Dream Chip Technologies präsentiert erstes 22nm FD-SOI-Silizium eines neuen Fahrerassistenz-SoCs für Automobile Februar 27, 2017Computer Vision SoC für fortschrittliche Fahrerassistenzsysteme (ADAS) im Rahmen des europäischen THINGS2DO-Projekts entwickelt; erstes funktionierendes Silizium auf 22nm von GLOBALFOUNDRIES gefertigt
CES 2017: Überlegungen zum Gang über die Messe und die 5 wichtigsten Trends Februar 23, 2017 von: Nitin Kulkarni Bevor sich die Aufmerksamkeit der Branche auf die nächste große internationale Tech-Konferenz, den MWC, richtet, möchte ich Ihnen einige Einblicke in die CES geben. Die diesjährige Veranstaltung war mit mehr als 3.800 ausstellenden Unternehmen auf einer Fläche von mehr als 2,6 Millionen Quadratmetern rekordverdächtig. Darüber hinaus begrüßte die Messe mehr als 600 Start-ups auf dem Eureka Park Marketplace - sie alle präsentierten die vernetzte Zukunft der Technologie. Hier sind einige der wichtigsten Trends und Erkenntnisse, die ich bei meinem Rundgang auf der CES 2017 gewonnen habe: 1. Das vernetzte Zuhause wird intelligenter und zielgerichteter Im Vergleich zur CES in den vergangenen Jahren sind die Geräte in diesem Jahr intelligenter geworden, weil die Elektronikunternehmen darauf setzen, dass die Verbraucher intelligente persönliche Assistententechnologie für das vernetzte Zuhause annehmen, z. B. sprachgesteuerte Geräte und intelligente LED-Glühbirnen, die über eine Telefonschnittstelle Farbe, Licht und Helligkeit ändern. Mehrere Unternehmen boten "Smart Home Kits" an, und zu den ausgestellten Produkten gehörten intelligente Lautsprecher, intelligente Beleuchtung, intelligente Geräte (weiße Ware), Haushaltsroboter und sogar ein intelligenter Spiegel, der Ihr Gesicht auf Falten untersucht! Amazons Alexa war in mehreren Geräten zu sehen. WiFi-Systeme mit mehreren Knoten, auch bekannt als "Whole Home WiFi", werden zu einem Teil der "intelligenten" Heiminfrastruktur, da sie ein WiFi-Netzwerk über einen großen Bereich ausbreiten können, indem sie einfach einen Knoten hinzufügen, wo es notwendig ist, ohne dass ein zusätzliches Gateway oder ein Router erforderlich ist. Mit der Einführung von Bluetooth 5.0 in Verbindung mit der Bluetooth-Mesh-Technologie kann die Reichweite des drahtlosen Signals in Innenräumen vervierfacht werden (im Vergleich zu Bluetooth 4.x), so dass ein Haus über mehrere Bluetooth-Geräte abgedeckt wird. 2. Virtuelle Realität wird real AR/VR/MR war überall! Die CES war der beste Ort, um einige der neuesten AR/VR-Geräte in der Praxis zu erleben. Wir haben alles gesehen, von Stiefeln, mit denen man die digitalen Welten, durch die man geht, fühlen kann, bis hin zu einer Kerze, die einen riechen lässt. An vorderster Front der mobilen AR/VR stand der Snapdragon™ 820/835 von Qualcomm®. Der 835 wurde für AR-Smartglasses für mobile Unterhaltung und Datenverarbeitung beworben. VR ist auch einer der Schlüsselbereiche, der extrem leistungsstarke PC-Designs auf der Grundlage schneller und fortschrittlicher Architekturen erfordert. 3. Intelligentere, kleinere Drohnen Die Drohnentechnologie kann jetzt fortschrittlichere technische Funktionen wie die Erkennung und Vermeidung von Hindernissen in Echtzeit während des Fluges unterstützen. Viele Drohnen unterstützen 4K-Kameras, 10-30 Minuten Flugzeit, 2,4-GHz-WiFi, hochpräzise GPS-Module mit verbesserter Ortungsgenauigkeit (einige unterstützen den Follow-Me-Modus), einige mit 360-Grad-Ansicht. Die Akkulaufzeit wird durch Fortschritte bei der Entwicklung des Akkumanagements und der Implementierung von Software-Algorithmen in die Drohnenarchitektur kontinuierlich verbessert. Einige der ausgestellten Drohnen verfügen über fortschrittlichere Funktionen wie 3D-Gelände-/Oberflächenkartierung in Echtzeit, die in Branchen wie Landwirtschaft, Land-/Ressourcenmanagement und Gebäude-/Architekturvisualisierung eingesetzt werden können. Heutzutage sind Spielzeugdrohnen für den Freizeit-/Hobbybereich für weniger als 100 Dollar erhältlich, aber auch High-End-Drohnen mit erweiterten Funktionen (mit längeren Flugzeiten und Reichweiten), die über 2500 Dollar kosten. 4. Verschmelzung von Elektronik und Automobil In diesem Jahr kam es zu einer echten Synthese zwischen der Automobil- und der Elektronikindustrie, wobei Hunderte von Automobilunternehmen ihre neuen Automobiltechnologien vorstellten, die von selbstfahrenden Systemen und Elektroautos bis hin zu neuen Benutzerschnittstellen reichten. Für die Umsetzung des autonomen Fahrens ist nun digitales Know-how erforderlich. Zu den Highlights der neuen Plattformen gehörte die Integration von LTE-Konnektivität der Gigabit-Klasse in das Auto mit Konnektivität mit hoher Bandbreite über WiFi, Ethernet, BT und BLE im Auto. Zu den weiteren "Treibern" der Messe gehörten die Ankündigung führender Automobilhersteller, ein neues UI-Konzept zu integrieren, bei dem es sich um ein virtuelles, frei schwebendes Display handelt, das über Fingergesten gesteuert wird, sowie neue Partnerschaften für ein KI-gesteuertes Auto im Jahr 2018. Audio- und Spracherkennungstechnologien werden in Zukunft eine große Rolle spielen - wie die Integration von Amazons Alexa und Microsofts digitalem Assistenten Cortana durch eine Reihe von Automobilherstellern gezeigt hat. Darüber hinaus ist das Auto eine Erweiterung der digitalen und sozialen Konnektivität des Nutzers, und Fahrzeug-Infotainment-Systeme (IVI) benötigen zusätzlichen Speicherplatz für umfangreiche Multimedia-Daten sowie fortschrittliche Software und Anwendungen. Die FDX-Technologieplattform von GF ermöglicht IVI-Systeme für die Automobilindustrie. 5. Wearables werden erwachsen Der Markt für Wearables hat sich weit über die Grenzen der Technologie für das Handgelenk hinaus entwickelt. Wir haben intelligente Haarbürsten gesehen, die Sie dazu anleiten, besser zu bürsten, eine neue Bekleidungslinie, die die Schlafqualität verbessern soll, und Kopfhörer, die Ihr Gehirn auf eine schnellere Anpassung an Bewegung vorbereiten sollen - viele coole Tools für die digitale Gesundheit sind in Sicht. Wearables sind zusammen mit anderen elektronischen Geräten ein wichtiger Bestandteil des IoT und werden die Rolle von Datenproduzenten spielen. Ein Beispiel wären tragbare Gesundheitsgeräte. Da die von den Geräten am Rande des Netzes erfassten physischen Daten in der Regel privat sind, könnte die Verarbeitung der Daten am Rande des Netzes die Privatsphäre der Nutzer besser schützen als das Hochladen von Rohdaten in die Cloud. Die Unterhaltungselektronik wird für die gesamte globale Technologiebranche immer wichtiger, und die CES ist der Ort, der auf eine stärker vernetzte Zukunft hinweist. Immer mehr Geräte gehen online und vernetzen sich untereinander, und die Nutzer interagieren auf neue Weise mit ihren Geräten. Netze, die den Datenverkehr übertragen, und Rechenzentren, die die Rohdaten nutzen und in schnellere Entscheidungsfindungen und Ergebnisse umwandeln, führen zu neuen Anforderungen an Halbleiter, die energieeffizient, optimiert und kostengünstig für IoT-Knoten sind. Der Übergang zu modernster 28-nm-, 22-nm- und 14-nm-Prozesstechnologie (und darüber hinaus) sowie das Wachstum von Edge-Node-Computing sind in vollem Gange. Die CMOS-, RF- und ASIC-Technologien von GF sind auf diesen Wandel ausgerichtet. Unsere FD-SOI- (FDX) und FinFET-Plattformen zielen insbesondere auf den High-End- und Mid-End-Markt ab. Entscheidend dafür ist die Fähigkeit, energie- und kosteneffizient zu erfassen, zu verarbeiten, zu steuern und zu kommunizieren. Zu den wesentlichen Anforderungen an IoT-Geräte gehören geringer Stromverbrauch, kosteneffiziente Leistung, RF-Konnektivität, hervorragende Analog-/Strom-Integration und kleinere Gehäuse. Alle diese IoT-Trends passen gut zu den Technologieangeboten von GF - kostengünstige, effiziente, skalierbare und zuverlässige Lösungen. Unser einzigartiges FDX-Portfolio unterstützt zahlreiche drahtgebundene und drahtlose Produkte für eine Reihe von Anwendungen, darunter die RF-Lösungen mit dem niedrigsten Stromverbrauch der Branche, bei denen GF der etablierte Marktführer im Bereich RF SOI ist, um die anspruchsvollen Anforderungen des IoT zu erfüllen. Halbleiter spielen eine enorme Rolle bei der Entwicklung dieser coolen neuen Geräte, die wir jedes Jahr auf der CES sehen - eine einmalige technologische Chance. GLOBALFOUNDRIES, das GF-Logo und Kombinationen davon sind Marken von GF Inc. in den Vereinigten Staaten und/oder anderen Ländern. Andere Produkt- oder Dienstleistungsnamen dienen nur zu Identifikationszwecken und können Marken oder Dienstleistungsmarken ihrer jeweiligen Eigentümer sein. Die Verwendung dieser Namen, Logos und Marken impliziert keine Befürwortung. Alle fotografischen Abbildungen wurden von Nitin Kulkarni, GF, zur Verfügung gestellt. Über den Autor Nitin Kulkarni Nitin ist ein Principal Staff Advanced Marketing Manager bei GLOBALFOUNDRIES. Er ist für das Produkt- und technische Marketing des CMOS-Produktportfolios von GLOBALFOUNDRIES verantwortlich, mit Schwerpunkt auf den Marktsegmenten IoT und Industrie 4.0. Bevor er zu GLOBALFOUNDRIES kam, war Nitin Divisional Marketing Manager bei Cypress Semiconductor (ehemals Spansion, Inc.), wo er maßgeblich an der Einführung und Leitung der Marketingaktivitäten für die Produktlinie Serial Flash (SPI) des Unternehmens beteiligt war. Nitin hat über 20 Jahre Erfahrung in den Bereichen Technik, Produktmanagement und Marketing von Halbleiterprodukten, darunter x86-Mikroprozessoren, Kommunikation/Netzwerke und Flash-Speicher. Er hat einen Master of Science in Elektrotechnik (MSEE) von der University of North Carolina, Charlotte, und einen Bachelor of Engineering (BE) in Elektrotechnik vom College of Engineering, University of Pune, Indien.
关于2017 CES展会上的5大前沿趋势的思考 February 23, 2017 作者: Nitin Kulkarni 在整个行业的注意力转移到下一格大型国际科技大会（也就是MWC）之前，我想分享一些我关于CES的见解。 今年的CES展会创下历史纪录，超过3800家公司参展，展会面积达到260多万平方英尺。 此外，该展会欢迎在尤里卡公园市场上的600多家初创公司，所有这些公司都展示了它们和未来相关的技术。 2017: 以下是我对2017年CES展会上的几个热门趋势的总结： 连接让家变得更智能，更加专注 与过去几年的CES展会相比，今年CES展会上的电器已经变得更加智能了，因为电子公司正在投入消费者接受连接家庭的智能个人助理技术，例如：语音激活应用；通过手机界面改变颜色/氛围/强度的智能LED灯泡。几家公司已经开始提供“智能家居套件”，并且展出了很多相关产品，包括：智能扬声器，智能照明，智能家电（白色家电），家用机器人，以及可以扫描脸部皱纹的智能镜子。亚马逊的Alexa出现在这这几个家用电子产品中。 多节点WiFi也被称为“全家庭WiFi”。该系统正在成为“智能”家庭基础设施的一部分，因为他们可以通过简单的步骤就可以在必要的地方添加一个节点来扩展WiFi网络，而不需要额外的网关或路由器。随着蓝牙5.0的发展，加上蓝牙网状技术，室内无线信号范围可以增加四倍（相比蓝牙4.x）到接近120英尺，基本上可以通过多个蓝牙设备来覆盖整个家庭的面积。 虚拟（AR）现实变得真实 AR / VR / MR无处不在！ CES是获得最新AR / VR设备实践经验的最佳场所。我们可以一揽全局，同时让你全方位的触摸到这个数字世界。 在移动AR / VR的最前沿是Qualcomm®的Snapdragon™820/835。 835是正在被推广用于AR智能眼镜以实现移动娱乐和移动计算。 VR也是需要极好的微计算的表现的领域之一，这种微计算设计需要更快和更加先进的架构。 更聪明，更小的无人机 无人机技术现在可以支持更先进的功能，比如：障碍物实施探测和规避障碍物。 许多无人机都支持多种功能，包括支持4K摄像机，10-30分钟飞行时间，2.4GHz WiFi，高精度GPS模块，位置精度提高（一些支持“Follow-Me”模式），其中一些具有360度视图。随着电池管理设计的进步，以及无人机架构中的软件算法实现，电池寿命不断得到改善。一些无人机拥有很多高级的功能，例如可用于农业土地和资源管理，建筑可视化，以及实时的3D地形/地面绘图。 今天，娱乐级的玩具无人机的售价低于100美元，高端的高级功能无人机（更长的飞行时间和运行范围）超过2500美元。 电子与汽车和电子设备的融合 今年，汽车和电子行业已经有了一个真正的融合，数以百计的汽车制造商展示了他们的新型汽车技术，这些技术包括自动驾驶系统，电动汽车，和新用户界面。 自动驾驶需要利用更多的新型技术。新的平台亮点包括通过WiFi，以太网，BT和BLE将千兆级LTE连接集成到车载高速宽带系统上。其他展示的“自动驾驶司机”包括顶级汽车制造商宣布整合的一个新的UI概念，这是通过手指手势控制的虚拟自由浮动显示器，以及在2018年的AI动力汽车的新合作伙伴关系。 音频和语音识别技术将在未来发挥巨大的作用 – 正如由各种汽车制造展示的亚马逊的Alexa和微软的Cortana电子助理系统的整合。此外，该车是用户数字系统和社交系统的延伸，车载信息娱乐（IVI）系统需要额外的存储空间用于丰富的多媒体数据和先进的软件和应用。 格芯的FDX技术平台为车载信息系统(IVI)提供授权。 可穿戴设备市场的增长 目前的可穿戴市场已经远远超出了手腕相关产品的范畴。我们可以看聪明的梳子—可以帮助你成为一个更好的梳子使用者；新的用于制造衣服的线；提高睡眠质量同时帮助大脑更快适应锻炼的耳机；很多酷炫的的数字健康工具。 可穿戴设备以及其他电子设备是物联网的重要组成部分，它们将起到数据生产者的作用。一个很好的例子是穿戴式健康器材。由于网络边缘处理的物理数据通常是私有的，处理边缘的数据可能比将原始数据上传到云端更好地保护用户的隐私。 消费电子在推动整个全球科技行业变得越来越重要，而CES则向我们展示了一个根据“”“联接性”的未来。随着数量的增加，各种设备正在被连接到互联网，网络和各种用户将会以更多的新的方式进行互联。 承载大量数据流的网络，以及利用并转换大量原始数据并作出快速决策的数据中心将对半导体行业提供新的需求。要求半导体具有为物联网节点提供更高的功效效率，优化能力和性价比。我们开始看到转向领先的28纳米，22纳米和14纳米（及以上）工艺制程，以及边缘节点计算的增长。格芯的CMOS，RF和ASIC技术解决了这一领先的转变。具体来说，我们的FD-SOI（FDX）和FinFET平台可以同时面向高端市场和中端市场。 对这一点至关重要的是以高能耗和成本效益的方式感知，处理，控制和沟通的能力。 物联网设备的一些基本要求包括低功耗，高性价比的性能，射频连接，卓越的模拟/功率集成和更小的封装。所有这些物联网的趋势在格芯的技术产品— 低成本，高效，可扩展和可靠的解决方案方面发挥了良好的作用。我们独特的FDX产品组合支持多种应用的有线和无线产品，其中包括业界最低功耗的射频解决方案。格芯是RF SOI领域的领先厂商，可满足物联网的苛刻需求。 在每年的CES展会上，半导体在这些酷炫的新设备上发挥着至关重要的作用。对于半导体制造商，这也是千载难逢的机会。 GLOBALFOUNDRIES，格芯的徽标及其组合是格芯公司在美国和/或其他司法管辖区的商标。其他产品或服务名称仅被用于供识别目的，可能是其各自所有者的商标或服务标记。使用这些名称，标志和品牌并不意味着被认可。 所有摄影图像由格芯公司的Nitin Kulkarni提供。
格芯宣布推出45nm射频SOI技术来推动5G移动通信 February 21, 20172017年2月21日 优化后的射频特色功能为5G智能手机及基站毫波的波束赋形提供高性能方案 加利福尼亚州圣何塞2017年2月21日 — 今天，格芯宣布了其45纳米射频SOI(45RFSOI)产品的正式投放，使得格芯成为第一家为未来5G基站与智能手机，以及下一代毫米波波束赋形提供300毫米射频硅设计方案的晶圆制造商。 格芯的45RFSOI产品是公司最先进的射频SOI技术。包括了厚铜层和增强LNA、交换器和功率放大器在射频上性能的电介质，后端线（BEOL）特殊功能为波束赋形的前端模块（FEM）特别优化了此项技术。SOI的本质特征结合射频为核心的功能，为下一代射频与毫米波应用提供了可能性，也为网络宽带近地（LEO）卫星和5G FEM推开了大门。 快速崛起的5G和毫米波市场将寻求在无线电技术、低功率集成毫米波无线电前端、天线相位阵列子系统以及高性能无线收发器方面的创新。正当原始设备制造商向自己的智能手机植入更多射频功能的时候，新的高速网络标准诞生了，最先进的设备仪器将为新运行模式提供更多的射频电路支持。这包括了支持低延迟和高全方位有效辐射功率的芯片、支持全方位覆盖和持续连接性强的高分辨率天线。 为获取GHz下设备运行的先进的功率处理，45RFSOI利用了大于40欧姆-厘米的基底阻值来增加无源器件的品质因素，降低了寄生电容、最小化相位与电压振幅的不一致。此技术支持24GHz到100GHz带宽波谱下的毫米波操作，比4G操作频率高5倍。 “Skyworks很高兴能与格芯合作推动毫米波方案的创新。”Skyworks Solution.Inc首席技术官Peter Gammel说道，“以45RFSOI制程为例，格芯在先进晶圆制造厂技术上的领先优势，使Skyworks可以为5G市场带来革命性的射频方案，同时也更加推动高度 集成射频前端在进化的毫米波应用中的使用。” “5G有望在下一个十年能成为世界统治级的移动通讯标准，为移动、数十亿字节数据传输率、安全、低延迟、网络遍及性和高服务品质（QoS）树立新的模范。”视频业务部高级副总裁Bami Bastani说道，“利用长久的SOI领先技术和大批量制造优势，我们对于发布最先进的射频SOI技术非常兴奋，这将在5G设备和网络的崛起中扮演重要角色。” 格芯的45RFSOI技术利用了部分耗尽式SOI技术基础，此技术从2008年始已投入大批量生产。先进的45RFSOI技术由位于纽约州东费什基尔的300毫米生产线制造，将为该行业内如此高速发展的市场提供足够的空间。 制程设计工具（PDK）现已发售。客户现可优化自己的芯片设计，开发独特方案，并能追求5G射频前端和毫米波相位阵列应用的高性能。 了解更多关于格芯RFSOI方案，请联系格芯销售代表或登录： www.globalfoundries.com. 关于格芯 格芯是提供全方位服务的领先半导体晶圆制造商，为世界上最具创新意识的科技公司提供独特的设计，开发和制造服务。格芯的生产制造业务遍布全球三大洲。格芯使技术和系统转型成为可能，并且帮助客户拥有塑造市场的力量。 格芯是Mubadala Development Company旗下公司。欲了解更多信息，请访问公司官方网站 https://www.globalfoundries.com。
GLOBALFOUNDRIES kündigt Verfügbarkeit von 45-nm-RF-SOI zur Förderung der 5G-Mobilkommunikation an Februar 21, 2017Optimierte RF-Merkmale liefern Hochleistungslösungen für mmWave Beamforming-Anwendungen in 5G-Smartphones und -Basisstationen Santa Clara, Kalifornien, 21. Februar 2016 - GLOBALFOUNDRIES gab heute die Verfügbarkeit seiner 45-nm-RF-SOI (45RFSOI)-Technologie bekannt. Damit ist GF das erste Unternehmen ( foundry ), das eine fortschrittliche 300-mm-HF-Siliziumlösung zur Unterstützung der nächsten Generation von Millimeterwellen (mmWave)-Strahlformungsanwendungen in zukünftigen 5G-Basisstationen und Smartphones ankündigt. Das 45RFSOI-Angebot von GF ist die modernste RF-SOI-Technologie des Unternehmens. Die Technologie ist für Beamforming-Frontend-Module (FEMs) optimiert und verfügt über Back-End-of-Line-Merkmale wie dickes Kupfer und Dielektrika, die eine verbesserte HF-Leistung für LNAs, Schalter und Leistungsverstärker ermöglichen. Die intrinsischen Eigenschaften von SOI in Kombination mit RF-zentrierten Merkmalen ermöglichen RF- und mmWave-Anwendungen der nächsten Generation, einschließlich Internet-Breitbandsatelliten im niedrigen Erdorbit (LEO) und 5G-FEMs. Die sich schnell entwickelnden 5G- und mmWave-Märkte erfordern Innovationen im Bereich der Funktechnologien, darunter integrierte mmWave-Funk-Frontends mit geringem Stromverbrauch, Antennen-Phased-Array-Subsysteme und leistungsstarke Funksendeempfänger. Da OEMs mehr RF-Inhalte in ihre Smartphones integrieren und neue Hochgeschwindigkeitsnetzwerkstandards eingeführt werden, benötigen moderne Geräte zusätzliche RF-Schaltkreise, um neuere Betriebsarten zu unterstützen. Dazu gehören Chips, die niedrige Latenzzeiten, höhere EIRP und hochauflösende Antennenabtastung für eine flächendeckende Abdeckung und kontinuierliche Konnektivität unterstützen. Für eine verbesserte Leistungsaufnahme von Geräten, die im GHz-Frequenzbereich betrieben werden, enthält 45RFSOI einen Substratwiderstand von mehr als 40 Ohm-cm, der den Qualitätsfaktor für passive Geräte maximiert, parasitäre Kapazitäten reduziert und Unterschiede in Phase und Spannungshub minimiert. Die Technologie unterstützt den Betrieb im mmWave-Spektrum von 24GHz bis 100GHz, 5x mehr als 4G-Betriebsfrequenzen. "Skyworks freut sich über die Zusammenarbeit mit GF, um Innovationen bei Millimeterwellen-Lösungen voranzutreiben", so Peter Gammel, Chief Technology Officer bei Skyworks Solutions, Inc. "Die führende Rolle von GF im Bereich der fortschrittlichen foundry Technologie, wie sie der 45RFSOI-Prozess darstellt, ermöglicht es Skyworks, HF-Lösungen zu entwickeln, die die aufkommenden 5G-Märkte revolutionieren und den Einsatz von hochintegrierten HF-Frontends für sich entwickelnde mmWave-Anwendungen weiter vorantreiben werden. "Es wird erwartet, dass 5G der dominierende weltweite Mobilfunkstandard des nächsten Jahrzehnts wird und ein neues Paradigma für Mobilität, Multi-GBps-Datenraten, Sicherheit, niedrige Latenzzeiten, Netzverfügbarkeit und hohe Dienstqualität (QoS) einleitet", so Bami Bastani, Senior Vice President der RF Business Unit bei GF. "Wir freuen uns, unsere fortschrittlichste RF-SOI-Technologie auf den Markt bringen zu können, die eine entscheidende Rolle bei der Realisierung von 5G-Geräten und -Netzwerken spielen wird." Die 45RFSOI-Technologie von GF stützt sich auf eine teilweise erschöpfte SOI-Technologiebasis, die seit 2008 in Großserie produziert wird. Die fortschrittliche 45RFSOI-Technologie wird in der 300-mm-Produktionslinie von GF in East Fishkill, New York, hergestellt und bietet der Branche ausreichend Kapazitäten, um diesen stark wachsenden Markt zu bedienen. Prozessdesign-Kits sind ab sofort verfügbar. Kunden können jetzt damit beginnen, ihre Chipdesigns zu optimieren, um differenzierte Lösungen für Kunden zu entwickeln, die eine hohe Leistung im RF-Front-End von 5G- und mmWave-Phased-Array-Anwendungen suchen. Weitere Informationen zu den RF SOI-Lösungen von GF erhalten Sie von Ihrem GF-Vertriebsmitarbeiter oder unter www.globalfoundries.com. Über GF GF ist ein führender Full-Service-Halbleiterhersteller foundry und bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen für einige der weltweit führenden Technologieunternehmen. Mit einer globalen Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, ermöglicht GF die Technologien und Systeme, die die Industrie verändern und den Kunden die Möglichkeit geben, ihre Märkte zu gestalten. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakt: Erica McGillGF(518) 795-5240[email protected]
格芯继续扩大产能以满足全球客户需求 February 9, 20172017年2月9日 格芯公司在美国，德国，中国和新加坡增加投资，用于提高其产能。 加利福尼亚州圣克拉拉市， 2017年2月9日 格芯公司今天宣布计划扩张其在全球的制造基地，以满足日益增长的客户对全面和差异化技术组合的需求。该公司将继续对其现有的美国和德国最先进的晶圆厂投入资金。同时，公司计划扩大在中国的业务（在成都新建立一座晶圆厂），并增加新加坡方面在主流技术上的产能。 “我们将继续投资于扩大产能和技术提升，用以满足全球客户的需求”，格芯的 CEO Sanjay Jha说。 “我们看到客户对我们的主流和前沿技术的有着巨大需求，这些需求包括从我们世界级连接设备的RF-SOI平台，到我们在最前沿领域的FD-SOI和FinFET产品规划。这些新增的投资将使我们能够扩大现有的晶圆生产，并通过在成都方面建立的伙伴合作关系来扩大格芯在中国的业务。” 在美国，格芯计划在纽约的Fab 8晶圆厂将14nm FinFET的产能再增加20％，将于2018年初拥有新的产能。这一扩张的基础是在过去8年中，格芯在美国的四个地区投资了大约130亿美元，并且创造了9000个直接工作岗位和15,000个相关工作岗位。纽约将继续保持其在7nm和极紫外（EUV）光刻领先技术开发的中心地位，并计划在2018年第二季度实现7nm的生产。 在德国，格芯计划在德累斯顿的Fab 1晶圆厂增加22FDX®22nm FD-SOI产能，以满足物联网（IoT），智能手机处理器，汽车电子设备以及其他由电池供电的无线连接应用的需求。到2020年，该晶圆厂的产能将增长40％。德累斯顿将继续其FDX技术开发的中心的地位。格芯在德累斯顿的工程师们正在开发公司的下一代12FDX™技术，第一批产品预计将在2018年中期开始生产。 在中国，格芯和成都市建立了合作伙伴关系，并将和成都方面在当地共同建立一座晶圆厂。该合作计划将会建立一个300mm晶圆厂，以满足高速增长的中国半导体市场需求，和全球客户对22FDX不断增长的需求。晶圆厂将在2018年开始生产主流制程的产品，然后专注于制造格芯的商业化的22FDX制程产品，预计量产将会从2019年开始。 在新加坡，格芯将会在300mm晶圆厂的将40nm的产量增加35％，同时在200mm生产线上实现更多的180nm生产。同时，该公司还将增加新的产能来生产业界领先的RF-SOI技术产品。 高通全球业务部的高级副总裁陈文华表示：“格芯与高通在多个制程节点方面已经有多年的合作关系，”我们很高兴看到格芯在差异化的技术和产能扩大方面进行进一步的投资，用以支持高通在一系列的集成电路领域中实现下一波的创新。” Rockchip首席执行官Min Li表示：“铸造厂合作伙伴关系对于我们从竞争激烈的移动SoC市场中脱颖而出至关重要。” “我们很高兴看到格芯将其创新的22FDX技术带入中国，并进行产量和产能方面的投资用以支持中国的无晶圆半导体产业的增长。” 联发科联合首席运营官Joe Chen说：“随着我们的客户对移动体验越来越强的需求，我们对优秀的生产制造合作伙伴的需求比往任何时候都要大。”“我们很高兴有像格芯这样的合作伙伴投资于我们所需要的全球化产能，用以提供从网络，互联，到物联网的强大而高效的移动技术。” 关于格芯 格芯是提供全方位服务的领先半导体晶圆制造商，为世界上最具创新意识的科技公司提供独特的设计，开发和制造服务。格芯的生产制造业务遍布全球三大洲。格芯使技术和系统转型成为可能，并且帮助客户拥有塑造市场的力量。 格芯是Mubadala Development Company旗下公司。欲了解更多信息，请访问公司官方网站 https://www.globalfoundries.com。 联系人： Jason Gorss 电话：（518）698-7765 [email protected]
GLOBALFOUNDRIES expandiert, um die weltweite Kundennachfrage zu erfüllen Februar 9, 2017Unternehmen investiert in Kapazitätserweiterung in den Vereinigten Staaten, Deutschland, China und Singapur Santa Clara, Kalifornien, 9. Februar 2017 - GLOBALFOUNDRIES kündigte heute Pläne zum Ausbau seiner globalen Fertigungspräsenz an, um der wachsenden Kundennachfrage nach seinem umfassenden und differenzierten Technologieportfolio gerecht zu werden. Das Unternehmen investiert in seine bestehenden hochmodernen Produktionsstätten in den USA und Deutschland, erweitert seine Präsenz in China mit einer Produktionsstätte in Chengdu und baut seine Kapazitäten für Mainstream-Technologien in Singapur aus. "Wir investieren weiterhin in Kapazitäten und Technologien, um den Anforderungen unserer weltweiten Kundenbasis gerecht zu werden", sagte GF-CEO Sanjay Jha. "Wir verzeichnen eine starke Nachfrage nach unseren Mainstream- und Spitzentechnologien, von unserer erstklassigen RF-SOI-Plattform für vernetzte Geräte bis hin zu unserer FD-SOI- und FinFET-Roadmap für die Spitzenklasse. Diese neuen Investitionen ermöglichen es uns, unsere bestehenden Fabriken zu erweitern und gleichzeitig unsere Präsenz in China durch eine Partnerschaft in Chengdu auszubauen." In den USA plant GF, die 14-nm-FinFET-Kapazität in seinem Werk Fab 8 in New York um weitere 20 Prozent zu erhöhen, wobei die neuen Produktionskapazitäten Anfang 2018 in Betrieb genommen werden sollen. Diese Erweiterung baut auf den rund 13 Milliarden US-Dollar auf, die in den letzten acht Jahren in den USA investiert wurden. Damit verbunden sind 9.000 direkte Arbeitsplätze an vier Standorten und 15.000 Arbeitsplätze im regionalen Ökosystem. New York wird auch weiterhin das Zentrum für die Entwicklung von Spitzentechnologien für die 7nm- und EUV-Lithografie sein, wobei die 7nm-Produktion für das zweite Quartal 2018 geplant ist. In Deutschland plant GF den Ausbau der 22FDX® 22nm FD-SOI-Kapazitäten in der Fab 1 in Dresden, um die Nachfrage nach dem Internet der Dinge (IoT), Smartphone-Prozessoren, Automobilelektronik und anderen batteriebetriebenen, drahtlos verbundenen Anwendungen zu befriedigen und die Gesamtkapazität der Fab bis 2020 um 40 Prozent zu erhöhen. Dresden wird auch in Zukunft das Zentrum für die Entwicklung der FDX-Technologie sein. Die Ingenieure von GF in Dresden arbeiten bereits an der Entwicklung der nächsten Generation der 12FDX™-Technologie. Die ersten Kundenprodukte sollen Mitte 2018 auf den Markt kommen. In China haben GF und die Stadtverwaltung von Chengdu eine Partnerschaft zum Bau einer Produktionsstätte in Chengdu geschlossen. Die Partner planen die Errichtung einer 300-mm-Fertigung, um das Wachstum des chinesischen Halbleitermarktes zu unterstützen und die steigende globale Kundennachfrage nach 22FDX zu befriedigen. Die Fabrik wird 2018 mit der Produktion von Mainstream-Prozesstechnologien beginnen und sich dann auf die Herstellung der kommerziell verfügbaren 22FDX-Prozesstechnologie von GF konzentrieren, wobei der Beginn der Volumenproduktion für 2019 vorgesehen ist. In Singapur wird GF die 40-nm-Kapazität in seiner 300-mm-Fertigung um 35 Prozent erhöhen und gleichzeitig die 180-nm-Produktion in seinen 200-mm-Fertigungslinien ausbauen. Das Unternehmen wird außerdem neue Kapazitäten für die Produktion seiner branchenführenden RF-SOI-Technologie schaffen. "GF unterhält seit vielen Jahren eine enge Beziehung zu Qualcomm Technologies foundry über eine Vielzahl von Prozessknoten hinweg", so Roawen Chen, Senior Vice President, QCT Global Operations, Qualcomm Technologies, Inc. "Wir freuen uns über die neuen Investitionen von GF in differenzierte Technologien und den Ausbau der globalen Kapazitäten, um Qualcomm Technologies bei der nächsten Innovationswelle in einer Reihe von integrierten Schaltkreisen zu unterstützen, die unser Geschäft fördern." "Partnerschaften mit foundry sind für uns entscheidend, um uns auf dem wettbewerbsintensiven Markt für mobile SoCs zu differenzieren", sagte Min Li, Chief Executive Officer von Rockchip. "Wir freuen uns, dass GF seine innovative 22FDX-Technologie nach China bringt und in die notwendigen Kapazitäten investiert, um die wachsende fabless Halbleiterindustrie des Landes zu unterstützen. "Da unsere Kunden immer mehr von ihren mobilen Erfahrungen verlangen, ist der Bedarf an einem starken Fertigungspartner größer denn je", sagte Joe Chen, Co-Chief Operating Officer von MediaTek. "Wir sind begeistert, einen Partner wie GF zu haben, der in die globalen Kapazitäten investiert, die wir benötigen, um leistungsstarke und effiziente mobile Technologien für Märkte zu liefern, die von der Vernetzung und Konnektivität bis hin zum Internet der Dinge reichen. ÜBER GF GF ist ein führender Full-Service-Halbleiterhersteller foundry und bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen für einige der weltweit führenden Technologieunternehmen. Mit einer globalen Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, ermöglicht GF die Technologien und Systeme, die die Industrie verändern und den Kunden die Möglichkeit geben, ihre Märkte zu gestalten. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakte: Jason GorssGF(518) 698-7765[email protected]
Rambus stellt Speicher-PHY mit hoher Bandbreite auf GLOBALFOUNDRIES FX-14™ ASIC-Plattform mit 14-nm-LPP-Prozess-Technologie vor Februar 8, 2017SUNNYVALE, Kalifornien - 7. Februar 2017 - Rambus Inc. (NASDAQ: RMBS) gab heute die Verfügbarkeit seines High Bandwidth Memory (HBM) Gen2 PHY bekannt, der für GLOBALFOUNDRIES leistungsstarke FX-14TM ASIC-Plattform entwickelt wurde. Der auf der 14-nm-FinFET (14LPP)-Prozesstechnologie von GLOBALFOUNDRIES basierende HBM-PHY von Rambus zielt auf Netzwerk- und Rechenzentrumsanwendungen ab und wurde für Systeme entwickelt, die eine niedrige Latenzzeit und eine hohe Speicherbandbreite erfordern. Dieser PHY ist vollständig konform mit dem JEDEC HBM2-Standard und unterstützt Datenraten von bis zu 2000 Mbit/s pro Datenpin, was eine Gesamtbandbreite von 256 GB/s ermöglicht, um die Anforderungen der datenintensivsten Aufgaben von heute zu erfüllen. "Die Anforderungen von Rechenzentren ändern sich ständig, und wir sind führend bei der Bereitstellung von Speicherschnittstellentechnologie, die für die anspruchsvollsten Arbeitslasten von heute ausgelegt ist", sagte Luc Seraphin, Senior Vice President und General Manager des Geschäftsbereichs Memory and Interfaces von Rambus. "Durch unsere Zusammenarbeit mit GLOBALFOUNDRIES liefern wir eine umfassende und robuste Lösung für Hochleistungs-Rechenzentren und Netzwerkanwendungen. Unser HBM-Angebot ermöglicht es den Entwicklern von Rechenzentrumslösungen, Hochleistungsspeicher näher an die CPU zu bringen, wodurch die Latenzzeit verringert und der Systemdurchsatz verbessert wird."
Rambus公司在格芯FX-14™ASIC平台上使用14nm LPP制程技术推出高带宽内存PHY Februar 7, 2017SUNNYVALE, Kalifornien - 7. Februar 2017 - Rambus Inc.. (NASDAQ: RMBS) hat heute die Verfügbarkeit seines High Bandwidth Memory (HBM) Gen2 PHY der für GLOBALFOUNDRIES Hochleistungs-FX-14TM ASIC-Plattform entwickelt wurde. Der auf der 14-nm-FinFET (14LPP)-Prozesstechnologie von GLOBALFOUNDRIES basierende HBM-PHY von Rambus zielt auf Netzwerk- und Rechenzentrumsanwendungen ab und wurde für Systeme entwickelt, die eine niedrige Latenzzeit und eine hohe Speicherbandbreite erfordern. Dieser PHY ist vollständig konform mit dem JEDEC HBM2-Standard und unterstützt Datenraten von bis zu 2000 Mbit/s pro Datenpin, was eine Gesamtbandbreite von 256 GB/s ermöglicht, um die Anforderungen der datenintensivsten Aufgaben von heute zu erfüllen.
Wanderfalke Semiconductor公司推出具有业界最佳RonCoff性能的下一代技术平台 Januar 25, 2017SAN DIEGO - 25. Januar 2017 - Peregrine Semiconductor Corp., Begründer von RF SOI (Silizium auf Isolator) und Pionier für fortschrittliche RF-Lösungen, kündigt die UltraCMOS® 12-Technologieplattform an. Jetzt in Produktion, diese RF SOI-Plattform der nächsten Generation bietet den branchenweit niedrigsten RONCOFF von 80 f - eine 25-prozentige Verbesserung gegenüber der letzten Generation. Bei der Entwicklung der 300-mm-UltraCMOS-12-Plattform arbeitete Peregrine mit GLOBALFOUNDRIES zusammen, einem führenden Full-Service-Halbleiterhersteller foundry.
