Die fortschrittliche 8SW 300mm SOI-Technologie ermöglicht kosteneffiziente, leistungsstarke RF-Frontend-Module für 4G LTE-Mobilfunk- und Sub-6GHz 5G-Anwendungen

Santa Clara, Kalifornien, 20. September 2017 - GLOBALFOUNDRIES gab heute die Verfügbarkeit der branchenweit ersten RF SOI foundry Lösung bekannt, die auf 300mm-Wafern gefertigt wird. Die fortschrittlichste RF-SOI-Technologie des Unternehmens, 8SW SOI, bietet erhebliche Leistungs-, Integrations- und Flächenvorteile in Front-End-Modulen (FEMs) für 4G-LTE- und Sub-6-GHz-5G-Mobilfunk- und Drahtloskommunikationsanwendungen.

Die neue 8SW-Technologie von GF bietet eine kostengünstige, stromsparende und hochflexible Lösung mit überlegenen Schaltfunktionen, rauscharmen Verstärkern (LNA) und logischen Verarbeitungsfunktionen auf einer 300-mm-Fertigungslinie. Die Technologie zeichnet sich durch eine bis zu 70-prozentige Leistungsreduzierung im Vergleich zur Vorgängergeneration aus und bietet eine höhere Spannungsfestigkeit, einen klassenbesten Einschaltwiderstand (Ron) und eine klassenbeste Ausschaltkapazität (Coff) für geringere Einfügungsverluste bei hoher Isolierung sowie eine Vollkupferverbindung, die die Stromaufnahmekapazität verbessert.

"Skyworks wird auch weiterhin sein umfassendes System-Know-how nutzen, um seinen Kunden weltweit maßgeschneiderte Lösungen anzubieten", so Joel King, Vice President und General Manager Advanced Mobile Solutions bei Skyworks. "Unsere Zusammenarbeit mit GF hat Skyworks einen frühen Zugang zu erstklassiger Switch- und LNA-Technologie verschafft, die RF-Frontends für mobile Geräte der nächsten Generation und sich entwickelnde IoT-Anwendungen weiter voranbringen wird.

"Wir leben heute in einer Welt der vernetzten Intelligenz, in der die Menschen überall nahtlose und zuverlässige Datenverbindungen erwarten und fordern", sagt Bami Bastani, Senior Vice President der RF Business Unit von GF. "Dies wird jedoch immer schwieriger zu erreichen, da Front-Ends zunehmend in der Lage sein müssen, viele verschiedene Frequenzbänder und viele verschiedene Arten von HF-Signalen zu verarbeiten, zusammen mit einer integrierten digitalen Verarbeitung und Steuerung. Als Branchenführer im HF-Bereich haben wir den neuen 8SW-Prozess entwickelt, um unsere Kunden bei der Erfüllung ihrer dringendsten Anforderungen zu unterstützen."

Die 300-mm-HF-Technologie auf SOI-Basis (Silicon-on-Insulator) bietet Entwicklern eine kosteneffiziente Plattform mit einer optimalen Kombination aus Leistung, Integration und Energieeffizienz sowie einer besseren digitalen Integrationsfähigkeit. Die 8SW-Technologie von GF beinhaltet eine spezielle Substratoptimierung, die den Qualitätsfaktor für passive Bauelemente maximiert, parasitäre Kapazitäten für aktive Schaltungen reduziert und die Unterschiede in Phase und Spannungshub für Bauelemente, die im Sub-GHz-Frequenzbereich arbeiten, minimiert. Die Technologie stellt einen optimierten LNA mit führender Rauschzahl und hohem ft/fmax vor, der Diversity-Empfangs- und Hauptantennenpfad-LNA-Anwendungen für die heutigen 4G-Betriebsfrequenzen und künftige Sub-6GHz-5G-FEMs unterstützt.

Die fortschrittliche 8SW-Technologie wird auf der 300-mm-Produktionslinie von GF in Fab 10 in East Fishkill, N.Y., hergestellt und bietet der Industrie Produktionskapazitäten, um die erwartete Marktnachfrage zu geringeren Kosten zu decken. Prozessdesign-Kits sind ab sofort erhältlich.

Weitere Informationen zu den RF SOI-Lösungen von GF erhalten Sie bei Ihrem GLOBALFOUNDRIES-Vertriebsmitarbeiter oder unter www.globalfoundries.com.

Über GF:

GLOBALFOUNDRIES ist ein führender Full-Service-Halbleiterhersteller foundry und bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen für einige der weltweit führenden Technologieunternehmen. Mit einer globalen Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, ermöglicht GLOBALFOUNDRIES die Technologien und Systeme, die Industrien verändern und Kunden die Möglichkeit geben, ihre Märkte zu gestalten. GLOBALFOUNDRIES ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

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Der gemeinsam entwickelte 14HP-Prozess ist die weltweit einzige Technologie, die sowohl FinFET als auch SOI nutzt

Santa Clara, Kalifornien, 20. September 2017 - GLOBALFOUNDRIES liefert jetzt seine 14-nm-Hochleistungstechnologie (HP), die IBMs nächste Generation von Prozessoren für Serversysteme ermöglichen wird, in großen Stückzahlen aus. Der gemeinsam entwickelte 14HP-Prozess ist speziell darauf ausgelegt, die ultrahohe Leistung und Datenverarbeitungskapazität zu liefern, die IBM benötigt, um seine Cloud-, Handels- und Unternehmenslösungen in der Ära von Big Data und Cognitive Computing zu unterstützen. IBM kündigte die allgemeine Verfügbarkeit des IBM Z am 13. September an.

14HP ist die branchenweit einzige Technologie, die eine dreidimensionale FinFET-Transistorarchitektur auf einem Silizium-auf-Isolator-Substrat (SOI) integriert. Mit einem 17-Lagen-Metallstapel und mehr als acht Milliarden Transistoren pro Chip nutzt die Technologie eingebetteten DRAM und andere innovative Funktionen, um höhere Leistung, geringeren Energieverbrauch und eine bessere Flächenskalierung als frühere Generationen zu bieten und so eine breite Palette von Deep Computing-Workloads zu bewältigen.

Die 14HP-Technologie ist die Grundlage für die Prozessoren der neuesten z14-Mainframes von IBM. Der zugrundeliegende Halbleiterprozess ermöglicht es IBM-Kunden, eine massive Transaktionsskalierung von hochvolumigen Arbeitslasten zu ermöglichen, maschinelles Lernen auf ihre wertvollsten Daten anzuwenden und schnell verwertbare Erkenntnisse für intelligente Entscheidungen abzuleiten - und das alles bei einer durchgängigen Verschlüsselung, die den ultimativen Datenschutz bietet.

"GlobalFoundries war ein strategischer Partner bei der Entwicklung einer kundenspezifischen Halbleitertechnologie, um die aggressiven Anforderungen der Prozessoren für unsere neuesten Serversysteme zu erfüllen", sagte Ross Mauri, General Manager, IBM Z. "Wir freuen uns, diese 14HP-Technologie in unsere IBM Z-Produktlinie zu bringen."

"GF und IBM verfügen gemeinsam über eine unübertroffene Erfahrung in der Entwicklung und Herstellung von SOI-Chips mit extrem hoher Leistung", so Mike Cadigan, Senior Vice President of Global Sales and Business Development bei GF. "Diese neue Generation von 14HP-Prozessoren ist ein weiteres Beispiel für die enge Zusammenarbeit zwischen unseren Entwicklungsteams, um die Anforderungen einer neuen Generation von Serversystemen zu erfüllen."

"Die 14HP-Technologie nutzt die bewährte 14-nm-FinFET-Erfahrung unserer Fab 8 in Saratoga County, N.Y.", so Tom Caulfield, Senior Vice President und General Manager der Fab 8 von GF. "Wir produzieren hohe Stückzahlen mit einer breiten Palette von Kundendesigns für eine Vielzahl von Anwendungen. Unsere ausgereiften und vielfältigen Fertigungskapazitäten werden es IBM ermöglichen, seine neuesten Prozessordesigns auf den Markt zu bringen, um seine breite Kundenbasis zu bedienen.

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Technologieplattformen sind einzigartig positioniert, um mit dem Übergang zu 5G eine neue Ära der "vernetzten Intelligenz" zu ermöglichen

Santa Clara, Kalifornien, 20. September 2017 - GLOBALFOUNDRIES gab heute seine Vision und Roadmap für eine umfassende Palette von Technologieplattformen bekannt, die Kunden den Übergang zu 5G-Mobilfunknetzen der nächsten Generation erleichtern sollen. Das Unternehmen bietet das branchenweit breiteste Angebot an Technologielösungen für eine Reihe von 5G-Anwendungen, von integrierten mmWave-Frontend-Modulen (FEMs), Transceivern und Basisband-Chips bis hin zu Hochleistungs-Anwendungsprozessoren für Mobilfunk und Netzwerke.

Da die Welt immer stärker auf digitale Informationen angewiesen ist, wird erwartet, dass die Konnektivität ein enormes Wachstum vorantreiben wird, mit schätzungsweise 8,4 Milliarden angeschlossenen Geräten bis 2020. 5G wird eine Schlüsselrolle spielen, wenn es darum geht, Netze zu realisieren, die Menschen und vernetzte Maschinen über eine Null-Distanz-Verbindung miteinander verbinden. Die allgegenwärtige Konnektivität, der unglaubliche Durchsatz und die rasanten Geschwindigkeiten von 5G werden es Anwendungen ermöglichen, die Verarbeitungsleistung der Cloud voll auszuschöpfen.

"Wir bei GF gehen davon aus, dass der Übergang von 4G zu 5G ebenso disruptiv sein wird wie der Übergang von Sprache zu Daten", so GF-CEO Sanjay Jha. "5G wird alle Branchen verändern, und unsere Kunden bereiten sich bereits auf die Zukunft vor. Deshalb treiben wir die technologischen Grenzen immer weiter voran, indem wir ein umfangreiches Technologieportfolio anbieten, um die Anforderungen an Anwendungen zu erfüllen, die vernetzte Intelligenz für bahnbrechende Technologien wie 5G ermöglichen."

"Die Vision von 5G ist es, eine extrem zuverlässige Kommunikation mit hohem Datendurchsatz, hoher Nutzerdichte und einer Netzwerklatenz von weniger als 5 ms zu ermöglichen", so Linley Gwennap, Principal Analyst von The Linley Group. "Mit seinem breiten Portfolio und seiner Erfahrung ist GF gut positioniert, um die Anforderungen dieser Netzwerke bei der Umstellung auf 5G zu erfüllen - vom Gerät bis hin zum Rechenzentrum und allem, was dazwischen liegt."

GF verfügt über eine Reihe von marktdifferenzierenden Lösungen, die die Leistungskriterien von 5G-Anwendungen erfüllen. Die Technologie-Roadmap des Unternehmens umfasst Angebote in den Bereichen RF-SOI, Silizium-Germanium (SiGe), RF-CMOS und fortschrittliche CMOS-Knoten, kombiniert mit einer breiten Palette von ASIC-Design-Services und IP.

GF's 5G End-to-End Lösungen

Die 5G-Lösungen von GF sind Teil der Vision des Unternehmens, die nächste Technologiewelle zu entwickeln und bereitzustellen, um vernetzte Intelligenz für Geräte, Netzwerke und drahtgebundene/drahtlose Systeme der nächsten Generation zu ermöglichen. Diese anwendungsspezifischen Lösungen adressieren verschiedene Kundenansätze für 5G, indem sie eine breite Palette von Funktionen unterstützen, von Sensoren mit extrem niedrigem Energieverbrauch über ultraschnelle Geräte mit langer Akkulaufzeit bis hin zu höheren Integrationsniveaus, die On-Chip-Speicher unterstützen.

• 5G mmWave Front End Module: Die RF-SOI- und SiGe-Lösungen von GF (130nm-45nm) bieten eine optimale Kombination aus Leistung, Integration und Energieeffizienz für FEMs und integrierte Leistungsverstärker (PA). Die mmWave-Lösungen von GF sind für den Betrieb zwischen dem mmWave- und dem Sub-6GHz-Frequenzband ausgelegt, weitere mmWave-Bänder stehen auf der Roadmap des Unternehmens. Kunden können jetzt damit beginnen, ihre Chipdesigns zu optimieren, um differenzierte Lösungen für hohe Leistung im RF-Front-End von 5G- und mmWave-Phased-Array-Anwendungen zu entwickeln.
• 5G mmWave-Transceiver und Basisband-Verarbeitung: Die FDX-Technologie von GF (22nm und 12nm) bietet die Lösung mit dem geringsten Stromverbrauch und der kleinsten Stellfläche für 5G-Transceiver mit der Integration von RF, ADC, digitalem Basisband und Speicher auf einem einzigen Chip. Weitere Merkmale sind eine einzigartige Back-Gate-Bias-Funktion, die neuartige Architekturen und einen rekonfigurierbaren Betrieb ermöglicht. Diese optimierten Lösungen bieten Kunden eine flexible und kostengünstige Lösung zur Integration von mmWave-Transceivern und Basisbandverarbeitung in 5G-Basisstationen, Satelliten, Radar und anderen Hochleistungsanwendungen. FDX für mmWave wird ab 2018 über GF und seine weltweiten Partner erhältlich sein.
• Fortschrittliche Anwendungsverarbeitung: Die fortschrittlichen CMOS FinFET-basierten Prozesstechnologien von GF bieten eine optimale Kombination aus Leistung, Integration und Energieeffizienz für Smartphone-Prozessoren der nächsten Generation, Netzwerke mit geringer Latenzzeit und massive MIMO-Netzwerke. Fortschrittliche CMOS-Lösungen sind ab sofort bei GF erhältlich.
• Kundenspezifisches Design für 5G Wireless-Basisstationen: Die anwendungsspezifischen ASIC-Designsysteme (FX-14 und FX-7) des Unternehmens ermöglichen optimierte 5G-Lösungen (Funktionsmodule) durch Unterstützung von Wireless-Infrastrukturprotokollen auf Hochgeschwindigkeits-SerDes, Lösungen zur Integration von fortschrittlichem Packaging, monolithischer, ADC/DAC- und programmierbarer Logik. Die 5G-Lösung umfasst 32G BP- und 32G SR-SerDes zur Unterstützung der Standards CPRI und JESD204C. Sie umfasst auch fortschrittliche Gehäuselösungen wie 2,5D und MCM mit mmWave-fähigen ADC/DAC-Datenwandlern und digitalem Front-End (DFE). FX-14 ist ab heute für Kunden verfügbar, während die Volumenproduktion für FX-7 für 2019 erwartet wird.

Diese 5G-Lösungen sind über GF und seine weltweiten Partner erhältlich. GF arbeitet derzeit mit Kunden zusammen, um die Entwicklung von Prototyping-Systemen für Einsatzversuche in den nächsten Jahren zu unterstützen.

Unerreichte RF-Führerschaft

GF ist tief in den RF-SOI- und SiGe-Prozessen verwurzelt und hat dank seiner Erfahrung in der Fertigung und seiner technischen Kompetenz bei der Entwicklung von RF-Kommunikationsarchitekturen der nächsten Generation bereits mehr als 32 Milliarden RF-SOI- und 5 Milliarden SiGe-Chips ausgeliefert.

Um die steigende weltweite Nachfrage nach 5G-Lösungen zu befriedigen, erweitert GF die Produktionskapazitäten in seiner 300-mm-Fabrik in East Fishkill und baut seine branchenführende RF-SOI-Technologie in seiner 200-mm-Fabrik in Singapur weiter aus.

Anokiwave

"Eine große Herausforderung auf dem 5G-mmW-Markt ist das Verständnis von Methoden zur Herstellung kommerziell nutzbarer Phased-Array-Antennen. Wir glauben, dass die führende RF SOI- und SiGe-Technologie von GF Anokiwave in die Lage versetzt, differenzierte Millimeterwellen-Lösungen zu entwickeln, um die Industrialisierung von 5G mmW-Netzwerken voranzutreiben."
Robert Donahue, CEO, Anokiwave

Wanderfalke

"Seit fast drei Jahrzehnten steht die UltraCMOS®-Technologieplattform von Peregrine an der Spitze der RF-SOI-Leistung, und seit 2013 hat unsere Zusammenarbeit mit GLOBALFOUNDRIES es Peregrine ermöglicht, die RF-SOI-Technologie weiter voranzutreiben. Angesichts der bevorstehenden 5G-Entwicklung freut sich Peregrine, dass GF sich zu einer 5G-Roadmap verpflichtet hat, die die hochintegrierten 5G-Lösungen von Peregrine unterstützen wird"
Jim Cable, CTO von Peregrine Semiconductor

Qualcomm

"Global Foundries unterhält seit vielen Jahren eine enge foundry Beziehung zu Qualcomm Technologies, die sich auf eine Vielzahl von Prozessknoten erstreckt. Wir sind gespannt darauf, was 5G der Branche bringen kann und freuen uns darauf, die Entwicklung zu beobachten."
Cristiano Amon, Executive Vice President, Qualcomm Technologies, Inc. und President, Qualcomm CDMA Technologies

Skyworks

"Da unsere Kunden immer höhere Ansprüche an ihre mobilen Erfahrungen stellen, ist der Bedarf an einem starken Fertigungspartner größer denn je. Wir freuen uns, einen Partner wie GF zu haben, der sich auf die Bereitstellung von Technologien konzentriert, die wir nutzen können, um leistungsstarke und zukunftssichere HF-Lösungen für 5G-Märkte zu liefern, die von mobiler Konnektivität und drahtloser Infrastruktur bis hin zum Internet der Dinge reichen"
Peter Gammel, CTO bei Skyworks Solutions, Inc.

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Strategischer Meilenstein zur Gewährleistung einer sicheren, großvolumigen Versorgung mit FD-SOI-Technologie

Santa Clara, Kalifornien, und Bernin (Grenoble), Frankreich, 20. September 2017 - GLOBALFOUNDRIES und Soitec gaben heute bekannt, dass sie eine Fünfjahresvereinbarung geschlossen haben, um die Volumenlieferung von hochmodernen, vollständig verarmten Silizium-auf-Isolator-Wafern (FD-SOI) sicherzustellen. Diese Vereinbarung erweitert die bestehende Partnerschaft und bietet beiden Unternehmen eine solide Grundlage, um die FD-SOI-Lieferkette zu stärken und eine hochvolumige Fertigung zu gewährleisten.

Dank der Führungsrolle der beiden Unternehmen hat sich FD-SOI zur Standardtechnologie für kostengünstige, stromsparende Geräte in hochvolumigen Consumer-, IoT- und Automotive-Anwendungen entwickelt. Die Vereinbarung, die mit sofortiger Wirkung in Kraft tritt, baut auf der bestehenden engen Beziehung zwischen den Unternehmen auf und garantiert die Lieferung von Wafern für die 22nm FD-SOI (22FDX®) Technologieplattform von GF.

"GLOBALFOUNDRIES liefert branchenführende FD-SOI-Lösungen mit extrem niedrigem Stromverbrauch und bedarfsgerechter Leistung sowie kostensensitiven Fertigungsoptionen", so John Docherty, Senior Vice President of Global Operations bei GF. "Mit Soitec als langfristigem strategischem Partner gewährleistet diese Vereinbarung eine sichere Versorgung, um den Bedarf an hochvolumigen Kapazitäten für aktuelle und zukünftige Kunden zu decken."

"Diese Vereinbarung stellt ein langfristiges Engagement eines wichtigen strategischen Kunden dar, das die FD-SOI-Lieferkette weiter stärkt und die Einführung hoher Stückzahlen bestätigt", sagte Paul Boudre, CEO von Soitec. "Soitec ist voll und ganz darauf vorbereitet, GF bei seinem langfristigen Plan zu unterstützen, 22FDX und 12FDX als FD-SOI-Standard zu implementieren und auszubauen. Diese strategische Vereinbarung mit einem sehr großen Wafervolumen spiegelt das starke Vertrauen von GF in Soitec wider, da wir die erforderlichen Kapazitäten aufbauen, um die wachsende FD-SOI-Nachfrage zu bedienen."

Die FD-SOI-Halbleitertechnologie wurde durch das gemeinsame Engagement vieler Unternehmen ermöglicht, die sowohl auf der Bauelemente- als auch auf der Substratebene bahnbrechende Fortschritte erzielt haben. GF und Soitec arbeiten sehr eng zusammen, um bei der Entwicklung der FDX-Plattformen von foundrywegweisende FD-SOI-Leistungsvorteile zu den richtigen Kosten zu gewährleisten. Die FD-SOI-Prozesstechnologien basieren auf ultradünnen SOI-Substraten, die mit der branchenüblichen Smart Cut™-Technologie von Soitec hergestellt werden, um ultradünne Schichten mit hoher Qualität und Einheitlichkeit zu erzeugen.

FD-SOI bietet die beste Optimierung von Stromverbrauch, Leistung, Fläche und Kosten (PPAC) fortschrittlicher Planartechnologien für Smartphones, Automobilelektronik und Internet of Things (IoT)-Anwendungen und entwickelt sich schnell zu einer neuen Mainstream-Prozesstechnologie für batteriebetriebene, drahtlose und vernetzte Geräte. Diese Vereinbarung sichert eine effektive Nachfrageunterstützung für das schnell wachsende, globale Ökosystem, das durch die erfolgreiche Marktakzeptanz der 22FDX-Technologie von GF vorangetrieben wird.

Über GF:

GLOBALFOUNDRIES ist ein führender Full-Service-Halbleiterhersteller foundry und bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen für einige der weltweit führenden Technologieunternehmen. Mit einer globalen Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, ermöglicht GLOBALFOUNDRIES die Technologien und Systeme, die Industrien verändern und Kunden die Möglichkeit geben, ihre Märkte zu gestalten. GLOBALFOUNDRIES ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

Über Soitec

Soitec (Euronext, Tech 40 Paris) ist ein weltweit führendes Unternehmen in der Entwicklung und Herstellung innovativer Halbleitermaterialien. Das Unternehmen nutzt seine einzigartigen Technologien und sein Fachwissen im Bereich der Halbleiter, um die Elektronik zu bedienen. Mit mehr als 3.000 Patenten weltweit basiert die Strategie von Soitec auf bahnbrechenden Innovationen, um die Bedürfnisse seiner Kunden nach hoher Leistung, Energieeffizienz und Kostenwettbewerbsfähigkeit zu erfüllen. Soitec verfügt über Produktionsstätten, F&E-Zentren und Büros in Europa, den USA und Asien. Für weitere Informationen besuchen Sie bitte www.soitec.com und folgen Sie uns auf Twitter: @Soitec_DE

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Camille Dufour Soitec +33 (0)6 79 49 51 43 [email protected]

Technologielösung liefert "vernetzte Intelligenz" für die nächste Generation hochvolumiger drahtloser und IoT-Anwendungen bei geringerem Stromverbrauch und deutlich reduzierten Kosten

Santa Clara, Kalifornien, 20. September 2017 - GLOBALFOUNDRIES gab heute die Verfügbarkeit seiner Hochfrequenz-/Analog-PDK-Lösung (22FDX®-rfa) für Wireless- und IoT-Chipsätze der nächsten Generation sowie seiner mmWave-PDK-Lösung (22FDX®-mmWave) für aufkommende Massenanwendungen wie 5G, Automotive Radar, WiGig, SatComm und Wireless Backhaul bekannt.

Beide Lösungen basieren auf der 22-nm-FD-SOI-Plattform des Unternehmens, die eine Kombination aus hochleistungsfähigen HF- und mmWave- sowie hochdichten digitalen Komponenten bietet, um integrierte Single-Chip-Systemlösungen zu unterstützen. Die Technologie bietet höchste fT- und fmax-Werte sowohl bei niedrigen als auch bei hohen Stromdichten für Anwendungen, die modernste Leistung und Energieeffizienz erfordern, wie z. B. LTE-A-, NB-IOT- und 5G-Mobilfunk-Transceiver, GPS-WiFi- und WiGig-Combo-Chips, verschiedene IoT- und Kfz-Radaranwendungen mit integriertem eMRAM.

"Kunden, die mit intelligenten, vernetzten Geräten neue Maßstäbe setzen, unterstützt GF mit der Erweiterung der FDX-Produktfamilie", sagt Gregg Bartlett, Senior Vice President der CMOS Business Unit bei GF. "Die sich schnell entwickelnden Mainstream-Mobil- und IoT-Märkte erfordern Innovationen in den Bereichen RF und Analog. Der 22FDX-rfa von GF integriert überlegene RF- und Analog-Funktionen, die dazu beitragen, differenzierte Mobil- und IoT-Produkte mit einem optimalen Gleichgewicht zwischen Energie, Leistung und Kosten zu liefern. Für die aufstrebenden mmWave-Märkte bietet der 22FDX-mmWave von GF eine beispiellose mmWave-Performance, um differenzierte Phased-Array-Beamforming- und andere mmWave-Systemlösungen mit geringstem Stromverbrauch und höchster Leistung und Integration zu liefern."

GF hat sein 22FDX RF- und mmWave-Angebot optimiert, um die Integration von Hochleistungs-Antennenschaltern und Leistungsverstärkern für modernste Konnektivitätsanwendungen wie Single System on Chip NB IoT und 5G mmWave Beamforming Phased Array-Systeme zu ermöglichen.

Als Alternative zu FinFET-basierten Technologien bietet 22FDX-rfa nicht nur die Möglichkeit, diese Front-End-Modulkomponenten zu integrieren, sondern auch den Vorteil eines geringeren thermischen Rauschens und einer vergleichbaren Verstärkung der Eigenverstärkung im Vergleich zu FinFET-Technologien sowie einer mindestens zweifachen Eigenverstärkung im Vergleich zu Bulk-CMOS. Die intrinsischen Eigenschaften einer FD-SOI-Technologiebasis führen zu einer weiteren Reduzierung der Immersionslithographieschichten um fast 30 Prozent im Vergleich zu FinFET-Technologien, während gleichzeitig eine bessere HF-Leistung erzielt wird.

Prozessdesign-Kits für fortschrittliche RF- und Analog-, mmWave- und eingebettete nichtflüchtige Speicherlösungen sind ab sofort verfügbar und stehen für Kundenprototyp-Designs bereit. Kunden, die mehr über die 22FDX-HF- und -Analoglösungen von GF erfahren möchten, wenden sich bitte an ihren GLOBALFOUNDRIES-Vertriebsmitarbeiter oder besuchen Sie www.globalfoundries.com.

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Hochentwickelte eingebettete nichtflüchtige Speicherlösung liefert "vernetzte Intelligenz" durch Erweiterung der SoC-Funktionen auf dem 22-nm-Prozessknoten

Santa Clara, Kalifornien, 20. September 2017 - GLOBALFOUNDRIES gab heute die Verfügbarkeit seiner skalierbaren, eingebetteten magnetoresistiven nichtflüchtigen Speichertechnologie (eMRAM) auf der 22-nm-FD-SOI-Plattform (22FDX®) des Unternehmens bekannt. Als branchenweit fortschrittlichste eingebettete Speicherlösung bietet der 22FDX eMRAM von GF hohe Leistung und überragende Zuverlässigkeit für ein breites Spektrum von Anwendungen in Steuerungen für Verbraucher und Industrie, Rechenzentren, Internet of Things (IoT) und Automotive.

Wie kürzlich demonstriert wurde, kann das 22FDX eMRAM von GF Daten bei 260°C Reflow-Lötung speichern und gleichzeitig eine branchenführende eMRAM-Bitzellengröße beibehalten, die Daten bei 125°C mehr als 10 Jahre lang speichert. Dies ermöglicht den Einsatz der Technologie für allgemeine, industrielle und automobile Mikrocontroller-Einheiten (MCUs). Die Energieeffizienz von FDX™ und eMRAM in Verbindung mit der verfügbaren RF-Konnektivität und mmWave-IP macht 22FDX zu einer idealen Plattform für batteriebetriebene IoT- und autonome Fahrzeugradar-System-on-Chips (SoCs).

"Kunden wollen ihre Produktmöglichkeiten erweitern, da immer mehr Anwendungen eine leistungsstarke, nichtflüchtige Speicherlösung erfordern", so Dave Eggleston, Vice President Embedded Memory bei GF. "Wir freuen uns, mit 22FDX eMRAM eine hochzuverlässige Embedded-Speichertechnologie auf den Markt bringen zu können, die Systementwicklern die Möglichkeit bietet, ihre MCUs und SoCs mit mehr Funktionen auszustatten und gleichzeitig die Leistung und Energieeffizienz zu verbessern."

Die hohe Zuverlässigkeit und überlegene Skalierbarkeit des eMRAM von GF macht es zu einer kosteneffizienten Option bei fortschrittlichen Prozessknoten für zahlreiche Märkte. Darüber hinaus ermöglicht die Vielseitigkeit des eMRAM von GF eine schnelle Schreibleistung und eine hohe Ausdauer, so dass es sowohl als Codespeicher als auch als Arbeitsspeicher verwendet werden kann. Die Verfügbarkeit des 22FDX eMRAM von GF ist das Ergebnis einer mehrjährigen Partnerschaft mit Everspin Technologies. Im Rahmen dieser Partnerschaft wurden bereits 1-Gb-DDR-MRAM-Chips demonstriert und bemustert sowie 256-Mb-DDR-MRAM-Chips produziert, die exklusiv bei Everspin erhältlich sind.

Prozessdesign-Kits für 22FDX eMRAM und RF-Lösungen sind ab sofort erhältlich. Das Prototyping von 22FDX eMRAM auf Multiprojekt-Wafern (MPWs) durch Kunden ist für das erste Quartal 2018 geplant, die Risikoproduktion soll bis Ende 2018 erfolgen. Kundenspezifische eMRAM-Designservices sind ab sofort bei GF und unseren Design-Partnern erhältlich, darunter eMRAM-Makros von 2 bis 32 MB mit einfach zu integrierenden eFlash- und SRAM-Schnittstellenoptionen.

Kunden, die mehr über die 22FDX eMRAM-Lösung von GF erfahren möchten, wenden sich bitte an ihren GLOBALFOUNDRIES-Vertriebsmitarbeiter oder besuchen Sie www.globalfoundries.com.

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Neue 12LP-Technologie bietet höhere Dichte und Leistung als die aktuelle Generation

Plattform bietet Verbesserungen für Automobilelektronik der nächsten Generation und RF/Analog-Anwendungen

Santa Clara, Kalifornien, 20. September 2017 - GLOBALFOUNDRIES kündigte heute Pläne zur Einführung eines neuen 12-nm-FinFET-Halbleiterherstellungsprozesses (12LP) an. Die Technologie soll eine höhere Dichte und eine Leistungssteigerung gegenüber der aktuellen 14-nm-FinFET-Generation von GF bieten und die Verarbeitungsanforderungen der anspruchsvollsten rechenintensiven Anwendungen von künstlicher Intelligenz und virtueller Realität bis hin zu High-End-Smartphones und Netzwerkinfrastrukturen erfüllen.

Die neue 12LP-Technologie bietet eine 15-prozentige Verbesserung der Schaltkreisdichte und eine mehr als 10-prozentige Verbesserung der Leistung im Vergleich zu den heute auf dem Markt befindlichen 16/14nm FinFET-Lösungen. Damit ist 12LP voll wettbewerbsfähig mit anderen 12-nm-FinFET-Lösungen foundry . Die Technologie nutzt das Know-how von GF in der Fab 8 in Saratoga County, N.Y., wo die 14-nm-FinFET-Plattform seit Anfang 2016 in hoher Stückzahl produziert wird.

"Die Welt befindet sich mitten in einem beispiellosen Übergang zu einer Ära der vernetzten Intelligenz", sagte GF-CEO Sanjay Jha. "Diese neue 12LP-Technologie bietet die notwendige Leistungs- und Dichteverbesserung, damit unsere Kunden weiterhin Innovationen auf Systemebene umsetzen können, indem sie Echtzeit-Konnektivität und Edge-Processing für alle Bereiche von High-End-Grafik und Automobilen bis hin zu industriellen Anwendungen bereitstellen.

"Wir freuen uns, unsere langjährige Beziehung zu GLOBALFOUNDRIES als führender Kunde für die neue 12LP-Technologie auszubauen", sagte Mark Papermaster, CTO und Senior Vice President of Technology and Engineering bei AMD. "Unsere enge Zusammenarbeit mit GF hat AMD geholfen, 2017 eine Reihe von führenden Hochleistungsprodukten auf den Markt zu bringen, die die 14nm FinFET-Technologie nutzen. Wir planen, 2018 neue Client- und Grafikprodukte auf Basis der 12-nm-Prozesstechnologie von GF einzuführen, um unsere Produkt- und Technologiedynamik zu beschleunigen."

Zusätzlich zu den Verbesserungen auf Transistorebene wird die 12LP-Plattform neue marktspezifische Funktionen enthalten, die speziell für Automobilelektronik und RF/Analog-Anwendungen entwickelt wurden - zwei der am schnellsten wachsenden Segmente der Branche.

• Aufstrebende Automobilanwendungen in den Bereichen Fahrzeugsicherheit und automatisiertes Fahren erfordern eine Kombination aus Rechenleistung und extremer Zuverlässigkeit. Die 12LP-Plattform bietet beides. Die Qualifizierung für Automotive Grade 2 in Fab 8 ist für das vierte Quartal 2017 geplant.
• Ein neues RF-Angebot erweitert die 12LP-Plattform für RF/analoge Anwendungen, wie z. B. hochwertige Transceiver in drahtlosen Netzwerken unter 6 GHz. 12LP bietet die beste Skalierung sowohl in der Logik als auch im Speicher für HF-Chip-Architekturen mit hauptsächlich digitalem und weniger HF/analogem Inhalt.

Die neue 12-nm-FinFET-Technologie von GF ergänzt das bestehende 12-nm-FD-SOI-Angebot, 12FDXTM. Während einige Anwendungen die unübertroffene Leistung von FinFET-Transistoren erfordern, benötigen viele vernetzte Geräte ein hohes Maß an Integration und mehr Flexibilität in Bezug auf Leistung und Stromverbrauch - zu Kosten, die FinFET nicht erreichen kann. 12FDX bietet einen alternativen Weg für die nächste Generation von vernetzten intelligenten Systemen und ermöglicht die Leistung von 10nm FinFET bei besserem Stromverbrauch, niedrigeren Kosten und besserer RF-Integration als die aktuelle Generation foundry FinFET-Angebote.

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