Synopsys设计平台获得格芯的22FDX工艺技术认证
Synopsys, Inc.(Nasdaq: SNPS)今天宣布，GLOBALFOUNDRIES (GF)已认证Synopsys设计平台适用于GF 22nm FD-SOI (22FDX™)工艺，确保设计人员实现优化的设计。
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来自Menta的嵌入式FPGA符合GLOBALFOUNDRIES®先进的14nm FinFET和32nm SOI工艺技术的要求
法国蒙彼利埃--2017年9月19日--Menta今天宣布，其嵌入式FPGA（eFPGA）IP完全符合GLOBALFOUNDRIES（GF）先进的14nm FinFET和32nm SOI工艺技术。
来自Menta的嵌入式FPGA获得格芯先进的14纳米FinFET和32纳米SOI工艺技术认证。
Menta的嵌入式FPGA符合GLOBALFOUNDRIES®先进的14纳米FinFET和32纳米SOI工艺技术的要求 eFPGA实现了针对国防、航空航天、ADAS、物联网和数据中心应用的SoC的内置可编程性
GLOBALFOUNDRIES宣布推出用于CWS SiPEX™设计解决方案的增强型射频SOI工艺设计套件
增强型PDK纳入了设计生产力工具，以进一步提高高性能射频SOI开关的性能
加州圣克拉拉，2017年9月18日 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布推出一套新的增强型射频SOI工艺设计套件（PDK），以帮助设计人员改进其射频开关的设计，并为广泛的市场提供差异化的射频前端解决方案，包括移动设备、毫米波、5G和其他高频应用的前端模块。
GF的先进射频技术平台7SW SOI针对下一代智能手机的多频段射频开关进行了优化，并准备推动物联网（IoT）应用的创新。GF的7SW SOI PDK设计用于Coupling Wave Solutions（CWS）的仿真工具SiPEX™，允许设计人员将射频开关与其他关键的射频模块集成在一起，这些模块对于未来射频通信芯片的复杂电子系统的设计至关重要。具体而言，这项新功能允许设计人员通过模拟整个设计中的高阻性基材寄生效应来提高射频仿真输出。
"GF在RFSOI技术方面处于行业领先地位，我们致力于为我们的客户提供RF工艺的设计生产力解决方案，"GF的RF高级副总裁Bami Bastani说。"CWS的SiPEX™工具为我们的客户提供了模拟结果和实际测量之间的最佳相关性，进一步优化了设计布局，实现了效率，提供了差异化的射频前端解决方案"。
"这对射频设计界来说是个好消息，"CWS董事会主席兼首席执行官Brieuc Turluche说。"将SiPEX集成到GF的RF SOI PDK中是一个重要的里程碑，可以为高性能的蜂窝、物联网、5G和Wi-Fi通信芯片实现首次正确的复杂和优化的RF SOI设计。"
GF的RF SOI技术在移动设备的前端射频解决方案和高频、高带宽无线基础设施应用的射频芯片方面具有显著的性能、集成度和面积优势。CWS的SiPEX通过提高线性模拟精度，加速了射频SOI开关的设计。它还可以有效地用于低噪声放大器（LNA）和功率放大器（PA）的设计，使设计者能够缩小其尺寸以降低成本。
SiPEX™可用于当前发布的GF的7SW SOI PDK中。关于公司的射频SOI解决方案的更多信息，请联系您的GF销售代表或访问www.globalfoundries.com。
关于CWS
CWS是对包含射频和模拟块的复杂设计进行系统级干扰分析的领导者。目前，CWS提供两种产品。WaveIntegrity™ 和 SiPEX™。基于独特的谐波分析方法，WaveIntegrity™被芯片架构师和设计师用来推动芯片设计的平面规划。它还被封装和PCB设计者用来在最终的芯片运行环境中整合与噪声相关的设计约束。SiPEX™已经包含在TowerJazz的CS18和STM的H9 SOI FEM工艺设计套件中，它提高了RF SOI设计的线性度，并为5G和IoT通信的关键RF功能准确建模和仿真。CWS成立于2005年，其办公室位于法国巴黎、格勒诺布尔和美国加州圣何塞。有关该公司、其产品和服务的更多信息，请访问www.cwseda.com。
关于GF。
GLOBALFOUNDRIES是一家领先的全方位半导体代工企业，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务。凭借横跨三大洲的全球制造足迹，GLOBALFOUNDRIES使改变行业的技术和系统成为可能，并使客户有能力塑造他们的市场。GLOBALFOUNDRIES为穆巴达拉投资公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。
联系方式。
Erica McGill
GLOBALFOUNDRIES
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erica.mcgill@globalfoundries.com
网络应用的2.5D到来
作者: Dave Lammers
面对带宽问题,网络公司正在转向转接板、HBM2 DRAM和先进ASIC技术。
当大网络公司开始开发新一级别的兆兆位路由器时，他们都来到了一个“临界点”，“临界点”概念是由The Linley Group的网络分析师Bob Wheeler提出的。
Cisco, Juniper, Nokia, 以及其他大公司在努力从层叠印制电路板DR DRAM中取得足够带宽的同时, 已经发现了针脚数目爆炸式的增长。
网络客户现已可使用由格芯提供的全新14纳米ASIC (FX-14™) 方案，此方案提供载于硅转接板上的高带宽内存(HBM2)链接。Rambus Inc. 公司(位于森尼维尔) 与格芯工程师合作，将 Rambus PHY 整合至 FX-14 ASIC 平台，提供了令人叹为观止的 每秒2 (Tb/s) 的带宽。
“外置内存无法跟上ASIC缓冲的带宽需求，这是已预见的问题，而这就是本问题的解决办法，” Wheeler 说道。 “人们尝试尽可能地使用通用型 DRAM，但是由于针脚数目的爆发式增长，现在我们正面临着一个临界点。”
通讯类ASIC的市场大概为十亿美元，Wheeler 提到, 而路由器是十分昂贵的系统，足以支持转接板 (2.5D) 方案满足高速数据缓冲的成本。
对于层叠PCB上的DDR型DRAM来说，Wheeler 声称 “ASIC的主要问题来自针脚数。设备的针脚数甚至可高达2000。HBM的魅力在于它具备通用的接口，并且包括在封装内一体化提供，无需寻求额外的接口。”
网络以外的市场?
取决于成本是否可以降低， 2.5D (转接板)方案可用于其他应用例如数据处理、高端图像、自动驾驶车辆、人工智能和其他高带宽类方案，格芯封装研发部、业务技术营运部副总裁 Dave McCann如此说道。
向转接板技术转移在排线密度上带来了巨大的进步。对于层叠PCB方案来说，连接线和线之间的空隙为12微米，可是由于垂直过孔50微米是不可取的，大量的空间被浪费在绕过或避免垂直过孔，通常连线密度无法达到理想值。有了硅转接板的帮助，连接线及空隙可达到逻辑芯片背板的级别，约为0.8微米，格芯技术开发高级经理Walter Kocon说道。
要在PHY和HBM2内存间使用逻辑级别的排线，需要依靠包括了光刻在内的晶元级工具。由于转接板比传统芯片更大，多处区域需被拼接在一起。但是 Kocon声称现下的分档器在刻线切换能力上非常出色，在创造更大转接板的道路上也取得了长足进展。
晶元长的工具比传统层叠制程工具要更昂贵，但是回报也同样巨大-芯片上的I/O可高达约1700个。正如McCann提到的，缩小单段排线的距离可将功耗保持在可控制范围，而这是目前仍在使用的层叠序列接口无法做到的。
全方位应用无死角
“由于晶元制造技术(小于1微米)在转接板中的应用,过孔技术得以实现,0.8微米排线和间隙可以在多个层面得到实现,而从根本上来说,并没有过孔无法应用的死角。对于传统PCB来说,排线必须从ASIC引入再回到DIMM卡上,浪费了能源与时间,”McCann说道。而基于转接板的内连接在数量级上更小，设备间的距离只有数百微米，大量的平行排线密度足以支持多兆兆位级别的带宽。
可是在转接板技术上存在制造难题。 “转接板和ASIC本身的尺寸很大。首先，我们必须创造ASIC和转接板之间的接口。拓展属性的匹配是创造合适接口的关键之一。控制扭曲的设计和集成处理尤为重要。将压力均匀散布于转接板和位于其下的叠层也十分重要，否则接口将存在巨大误差。” McCann 说道。
转接板和ASIC之间十分靠近，而焊锡凸块大约为70微米，在这个前提下，控制扭曲是增加2.5D技术产量的关键因素。 “这意味着产品对于扭曲的容忍性将极为有限，” McCann 说道。被推向一起的焊锡或被向反方向拉扯的焊锡将带来链接上的问题。 “我们要求制造加工保证所有分层都为平面，但我们相信在OSAT合作伙伴的帮助下，我们可以满足这个要求。” McCann 说道。
PHY合作
PHY是另一个技术难题，这个难题已被 Rambus和格芯一同克服。 Frank Ferro是Rambus产品市场部高级主管，他解释说，HBM2 PHY是一个混合信号功能，必须针对每个制程节点进行精确设计。
“我们进行了大量的信道建模，并设计了满足各种要求的PHY。而这些都是通过合作开发完成的。我们对于整个制程进行了许多讨论，以确保设计的稳定。项目伊始，让设计成功实现，就是Rambus的（建模和信号完整性）工具和参与到设计这些PHY的所有工程师的目标。”
DDR DRAM支持72数位的带宽，而HBM2支持1024位。1024数位的信号完整性控制极具挑战性，Ferro向格芯工程师们寻求帮助，指望于他们从IBM微电子部门带来的高速信号经验。
当被问及2.5D方案是否将占领整个行业的高速部分，Ferro称这将取决于制造的产量以及HBM2 DRAM的成本减少。 “2.5D 必须经由大批量制造的考验。这是硅技术中极大的一部分，扭曲必须得到控制。”
Tad Wilder是格芯技术员工的高级成员, 他声称2兆兆位每秒的带宽“对于单一核心来说是令人叹为观止的。而总共可放置4块HBM2 PHY的芯片，将为ASIC设计者带来前所未有的8兆兆位每秒的带宽，并具备低功耗低延迟DRAM。”他补充道14纳米 HBM PHY “是我们为ASIC生产过最大的核心，其包含15000外置针脚可接至内存控制器、1700外置针脚可接至转接板各层DRAM的基本晶体。”
每一层DRAM都包含一个基础晶体，与ASIC的HBM2 PHY以及另外高达8个不同叠层的基础晶体进行沟通，链接通过数千个垂直硅过孔（TSV）实现。每层HBM DRAM的总内存可高达32GB。为了减少1000个输入输出开关的噪音信号，ASIC HBM2 PHY可以利用8个128数位信号通道的完全独立性，并通过对每个信号通道的相应时序控制调整来实现。
Linley Group分析师 Wheeler见证了HBM2标准建立所带来的趋势。Hynix是最初的发起者，可是 Wheeler说 Samsung已具备自己的HBM2并愈发强势。由于方案的成本大部分来自于HBM2内存，多个HBM2供应商间将展开激烈竞争，提高产量、降低成本并优化性能。
当被问及是否认为2.5D方案将进一步普及，McCann说 “这是本时代一个非常伟大的技术，并能带来巨大的回报。问题是，我们是否能降低成本并提高产量？”
关于作者
Dave Lammers是固态技术特约撰稿人，也是格芯的Foundry Files的特约博客作者。他于20世界80年代早期在美联社东京分社工作期间开始撰写关于半导体行业的文章，彼时该行业正经历快速发展。他于1985年加入E.E. Times，定居东京，在之后的14年内，足迹遍及日本、韩国和台湾。1998年，Dave与他的妻子Mieko以及4个孩子移居奥斯丁，为E.E Times开设德克萨斯办事处。Dave毕业于美国圣母大学，获得密苏里大学新闻学院新闻学硕士学位。
2.5D 开始用于网络应用
作者： Dave Lammers戴夫-拉默斯
面对带宽问题，网络公司正在转向内插器、HBM2 DRAM 和领先的 ASIC 技术。
当大型网络公司开始开发新的太比特路由器时，他们达到了林利集团网络分析师鲍勃-惠勒（Bob Wheeler）所说的 "爆发点"。
思科（Cisco）、瞻博网络（Juniper）、诺基亚（Nokia）等公司一直在关注路由器专用集成电路（ASIC）引脚数的 "爆炸性增长"，因为它们要从安装在层压印刷电路板上的商品 DDR DRAM 中获得足够的带宽。
网络客户现在可以使用 GLOBALFOUNDRIES® 的新型 14nm ASIC(FX-14™) 解决方案，该解决方案提供与安装在硅内插件上的高带宽内存(HBM2) 的连接。Rambus Inc.(Sunnyvale) 和 GF 工程师合作，为 FX-14 ASIC 平台提供了 Rambus PHY，可提供每秒 2 太比特 (Tb/s) 的惊人带宽。
"Wheeler 说："这是针对我们已经看到的一个问题的解决方案，即外部存储器无法满足这些 ASIC 缓冲区的带宽要求。"人们试图尽可能地使用商品 DRAM，但由于引脚数激增，这已经到了极限。
惠勒说，通信专用集成电路的市场规模约为十亿美元，他指出，路由器是一种昂贵的系统，可以支持基于内插件（2.5D）解决方案的成本，以获得高速数据包缓冲所需的带宽。
对于在层压印刷电路板上运行的现有 DDR 型 DRAM，Wheeler 说："从 ASIC 的角度来看，最大的问题是引脚数。最终可能会出现 2000 多个引脚的设备。HBM 的优点在于它有一个宽接口，并保持在封装内，因此你不必使用串行接口。
网络之外的市场？
GLOBALFOUNDRIES 公司封装研发和业务技术运营副总裁Dave McCann 表示，2.5D（基于内插件）解决方案还可应用于数据处理、高端图形、自动驾驶汽车、人工智能和其他对带宽要求较高的解决方案，但这取决于成本的改善程度。
采用中间件可以极大地提高布线密度。对于基于层压印刷电路板的解决方案，线路和空间为 12 微米，但往往无法达到这种布线密度，因为必须避开或绕开层间 50 微米的垂直通孔，从而浪费了大量空间。GF 公司技术开发高级经理 Walter Kocon 说，硅内插层的线路和空间与逻辑芯片的后端基本相同，目前约为 0.8 微米。
在互插板上的物理层和 HBM2 存储器之间使用类似逻辑的布线，需要使用包括光刻在内的工厂级工具。由于中间件比传统芯片大得多，因此必须将多个区域拼接在一起。但 Kocon 说，如今的步进机在网罩之间的切换能力非常强，而且在制造更大的内插器方面也取得了进展。
这些晶圆厂加工工具比传统的层压加工工具更昂贵，但其回报是 PHY 和 HBM2 存储器之间大量的片上 I/O（约 1,700 个）。正如 McCann 所说，与迄今为止使用的基于层压板的串行接口相比，通过保持非常短的迹线，功耗得到了控制。
无禁区
“With vias enabled by wafer fab technology (<1 micron) in silicon interposers, multiple layers of 0.8-micron lines and spaces can be utilized, because there is essentially no keep out area for the vias. That compares with the conventional PCBs, where routing had to come down from the ASIC and over to the DIMM card, consuming both power and time,” McCann said. With interposer-based interconnect being orders of magnitude smaller, and devices only hundreds of microns apart, the massively parallel routing density supports multi-terabit levels of bandwidth.
但是，内插板在制造方面也存在挑战。"这些是大型内插器和大型专用集成电路。首先，我们必须在专用集成电路（ASIC）和中间件之间建立一个接口。 ASIC和硅集成电路的膨胀特性相匹配是实现无应力接口的关键之一。 控制翘曲的设计和装配工艺至关重要。McCann说："然后，分散中间膜和下面层压板之间的应力也很关键，因为该界面存在很大的不匹配。
控制翘曲是 2.5D 获得良好互连良率的关键。互联器与 ASIC 之间的间距非常近，凸块高度约为 70 微米。"这意味着对翘曲的容忍度非常低，"McCann 说。焊锡被推到一起或拉向相反的方向，都会产生连接问题。"McCann说："我们需要制造工艺来保持所有这些表面的平整，我们相信，与我们的OSAT合作伙伴一起，我们能够做到这一点。
PHY 合作
PHY 是另一项技术挑战，也是 Rambus 与 GF 共同应对的挑战。Rambus 产品营销高级总监Frank Ferro 解释说，HBM2 PHY是一种混合信号功能，必须根据每个工艺节点进行专门设计。
"我们进行了大量的信道建模，然后设计了物理层来满足这些信道要求。这是一次合作。我们在整个过程中进行了多次讨论，以确保设计的稳健性。从第一天起，它就成功了，这是对 Rambus（建模和信号完整性）工具和具有设计这些 PHY 历史的工程师的有力证明。"
DDR DRAM 支持 72 位带宽，而 HBM2 支持 1,024 位。对于 1,024 位的带宽，信号完整性的控制是一项挑战，Ferro 向 GF 的工程师们表示感谢，他们中的许多人都曾在 IBM 的微电子集团工作过，积累了高速信号方面的经验。
当被问及他是否认为 2.5D 解决方案会在整个高性能行业中推广时，Ferro 说这取决于制造产量，以及 HBM2 DRAM 成本的降低。"2.5D 需要通过大批量制造来验证。这是一块相当大的硅片，你必须真正控制翘曲"。
GF 首席技术人员Tad Wilder 说，每秒 2 太比特的带宽 "对于单个内核来说是相当惊人的带宽"。由于在一个芯片上最多可以放置四个 HBM2 PHY，这就为 ASIC 设计人员提供了前所未有的每秒 8 太比特的低功耗、低延迟 DRAM 访问能力"。他补充说，14 纳米 HBM PHY "是我们为 ASIC 生产的最大内核，有 15,000 个内部引脚与内存控制器对话，1,700 个外部引脚与跨间接器的 DRAM 堆栈的基础芯片对话"。
每个 DRAM 堆栈包含一个基础芯片，该芯片通过数千个垂直硅通孔 (TSV) 与 ASIC 的 HBM2 PHY 和上面多达八个堆栈 DRAM 芯片通信。 每个 HBM DRAM 堆栈的总内存高达 32GB。为了降低 1,000 多个 I/O 可能切换时产生的噪音，ASIC HBM2 PHY 可以通过倾斜每个通道的时序来利用八个 128 位通道的完全独立性。
Linley Group 分析师 Wheeler 认为 HBM2 标准的发展势头良好。Wheeler 说，虽然海力士是最初的支持者，但三星已经强势推出了自己的 HBM2 部件。由于 HBM2 存储器的成本占整个解决方案成本的很大一部分，因此多家 HBM2 供应商之间的竞争将有助于提高产量、降低成本和改善性能。
当被问及他是否认为 2.5D 解决方案将得到推广时，McCann 说："这是一项真正伟大的技术，已经进入成熟期，收入可观。问题是：我们能否降低成本，使其达到更高的产量水平？
关于作者
戴夫-拉默斯
Dave Lammers 是 Solid State Technology 的特约撰稿人，也是 GF's Foundry Files 的特约博主。Dave 于 20 世纪 80 年代初在美联社东京分社工作时开始撰写有关半导体行业的文章，当时正值该行业快速发展时期。1985 年，他加入了《电子时报》，在东京工作的 14 年中，他报道了日本、韩国和台湾的情况。1998 年，戴夫和妻子美惠子以及四个孩子搬到奥斯汀，成立了《电子时报》德克萨斯分社。戴夫毕业于圣母大学，并在密苏里大学新闻学院获得新闻学硕士学位。
格芯展示应用于数据中心、网络和云应用的2.5D高带宽内存设计方案
本方案利用2.5D封装技术,低延迟、高带宽内存PHY，使用FX-14™ ASIC设计系统搭建
加州圣克拉拉，2017年，8月9日- 格芯在今天公布，已为ASIC的14纳米高性能FinFET FX-14™集成设计平台展示了2.5D封装方案。
2.5D ASIC方案与Rambus，Inc.协作开发,包括了一个内置的插入转接板设计以克服光刻局限，也包括了每秒2T的多通道HBM2 PHY. 本方案在14纳米FinFET技术平台搭建,将集成于在7纳米 FinFET制程技术打造的下一世FX-7™ ASIC设计系统。
“由于近年来内连接和封装技术的巨大进步，制程与封装之间的分界线愈发模糊，”格芯ASIC产品发展部副总裁Kevin O’Buckley说道。“将2.5D封装应用于ASIC设计以增强性能是能力的自然进化。这让我们得以为客户提供一站式端到端的技术支持：从产品设计一直到生产和测试。”
Rambus的内存PHY目标在于高端网络和数据中心应用，提供对数据要求最高的任务，满足低延迟和高带宽的系统要求。PHY技术与JEDEC JESD235 HBM2标准吻合，每个数据接口可支持高达2G的数据传输率，总带宽可达2Tbps。
“我们努力提供完善的HBM PHY技术，帮助数据中心和网络连接方案供应商达成如今最高要求的工作量，并把握住市场机会，”Rambus内存和接口分部高级副总裁、总经理Luc Seraphin说道。“我们与格芯合作，结合了我们的HBM2 PHY和格芯的2.5D封装、FX-14ASIC 设计系统，为业内告诉增长的应用提供了高度集成的设计方案。”
FX-14和FX-7是完整的ASIC设计方案，利用了格芯使用FinFET制程大批量生产的经验，包含了业内应用最广泛、最具备深度的IP组合，提供了为下一代连线/5G无线网络连接、云/数据中心服务器、机器学习或深度学习、汽车和航空航天或国家防御应用的独特方案。格芯是世界上唯一两家提供最优IP和高级内存及封装方案的公司之一。
关于格芯：
格芯是提供设计开发和制造间独特组合的领先全方面服务代工厂，为全世界的先进技术公司提供服务。格芯铸造厂遍布全球三大洲，提供了改造行业的能力，为客户带来重塑市场的能力。格芯隶属Mubadala发展公司。了解更多详情，请登录网址https://www.globalfoundries.com
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GLOBALFOUNDRIES展示面向数据中心、网络和云应用的2.5D高带宽内存解决方案
解决方案利用2.5D封装，在FX-14™ASIC设计系统上构建低延迟、高带宽的内存PHY
加州圣克拉拉，2017年8月9日 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布，其高性能14纳米FinFET FX-14™集成设计系统的2.5D封装解决方案的硅功能已经展示，用于特定应用集成电路（ASIC）。
2.5D ASIC解决方案包括一个缝合的插板能力，以克服光刻技术的限制，以及与Rambus公司合作开发的每秒2兆比特（2Tbps）的多通道HBM2物理层。在14纳米FinFET演示的基础上，该解决方案将被集成到该公司基于GF7纳米FinFET工艺技术的下一代FX-7™ ASIC设计系统上。
"随着近年来互连和封装技术的巨大进步，晶圆加工和封装之间的界限已经模糊，"GF的ASIC产品开发副总裁Kevin O'Buckley说。"将2.5D封装纳入ASIC设计，可以提高性能，超越规模，是我们能力的自然发展。它使我们能够以一站式的端到端方式支持我们的客户，从产品设计一直到制造和测试。"
Rambus内存PHY面向高端网络和数据中心应用，在需要低延迟和高带宽的系统中执行最密集的数据任务。该PHY符合JEDEC JESD235 HBM2标准，支持每个数据引脚高达2Gbps的数据速率，使总带宽达到2Tbps。
"我们努力提供全面的HBM PHY技术，使数据中心和网络解决方案供应商能够满足当今最苛刻的工作负载，并利用引人注目的市场机会，"Rambus内存和接口部门高级副总裁兼总经理Luc Seraphin说。"我们与GF的合作将我们的HBM2 PHY与他们的2.5D封装和FX-14 ASIC设计系统相结合，为业界增长最快的应用提供了一个完全集成的解决方案。"
FX-14和FX-7是完整的ASIC设计解决方案，利用了GF在FinFET工艺技术上的批量生产经验。它们由基于业界最广泛和最深入的知识产权（IP）组合的功能模块组成，从而为下一代有线/5G无线网络、云/数据中心服务器、机器学习/深度神经网络、汽车和航空航天/国防应用提供了独特的解决方案。GF是世界上仅有的两家能够提供一流的IP和先进的存储器和封装解决方案的公司之一。
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格芯携手Silicon Mobility,打造业内首款汽车FPCU, 进一步推进混合动力与电动力车辆性能
Silicon Mobility通过格芯的 55nm LPx平台, 配备 SST高可靠性 SuperFlash®内存技术, 增强了汽车性能、能源效率与安全等级
加州圣克拉拉，2017年8月3日 – 格芯与Silicon Mobility在今天宣布已成功制造出业内第一款汽车可编程场控制器单元 (FPCU)设计方案, 并将其命名为 OLEA® T222。FPCU 使用了格芯的55nm低功耗拓展 (55LPx) 技术平台, 此平台通过了汽车等级验证, 包括了硅存储技术 (SST) SuperFlash® 内存技术, 在单芯片内集成了多个功能, 增强了混合动力和电动力车的性能。
Silicon Mobility 的 OLEA® T222让汽车自动化处理能力更加强力，通过在控制处理器结构中嵌入灵活逻辑单元 (FLU), 带来了高达40倍的处理加速和更好的实时控制能力。通过FLU的加速能力， OLEA® T222 提高了节能控制的质量，劲儿提高了安全性，并且在超快安全应用上满足了ASIL-D级标准。此外，汽车制造商可以增强DC/DC 和AC/DC控制的能源效率, 提高电池使用范围, 耐用性和电动机的充电速度。
“电动机、功率转换器和电池充电器的效率是混合和电动力汽车控制系统的关键因素,” Silicon Mobility 运营部副部长Vincent Cruvellier说道。 “格芯的 55LPx 平台配备了快速和低功耗的逻辑和汽车1级认证，结合了SST的高可靠性 SuperFlash 内存技术，让我们可以在一块芯片上集成多种功能，打造出OLEA® T222 产品。格芯是全球性的专业汽车类市场代工厂，我们与格芯的合作使客户确保获得最高的产品质量、最高的可靠性和对于制造汽车类产品的支持。”
格芯的 55nm LPx可用于射频，经汽车等级验证的平台提供了通向生产的快速方案，其中包括了硅验证的射频IP以及SST的高度可靠SuperFlash内存，主要特点有：
· 超快读取速度(<10ns)
· 比特单元小尺寸
· 超强数据维持能力 (> 20 years)
· 超强耐久力 (> 200K cycles)
· 完全通过汽车1级认证 (AEC-Q100)
“我们的平台结合了 Silicon Mobility的设计，提供55nm的高度集成的汽车自动化设计, 推出了业内第一款FPCU,” 格芯嵌入式内存部副部长 David Eggleston说道， “这是格芯55LPx平台受到广大市场欢迎的又一例证，特别是对于汽车应用这种对可靠性要求极高的市场。”
格芯的55LPx eFlash 平台正在新加坡300mm产品线进行批量生产。无论是对于穿戴式设备还是汽车的微控制器单元,55LPx eFlash平台是大量产品的最高成本效率方案。
设计工具包现已可用。用户已可使用该工具包对芯片设计进行优化，开发独特的SuperFlash方案，满足成本性能要求，低功耗和极限环境中的高可靠性。
了解更多关于格芯主流CMOS设计方案的信息，请与格芯销售代表联系或登录网址www.globalfoundries.com
关于Silicon Mobility:
Silicon Mobility是更环保、更安全更智能移动应用的技术领先者。该公司设计开发并销售灵活、实时、安全而开房的半导体方案，供应追求能源效率、减少污染排放、保证乘客安全的汽车行业。
Silicon Mobility的产品控制电动机、电池和能源管理系统，应用于混合动力和电动力车辆。使用Silicon Mobility 的技术，制造商可以提高效率，减小尺寸、重量和电动机的成本，增加电池的使用范围和耐用性。Silicon Mobility的技术和产品加速了汽车动力系统的电子化，也推动了OEM无人车的开发。Silicon Mobility总部位于法国索菲亚科技园。了解更多详情请登录www.silicon-mobility.com
关于格芯
格芯是提供设计开发和制造间独特组合的领先全方面服务代工厂，为全世界的先进技术公司提供服务。格芯铸造厂遍布全球三大洲，提供了改造行业的能力，为客户带来重塑市场的能力。格芯隶属Mubadala发展公司。了解更多详情，请登录网址https://www.globalfoundries.com
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格芯 (518) 795-5240 |
David Fresneau
Silicon Mobility +33 (0)487 791 020 david.fresneau@silicon-mobility.com |
GLOBALFOUNDRIES和Silicon Mobility推出业内首个汽车FPCU，以提升混合动力和电动汽车的性能
Silicon Mobility和GF的55纳米LPx支持平台，采用SST的高可靠性SuperFlash®内存技术，提高了汽车性能、能源效率和安全水平。
2017年8月3日，加利福尼亚州圣克拉拉市--全球方正集团（GLOBALFOUNDRIES）和Silicon Mobility今天宣布，他们已成功生产出业界首个汽车现场可编程控制器单元（FPCU）解决方案，名为OLEA® T222。该FPCU解决方案采用了GF的55纳米低功耗扩展（55LPx）汽车合格技术平台，其中包括Silicon Storage Technology（SST）的SuperFlash®存储器技术，将多种功能集成到一个芯片上，提升了混合动力和电动汽车的性能。
Silicon Mobility的OLEA® T222通过在控制处理器架构中嵌入具有高达40倍加速度的灵活逻辑单元（FLU）来加速实时事件的处理和控制，使汽车处理成为完全确定性的。通过FLU加速，OLEA® T222提高了能量转换控制的质量，以提高安全性，并实现ASIL-D的超快速安全应用。此外，汽车制造商可以提高DC/DC和AC/DC控制的能源效率，以及提高电池的续航能力、耐用性和电动马达的充电速度。
"电动机、功率转换器和电池充电器的效率是混合动力和电动汽车控制系统的关键因素，"Silicon Mobility公司运营副总裁Vincent Cruvellier说。"GF的55LPx平台具有快速、低功耗逻辑和汽车1级资质，与SST的高可靠性SuperFlash存储器技术相结合，使我们能够将多种功能集成到一个芯片中，创造出OLEA® T222产品。我们与致力于汽车市场的全球代工厂GF合作，有助于确保我们的客户在制造汽车产品时拥有最高的质量、可靠性和支持"。
GF的55纳米LPx射频支持的汽车认证平台提供了一个快速的产品解决方案，其中包括硅认证的射频IP、SST的高可靠性SuperFlash存储器技术，其特点是。
- Very fast read speed (<10ns)
- 小的比特单元尺寸
- 卓越的数据保留（>20年）
- 优异的耐久性（>200K循环）。
- 完全合格的自动1级操作（AEC-Q100）。
"GF嵌入式存储器副总裁David Eggleston说："我们的平台与Silicon Mobility的设计相结合，在55纳米工艺下提供了高度集成的汽车解决方案，实现了业内首个FPCU。"这又是一个例子，说明GF的55LPx平台正在成为广泛市场的首选，包括需要在极端环境下具有卓越可靠性的汽车应用。"
GF的55LPx eFlash平台正在新加坡的代工厂300mm生产线上进行批量生产。55LPx eFlash平台是一个具有成本效益的解决方案，适用于从可穿戴设备到汽车MCU的广泛产品。
现在可以提供工艺设计套件。客户可以开始优化他们的芯片设计，开发差异化的支持SuperFlash的解决方案，这些解决方案要求在极端环境下具有成本效益的性能、低功耗和卓越的可靠性。
有关GF主流CMOS解决方案的更多信息，请联系您的GF销售代表或访问www.globalfoundries.com。
关于Silicon Mobility。
Silicon Mobility公司是一个促进更清洁、更安全和更智能的交通的技术领导者。该公司为汽车行业设计、开发和销售灵活、实时、安全和开放的半导体解决方案，用于提高能源效率和减少污染物排放，同时保证乘客安全。
Silicon Mobility的产品控制着混合动力车和电动车的电动马达、电池和能源管理系统。通过使用Silicon Mobility的技术，制造商提高了效率，减少了电动马达的尺寸、重量和成本，增加了电池的续航能力和耐用性。Silicon Mobility的技术和产品加速了汽车动力系统的电气化，并为原始设备制造商部署无人驾驶汽车。硅谷移动公司的总部设在法国索菲亚-安提波利斯。欲了解更多信息，请访问：www.silicon-mobility.com
关于GF
GF是一家领先的提供全方位服务的半导体代工企业，为世界上一些最具灵感的技术公司提供独特的设计、开发和制造服务组合。在全球范围内，GF的制造足迹遍布三大洲，使改变行业的技术和系统成为可能，并使客户有能力塑造他们的市场。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。
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