von: Dr. Gary Patton

Es mag verlockend sein, die starke Nachfrage nach Halbleitern nur als einen weiteren Aufschwung in unserer traditionell zyklischen Branche zu betrachten, aber was die Dinge im Moment wirklich antreibt, ist die Eröffnung völlig neuer Horizonte, die durch die gesteigerten Fähigkeiten der heutigen Chips ermöglicht werden.

Die Nachfrage nach Chips wird nicht mehr nur von den Bedürfnissen der Computer- und Smartphone-Hersteller bestimmt. Die steigende Zahl neuer und vielfältiger Anwendungen in vielen verschiedenen Branchen schafft nicht nur Nachfrage, sondern treibt auch die Chiptechnologie in neue Richtungen. Daher ist das traditionelle Ziel, schnellere und dichtere Halbleiter zu entwickeln, zwar nach wie vor sehr wichtig, aber nicht mehr der einzige Weg nach vorn.

Schlüsselsektoren

Neben den traditionellen Computer- und Smartphone-Anwendungen sehen wir die folgenden Sektoren als wichtige Treiber für die künftige Halbleiternachfrage: anspruchsvolle Internet of Things (IoT)-Anwendungen, 5G und drahtlose Netzwerke, Automotive und künstliche Intelligenz/Maschinenlernen (AI/ML).

Im Bereich des Internet der Dinge wird zunehmend ein hohes Maß an Erfassungs-, Verarbeitungs- und Kommunikationsfähigkeiten in physische Objekte eingebettet, um deren Betrieb mit "Intelligenz" - leistungsfähigen Datenanalyse- und -verarbeitungsfähigkeiten - zu versehen. Ziel ist es, Leistung, Effizienz und Kosten zu verbessern und völlig neue Wege zur Problemlösung zu entwickeln.

Für 5G und drahtlose Netzwerke werden die Bandbreitenanforderungen unglaublich streng, um leistungsfähigere, zuverlässigere und sicherere Netzwerke zu schaffen. Während es vor nicht allzu langer Zeit noch eine beeindruckende technische Leistung war, eine Latenzzeit von nur 50 Millisekunden bei Netzwerkgeräten zu erreichen, erscheint dies heute fast schon altmodisch, da die prognostizierten Anforderungen für viele Netzwerkanwendungen eine Latenzzeit von 1 ms oder weniger vorsehen.

Die Automobilelektronik ist ein weiterer schnell wachsender Bereich. Seit der Einführung des einfachen Schlüsselanhängers mit Fernbedienung in den frühen 1980er Jahren ist die Zahl der elektronischen Geräte in einem Auto sprunghaft angestiegen. Es besteht ein wachsender Bedarf an fortschrittlichen Halbleiterprozessen, von denen viele Hochfrequenz- und Leistungsfähigkeiten kombinieren, um die verschiedensten Anwendungen im Automobilbereich, wie z. B. Fahrerassistenz-, Sicherheits- und Infotainmentsysteme, zu ermöglichen.

KI und maschinelle Lernsysteme generieren inzwischen riesige Datenmengen, die genutzt werden können, um mit weniger menschlichen Eingriffen mehr Produktivität, Effizienz, Qualität und Kosteneffizienz zu erreichen.

GF für Wachstum positioniert

Viele dieser neuen Anwendungen erfordern Chips, die ein ausgewogenes Verhältnis zwischen Leistung, Stromverbrauch, Flexibilität und Kosten bieten, und wenn das nicht die perfekte Beschreibung der 22FDX®-Technologievon GF ist, dann weiß ich auch nicht, was es ist. Die 22FDX-Technologie von GF ist ein grosser Vorteil für Kunden in diesen wachstumsstarken Bereichen. Sie bietet eine hohe Leistung und Energieeffizienz zu Kosten, die mit denen der 28-nm-Planar-Technologie vergleichbar sind, allerdings bei einer um 20 Prozent geringeren Chipgröße und mit 10 Prozent weniger Masken als bei der 28-nm-Technologie, wobei nur etwa halb so viele Immersionslithografie-Schichten erforderlich sind.

Darüber hinaus gibt das softwaregesteuerte Body-Biasing der Transistoren den Kunden die Möglichkeit, dynamisch zwischen Hochleistungs- und Niedrigverbrauchsbetrieb hin und her zu schalten. So können sie zum Beispiel den Ruhezustand und den aktiven Betriebsmodus optimieren. Mit der FDX™-Technologie können Kunden außerdem digitale, analoge und HF-Funktionen auf einem einzigen Chip integrieren und so intelligente, voll integrierte Systemlösungen realisieren.

Wir haben bereits mehr als 20 Kunden für ein breites Spektrum von 22FDX-Anwendungen gewonnen, darunter Schmalband-Internet-of-Things (IoT)-Systeme, Blockchain-Entwicklung und Bitcoin-Mining, Geolokalisierung, Millimeterwellen-Automobilradar und AI/ML, um nur einige zu nennen.

Diese Angebote ergänzen unsere ultrahochleistungsfähigen FinFET-Technologien, die dem Mooreschen Gesetz folgen und Kunden wie AMD und IBM in die Lage versetzen, rasend schnelle Grafikprozessoren und leistungsstarke Mainframe-Server anzubieten.

Die Dual-Technologie-Roadmaps von GF für FDX und FinFET, ergänzt durch eine Reihe von differenzierten Technologien, die bereits kommerzialisiert wurden oder sich in verschiedenen Entwicklungsstadien befinden, bieten den Kunden einzigartige Möglichkeiten, diese wachstumsstarken Bereiche zu erschließen.

So ist beispielsweise die Roadmap von GF für fortschrittliche Verpackungslösungen ein weiterer wichtiger Vorteil für Kunden in diesen Märkten. Wir streben mit unserem Portfolio an Packaging-Technologien eine Führungsposition an, denn der Bedarf an höherer Bandbreite, mehr Speicherplatz und schnelleren Geschwindigkeiten erfordert fortschrittliche Packaging-Lösungen, um die Leistung und Funktion der Produkte zu maximieren. Unsere ASIC-Angebote sind so konzipiert, dass sie fortschrittliche Packaging-Optionen nutzen, die Single- und Multi-Chip-Module und 2,5/3D-Lösungen für eine nahtlose Integration auf Modulebene umfassen.

Die Bedeutung des menschlichen Faktors

So beeindruckend diese technologischen Errungenschaften auch sind, die wichtigste Errungenschaft von GF ist vielleicht die Art und Weise, wie wir in der Lage sind, Menschen und Teams mit unterschiedlichem Hintergrund zusammenzubringen, um diese Lösungen zu entwickeln und unseren Kunden zu helfen, die vor ihnen liegenden Möglichkeiten zu nutzen.

Wir begannen mit einem starken, vielseitigen weltweiten F&E-Team und ergänzten es mit zusätzlichen starken technischen und Management-Talenten aus der Übernahme von IBM Semiconductor im Jahr 2015. Durch diese Übernahme kamen rund 500 Mitarbeiter zu GF, die an Spitzentechnologie, führenden HF-Technologien für die drahtlose Kommunikation, ASIC-Design-Fähigkeiten, einschließlich führender Hochgeschwindigkeits-SerDes, fortschrittlichen Verpackungslösungen und vielem mehr arbeiten.

Wir fördern unsere Talente sorgfältig, denn die Entwicklung und Herstellung von Halbleitern erfordert viele sich ergänzende Fähigkeiten, und die Fähigkeit, zusammenhängende Teams zu bilden, ist von entscheidender Bedeutung. Zu diesem Zweck nutzen wir viele Arten von standortübergreifenden Partnerschaften, um gemeinsames Lernen zu verbreiten. Ein Beispiel ist unsere Gastvortragsreihe, zu der wir die weltweit führenden Köpfe nach GF einladen, um Vorträge zu wichtigen und aktuellen Themen zu halten. Wir zeichnen diese Vorträge auf und übertragen sie an alle unsere Standorte, so dass Mitarbeitende auf der ganzen Welt die Möglichkeit haben, zu lernen.

Lernen findet auch im Rahmen der Zusammenarbeit mit Forschungsgruppen der Industrie statt, um unsere internen Bemühungen zu verstärken. Unsere Techniker sind stark in die Entwicklung künftiger Technologien mit Gruppen wie der IBM Research Alliance am SUNY Polytechnic in Albany, imec, Leti und dem SRC eingebunden.

Blick nach vorn

Die traditionellen Ansichten über die Zukunft der Chiptechnologie wurden auf den Kopf gestellt, da sich die Verwendung von Halbleitern auf zahlreiche neue und wachsende Bereiche ausbreitet. Zwar ist es nach wie vor von entscheidender Bedeutung, dem Mooreschen Gesetz zu folgen, doch ist dies nur noch ein Weg in die Zukunft.

Die Technologien von GF versetzen uns in eine sehr günstige Position, um auf die sich entwickelnden Nutzerbedürfnisse zu reagieren, und so dürfte 2018 in der Tat ein sehr interessantes Jahr werden.

Über den Autor

Dr. Gary Patton

Dr. Gary Patton ist Chief Technology Officer und Senior Vice President of Worldwide Research and Development bei GLOBALFOUNDRIES. Er ist verantwortlich für die F&E-Roadmap, den Betrieb und die Ausführung der Halbleitertechnologie von GF.

Bevor er zu GF kam, war Dr. Patton acht Jahre lang Vice President des Semiconductor Research and Development Center von IBM. In dieser Zeit war er für die Halbleiter-F&E-Roadmap, den Betrieb, die Ausführung und die technologischen Entwicklungsallianzen von IBM verantwortlich, mit Hauptstandorten in East Fishkill, New York, Burlington, Vermont, Albany Nanotech Research Center in Albany, New York, und Bangalore, Indien. Er war auch Mitglied des ausgewählten IBM Corporate Growth & Transformation Teams.

Dr. Patton ist ein anerkannter Branchenführer in der Halbleitertechnologie-F&E mit über 30 Jahren Erfahrung in der Halbleiterindustrie. Während seiner Laufbahn bei IBM hatte er eine Vielzahl von Führungs- und Managementpositionen in den IBM-Abteilungen Mikroelektronik, Speichertechnologie und Forschung inne, unter anderem in den Bereichen Technologie- und Produktentwicklung, Fertigung und Geschäftsbereichsmanagement.

Dr. Patton erhielt seinen B.S.-Abschluss in Elektrotechnik von der UCLA und seinen M.S.- und Ph.D.-Abschluss in Elektrotechnik von der Stanford University. Er ist ein Fellow des IEEE und Mitglied des IEEE Nishizawa Medal Awards Committee. Er ist Mitverfasser von über 70 Fachartikeln und hielt zahlreiche eingeladene Vorträge und Podiumsdiskussionen auf wichtigen Industrieforen zu Technologie- und Industriethemen.

von: Dave Lammers

Wettbewerber im Bereich Internet der Dinge werden auf dem kommenden Mobile World Congress (MWC 2018) in Barcelona, Spanien, ihre Chipdesigns vorstellen, darunter mehrere Start-ups, die den 22FDX®-Prozessvon GLOBALFOUNDRIES verwenden.

Anup Savla, Chief Technology Officer bei Nanotel Technology, sagte, dass sein junges Unternehmen mehrere Chips für den Einsatz im Schmalband-IoT-Bereich (NB) entwickelt. Savla, der nach einer dreijährigen Tätigkeit bei Intel 11 Jahre lang Wireless-ICs bei Qualcomm entwickelt hat, sagte, Nanotel habe sich für den 22FDX-Prozess entschieden, um den Stromverbrauch für sein NB-IoT-Modem mit gemischten Signalen zu senken.

"Wir haben eine digitale Engine, einen Prozessor, der für IoT-Anwendungen entwickelt wurde, bei denen der Schwerpunkt auf niedrigem Stromverbrauch und geringen Leckagen liegt. Beim 22FDX gibt es Knöpfe, mit denen man den Stromverbrauch und die Leckage reduzieren kann. Die Möglichkeiten, dies zu tun, sind unvergleichlich, und diese Art von Möglichkeiten gibt es bei CMOS-Bauelementen einfach nicht", sagte er.

Das Design des Nanotel-Transceivers begann, bevor die ersten 22FDX-Design-Kits offiziell veröffentlicht wurden, und zwar mit einem 0,5-PDK, aber mit Bibliotheken, die auf die Betriebsspannung von 0,4 V ausgerichtet waren. "Wir haben von Anfang an auf die 0,4-V-Bibliothek abgezielt. Der Grund dafür ist, dass man bei 0,8 V im Vergleich zu einem CMOS-Bulk-Prozess nicht genügend Leistungsunterschiede hat. Bei 0,4 V ist der Stromverbrauch deutlich niedriger, und das zu ähnlichen Kosten wie bei einem CMOS-Prozess", sagte er.

Auf die Frage nach der Umstellung auf einen FD-SOI-Prozess antwortete Savla: "Wir hatten einfach die typischen Probleme der frühen Anwender. Ein Teil davon waren die zusätzlichen Modellierungs- und Testanforderungen für die Verwendung des Backgates, aber das wird unabhängig von der Reife des Prozesses so bleiben. Das ist nicht unbedingt ein Nachteil. Wenn man die Möglichkeiten dieses Prozesses wirklich ausschöpfen will, dann sollte man die Spannung des Backgates variieren, aber das ist mit zusätzlichen Modellierungsaufgaben verbunden."

Savla sagte, dass das Design des Nanotel-Chipsatzes zu gleichen Teilen aus digitalen und analogen Komponenten besteht. "Innerhalb desselben Designs können wir Schalter mit Backgate-Steuerung verwenden, um den Leckstrom zu unterbrechen, wenn das Gerät im Grunde genommen schläft und nicht benutzt wird, und zwar in einem Ausmaß, das bei CMOS-Bauelementen nicht ohne weiteres möglich ist. Andererseits können wir das Backgate in Active-Mode-Bauelementen verwenden, um einen aktiven Betrieb mit sehr, sehr geringer Versorgung zu ermöglichen."

Nanotel konzentriert sich nicht in erster Linie auf den Verkauf von ICs, sondern auf die Entwicklung von Geräten und Datenpaketen für seine Kunden, mit denen sie kostengünstige Verbindungen mit großer Reichweite zum Mobilfunknetz herstellen können, ohne auf WiFi angewiesen zu sein. Der eigene Chipsatz gibt Nanotel die Möglichkeit, Kosten zu senken und einzigartige Funktionen für seine Kunden zu entwickeln, sagte er.

Dual-Mode-Konnektivitätslösungen

Die führenden Low-Power-Wide-Area (LPWA)-Verbindungsstandards - LTE-M, das auf dem US-Markt an Bedeutung gewinnt, und Narrowband IoT (NB-IoT), das in Europa und Asien eingeführt wird - werden laut ABI Research die IoT-Implementierungen bis 2021 voraussichtlich auf fast eine halbe Milliarde erhöhen.

GF und VeriSilicon entwickeln eine IP-Suite, mit der Kunden Single-Chip-LPWA-Lösungen entwickeln können, die entweder LTE-M oder NB-IoT, also eine Dual-Mode-Lösung, unterstützen. Die IP ermöglicht ein komplettes Mobilfunkmodem-Modul auf einem einzigen Chip, einschließlich integriertem Basisband, Power Management, RF-Funk und Front-End-Komponenten.

VeriSilicon bietet mit Silicon Platform as a Service (SiPaaS) geistiges Eigentum, das es seinen Kunden ermöglicht, sich auf differenzierende Merkmale zu konzentrieren. Wayne Dai, CEO von VeriSilicon, sagte, dass die chinesische Regierung die landesweite Einführung von NB-IoT für das kommende Jahr anstrebt. Die neue 300-mm-Fertigung von GF für FDX in Chengdu und IP-Plattformen wie die Single-Chip-Lösung für integriertes NB-IoT und LTE-M "werden einen erheblichen Einfluss auf Chinas IoT- und AIoT-Industrie (AI of Things) haben".

Ein Picoamp pro Mikron

Anubhav Gupta, Director of Strategic Marketing and Business Development for IoT, AI & Machine Learning bei GF, sagte, dass einige Kunden ältere Multi-Chip-Designs nehmen und Single-Chip-Lösungen in 22FDX erstellen. "Aufgrund der effizienten SOI-FET-Stapelung für hohe PA-Leistung und hohe Schaltlinearität ergeben sich Flächen-, Leistungs- und Kostenvorteile bei der Umstellung auf ein einziges Die in 22FDX. Wir sehen einen geringen Kurzkanaleffekt, eine höhere Transkonduktanzverstärkung, eine deutlich bessere Fehlanpassung und ein geringeres Rauschen als bei vergleichbaren Designs in 28nm-Bulk."

Auf der digitalen Seite, so Gupta, ermöglicht die Body-Biasing-Fähigkeit dem Kunden einen Betrieb mit bis zu 0,4 V und Standby-Leckströmen von weniger als einem Picoampere pro Mikron. Außerdem bietet GF jetzt eingebetteten MRAM mit sehr schnellem Wakeup, einer ähnlichen Lesegeschwindigkeit wie bei Flash, aber einer 1000-fach höheren Schreibgeschwindigkeit. Wenn eMRAM in Kombination mit On-Chip-SRAM verwendet wird, können Kunden auf Off-Chip-Flash vollständig verzichten, so Gupta.

Ein Fahrplan erforderlich

Hutcheson sagte, er glaube, dass es Entwürfe von Unternehmen gebe, die ihre Karten auf den Tisch legten. "Seit 2016 ist viel mehr IP verfügbar, und GF hat mit 12FDX das Problem der Roadmap angegangen, so dass 22 nicht nur eine Sache aus einem Guss ist.

STMicroelectronics, das bereits mehrere FD-SOI-Designs mit 28 nm in Produktion hat, kündigte kürzlich an, dass es den 22FDX-Prozess von GF als nächste Station seiner FD-SOI-Roadmap nutzen wird.

Ein Sprecher von STMicroelectronics sagte: "Da 22FDX die aktive Bauelemente (Transistoren) der zweiten Generation integriert, war es für ST selbstverständlich, die 22FDX-Technologie von GF als unsere nächste Technologie zu wählen, nachdem wir bereits die 28-nm-FD-SOI-Technologie einsetzen."

Der Sprecher sagte, dass ST die Entwicklung des 22FDX-Technologieknotens in Dresden positiv bewertet, da dieser nun für die Volumenproduktion qualifiziert und bereit für die Hauptphase ist, so dass er von ST sofort für die Entwicklung von Produkten genutzt werden kann. Die Wafer-Kapazität und die Erfahrung des Fertigungsteams in Dresden "geben uns Vertrauen in die Fähigkeit von GF zur Qualifizierung und Serienfertigung."

Leistungsoptimierter" Vision-Prozessor

Jens Benndorf, Geschäftsführer der Dream Chip Technologies GmbH (Hannover, Deutschland), sagte, dass sein Team 0,8-V-Bibliotheken für seinen "leistungsoptimierten" Automotive-Vision-Prozessor verwendet hat. Dream Chip war federführend in einem von der EU unterstützten Entwicklungsprojekt, an dem ARM's A53 Quad und Cortex®-R5 Lockstep für funktionale Sicherheit, Cadence's quad Vision P6, FlexNOC von Arteris IP, LPDDR4 Controller von INVECAS und andere IP-Partner beteiligt waren. Der resultierende Multi-Core-Vision-Prozessor, der auf dem 22FDX-Prozess basiert, wurde erstmals vor einem Jahr auf dem MWC 2017 vorgestellt. Seitdem bietet das Design europäischen Automobilherstellern und Tier-1-Automobilzulieferern eine Plattform, auf der sie kundenspezifische Derivate entwickeln können.

"Die Automobilindustrie hat erkannt, dass ihre Lösungen für das assistierte Fahren neben Radar und Lidar mehr Kamerainformationen benötigen, indem sie Informationen von mehreren Kameras integrieren. Das daraus resultierende Multi-Prozessor-Chip-Design nutzte Forward Biasing, um die Leistung zu steigern, und kein Back Biasing", sagte Benndorf. Das Ergebnis war eine 64 mm² große Bildverarbeitungslösung mit schätzungsweise 1 Milliarde Transistoren und einer Leistungsaufnahme von 4 Watt, was laut Benndorf "ein sehr aggressiver Wert für den Stromverbrauch ist, wenn man bedenkt, wie viel Bildverarbeitung auf dem Chip stattfindet."

Riot Micro setzt auf Cellular Links

Während das Design von Nanotel zu gleichen Teilen digital und analog ist, hat ein anderes Startup, das den 22FDX-Prozess nutzt, ein rein digitales NB-IoT-Modem-Design. Peter Wong, CEO des in Vancouver ansässigen Unternehmens Riot Micro, sagte, dass der Ansatz seines Unternehmens, der keine digitale Signalverarbeitung (DSP) verwendet, es IoT-Kunden ermöglicht, große Teile des Chips abzuschalten, um Strom zu sparen. Das ist besonders für batteriebetriebene IoT-Edge-Geräte willkommen, die möglicherweise ein Jahrzehnt lang mit einer Batterie betrieben werden müssen.

Das erste Design von Riot Micro wurde mit einem konkurrierenden foundry's 55nm Bulk-CMOS durchgeführt, aber ein Nachfolgechip ist im 22FDX-Prozess. Das LTE Cat-M/NB-IoT-Modem von Riot Micro enthält einen Ultra-Low-Power-Prozessor, der den Protokollstack ausführt. "Wir haben Designmethoden aus der Bluetooth-Welt übernommen, um den Stromverbrauch und die Kosten zu senken. Der PHY wird mit Gattern anstelle eines DSP mit einem eng gekoppelten und hoch optimierten Protokollstack entwickelt, was uns eine sehr fein granulare Leistungskontrolle über das Modem ermöglicht", so Wong.

"Der Nutzen von 22FDX liegt für uns in der potenziellen Einsparung von Strom und Fläche", so Wong. "Darüber hinaus hilft die Nutzung des wachsenden Ökosystems der IP-Verfügbarkeit im 22FDX-Prozess, die Markteinführung zu beschleunigen".

Das Riot Micro Design ist ein digitales Mobilfunkmodem, das die Mobilfunkstandards LTE Cat-M und NB-IOT unterstützt. Wong sagte, dass das Riot Micro Modem in diesem Jahr von mehreren großen Mobilfunkanbietern zertifiziert werden wird. Ein Kunde im Nahen Osten plant, es für ein Notfallalarmsystem zu verwenden.

"Es gibt viele Möglichkeiten, Dinge mit dem Internet zu verbinden: WiFi, Bluetooth, Zigbee, Mobilfunk, usw... und es gibt Anwendungsfälle, die auf alle passen, aber für viele Anwendungen hat der Mobilfunk so viele Vorteile. Mobilfunk ist von Natur aus sicherer, einfach zu implementieren, bietet Mobilität, und das Spektrum ist lizenziert und verwaltet. Man schaltet es einfach ein und stellt eine Verbindung her. Man muss sich nicht um das Spektrum kümmern, das wird alles vom Betreiber verwaltet", sagte er und nannte Asset-Tracker und Asset-Management als wichtige Anwendungen.

Quelle: Riot Micro -
Schmalbandige IoT-Netzwerke nutzen das Mobilfunknetz für Weitverkehrsnetze bei geringem Stromverbrauch

Integrierte Energieverwaltung

Laut Gupta sieht GF bei einigen Mixed-Signal-IoT-Kunden eine Tendenz zu einer Stromversorgung von 0,4 Volt für die digitalen Schaltungen und 0,8 bis 1,8 Volt für die analogen Teile. "Die Verfügbarkeit von LDMOS in 22FDX macht eine externe PMU (Power Management Unit) für stromsparende IoT-Anwendungen überflüssig. Typischerweise gibt es in Bulk-Prozessen keine Hochspannungs-LDMOS, und da viele IoT-Anwendungen mit Lithium-Ionen-Batterien arbeiten, würden diese Anwendungen einen externen Stromumwandlungschip für batteriebetriebene Anwendungen erfordern."

Und die 0,4-V-Designs haben genug digitale Leistung, um beispielsweise einen ARM-Kern zu unterstützen, der mit Geschwindigkeiten von 100 Mhz bis unter 500 MHz läuft, so Gupta.

Tim Dry, Segment Marketing Director bei GF, erklärt, dass Ingenieure die analogen Designmöglichkeiten der 22FDX-Technologie durch den Einsatz von dynamischem Body-Biasing immer besser verstehen. "Es hat sich herausgestellt, dass SOI-Body-Biasing viele analoge Skalierungen ermöglicht, die wir bis vor kurzem nicht verstanden haben. Für ADCs (Analog-Digital-Wandler), Funkgeräte und Leistungskomponenten glauben wir, dass wir die Die-Fläche viel kleiner machen können als mit bestehenden Planar- und potenziell FinFET-Bauteilen."

Die 22FDX-Lösungen für IoT-Systeme wie intelligente Zähler, Augmented-Reality- und Virtual-Reality-Headsets, Versorgungssteuerung und Sicherheitskameras können den Stromverbrauch senken. "Intelligente Lautsprecher sind eine weitere Anwendung, die viel Aufmerksamkeit erregt", sagte Dry.

Weitere Informationen zu den FDX™-Lösungen von GF erhalten Sie auf dem MWC vom 27. Februar bis 2. März in der Fira Gran Via in Barcelona, Spanien. Dort erfahren Sie, wie die Technologieplattformen von GF mit dem Übergang zu 5G eine neue Ära der "vernetzten Intelligenz" ermöglichen, oder besuchen Sie globalfoundries.com.

Über den Autor

Dave Lammers

Dave Lammers schreibt für Solid State Technology und ist Blogger für die Foundry Files von GF. Dave Lammers begann über die Halbleiterindustrie zu schreiben, als er Anfang der 1980er Jahre im Tokioter Büro von Associated Press arbeitete, einer Zeit des schnellen Wachstums der Branche. 1985 wechselte er zur E.E. Times, für die er in den folgenden 14 Jahren von Tokio aus über Japan, Korea und Taiwan berichtete. Im Jahr 1998 zogen Dave, seine Frau Mieko und ihre vier Kinder nach Austin, um ein texanisches Büro für die E.E. Times einzurichten. Als Absolvent der University of Notre Dame erwarb Dave einen Master-Abschluss in Journalismus an der University of Missouri School of Journalism.