. Es stellt sich die Frage, wie wir mit IoT-Systemkomponenten umgehen, die schnell sein müssen, aber nur wenig statische Standby-Leistung verbrauchen, wenn sie nicht in Gebrauch sind.

GLOBALFOUNDRIES 22FDX-Technologie eignet sich hervorragend für solche System- und Kostenanforderungen. Das entscheidende neue Merkmal dieser 22nm Fully Depleted SOI (FD-SOI) Technologie ist die dünne Siliziumschicht, in der der aktive Transistor gebildet wird. Bei herkömmlichen SOI-Technologien wird ein konventioneller Transistor in einer isolierten Vertiefung gebildet, die in digitalen Schaltungen in der Regel frei bleibt. FD-SOI-Transistoren sind viel dünner, und es wird keine Wanne gebildet. Außerdem ist die Isolierung der Bauelemente viel einfacher, wodurch sich auch die Implantationsschritte verringern.

Wenn Ingenieure über ihren nächsten Knotenpunkt nachdenken, müssen sie bedenken, dass der 22FDX-Flow eine FinFET-ähnliche Leistung mit extrem niedrigem Stromverbrauch zu Kosten bietet, die mit 28-nm-Planartechnologien vergleichbar sind. Nachfolgend finden Sie einige weitere bemerkenswerte Daten zu dieser Technologie:

  • 70% weniger Stromverbrauch im Vergleich zu 28nm High K Metal Gate (HKMG)
  • 20% kleinerer Chip als 28nm Bulk Planar
  • Niedrigere Chipkosten als bei FinFETs

Ein Sandkasten für kreative Gestalter

Das softwaregesteuerte Body-Biasing, das einen flexiblen Kompromiss zwischen hoher Leistung und niedrigem Stromverbrauch ermöglicht, bietet einen zusätzlichen Freiheitsgrad für das System- und Schaltungsdesign mit 22FDX. Kompromisse beim Stromverbrauch können in Echtzeit auf der Bauelementeebene getroffen werden - vor allem bei der Stromversorgung der wichtigsten Funktionsblöcke. Dies ist einer der Gründe, warum der Branchenanalyst Dan G. Hutcheson glaubt, dass 22FDX von GF eine "große Revolution" darstellen wird.

22FDX: Wegbereiter für das IoT?

22FDX: Mehrere Body-Bias- und Vt-Punkte auf demselben Chip

Darüber hinaus bietet der 22FDX Funktionen für Designflexibilität und intelligente Steuerung, die Innovationen ermöglichen, die in der Vergangenheit nicht möglich waren. Diese Fähigkeiten umfassen:

  • Post-Silicon-Tuning ermöglicht geringeren Stromverbrauch bei gleichbleibend hoher Schaltkreisleistung
  • Integrierter RF enthält Abstimmknöpfe" zur Reduzierung der RF-Leistung um bis zu 50 Prozent, wodurch ein separater RF-Chip überflüssig wird

Das Design-Ökosystem für die 22FDX-Technologie entwickelt sich schnell. Im November kündigten alle großen EDA-Anbieter, insbesondere Synopsys, Cadence und Mentor Graphics, an, dass sie für 22FDX angepasste Tool-Suiten anbieten werden. Sie sind ein wichtiger Teil eines Ökosystems, das sich erweitert, um den Erfolg unserer Kunden zu unterstützen.

Entwurfsmigration zu 22FDX™ von Bulk Node

Entwurfsmigration zu 22FDX von Bulk Node

22FDX ist eine bahnbrechende und zukunftsträchtige Technologie, die das Mooresche Gesetz erweitert, indem sie eine Verringerung der Chipgröße, eine Verringerung des Stromverbrauchs, eine Steigerung der Leistung und eine Erhöhung der Funktionalität ermöglicht, und das ohne komplexere Herstellungsprozesse.

Subramani Kengeri, Vice President, General Management, CMOS Platforms Business Unit bei GF, wird am Donnerstag, 21. Januar 2016, auf dem FD-SOI Forum in Tokio, Japan, einen Vortrag über die nächste Generation von Innovationen mit 22FDX halten.

Sidense qualifiziert 1T-OTP-Speicher-IP für GLOBALFOUNDRIES 55nm Low-Power-Prozessknoten

CHANDLER, Arizona, 12. Juli 2016 - Microchip Technology Inc. (NASDAQ: MCHP), ein führender Anbieter von Mikrocontroller-, Mixed-Signal-, Analog- und Flash-IP-Lösungen, gab heute über seine Tochtergesellschaft Silicon Storage Technology (SST) die Qualifizierung und Verfügbarkeit des eingebetteten nichtflüchtigen SuperFlash®-Speichers (NVM) von SST mit geringer Maskierungsanzahl auf der 130 nm BCDLite®-Technologieplattform von GLOBALFOUNDRIES bekannt. Die Embedded-SuperFlash-Speicherlösung von SST erfordert nur vier zusätzliche Maskierungsschritte auf der BCDLite-Technologie von GLOBALFOUNDRIES und bietet Entwicklern von Stromversorgungs-, Mikrocontroller- (MCU) und Industrie-ICs eine kostengünstige, hochleistungsfähige Embedded-Flash-Lösung. In hochvolumigen Stromversorgungsanwendungen wie dem Laden von Batterien (5V-30V) ermöglicht die 130-nm-BCDLite-Plattform von GLOBALFOUNDRIES in Verbindung mit dem eingebetteten SST-SuperFlash-Speicher eine fortschrittliche Batterieüberwachung, die das Alter und den Zustand der Batterie genau misst.

GLOBALFOUNDRIES stärkt Präsenz in Asien durch Regional Headquarter in Singapur

  • Erstes regionales Hauptbüro außerhalb der Vereinigten Staaten
  • Gemeinsame globale Dienstleistungen und Verwaltung regionaler Tochtergesellschaften zur besseren Betreuung von Kunden in ganz Asien und anderen Regionen
  • Engagiert für wachsenden Erfolg in Asien und im globalen Halbleitersektor

Singapur, 1. Dezember 2015 - GLOBALFOUNDRIES, ein führender Anbieter von Halbleiterfertigungstechnologie, gab heute bekannt, dass seine Tochtergesellschaft GF Singapore Pte. Ltd. vom Singapore Economic Development Board (EDB) die Auszeichnung "Regional Headquarters (RHQ)" erhalten hat.

Der RHQ-Status wird von der EDB an Unternehmen vergeben, die sich verpflichten, ihren regionalen Hauptsitz mit erheblichen Investitionen in Singapur zu führen. Der RHQ-Status bietet verschiedene Anreize, darunter auch Steuervorteile.

"Der Erhalt des RHQ-Status für unseren Standort in Singapur ist ein Beweis für unser langfristiges Engagement in der Region und ermöglicht es uns, unsere Beziehungen im asiatisch-pazifischen Raum zu verankern", sagte KC Ang, Senior Vice President und General Manager von GF Singapore Operations. "Wir schätzen die langjährige Unterstützung durch das Singapore EDB und freuen uns darauf, unseren Erfolg in dieser Region und das Wachstum im globalen Halbleitersektor fortzusetzen."

In Übereinstimmung mit dem RHQ-Status führt GF Singapur Aktivitäten in den Bereichen allgemeines Management und Verwaltung, strategische Geschäftsplanung und -entwicklung sowie Marketing und Vertrieb in den asiatischen Schlüsselmärkten durch. Darüber hinaus bietet der Standort Singapur sein Fachwissen in den Bereichen fortschrittliches Technologiedesign und -Enablement, IT-Anwendungsservices sowie Finanzkontrolle und -verwaltung für die anderen globalen Standorte von GF an, darunter die Produktionsstätten in Deutschland und den USA.

"Wir freuen uns, dass GF Singapur als regionalen Hauptsitz außerhalb der USA gewählt hat", sagte Yeoh Keat Chuan, Managing Director des Singapore Economic Development Board. "Die Entscheidung von GF ist ein Beweis für den Wert Singapurs als Standort, von dem aus Unternehmen ihre Geschäfte in Asien führen und ausbauen können. Wir freuen uns darauf, unsere langjährige Partnerschaft mit GF weiter auszubauen."

ÜBER GF

GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den Vereinigten Staaten, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

Medienkontakt:

Jason Gorss
GF
518-698-7765
[email protected]

GLOBALFOUNDRIES erhält Qualitätsauszeichnung von INOVA Semiconductors GmbH

SINGAPUR, 19. November 2015 - GLOBALFOUNDRIES gab heute bekannt, dass das Unternehmen von der INOVA Semiconductors GmbH, einem Spezialisten für die Entwicklung modernster Produkte für die serielle Gigabit/s-Datenkommunikation für Display- und Fahrerassistenzsysteme in Fahrzeugen, mit einem Award of Excellence ausgezeichnet wurde.

Diese Auszeichnung würdigt die Fähigkeit von GF, höchste Qualität und Ausbeute bei den Silizium-Wafern zu erzielen, die speziell für die RF-Kommunikationsprodukte des Kunden für den Automobilmarkt produziert werden. Die ZEZD-Methode (Zero Excursion, Zero Defect) ist ein Beleg für das kontinuierliche Streben von GF nach Verbesserungen, um die anfängliche Produktqualität zu erhöhen und die Ausfallrate von Wafern nach der Auslieferung zu reduzieren.

"Unser Ziel ist es, Null-Fehler zu erreichen, und die bewährte Expertise von GF in der automobilen Halbleiter-Lieferkette spielt eine wichtige Rolle dabei, dieses Ziel zu erreichen", so Robert Kraus, CEO von INOVA Semiconductors.

"Es ist eine grosse Ehre für GF, diese Auszeichnung von INOVA zu erhalten. foundry Diese Auszeichnung festigt unsere Position, den Automobilmarkt seit über einem Jahrzehnt mit hoher Qualität und Zuverlässigkeit zu bedienen, und macht uns zu einem führenden Unternehmen in diesem Segment", sagte KC Ang, SVP und General Manager von GF Singapur.

Im Rahmen seines kontinuierlichen Engagements für Qualität und Zuverlässigkeit in der Halbleiterindustrie absolviert GF jedes Jahr eine Reihe von Zertifizierungen und Audits. Alle Produktionsstätten in Singapur sind nach ISO-TS 16949, ISO 9001, ISO 14001 und OHSAS 18001 zertifiziert oder übertreffen diese Standards. Dazu gehören auch die kundengeführten VDA6.3-Audits, die den TS16949-Standard übertreffen. GF ist auch Mitglied des Automotive Electronics Council (AEC), der weltweite Industriestandards für die Qualität von Halbleitern in der Automobilindustrie festlegt.

Über GF

GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Das Unternehmen wurde im März 2009 gegründet und hat sich schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt, die mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung bietet. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und fünf 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den USA, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

Über INOVA Semiconductors

Inova Semiconductors ist ein fabrikloses Halbleiterunternehmen und der Entwickler von APIX: einer seriellen Hochgeschwindigkeits-Gigabit-Mehrkanalverbindung zur Verbindung von Displays, Kameras und Steuergeräten über ein einziges Kabel. Inova hat sich auf die Entwicklung von hochmodernen Produkten für die serielle Datenkommunikation spezialisiert, wobei der Schwerpunkt auf digitalem Video und dem Automobilmarkt liegt. Inova mit Sitz in Deutschland wurde 1999 gegründet. Heute wird APIX von zehn führenden Automobilmarken und mehr als 20 Tier-1-Zulieferern eingesetzt. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.inova-semiconductors.com.

GLOBALFOUNDRIES bringt Hochleistungs-ASIC-Angebot auf 14-nm-FinFET-Prozesstechnologie auf den Markt

GLOBALFOUNDRIES FX-14™ bietet das branchenweit umfassendste ASIC-Angebot für Chipdesigner, die auf Cloud-, Rechenzentrums- und Kommunikationsanwendungen abzielen

Santa Clara, Kalifornien, 11. November 2015 - GF gab heute die Verfügbarkeit von FX-14™ bekannt, einem anwendungsspezifischen integrierten Schaltkreis (ASIC), der auf der 14-nm-FinFET-Prozesstechnologie der nächsten Generation des Unternehmens basiert. Das FX-14 ASIC-Angebot von GF ist eine ideale Lösung für Kunden, die ein Gleichgewicht zwischen hoher Bandbreite, geringem Stromverbrauch und Kosten für Cloud-Netzwerke, drahtlose Basisstationen, Rechen- und Speicheranwendungen suchen.

Mit der kürzlich erfolgten Übernahme der Microelectronics Division von IBM kombiniert das FX-14 ASIC-Angebot die Produktionsgröße und die führende Prozesstechnologie von GF mit der langjährigen ASIC-Expertise, die Kunden dabei unterstützt hat, einige der komplexesten ASICs der Branche auf den Markt zu bringen. Mit der 14LPP-Prozesstechnologie von GF nutzt FX-14 die produktionserprobte 14nm-FinFET-Plattform aus der Fab 8 des Unternehmens in Saratoga County, NY.

"Um extrem schnelle Konnektivitätslösungen für eine breite Palette von Netzwerkanwendungen zu ermöglichen, benötigen wir ASIC-Lösungen, die ein optimales Gleichgewicht zwischen Leistung, Stromverbrauch und Kosten bieten", so Kianoosh Naghshineh, CEO von Chelsio Communications, Inc. "Die Kombination aus dem kürzlich erworbenen IBM ASIC-Design-Know-how und der 14LPP-Technologie von GF ermöglicht es Chelsio, die Preis-Leistungs-Kurve weiter nach oben zu treiben und unseren Kunden branchenführende Lösungen zu liefern."

"Mit dem FX-14 ASIC-Angebot bauen wir unsere Führungsposition als Anbieter modernster ASIC-Lösungen für die drahtgebundene und drahtlose Netzwerkinfrastruktur weiter aus", so Mike Cadigan, Senior Vice President of Product Management bei GF. "Die Verknüpfung unserer langjährigen ASIC-Expertise mit der 14LPP-Technologie von GF bietet unseren Kunden die beste Kombination, um sich von anderen Anbietern abzuheben und den wachsenden Anforderungen des Marktes gerecht zu werden.

Das FX-14 ASIC-Angebot umfasst ein erweitertes, optimiertes Portfolio an geistigem Eigentum (IP) mit führenden ARM-Cores und ARM® Artisan® Physical IP. Die breite Palette von Cores für System-on-Chip-Designs umfasst 64-Bit ARM Cortex®-A72 und ARM Cortex-A53 Prozessoren.

"Die branchenführenden ARM-Prozessoren, die mehr als 95 Prozent der heute ausgelieferten Smartphones antreiben, sind eine ideale Ergänzung zum FX-14 ASIC-Angebot von GF", so James McNiven, General Manager der CPU-Gruppe von ARM. "Unsere jüngste Zusammenarbeit mit GF beim FX-14 ASIC-Angebot wird es unseren gemeinsamen Silizium-Partnern ermöglichen, hochentwickelte SoCs zu liefern".

Das FX-14-Angebot umfasst auch ein optimiertes IP-Portfolio mit High Speed Serdes (HSS)-Lösungen. Die HSS-Lösungen reichen von der klassenbesten Architektur für hochleistungsfähige 56G-Backplane- und Chip-to-Chip-Designs bis hin zu optimierten 30G- und 16G-SERDES-Designs, die ein breites Spektrum an Schnittstellenstandards abdecken. Zu den eingebetteten Speicherlösungen von GF gehören ternäre inhaltsadressierbare Speicher (TCAM), die Milliarden von Suchvorgängen pro Sekunde ausführen können, sowie Speicher-Compiler mit hoher Dichte und hoher Leistung. Diese Speicher-Compiler nutzen die branchenweit kleinste Speicherzelle, um eine herausragende SRAM-Dichte zu erreichen, und profitieren von einer auf Leistung getrimmten Speicherzelle, um die beste Leistung ihrer Klasse zu erzielen.

Die 14LPP-Technologie von GF wurde im dritten Quartal 2015 qualifiziert und soll 2016 in die Serienproduktion gehen. FX-14-Design-Kits sind ab sofort für Kunden verfügbar.

Weitere Informationen zu den ASIC-Lösungen von GF erhalten Sie an unserem Stand Nr. 607 auf der ARM TechCon vom 10. bis 12. November in Santa Clara, Kalifornien, oder online unter www.globalfoundries.com.

ÜBER GF

GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den USA, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

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