Experten betonen den Bedarf an kompletten 5G-Lösungen März 23, 2018von: Gary Dagastine GF sprach auf dem Mobile World Congress 2018 über 5G und die Welt hörte zu Der Mobile World Congress in Barcelona, Spanien, ist die führende jährliche Veranstaltung der Mobilfunkbranche, und die diesjährige Ausgabe Ende Februar stand ganz im Zeichen der 5G-Mobilfunktechnologie. GLOBALFOUNDRIES nutzte den Moment gleich am ersten Morgen der Messe mit einem speziellen Programm zu den sich entwickelnden Anwendungen und technologischen Anforderungen von 5G. Zunächst erläuterten Gregg Bartlett und Dr. Bami Bastani, Sr. Vice Presidents der GF-Geschäftsbereiche CMOS und RF, die Herausforderungen und Chancen von 5G-Halbleitern für Geräteentwickler, Netzwerkspezialisten und Architekten von Hochleistungsrechnern. 5G wird sich auf all diese Bereiche auswirken, da es intelligenteren Geräten ermöglicht, über Verbindungen mit höherer Bandbreite zu immer leistungsfähigeren Rechenzentren zu gelangen. Anschließend fand eine Podiumsdiskussion statt, die von Mike Cadigan, Senior Vice President of Global Sales and Business Development von GF und Leiter des Geschäftsbereichs ASIC von GF, moderiert wurde. Das Panel bestand aus eingeladenen Experten von Nokia Mobile Networks, Mobile Experts LLC und der TU Dresden. Sie gaben Einblicke in die Frage, warum 5G-Netze wahrscheinlich nicht flächendeckend eingeführt werden, warum eine Netzlatenz von einer Millisekunde "magisch" ist, wie die direkte Zusammenarbeit mit foundry ganzheitlichere Lösungen unterstützen kann und viele andere wichtige Überlegungen. Um das Versprechen von 5G zu erfüllen, sind optimierte Lösungen erforderlich. Quelle: GF 5G-Computing erfordert optimiertes Silizium Bartlett sagte, dass 5G zu tiefgreifenden Veränderungen bei den Rechenanforderungen für Geräte und Rechenzentren führen wird, da die Komplexität und das Volumen des Netzwerkverkehrs aufgrund von mehr Nutzern, mehr Transaktionen pro Nutzer und reichhaltigeren Inhalten pro Transaktion exponentiell ansteigen. "Für Anwendungen in Rechenzentren werden sehr schnelle Prozessoren und eine nahezu 100-prozentige Betriebszeit benötigt, während für Geräte mit Edge-Anschluss Chips mit extrem niedrigem Stromverbrauch und geringer Leckage sowie mit eingebettetem Speicher für die Speicherung und RF für die drahtlose Konnektivität benötigt werden", sagte er. Beide Anwendungen werden auch Funktionen der künstlichen Intelligenz (KI) nutzen, aber auf unterschiedliche Weise, sagte er. Rechenzentren werden KI nutzen, um das Verhalten von Geräten und Netzwerken zu erlernen, zu antizipieren und zu steuern, während Edge-verbundene Geräte, wie z. B. Autokameras, KI lokal für die Echtzeitverarbeitung und Inferenz nutzen werden. Die 5G-Bandbreite ist für die Unterstützung all dieser Anwendungen unerlässlich. Die Entwicklungskosten steigen an jedem Knotenpunkt exponentiell an. Quelle: IBS 2017 Bartlett sagte, dass es für viele Unternehmen schwierig sein wird, die Chancen von 5G zu nutzen, da erhebliche Investitionen in Design-Tools, EDA, Entwicklung von geistigem Eigentum (IP) und Verifizierung erforderlich sind. "Viele neue, innovative Unternehmen können diese Entwicklungskosten nicht auffangen und benötigen Technologielösungen, die sowohl Wettbewerbsvorteile als auch Kostensenkungen bieten", sagte er. Er erläuterte, wie die duale Technologie-Roadmap von GF diese Flexibilität bietet, mit fortschrittlicher FinFET-CMOS-Technologie für Hochleistungscomputer und FD-SOI-Technologie für drahtlose und batteriebetriebene Anwendungen, die beide mit erstklassigen HF-Funktionen integriert werden können. Anwendungsspezifische ICs (ASICs) sind ein weiterer Weg zu 5G, und GF bietet das führende ASIC-IP-Portfolio und mehr als 1.000 erfahrene Ingenieure. Während viele Kunden nach solch weitreichenden, flexiblen foundry Lösungen verlangen, sind nicht alle Foundries in der Lage, darauf zu reagieren. "Wir haben ein wachsendes Portfolio von Kunden, die ich als 'revolutionär' bezeichne und die das neue Silizium als Mittel nutzen, um den traditionellen Wettbewerbsrahmen ihrer Branche zu durchbrechen oder zu verändern", sagte er. "Sie fordern einen leichteren Zugang zu Silizium, und wir haben uns entsprechend ausgerichtet, um ihnen die optimierten Lösungen zu bieten, die sie brauchen." 5G-Konnektivität bringt mehr Komplexität mit sich Was die Konnektivität betrifft, so sagte Bami Bastani, dass 5G schrittweise eingeführt wird, wobei das bestehende 4G/LTE-Backbone genutzt wird. Zunächst wird es Verbesserungen des bestehenden Systems geben, dann eine erste Einführung von Sub-6-GHz-Bändern mit Massive-MIMO-Architekturen für Hochgeschwindigkeitsübertragungen und dann eine zweite Einführung, um die Netzkapazität zu erweitern und noch höhere Datenübertragungsraten durch die Nutzung von mmWave-Bändern zu erreichen. "All dies bedeutet, dass ein komplexeres Funkgerät erforderlich ist, das nicht nur mit neuen Netzwerkprotokollen, sondern auch mit älteren Protokollen und Bändern funktioniert", sagte er. "Daher müssen sich die Front-End-Module (FEMs) beim Übergang von 4G zu 5G in vielerlei Hinsicht weiterentwickeln. Bastani betonte, dass das umfangreiche RF-Portfolio von GF mit seinen Silizium-auf-Isolator (SOI)- und Silizium-Germanium (SiGe)-Technologieplattformen den Kunden eine Differenzierung ermögliche, da diese optimierten Lösungen spezifische Kundenanforderungen an Leistung, Komplexität und Kosten erfüllen könnten. Er nannte zwei Beispiele. Für 5G-Basisstationen wird die Steuerung der Antennengruppen eine viel komplexere Signalverarbeitungsschaltung erfordern. "Dieser Prozess wird als Beamforming bezeichnet und kann je nach Größe des Arrays mit analogen, digitalen oder hybriden Schaltkreisen durchgeführt werden. Die Wahl der Technologie hängt davon ab, wie das System aufgeteilt wird, und GF verfügt über ein umfangreiches Angebot, das allen Anforderungen gerecht wird", erklärt er. Bei kleinen mobilen Geräten sind die Anforderungen anders. "Man hat es jetzt mit kleineren Arrays zu tun, die eine höhere Leistung pro Element erfordern, um die gleiche Strahlungsleistung zu erzielen. Die gute Nachricht ist, dass wir jetzt einen Großteil der Strahlformung digital durchführen können und so die Skalierung fortschrittlicher Knoten wie 22FDX nutzen können, um eine niedrige Leistung und niedrige Kosten für diese Anwendungen zu erreichen", sagte er. Branchenexperten skizzieren die 5G-Zukunft Anschließend wurde die Diskussion auf ein Expertenpanel verlagert, an dem Joe Madden, leitender Analyst bei Mobile Experts, Professor Frank Fitzek, Leiter des Lehrstuhls für Kommunikationsnetze der Deutschen Telekom an der TU Dresden, und Michael Reiha, Leiter der Abteilung RF IC R&D bei Nokia Mobile Networks, teilnahmen. Joe Madden eröffnete den Dialog auf dem Podium mit der Bemerkung, dass sich 5G-Netze anders entwickeln werden als frühere Netztechnologien. Diese zeichneten sich durch eine schnelle Verbreitung aus, weil sie es ermöglichten, bestehende, weit verbreitete Anwendungen wie E-Mail drahtlos zu nutzen. Im Gegensatz dazu komme 5G in erster Linie den Netzbetreibern und noch nicht existierenden Märkten zugute, sagte er. "Aus Sicht eines Netzbetreibers liegt der wahre Vorteil von 5G in den Kosten. Heute kostet es etwa 1,50 Dollar, 1 GB Daten über ein LTE-Netz zu übertragen, aber mit mmWave 5G könnten es 5 Cent oder weniger sein", sagte er, was bedeutet, dass es anfangs Inseln der Bereitstellung geben wird, wie z. B. in städtischen Zentren mit dichtem Netzverkehr oder wo es speziell für bestimmte IoT-Anwendungen benötigt wird. Cadigan bat Prof. Fitzek, die Entwicklung der 5G-Standards zu beschreiben und zu erläutern, wie diese mit der Technologie von foundry zusammenhängen. "Es geht nicht darum, mehr Daten zu transportieren, sondern nur um die Latenzzeit. Warum argumentieren wir in diesem Zusammenhang immer wieder, dass eine Latenzzeit von 1 ms so magisch ist? Nun, das hat mit der Physik der Rückkopplungsschleifen zu tun", so Prof. Fitzek. (Latenz ist die dem Netz innewohnende Verzögerung.) NEXTech Labs Theater, MWC 2018 Er führte das Beispiel eines 50-Hz-Kraftwerks an, das Strom in ein intelligentes Stromnetz einspeist. Eine Latenzzeit von nur 10 ms im Netz würde zu so großen Phasenverschiebungen in der elektrischen Leistung des Generators führen, dass dieser beschädigt werden könnte, sagte er, während eine Latenzzeit von 1 ms ausreichend wäre. "Viele Leute denken, wenn man die falsche Zahl für die Latenzzeit in die Norm aufnimmt, kann man sie später einfach korrigieren. Aber das wird schwer zu beheben sein, und um den vollen Wert von 5G-Netzen zu erhalten, muss sie von Anfang an vorhanden sein." Für Halbleitertechnologen stelle dies kein Problem dar, da sie mit Rückkopplungsschleifen bereits sehr vertraut seien. Die Notwendigkeit niedriger Latenzzeiten ist laut Reiha ein wichtiger Grund, warum Nokia seine kürzlich vorgestellten 5G-Reefshark-Chipsätze selbst entwickelt hat, anstatt mit einem Halbleiterunternehmen ohne eigene Fertigung zusammenzuarbeiten. Cadigan fragte ihn, was das für künftige foundry Beziehungen bedeuten könnte. Reiha sagte, dass man, um solch niedrige Latenzen zu erreichen, die 5G-Anforderungen ganzheitlich betrachten muss, mit einer Zukunftsvision, für die Halbleiterlösungen flexibel genug sind. "Nokia Bell Labs hat buchstäblich das Buch über Massive MIMO geschrieben, was uns in die Lage versetzt, die systembezogenen Herausforderungen zu verstehen. Wir wissen auch, wie wichtig die nahtlose Integration von Halbleiterfunktionen ist", sagte er. "Was wir von unseren Gießereien erwarten, ist ein ehrlicher Dialog und ein offener Zugang zu geistigem Eigentum, um unsere Qualitätsstandards zu wahren. Wir brauchen hochwertiges geistiges Eigentum, denn wir können nicht alles machen, wir sind nicht in allen Bereichen Experten", sagte er. Cadigan fragte die Podiumsteilnehmer nach ihrer Sicht auf den Ansatz von GLOBALFOUNDRIES im Bereich 5G. Madden sagte, dass die Fähigkeit von GF, verschiedene Technologien zu integrieren, sehr wichtig sei. "Auf dem Weg zu massiven MIMO-Arrays besteht der Druck, die Größe von Funkarrays und Empfängern zu reduzieren. Daher sind Multichip-Module, in denen alles eng integriert ist, unerlässlich", sagte er. Cadigan verwies auf die fortschrittliche Verpackungstechnologie, die von IBM zu GF kam. Reiha sagte, GF verfüge über die klassenbesten RF-Fähigkeiten, und aus Nokias Sicht sei die Fortsetzung der laufenden Verbesserungen der Gerätemodelle für RF von entscheidender Bedeutung. "Dies gilt insbesondere für thermische Gerätemodelle und für Technologien wie SOI, um eine nahtlose Mixed-Signal-Simulationsumgebung zu ermöglichen, die es uns erlauben würde, viel mehr Sensoren zu bauen und mehr Kontrolle über unsere HF-Die zu haben. Prof. Fitzek sprach über die Bedeutung von Software und die Offenheit der Technologie von GF. "Da man heute noch nicht wirklich vorhersehen kann, was die Nutzer tun werden, und das maschinelle Lernen seine eigenen Zwecke haben wird, werden Ihre Software-APIs in Zukunft noch wichtiger werden. Über den Autor Gary Dagastine Gary Dagastine ist Autor, der über die Halbleiterindustrie für EE Times, Electronics Weekly und viele spezialisierte Medien berichtet hat. Er ist mitwirkender Redakteur der Zeitschrift Nanochip Fab Solutions und Direktor für Medienbeziehungen für das IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM), die weltweit einflussreichste Technologiekonferenz für Halbleiter. Er begann seine Laufbahn in der Branche bei General Electric Co., wo er die Kommunikationsabteilung von GE in den Bereichen Stromversorgung, Analogtechnik und kundenspezifische ICs unterstützte. Gary ist ein Absolvent des Union College in Schenectady, New York,
格芯发起RF生态系统计划， 旨在加快无线连接、雷达和5G应用的上市速度 March 20, 2018RFwave™合作伙伴计划可以扩展生态系统，在格芯的RF技术平台上实现更快的产品部署 加利福尼亚州圣克拉拉，2018年3月20日 – 格芯今日宣布启动名为RFwave™的全新生态系统合作伙伴计划，旨在简化RF设计，帮助客户缩短新一代无线设备和网络的上市时间。 过去几年，市场对互联设备和系统的需求持续增长，这就需要我们在无线电技术领域开展创新，以支持新的运营模式和更先进的功能。RFwave合作伙伴计划基于格芯的5G愿景和路线图, 重点围绕格芯先进的射频(RF)解决方案，例如FD-SOI、RF CMOS（体硅和先进CMOS节点）、RF SOI和锗硅 (SiGe)技术。该计划为设计人员提供了一种低风险、高成本效益的方法，帮助他们构建高度优化的RF解决方案，面向众多不同的无线应用，例如采用多种无线连接和蜂窝标准的物联网、独立或集成收发器的5G前端模块、毫米波回程、汽车雷达、小基站和固定无线和卫星宽带。 通过RFwave计划，客户能够构建创新的RF解决方案，以及封装和测试解决方案。首批合作伙伴已经为该计划提交了一系列关键产品，包括： 工具(EDA)，通过添加特定模块，方便客户轻松地利用格芯的RF技术平台的功能，从而为先进的设计流程提供补充； 全面的设计要素(IP)库，包括基础IP、接口和复杂IP，让晶圆代工厂客户能够利用经过预先验证的设计要素来开始进行设计； 资源（设计咨询、服务），我们的员工经过培训，遍及全球各地，当合作伙伴使用格芯RF技术来开发解决方案时，可以轻松获得支持 “未来几年内，数字化信息将会呈现爆炸式增长，从而驱动数据量急剧增加，我们的客户已经在为未来随时随地进行无缝可靠的超高数据速率无线连接做准备。”格芯射频业务部高级副总裁Bami Bastani表示，“作为RF领域的领导者，格芯的RFwave计划将行业合作提升到一个新的高度，让客户能够构建针对RF量身定制的高度集成的差异化解决方案，加快推动新一代技术的兴起。” RFwave合作伙伴计划将创建一个开放式框架，允许选定的合作伙伴将他们的产品或服务集成到已获得验证的即插即用型设计解决方案之中。得益于这种程度的集成，客户能够利用针对RF技术的广泛优质产品，创建高性能设计，同时最大程度地降低开发成本。通过合作伙伴生态系统，成员和客户能够实现无处不在的无线连接，广泛采用格芯先进的RF技术平台。 RFwave合作伙伴计划的首批成员包括：asicNorth、Cadence、CoreHW、CWS、是德科技（Keysight Technologies）、Spectral Design和WEASIC。这些公司已经启动了相关工作，以提供高度优化的创新RF解决方案。 有兴趣了解更多关于格芯RFwave合作伙伴计划的客户，可以联系格芯销售代表，或登陆网站 globalfoundries.com/cn。 正面评价 “asicNorth很荣幸加入格芯的RFwave生态系统，为RFwave客户提供IP和设计服务。显而易见，格芯在认真严肃地选择合适的合作伙伴，帮助客户在RF技术领域取得成功。asicNorth一直在有效地推动着很多格芯客户，为RFwave客户取得成功创造便利条件。” ——asicNorth总裁Mike Slattery “RFwave合作伙伴计划在格芯和Cadence之间建立了良好合作关系，让双方的共同客户能够使用我们的全套‘系统-设计-实现’工具进行设计，包含从芯片到封装再到电路板的独特解决方案。其中包括我们的Virtuoso®、Spectre®、SigrityTM和Allegro®工具，客户可以使用这些工具来开发5G、无线以及其他RF芯片和系统，实现更出色的性能、更低的功耗、更小的尺寸。” ——Cadence定制IC和PCB部门资深副总裁兼总经理Tom Beckley， “我们非常荣幸与格芯合作开发CoreHW的下一代IC解决方案。这种合作关系将会进一步增强我们的IC设计合作，让我们能够开发先进的技术节点，达到出色的RF工艺性能和建模精度。通过与格芯这样的领先代工厂开展密切合作，再结合CoreHW的最新创新、经验和方法，我们能够一次性成功开发正确的RF芯片解决方案。” ——CoreHW 首席执行官Tomi-Pekka Takalo “对于RF设计行业而言，这是一个好消息。通过格芯的RFwave计划，CWS将能够在优化设计尺寸方面扮演至关重要的角色，并为在高性能蜂窝、物联网、5G和Wi-Fi通信芯片上设计片上传输线路提供更高灵活性。” ——CWS 董事长兼首席执行官Brieuc Turluche “是德科技很荣幸通过RFwave计划与格芯结为合作伙伴。这样可以进一步实现我们共同客户的设计流程，从而将双方的合作关系提升到新的高度。是德科技的先进设计系统，以及先进的RF和微波电路设计平台GoldenGate，将帮助设计人员利用适用于RFIC电路、电磁、电热模拟的新兴解决方案，应对最严峻的设计挑战。此外，有了格芯的可互操作ADS PDK，无论使用哪一种原理图或布局环境来生成设计，芯片设计人员都能够采用是德科技的模拟技术。” ——是德科技公司高级副总裁兼通信解决方案部门总裁Satish Dhanasekaran “对于RF架构师而言，RFwave生态系统是一个功能强大的平台，让他们能够无缝集成优秀的系统设计，而且设计周期非常短。Spectral的MemoryIP平台能够在很短时间内，将格芯的PDK和第三方EDA工具集成在一起。MemoryIP为ASIC设计人员提供了用于高速低功耗存储器编译器的先进架构，还提供比其他任何嵌入式SRAM供应商更多的选项。凭借格芯的高产量位单元，结合Spectral的专有泄漏偏置技术以及各种辅助和维修选项，RF设计人员能够让存储器宏在更广泛的电压和温度条件下工作。祝贺格芯为RF设计行业提供了广泛经过芯片验证的解决方案。” ——Spectral Design & Test Inc.总裁兼首席执行官Deepak Mehta “WEASIC非常荣幸能够加入格芯的RFwave计划。WEASIC正在采用格芯具有良好前景的工艺，部署毫米波和混合信号IP产品组合，以满足新一代5G通信和自动驾驶市场的庞大需求。” ——WEASIC首席执行官和创始人Emmanouil Metaxakis 关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统的出现，并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司（Mubadala Investment Company）所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com/cn。 媒体垂询： 杨颖（Jessie Yang) (021) 8029 6826 [email protected] 邢芳洁（Jay Xing） 86 18801624170 [email protected]
GLOBALFOUNDRIES startet RF-Ökosystemprogramm zur Beschleunigung der Markteinführung von Wireless-Konnektivität, Radar- und 5G-Anwendungen März 20, 2018RFwave™-Partnerprogramm erweitert das Ökosystem und ermöglicht eine schnellere Produktentwicklung auf den RF-Technologieplattformen von GF Santa Clara, Kalifornien, 20. März 2018 - GLOBALFOUNDRIES kündigte heute ein neues Ökosystem-Partnerprogramm namens RFwave™ an, das darauf abzielt, das HF-Design zu vereinfachen und Kunden zu helfen, die Markteinführungszeit für eine neue Ära drahtloser Geräte und Netzwerke zu verkürzen. In den letzten Jahren hat die Nachfrage nach vernetzten Geräten und Systemen zugenommen, die Innovationen in der Funktechnologie erfordern, um die neuen Betriebsarten und höheren Kapazitäten zu unterstützen. Das RFwave-Partnerprogramm baut auf der 5G-Vision und -Roadmap von GF auf und konzentriert sich auf die branchenführenden Hochfrequenz (HF)-Lösungen des Unternehmens, wie FD-SOI-, HF-CMOS- (Bulk- und erweiterte CMOS-Knoten), HF-SOI- und Silizium-Germanium (SiGe)-Technologien. Das Programm bietet einen risikoarmen, kosteneffizienten Weg für Entwickler, die hochoptimierte RF-Lösungen für eine Reihe von Wireless-Anwendungen wie IoT über verschiedene Wireless-Konnektivitäts- und Mobilfunkstandards, eigenständige oder in Transceiver integrierte 5G-Frontend-Module, mmWave-Backhaul, Automotive-Radar, Small Cell und Fixed Wireless sowie Satelliten-Breitband entwickeln möchten. RFwave ermöglicht es Kunden, innovative RF-Lösungen sowie Packaging- und Testlösungen zu entwickeln. Die ersten Partner haben eine Reihe von Schlüsselangeboten für das Programm zugesagt, darunter: Tools (EDA), die die branchenführenden Design-Flows durch spezifische Module ergänzen, um die Funktionen der RF-Technologieplattformen von GF einfach zu nutzen, eine umfassende Bibliothek von Designelementen (IP), einschließlich Basis-IP, Schnittstellen und komplexer IP, die es den Kunden von foundry ermöglicht, ihre Designs mit vorvalidierten IP-Elementen zu beginnen, geschulte und weltweit verteilte Ressourcen (Design-Beratung, Dienstleistungen), die den Partnern einen einfachen Zugang zur Unterstützung bei der Entwicklung von Lösungen mit den RF-Technologien von GF ermöglichen "Unsere Kunden bereiten sich bereits auf eine Zukunft vor, in der überall nahtlose und zuverlässige drahtlose Verbindungen mit extrem hohen Datenraten möglich sind", sagt Bami Bastani, Senior Vice President der RF Business Unit von GF. "Als führendes Unternehmen im HF-Bereich hebt das RFwave-Programm von GF die Zusammenarbeit mit der Industrie auf eine neue Ebene und ermöglicht es unseren Kunden, differenzierte, hochintegrierte, auf HF zugeschnittene Lösungen zu entwickeln, die die nächste Technologiewelle beschleunigen sollen. Das RFwave-Partnerprogramm schafft einen offenen Rahmen, der es ausgewählten Partnern ermöglicht, ihre Produkte oder Dienstleistungen in einen validierten Plug-and-Play-Katalog von Designlösungen zu integrieren. Dieses Maß an Integration ermöglicht es den Kunden, Hochleistungsdesigns zu erstellen und gleichzeitig die Entwicklungskosten zu minimieren, da sie Zugang zu einer breiten Palette von Qualitätsangeboten haben, die speziell auf die RF-Technologie zugeschnitten sind. Das Partner-Ökosystem versetzt Mitglieder und Kunden in die Lage, die Vorteile der allgegenwärtigen Konnektivität und der breiten Akzeptanz der branchenführenden RF-Technologieplattformen von GF zu nutzen. Die ersten Mitglieder des RFwave-Partnerprogramms sind: asicNorth, Cadence, CoreHW, CWS, Keysight Technologies, Spectral Design und WEASIC. Diese Unternehmen haben bereits mit der Arbeit begonnen, um innovative, hoch optimierte RF-Lösungen zu liefern. Kunden, die mehr über das RFwave-Programm von GF erfahren möchten, wenden sich an ihren Vertriebsmitarbeiter oder besuchen globalfoundries.com. Unterstützende Zitate "asicNorth freut sich, dem RFwave-Ökosystem von GF beizutreten und seine IP und Design-Services den RFwave-Kunden zur Verfügung zu stellen. Es ist klar, dass GF es ernst meint, die richtigen Partner zusammenzubringen, um seinen Kunden den Erfolg im Bereich der RF-Technologien zu ermöglichen. asicNorth war ein effektiver Katalysator für viele GF-Kunden und freut sich, den Erfolg der RFwave-Kunden zu fördern." Mike Slattery, Präsident, asicNord "Das RFwave-Partnerprogramm baut auf der Beziehung zwischen GF und Cadence auf und ermöglicht es unseren gemeinsamen Kunden, mit unserem kompletten Satz an System-Design-Enablement-Tools mit einzigartigen Lösungen vom Chip über das Gehäuse bis zur Platine zu entwickeln. Dazu gehören unsere Virtuoso®-, Spectre®-, SigrityTM- und Allegro®-Tools, die unsere Kunden für die Entwicklung von 5G-, Wireless- und anderen HF-Chips und -Systemen mit besserer Leistung, geringerem Stromverbrauch und kleinerem Formfaktor einsetzen." Tom Beckley, Senior Vice President und General Manager, Custom IC & PCB Group, Cadence "Wir freuen uns über die Zusammenarbeit mit GF bei der Entwicklung von CoreHWs IC-Lösungen der nächsten Generation. Diese Partnerschaft stärkt unsere IC-Design-Kooperation weiter, da wir Zugang zu fortschrittlichen Technologieknoten mit außergewöhnlich guter HF-Prozessleistung und Modellierungsgenauigkeit erhalten. Eine enge Zusammenarbeit mit einem führenden Unternehmen wie GF ( foundry ) in Verbindung mit den neuesten Innovationen, Erfahrungen und Methoden von CoreHW ermöglicht es uns, auf Anhieb die richtigen HF-Siliziumlösungen zu entwickeln." Tomi-Pekka Takalo, Geschäftsführer, CoreHW "Dies ist eine großartige Nachricht für die RF-Design-Community. Durch das RFwave-Programm von GF kann CWS eine entscheidende Rolle bei der Optimierung von Designgrößen spielen und mehr Flexibilität bei der Entwicklung von On-Chip-Übertragungsleitungen für hochleistungsfähige Mobilfunk-, IoT-, 5G- und Wi-Fi-Kommunikationschips bieten. Brieuc Turluche, Vorsitzender des Verwaltungsrats und Chief Executive Officer, CWS "Keysight freut sich über die Partnerschaft mit GF im Rahmen des RFwave-Programms. Dies hebt unsere Beziehung auf die nächste Stufe, indem wir die Designabläufe unserer gemeinsamen Kunden weiter unterstützen. Das Advanced Design System und GoldenGate von Keysight sind branchenführende Plattformen für das Design von HF- und Mikrowellenschaltungen, die den Entwicklern helfen, ihre schwierigsten Designherausforderungen mit bahnbrechenden Lösungen für RFIC-Schaltungen, elektromagnetische und elektrothermische Simulationen anzugehen. Darüber hinaus ermöglichen die interoperablen ADS-PDKs von GF den Siliziumentwicklern den Zugang zu den Simulationstechnologien von Keysight, unabhängig davon, welche Schaltplan- oder Layoutumgebung für die Erstellung des Designs verwendet wird." Satish Dhanasekaran, SVP und Präsident der Communications Solution Group, Keysight Technologies Inc. "Das RFwave Ecosystem ist eine hervorragende Plattform für HF-Architekten, um ihre erstklassigen Systemdesigns in kürzester Zeit nahtlos zu integrieren. Die MemoryIP-Plattform von Spectral war in der Lage, die PDKs von GF und EDA-Tools von Drittanbietern in Rekordzeit zu integrieren. MemoryIP bietet ASIC-Designern die fortschrittlichsten Architekturen für Hochgeschwindigkeits-Speicher-Compiler mit geringem Stromverbrauch und mehr Optionen als jeder andere Anbieter von Embedded SRAM. Mit den ertragsstarken Bitzellen von GF in Verbindung mit den proprietären Leakage-Biasing-Techniken von Spectral und verschiedenen Assistenz- und Reparaturoptionen können HF-Entwickler Speichermakros unter einer Vielzahl von Spannungs- und Temperaturbedingungen betreiben. Ich gratuliere GF dazu, dass sie der RF-Design-Community ein breites Spektrum an siliziumerprobten Lösungen anbieten." Deepak Mehta, Präsident und CEO, Spectral Design & Test Inc. "WEASIC freut sich über die Teilnahme am RFwave-Programm von GF. WEASIC setzt sein Millimeterwellen- und Mixed-Signal-IP-Portfolio in den vielversprechendsten Prozessen von GF für die großen Märkte der nächsten Generation von 5G-Kommunikation und autonomem Fahren ein." Emmanouil Metaxakis, CEO und Gründer, WEASIC Über GF GLOBALFOUNDRIES ist ein führender Full-Service-Halbleiterhersteller foundry und bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen für einige der weltweit führenden Technologieunternehmen. Mit einer globalen Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, ermöglicht GLOBALFOUNDRIES die Technologien und Systeme, die Industrien verändern und Kunden die Möglichkeit geben, ihre Märkte zu gestalten. GLOBALFOUNDRIES ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakt: Erica McGill GLOBALFOUNDRIES (518) 795-5240 [email protected]
GLOBALFOUNDRIES ernennt Ronald Sampson zum General Manager seiner führenden Silizium-Produktionsstätte in New York 19. März 2018GLOBALFOUNDRIES ernennt Ronald Sampson zum General Manager seiner führenden Silizium-Produktionsstätte in New York Santa Clara, Kalifornien, 19. März 2018 - GLOBALFOUNDRIES gab heute die Ernennung von Dr. Ronald Sampson zum Senior Vice President und General Manager der hochmodernen 300-mm-Halbleiter-Waferfertigungsanlage (Fab 8) des Unternehmens in Saratoga County, N.Y., bekannt. Sampson, eine erfahrene Führungskraft mit 30 Jahren Branchenerfahrung, wird den Betrieb einer der modernsten Halbleiterfabriken der Welt leiten und eine Vielzahl von Kunden bei der Entwicklung von Chips auf Basis der fortschrittlichen 14-nm-FinFET- und 7-nm-FinFET-Technologieplattformen unterstützen. Sampson löst Dr. Thomas Caulfield ab, der kürzlich zum Chief Executive Officer von GF ernannt wurde. "Fab 8 ist eine echte Erfolgsgeschichte in der Fertigung und ein Beweis dafür, dass Innovation in der amerikanischen Halbleiterindustrie lebendig ist", sagte Caulfield. "Ich bin entschlossen, die erheblichen Investitionen zu nutzen, die wir getätigt haben, um Fab 8 zu einem zuverlässigen Partner für unsere führenden Kunden zu machen. Ron ist eine erfahrene Führungskraft und ein integrales Mitglied des Fab 8-Teams. Ich kann mir niemanden Besseres vorstellen, um die nächste Ära des Wachstums bei Fab 8 zu leiten." Sampson kam im August 2014 als Vice President of Program Management bei Fab 8 zu GF. Zuvor war er 20 Jahre lang bei STMicroelectronics tätig, wo er eine Reihe von fortschrittlichen Führungspositionen in den Bereichen Technologieentwicklung, Fertigung, Betrieb und Programmmanagement sowohl bei ST als auch bei den von IBM geführten Joint Development Alliances innehatte. Vor seiner Zeit bei ST arbeitete er bei der Digital Equipment Corporation in Hudson, Mass. Hudson, Massachusetts, in der fortgeschrittenen Halbleiterentwicklung. Sampson hat einen B.S. in Elektrotechnik von der University of Cincinnati und einen Ph.D. in Elektrotechnik von der Duke University. ÜBER GF GLOBALFOUNDRIES ist ein führender Full-Service-Halbleiterhersteller foundry und bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen für einige der weltweit führenden Technologieunternehmen. Mit einer globalen Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, ermöglicht GLOBALFOUNDRIES die Technologien und Systeme, die Industrien verändern und Kunden die Möglichkeit geben, ihre Märkte zu gestalten. GLOBALFOUNDRIES ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter www.globalfoundries.com. Kontakt: Steven Grasso(518) 305-6144[email protected]
格芯扩展硅光子路线图，满足对数据中心连接的爆炸式增长需求 March 15, 2018光子集成技术有助于提升新一代光学互连的带宽和能效 2018年3月14日，加州圣克拉拉 – 今天，格芯揭示硅光子路线图的新信息，推动数据中心和云应用的新一代光学互连。格芯已经用300 mm晶圆认证了行业首个90 nm制造工艺，同时宣布未来的45 nm技术将带来更大的带宽和能效。 格芯的硅光子技术旨在应对全球通信基础设施中的大规模数据增长。不同于利用铜线电信号传输数据的传统互连，硅光子技术使用光纤光脉冲，以更高的速度在更远距离上传输数据并降低能耗。 格芯ASIC业务部高级副总裁Mike Cadigan表示：“带宽需求呈现爆炸式增长，现在迫切需要新一代的光学互连。不管是数据中心内部芯片之间，还是相隔千里的云服务器之间，我们的硅光子技术都能让客户在前所未有的连接水平上传送大量数据。” 格芯的硅光子技术可在单个硅芯片上并排集成微小光学组件与电路。“单芯片”方案利用标准硅制造技术，提高了客户部署光学互连系统的效率，降低了成本。 现在可使用300 mm晶圆 格芯的当代硅光子产品依托90 nm RF SOI工艺，这项工艺充分发挥了公司在制造高性能射频(RF)芯片方面积累的一流经验。平台可以实施提供30GHz带宽的解决方案，支持客户端数据传输速率达到800 Gbps，同时使数据传输距离增加到120 km。 这项技术先前使用200 mm晶圆工艺，格芯位于纽约州东菲什基尔的10号晶圆厂现在认证了300 mm直径的晶圆。采用300 mm晶圆有助于提高客户产能和生产率，让光子损失减少2倍，扩大覆盖范围，实现效率更高的光学系统。 Cadence Design Systems公司用于E/O/E、协同设计、极化、温度和波长参数的完整PDK支持90 nm技术，并提供差异化光子测试能力，包括从技术认证和建模到MCM产品测试的五个测试部分。 未来路线图 格芯新一代单芯片硅光子产品将采用45 nm RF SOI工艺，计划于2019年投入生产。这项技术利用更先进的45 nm节点，功耗降低，体积减小，用于光学收发器产品的带宽更高，可满足新一代兆兆位应用。 关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂， 为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统的出现， 并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司（Mubadala Investment Company）所有。 欲了解更多信息，请访问 www.globalfoundries.com/cn。 媒体垂询： Jason Gorss (518) 698-7765 [email protected]
GLOBALFOUNDRIES erweitert Silizium-Photonik-Roadmap zur Deckung der explosionsartigen Nachfrage nach Rechenzentrumskonnektivität 14. März 2018Integrierte Photonentechnologien ermöglichen verbesserte Bandbreite und Energieeffizienz für optische Verbindungen der nächsten Generation Santa Clara, Kalifornien, 14. März 2018 - GLOBALFOUNDRIES hat heute neue Details seiner Silizium-Photonik-Roadmap vorgestellt, um die nächste Generation optischer Verbindungen für Rechenzentren und Cloud-Anwendungen zu ermöglichen. Das Unternehmen hat jetzt den branchenweit ersten 90-nm-Fertigungsprozess auf 300-mm-Wafern qualifiziert und gleichzeitig seine kommende 45-nm-Technologie vorgestellt, die eine noch größere Bandbreite und Energieeffizienz bietet. Die Silizium-Photonik-Technologien von GF sind darauf ausgelegt, das massive Wachstum der Datenübertragung in der heutigen globalen Kommunikationsinfrastruktur zu unterstützen. Anstelle herkömmlicher Verbindungen, bei denen Daten mit elektrischen Signalen über Kupferleitungen übertragen werden, nutzt die Silizium-Photonik-Technologie Lichtimpulse über Glasfasern, um mehr Daten mit höherer Geschwindigkeit und über größere Entfernungen zu übertragen und gleichzeitig den Energieverlust zu minimieren. "Der explosionsartige Bedarf an Bandbreite treibt die Nachfrage nach einer neuen Generation optischer Verbindungen in die Höhe", sagt Mike Cadigan, Senior Vice President der ASIC Business Unit bei GF. "Unsere Silizium-Photonik-Technologien ermöglichen unseren Kunden eine noch nie dagewesene Konnektivität für die Übertragung riesiger Datenmengen, sei es zwischen Chips in einem Rechenzentrum oder zwischen Cloud-Servern, die Hunderte oder sogar Tausende von Kilometern voneinander entfernt sind." Die Silizium-Photonik-Technologien von GF ermöglichen die Integration winziger optischer Komponenten Seite an Seite mit elektrischen Schaltkreisen auf einem einzigen Silizium-Chip. Dieser "monolithische" Ansatz nutzt Standard-Silizium-Fertigungstechniken, um die Produktionseffizienz zu verbessern und die Kosten für Kunden zu senken, die optische Verbindungssysteme einsetzen. Heute verfügbar auf 300mm Das Silizium-Photonik-Angebot der aktuellen Generation von GF basiert auf dem 90-nm-RF-SOI-Prozess, der die erstklassige Erfahrung des Unternehmens bei der Herstellung von Hochleistungs-Hochfrequenzchips (RF) nutzt. Die Plattform ermöglicht Lösungen mit einer Bandbreite von 30 GHz, die clientseitige Datenübertragungsraten von bis zu 800 Gbps unterstützen, sowie eine große Reichweite von bis zu 120 km. Die Technologie, die bisher auf 200-mm-Wafern hergestellt wurde, ist nun auf 300-mm-Wafern mit größerem Durchmesser in der GF-Fabrik 10 in East Fishkill, N.Y., qualifiziert worden. Die Umstellung auf 300-mm-Wafer ermöglicht mehr Kundenkapazität, eine höhere Fertigungsproduktivität und eine bis zu 2-fache Reduzierung der photonischen Verluste, um die Reichweite zu verbessern und effizientere optische Systeme zu ermöglichen. Die 90-nm-Technologie wird durch ein vollständiges PDK für E/O/E-Co-Design, Polarisations-, Temperatur- und Wellenlängen-Parametrik von Cadence Design Systems sowie durch differenzierte photonische Testmöglichkeiten unterstützt, die fünf Testsektoren umfassen, von der Technologieverifikation und -modellierung bis zum MCM-Produkttest. Ein Fahrplan für morgen Das monolithische Silizium-Photonik-Angebot der nächsten Generation von GF wird in seinem 45-nm-RF-SOI-Prozess hergestellt und soll 2019 in Produktion gehen. Durch die Nutzung des fortschrittlicheren 45-nm-Knotens ermöglicht die Technologie einen geringeren Stromverbrauch, einen kleineren Formfaktor und deutlich höhere Bandbreiten bei optischen Transceiver-Produkten für die nächste Generation von Terabit-Anwendungen. ÜBER GF GLOBALFOUNDRIES ist ein führender Full-Service-Halbleiterhersteller foundry und bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen für einige der weltweit führenden Technologieunternehmen. Mit einer globalen Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, ermöglicht GLOBALFOUNDRIES die Technologien und Systeme, die Industrien verändern und Kunden die Möglichkeit geben, ihre Märkte zu gestalten. GLOBALFOUNDRIES ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter www.globalfoundries.com. Kontakt: Jason Gorss(518) 698-7765[email protected]
格芯技术、性能与规模迈入新阶段，资深业者汤姆∙嘉菲尔德接棒桑杰·贾出任格芯首席执行官 March 9, 2018美国加利福尼亚圣克拉拉,（2018年3月9日）——结束了在格芯四年的首席执行官（CEO）任期，桑杰·贾（Sanjay·Jha）先生将把公司最高职位交接给原格芯高级副总裁、总经理汤姆∙嘉菲尔德博士。汤姆∙嘉菲尔德先生具有丰富的经验，在业内广受尊敬。 嘉菲尔德先生于2014年加入格芯，他拥有十分出色的履历背景，在许多业内领先的科技公司有过工程、管理、运营以及全球业务执行等经历。他在IBM工作的17年中，历任多项高级领导职务。在格芯任职期间，他成功地在纽约北部地区建造并发展了公司新型的14纳米生产基地，该基地是全美最先进的代工厂，也是美国最大的公私合作关系的实例之一。 过去的四年里，格芯已成长为行业内第二大纯晶圆代工公司。2015年，公司收购了IBM的微电子业务，包括1000多位技术专家以及16,000项专利。格芯成功地利用这些资源在纽约建造工厂，并加快了7纳米工艺的发展。在差异化FDX技术领域，格芯亦是先锋，这为我们的顾客提供了低功耗、高效的物联网解决方案，并且扩大了公司在实现智能互联的射频行业的领导地位。2017年，格芯宣布开展与中国成都的战略伙伴关系，并建造300毫米晶圆厂，预计于明年投入运营。 “过去的四年意义非凡，”贾先生表示。“我们将格芯转变成了一个备受客户信赖的代工厂。对IBM公司微电子业务的收购也使得我们能够独立发展包括7nm工艺在内的尖端技术的同时，扩大我们在射频, ASICS 以及 FDX平台等不同业务的领导地位。汤姆∙嘉菲尔德先生是出任CEO非常合适的人选，他完全有能力沿续我们的成功的记录，进一步加强格芯作为领先的代工厂在半导体行业的领导地位。” “我非常荣幸，有机会在这个本公司以及行业所处的令人激动的时刻，领导格芯的发展。”嘉菲尔德先生，这位即将履新的CEO表示。“越来越多的新客户涌入市场，我们拥有独特的技术服务以及出色的执行经历，能够在快速发展的代工行业重塑竞争环境。我们将继续改变这个影响世界的行业。” “对于全球半导体行业以及公司股东来说格芯都是一个战略性资产。我们将继续加大投入来增长并差异化我们的业务，通过合作进一步强化行业的发展，这一切都是为了更好地服务我们的客户。” 格芯董事会主席Ahmed Yahia Al Idrissi表示。“桑杰为格芯制定了里程碑式的正确战略，带领公司步入正轨，我们感谢他作出的重大贡献。同时，汤姆凭借自身25年的运营经验以及客户服务经历，将继续带领格芯迈向新的成功。”贾先生将与格芯的股东穆巴达拉投资公司（Mubadala Investment Company）密切合作，探索更多潜在的未来系统业务的开发。 关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统的出现，并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司（Mubadala Investment Company）所有。欲了解更多信息，请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。 媒体垂询： 杨颖（Jessie Yang) (021) 8029 6826 [email protected] 关慧珠 （Sunny Guan) 86 13564132717 [email protected] 邢芳洁（Jay Xing） 86 18801624170 [email protected] 范怡唯（Yiwei Fan） 86 13585713665 [email protected]
Nach bedeutenden Technologie-, Kapazitäts- und Expansionsmeilensteinen übergibt GLOBALFOUNDRIES' Sanjay Jha den Staffelstab an Branchenveteran Tom Caulfield März 9, 2018Santa Clara, Kalifornien, 9. März 2018 - Nach mehr als vier Jahren als Chief Executive Officer von GLOBALFOUNDRIES übergibt Sanjay Jha die Spitzenposition des Unternehmens an Dr. Thomas Caulfield, Senior Vice President und General Manager und ein hoch angesehener Branchenveteran. Caulfield kam 2014 zu GF, nachdem er eine erfolgreiche Karriere mit einer beeindruckenden Erfolgsbilanz in den Bereichen Technik, Management, operative Führung und globale Führungserfahrung bei führenden Technologieunternehmen hinter sich hatte, darunter 17 Jahre bei IBM in verschiedenen Führungspositionen. Während seiner Zeit bei GF baute er erfolgreich die neue 14-nm-Produktionsanlage des Unternehmens im Bundesstaat New York auf, die modernste Anlage foundry und eine der größten öffentlich-privaten Partnerschaften in den Vereinigten Staaten. In den vergangenen vier Jahren hat sich GF als zweitgrösstes reines Unternehmen der Branche etabliert foundry . Im Jahr 2015 übernahm das Unternehmen das Mikroelektronikgeschäft von IBM und brachte ein Team von mehr als 1.000 Technologen und ein Portfolio von 16.000 Patenten mit. GF hat diese Fähigkeiten erfolgreich genutzt, um das Werk in New York aufzubauen und die Entwicklung von 7nm zu beschleunigen. Das Unternehmen leistete auch Pionierarbeit bei der differenzierten FDX-Technologie, die Kunden eine effiziente Lösung mit geringem Stromverbrauch für das Internet der Dinge bietet, und baute seine Führungsposition im Bereich RF aus, der vernetzte Intelligenz ermöglicht. Im Jahr 2017 gab das Unternehmen seine strategische Partnerschaft mit Chengdu, China, bekannt und machte den ersten Spatenstich für eine 300-mm-Fertigung im Weltmaßstab, die im nächsten Jahr in Betrieb genommen werden soll. "Es waren unglaubliche vier Jahre", sagte Jha. "Wir haben GF zu einem vertrauenswürdigen, zuverlässigen foundry für unseren weltweiten Kundenstamm gemacht. Die Übernahme des Mikroelektronik-Geschäfts von IBM hat es uns ermöglicht, unabhängig Spitzentechnologien wie 7nm zu entwickeln und unsere Führungsposition in differenzierten Geschäftsbereichen wie RF, ASICS und der FDX-Plattform auszubauen. Tom Caulfield ist die richtige Person, um auf dieser Erfolgsbilanz aufzubauen und die Position von GF als führender foundry Partner der Halbleiterindustrie zu stärken." "Ich fühle mich geehrt, dass ich die Chance erhalte, GF in einer so spannenden Zeit für das Unternehmen und unsere Branche zu leiten", sagte Caulfield, der neue CEO von GF. "Mit neuen Kunden, die auf den Markt kommen, verfügen wir über ein einzigartiges Technologieportfolio und eine Erfolgsbilanz, mit der wir das Wettbewerbsumfeld im schnell wachsenden Segment foundry neu gestalten können. Und wir werden weiterhin die Branche verändern, die die Welt verändert." "GF ist ein strategischer Aktivposten für die globale Halbleiterindustrie und unseren Aktionär. Wir werden weiterhin in die Differenzierung und das Wachstum des Unternehmens investieren und die Branche durch Partnerschaften weiter konsolidieren, damit wir unsere Kunden besser bedienen können", sagte Ahmed Yahia Al Idrissi, Vorsitzender des GF-Verwaltungsrats. "Sanjay hat strategische Meilensteine erreicht, die das Unternehmen auf den richtigen Weg gebracht haben, und wir möchten ihm für seine wichtigen Beiträge danken. Tom wird das Unternehmen mit seiner 25-jährigen Erfolgsgeschichte in Sachen operativer Exzellenz und Kundenzufriedenheit auf die nächste Stufe des Erfolgs führen." Jha beabsichtigt, eng mit dem Anteilseigner des Unternehmens, der Mubadala Investment Company, zusammenzuarbeiten, um die Entwicklung und den Aufbau potenzieller künftiger Systemgeschäfte zu untersuchen. ÜBER GF GLOBALFOUNDRIES ist ein führender Full-Service-Halbleiterhersteller foundry und bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen für einige der weltweit führenden Technologieunternehmen. Mit einer globalen Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, ermöglicht GF die Technologien und Systeme, die die Industrie verändern und den Kunden die Möglichkeit geben, ihre Märkte zu gestalten. GF ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakt:Jason Gorss(518) 698-7765[email protected]
2018 MWC：22FDX让物联网更有魅力 March 5, 2018作者: Dave Lammers 全球移动通讯大会(MWC2018)即将在西班牙巴塞罗那举行，物联网领域大咖们将在大会上展示他们的芯片设计，其中几家创业公司使用了格芯的22FDX®技术。 Nanotel Technology公司的首席技术官Anup Savla表示，这家年轻公司正在设计几个用于窄带物联网领域的多款芯片。Savla在英特尔工作了三年之后，又在高通做了11年的无线电集成电路设计。Savla说，Nanotel选择使用22FDX工艺技术为混合信号窄带物联网调制解调器降低功耗。 他表示：「我们围绕物联网应用设计了一个数字引擎处理器，聚焦于低功耗和低泄漏。22FDX能够关闭电源，防止漏电，这是你无法从批量CMOS工艺中获得的。 在最初的22FDX设计套件正式发布之前，Nanotel就已经开始设计收发器了，使用了0.5 PDK，但是库的目标是0.4 V运行电压。「从一开始我们就明确定位于0.4V库，因为在0.8V的水平上，使用批量CMOS工艺无法作足够的功耗分层。在0.4伏的电压下，功耗水平要低得多，但成本接近批量CMOS工艺。」Salva说。 格芯的22FDX架构: 物联网、移动和射频的新兴产品 当被问及如何设计FD-SOI工艺时，Savla说：「 我们遇到了早期使用者都会遇到的问题。部分原因是使用后门所需的额外建模和测试，但是不管工艺的成熟度如何，这仍然是正确的。如果您真的想要开发这个工艺所能做的事，那么您就要随着建模的增加而改变背栅电压。」 Savla表示，Nanotel芯片组的设计在数字和模拟上所花的精力是相同的。「在相同的设计中，当设备基本上处于睡眠和不使用状态时，我们可以使用带有后盖控制的开关来切断的泄漏电流。在某种程度上，这在批量CMOS工艺里是不容易做到的。另一方面，我们可以在主动模式的设备上使用背栅，以极低的供能使主动操作成为可能。」 Nanotel的主要着重点不是销售IC —Nanotel是一家专注于解决方案的公司，为客户设计设备和数据包，让客户可以使用远程、低成本的蜂窝网络连接，而无需依赖WiFi。拥有自己的芯片组使得Nanotel能为客户定制低成本、功能独特的产品。 双模连接解决方案 根据ABI Research的数据，领先的低功耗广域(LPWA)连接标准— LTE-M，在美国市场上吸引了越来越多的关注。而在2021年前，欧洲和亚洲所采用的窄带物联网会将物联网的部署提升至近5亿。 格芯和VeriSilicon正在开发一套IP协议，让客户可以创建单芯片的LPWA解决方案，以支持使用双模方案的LTE-M或NB -物联网。该IP将包括集成基带、电源管理、射频无线电和前端组件的完整的蜂窝调制解调器模块集成在单一芯片上。 VeriSilicon提供芯片设计平台即服务(SiPaaS)IP，这使得他的客户可以专注于差异化功能。VeriSilicon首席执行官Wayne Dai表示，中国政府已经将窄带物联网全国范围的部署作为未来一年的目标。格芯在成都新成立的300毫米芯片厂，以及IP平台，如集成NB-物联网和LTE-M的单芯片方案，将对中国的物联网和物人工智能(AIoT)产业产生重大影响。 1微微安培每微米 Anubhav Gupta是格芯物联网、人工智能和机器学习部门战略营销和业务发展主管。他说：「一些客户正在使用旧的多芯片设计，并用22FDX工艺创建单芯片解决方案。由于SOI和FET有效叠加可获得高功率PA和高开关线性，22FDX工艺在转移到单芯片设计时具有面积、功耗和成本的优势。我们看到了该工艺的短沟道效应，更高的跨导增益，以及与28nm批量芯片的等效设计相比具有更好的偏模和低噪音性能。」 在数字化方面，Gupta表示，这种基底偏压的功能使客户可以在低于1微微安培每微米的情况下，使用低至0.4V的备用泄漏电流来运行。另外，格芯现在提供了嵌入式MRAM，其唤醒速度非常快，读取速度与flash类似，但写入速度要快1000倍。Gupta说，当eMRAM与芯片上的SRAM结合使用时，客户可以完全避开片外闪存。 众望所归的路线图 Dan Hutcheson，VLSI Research公司首席执行官 Dan Hutcheson是加州圣克拉拉市市场研究公司VLSI Research的首席执行官。他在2016年对设计师们进行了一项调查，让他们比较FD-SOI与批量生产的CMOS。设计师们反馈，问题在于他们不知道是否有FD-SOI路线图。于是，格芯开发出从22FDX到12FDX™的平台，这个问题就迎刃而解了。 Hutcheson说，他相信一些公司正在起步进行设计，他们却就此对外界保密。「从2016年开始，市场上出现更多的IP，而格芯已经解决了12FDX的路线图问题，因此22不仅仅是一个一站式服务。」 意法半导体公司拥有多项应用于28nm芯片的FD-SOI设计。该公司最近宣布将把格芯22FDX工艺作为其FD-SOI路线图的下一站。 意法半导体的一位发言人说：「自从22FDX集成了第二代有源器件(晶体管)之后，意法半导体选择格芯22FDX技术作为下一站技术便顺理成章，目前我们已在使用28nmFD-SOI技术。」 这位发言人表示，「意法半导体对德累斯顿22FDX节点技术的发展持积极的看法，该节点技术目前已经具备了批量生产的资格，并为其发展的黄金时间做好准备。因此意法半导体可以立即用它来开发产品」。德累斯顿的制造团队的芯片产能和经验「使得我们对格芯的生产能力和产量充满信心。」 性能优化的视觉处理器 Dream Chip Technologies公司首席运营官Jens Benndorf说，他的团队把0.8 V库用于其“性能优化”的汽车视觉处理器。Dream Chip主导了一系列获欧盟支持的设计项目，这些项目包括ARM的A53 Quad和 Cortex®-R5，Cadence的四维Vision P6，ArterisIP的FlexNOC，INVECAS的LPDDR4控制器，以及其他的IP合作伙伴。基于22FDX工艺设计的多核视觉处理器，在2017年的MWC上首次亮相。从那时起，该设计为欧洲汽车制造商和一级汽车零部件供应商提供了一个平台，使他们可以创建定制的衍生产品。 据Benndorf介绍，「汽车行业意识到他们的辅助驾驶解决方案，除了需要雷达和激光雷达，还需要更多来自多个摄像头的整合信息。因次，多处理器芯片设计采用了正向偏差来提高性能，而不是反向偏差。」由此产生了一种计算机视觉处理器芯片方案，面积64平方毫米，有约10亿个晶体管，却只消耗4瓦。他补充道：「想象一下芯片上有多少视觉处理器，可见这个功耗数字有多么令人瞩目。」 Riot Micro公司押注蜂窝链路 Nanotel所进行的设计在数字和模拟上投入的精力相同，另一家使用22FDX工艺的创业公司则拥有全数字的窄带物联网调制解调器设计。位于温哥华的Riot Micro公司首席执行官Peter Wong表示，其公司不用数字信号处理(DSP)的方法，允许物联网用户关闭大部分芯片以节省电力。对于电池驱动的物联网边缘设备来说，这一点尤其受欢迎，因为这些设备可能需要使用电池运行10年。 Riot Micro 的首席执行官Peter Wong：Riot Micro的价值存在于功耗领域 Riot Micro的第一个设计是用竞争工厂的55nm批量CMOS来完成的，但是后续的芯片设计则用22FDX工艺来完成。Riot Micro的LTECat-M/窄带物联网调制解调器包含一个超低功耗处理器来运行协议栈。PeterWong说：「我们借鉴了蓝牙领域的设计方法来降低电力和成本。PHY是用栅来设计的，而不是用有紧密耦合和高度优化的协议栈的信号处理器（DSP）来设计的，这使得我们可以对调制解调器进行超细粒度的功率控制。」 PeterWong说：「有了22FDX工艺，我们的价值体现在潜在的能源和空间的节省。此外，利用IP越来越丰富可用的22FDX工艺中生态系统，有助于缩短产品进入市场的时间。」 RiotMicro设计的是一款支持LTE Cat-M和窄带物联网蜂窝标准的数字蜂窝调制解调器；Peter Wong说，今年Riot Micro的调制解调器将通过几家主要的移动运营商的认证。中东的一名客户正计划将其用于紧急警报系统。 Peter Wong说：「现在有很多方法可以连接互联网，如WiFi、蓝牙、Zigbee、蜂窝网络等等。有一些应用适用所有的方法，但对于许多应用来说，蜂窝网络有很多优势。从本质上说，蜂窝网络更安全、更容易部署、提供了移动性，而且频谱也是经许可和管理的。只要打开它，它就能连接起来。您不必担心频谱制式问题；这都是由运营商来管理的。」他表示，资产追踪和资产管理为其中主要应用程序。 来源：Riot Micro — 窄带物联网网络在电力不足的大范围网络中使用蜂窝网络 集成化电源管理 Gupta表示，格芯留意到一些混合信号的物联网用户倾向于采用0.4V的电源为其数字电路电源，而采用0.8到1.8伏为其模拟部分电源。在22FDX中，LDMOS的可用性消除了对低功耗物联网应用的外部电源管理单元(PMU)的要求。通常在批量生产工艺中，他们没有高压LDMOS，而且由于很多物联网应用都使用锂离子电池工作，这些应用需要一个外部电源转换芯片来驱动使用电池驱动的应用程序。 Gupta表示，0.4V的设计有足够的数字性能来支持ARM核心，例如，从100Mhz到最高500Mhz的运行速度。 格芯的市场总监Tim Dry表示：「通过利用动态基体偏压，工程师们更全面地理解了22FDX技术的模拟设计性能。事实证明，SOI的基底偏压可以实现很多模拟缩放，这是我们直到最近才了解到的。对于ADCs(类似于数字转换器)、无线电和电源组件来说，我们相信我们可以得到比FinFETs更小的芯片面积。」 22FDX解决方案可以降低窄带物联网系统的功耗，如智能电表、增强现实和虚拟现实头盔、效用控制和安全摄像头的功耗。TimDry说：「智能扬声器是另一个吸引大量关注的应用。」 关于作者 Dave Lammers是固态技术特约撰稿人，也是格芯的Foundry Files的特约博客作者。他于20世界80年代早期在美联社东京分社工作期间开始撰写关于半导体行业的文章，彼时该行业正经历快速发展。他于1985年加入E.E. Times，定居东京，在之后的14年内，足迹遍及日本、韩国和台湾。1998年，Dave与他的妻子Mieko以及4个孩子移居奥斯丁，为E.E Times开设德克萨斯办事处。Dave毕业于美国圣母大学，获得密苏里大学新闻学院新闻学硕士学位。
Perspektive für Führungskräfte: Die Zukunft ist nicht mehr das, was sie einmal war 1. März 2018von: Dr. Gary Patton Es mag verlockend sein, die starke Nachfrage nach Halbleitern nur als einen weiteren Aufschwung in unserer traditionell zyklischen Branche zu betrachten, aber was die Dinge im Moment wirklich antreibt, ist die Eröffnung völlig neuer Horizonte, die durch die gesteigerten Fähigkeiten der heutigen Chips ermöglicht werden. Die Nachfrage nach Chips wird nicht mehr nur von den Bedürfnissen der Computer- und Smartphone-Hersteller bestimmt. Die steigende Zahl neuer und vielfältiger Anwendungen in vielen verschiedenen Branchen schafft nicht nur Nachfrage, sondern treibt auch die Chiptechnologie in neue Richtungen. Daher ist das traditionelle Ziel, schnellere und dichtere Halbleiter zu entwickeln, zwar nach wie vor sehr wichtig, aber nicht mehr der einzige Weg nach vorn. Schlüsselsektoren Neben den traditionellen Computer- und Smartphone-Anwendungen sehen wir die folgenden Sektoren als wichtige Treiber für die künftige Halbleiternachfrage: anspruchsvolle Internet of Things (IoT)-Anwendungen, 5G und drahtlose Netzwerke, Automotive und künstliche Intelligenz/Maschinenlernen (AI/ML). Im Bereich des Internet der Dinge wird zunehmend ein hohes Maß an Erfassungs-, Verarbeitungs- und Kommunikationsfähigkeiten in physische Objekte eingebettet, um deren Betrieb mit "Intelligenz" - leistungsfähigen Datenanalyse- und -verarbeitungsfähigkeiten - zu versehen. Ziel ist es, Leistung, Effizienz und Kosten zu verbessern und völlig neue Wege zur Problemlösung zu entwickeln. Für 5G und drahtlose Netzwerke werden die Bandbreitenanforderungen unglaublich streng, um leistungsfähigere, zuverlässigere und sicherere Netzwerke zu schaffen. Während es vor nicht allzu langer Zeit noch eine beeindruckende technische Leistung war, eine Latenzzeit von nur 50 Millisekunden bei Netzwerkgeräten zu erreichen, erscheint dies heute fast schon altmodisch, da die prognostizierten Anforderungen für viele Netzwerkanwendungen eine Latenzzeit von 1 ms oder weniger vorsehen. Die Automobilelektronik ist ein weiterer schnell wachsender Bereich. Seit der Einführung des einfachen Schlüsselanhängers mit Fernbedienung in den frühen 1980er Jahren ist die Zahl der elektronischen Geräte in einem Auto sprunghaft angestiegen. Es besteht ein wachsender Bedarf an fortschrittlichen Halbleiterprozessen, von denen viele Hochfrequenz- und Leistungsfähigkeiten kombinieren, um die verschiedensten Anwendungen im Automobilbereich, wie z. B. Fahrerassistenz-, Sicherheits- und Infotainmentsysteme, zu ermöglichen. KI und maschinelle Lernsysteme generieren inzwischen riesige Datenmengen, die genutzt werden können, um mit weniger menschlichen Eingriffen mehr Produktivität, Effizienz, Qualität und Kosteneffizienz zu erreichen. GF für Wachstum positioniert Viele dieser neuen Anwendungen erfordern Chips, die ein ausgewogenes Verhältnis zwischen Leistung, Stromverbrauch, Flexibilität und Kosten bieten, und wenn das nicht die perfekte Beschreibung der 22FDX®-Technologievon GF ist, dann weiß ich auch nicht, was es ist. Die 22FDX-Technologie von GF ist ein grosser Vorteil für Kunden in diesen wachstumsstarken Bereichen. Sie bietet eine hohe Leistung und Energieeffizienz zu Kosten, die mit denen der 28-nm-Planar-Technologie vergleichbar sind, allerdings bei einer um 20 Prozent geringeren Chipgröße und mit 10 Prozent weniger Masken als bei der 28-nm-Technologie, wobei nur etwa halb so viele Immersionslithografie-Schichten erforderlich sind. Darüber hinaus gibt das softwaregesteuerte Body-Biasing der Transistoren den Kunden die Möglichkeit, dynamisch zwischen Hochleistungs- und Niedrigverbrauchsbetrieb hin und her zu schalten. So können sie zum Beispiel den Ruhezustand und den aktiven Betriebsmodus optimieren. Mit der FDX™-Technologie können Kunden außerdem digitale, analoge und HF-Funktionen auf einem einzigen Chip integrieren und so intelligente, voll integrierte Systemlösungen realisieren. Wir haben bereits mehr als 20 Kunden für ein breites Spektrum von 22FDX-Anwendungen gewonnen, darunter Schmalband-Internet-of-Things (IoT)-Systeme, Blockchain-Entwicklung und Bitcoin-Mining, Geolokalisierung, Millimeterwellen-Automobilradar und AI/ML, um nur einige zu nennen. Diese Angebote ergänzen unsere ultrahochleistungsfähigen FinFET-Technologien, die dem Mooreschen Gesetz folgen und Kunden wie AMD und IBM in die Lage versetzen, rasend schnelle Grafikprozessoren und leistungsstarke Mainframe-Server anzubieten. Die Dual-Technologie-Roadmaps von GF für FDX und FinFET, ergänzt durch eine Reihe von differenzierten Technologien, die bereits kommerzialisiert wurden oder sich in verschiedenen Entwicklungsstadien befinden, bieten den Kunden einzigartige Möglichkeiten, diese wachstumsstarken Bereiche zu erschließen. Die duale Roadmap von GF definiert den Mainstream neu So ist beispielsweise die Roadmap von GF für fortschrittliche Verpackungslösungen ein weiterer wichtiger Vorteil für Kunden in diesen Märkten. Wir streben mit unserem Portfolio an Packaging-Technologien eine Führungsposition an, denn der Bedarf an höherer Bandbreite, mehr Speicherplatz und schnelleren Geschwindigkeiten erfordert fortschrittliche Packaging-Lösungen, um die Leistung und Funktion der Produkte zu maximieren. Unsere ASIC-Angebote sind so konzipiert, dass sie fortschrittliche Packaging-Optionen nutzen, die Single- und Multi-Chip-Module und 2,5/3D-Lösungen für eine nahtlose Integration auf Modulebene umfassen. Die Bedeutung des menschlichen Faktors So beeindruckend diese technologischen Errungenschaften auch sind, die wichtigste Errungenschaft von GF ist vielleicht die Art und Weise, wie wir in der Lage sind, Menschen und Teams mit unterschiedlichem Hintergrund zusammenzubringen, um diese Lösungen zu entwickeln und unseren Kunden zu helfen, die vor ihnen liegenden Möglichkeiten zu nutzen. Wir begannen mit einem starken, vielseitigen weltweiten F&E-Team und ergänzten es mit zusätzlichen starken technischen und Management-Talenten aus der Übernahme von IBM Semiconductor im Jahr 2015. Durch diese Übernahme kamen rund 500 Mitarbeiter zu GF, die an Spitzentechnologie, führenden HF-Technologien für die drahtlose Kommunikation, ASIC-Design-Fähigkeiten, einschließlich führender Hochgeschwindigkeits-SerDes, fortschrittlichen Verpackungslösungen und vielem mehr arbeiten. Wir fördern unsere Talente sorgfältig, denn die Entwicklung und Herstellung von Halbleitern erfordert viele sich ergänzende Fähigkeiten, und die Fähigkeit, zusammenhängende Teams zu bilden, ist von entscheidender Bedeutung. Zu diesem Zweck nutzen wir viele Arten von standortübergreifenden Partnerschaften, um gemeinsames Lernen zu verbreiten. Ein Beispiel ist unsere Gastvortragsreihe, zu der wir die weltweit führenden Köpfe nach GF einladen, um Vorträge zu wichtigen und aktuellen Themen zu halten. Wir zeichnen diese Vorträge auf und übertragen sie an alle unsere Standorte, so dass Mitarbeitende auf der ganzen Welt die Möglichkeit haben, zu lernen. Lernen findet auch im Rahmen der Zusammenarbeit mit Forschungsgruppen der Industrie statt, um unsere internen Bemühungen zu verstärken. Unsere Techniker sind stark in die Entwicklung künftiger Technologien mit Gruppen wie der IBM Research Alliance am SUNY Polytechnic in Albany, imec, Leti und dem SRC eingebunden. Blick nach vorn Die traditionellen Ansichten über die Zukunft der Chiptechnologie wurden auf den Kopf gestellt, da sich die Verwendung von Halbleitern auf zahlreiche neue und wachsende Bereiche ausbreitet. Zwar ist es nach wie vor von entscheidender Bedeutung, dem Mooreschen Gesetz zu folgen, doch ist dies nur noch ein Weg in die Zukunft. Die Technologien von GF versetzen uns in eine sehr günstige Position, um auf die sich entwickelnden Nutzerbedürfnisse zu reagieren, und so dürfte 2018 in der Tat ein sehr interessantes Jahr werden. Über den Autor Dr. Gary Patton Dr. Gary Patton ist Chief Technology Officer und Senior Vice President of Worldwide Research and Development bei GLOBALFOUNDRIES. Er ist verantwortlich für die F&E-Roadmap, den Betrieb und die Ausführung der Halbleitertechnologie von GF. Bevor er zu GF kam, war Dr. Patton acht Jahre lang Vice President des Semiconductor Research and Development Center von IBM. In dieser Zeit war er für die Halbleiter-F&E-Roadmap, den Betrieb, die Ausführung und die technologischen Entwicklungsallianzen von IBM verantwortlich, mit Hauptstandorten in East Fishkill, New York, Burlington, Vermont, Albany Nanotech Research Center in Albany, New York, und Bangalore, Indien. Er war auch Mitglied des ausgewählten IBM Corporate Growth & Transformation Teams. Dr. Patton ist ein anerkannter Branchenführer in der Halbleitertechnologie-F&E mit über 30 Jahren Erfahrung in der Halbleiterindustrie. Während seiner Laufbahn bei IBM hatte er eine Vielzahl von Führungs- und Managementpositionen in den IBM-Abteilungen Mikroelektronik, Speichertechnologie und Forschung inne, unter anderem in den Bereichen Technologie- und Produktentwicklung, Fertigung und Geschäftsbereichsmanagement. Dr. Patton erhielt seinen B.S.-Abschluss in Elektrotechnik von der UCLA und seinen M.S.- und Ph.D.-Abschluss in Elektrotechnik von der Stanford University. Er ist ein Fellow des IEEE und Mitglied des IEEE Nishizawa Medal Awards Committee. Er ist Mitverfasser von über 70 Fachartikeln und hielt zahlreiche eingeladene Vorträge und Podiumsdiskussionen auf wichtigen Industrieforen zu Technologie- und Industriethemen.
