Imagination bringt Ensigma Ultra-Low-Power Connectivity IP auf GLOBALFOUNDRIES' 22FDX®-Prozess

London, UK und Santa Clara, USA - 25. September 2018 - Imagination Technologies und GLOBALFOUNDRIES (GF) gaben heute auf der jährlichen GTC 2018-Konferenz eine gemeinsame Zusammenarbeit bekannt, um Ultra-Low-Power-Basisband- und Funkfrequenz (RF)-Lösungen für Bluetooth Low Energy® (BLE) und IEEE 802.15.4-Technologie anzubieten, die die Ensigma-Konnektivitäts-IP von Imagination auf der 22nm FD-SOI(22FDX®)-Plattform von GF nutzen. Darüber hinaus hat sich Imagination dem FDXcelerator™ Partnerprogramm von GF angeschlossen.

Die Kombination aus der 22FDX-Technologie und der Ensigma-IP von Imagination bietet eine energie- und kosteneffiziente Lösung, die Kunden leicht in ihre System-on-Chip (SoC)-Designs integrieren können. Die Zusammenarbeit ermöglicht es gemeinsamen Kunden, innovative und differenzierte vernetzte Geräte für das Internet der Dinge (IoT) zu entwickeln, indem sie die bewährten Ensigma-Konnektivitäts-Engines von Imagination im ultra-effizienten 22FDX-Prozess von GF einsetzen.

David McBrien, Executive Vice President of Sales and Marketing bei Imagination, sagt: "Durch die Zusammenarbeit mit Partnern wie GF können wir unsere IP kontinuierlich für die neuesten Prozesse verbessern. 22FDX ist eine attraktive Option für Kunden, die kostensensitive Geräte entwickeln. Die Zusammenarbeit hat unsere Ensigma Connectivity IP noch energie- und flächeneffizienter gemacht. Die Verfügbarkeit von siliziumerprobtem Basisband und RF ermöglicht den Kunden die schnelle Einführung von drahtlosen Single-Chip-Geräten, die nur eine einzige externe Antenne benötigen."

"Die IP- und BLE-Lösungen von Imagination ergänzen die 22FDX FD-SOI-Fähigkeiten von GF und ermöglichen es Kunden, stromsparende und kostengünstige Designs für IoT- und vernetzte Anwendungen zu nutzen", so Mark Ireland, Vice President of Ecosystem Partnerships bei GF. "Wir freuen uns, Imagination als Partner in unserem FDXcelerator-Programm begrüßen zu dürfen, um die Auswahl an IP- und Design-Services und die Flexibilität, die den Anforderungen unserer Kunden am besten entspricht, weiter zu erhöhen."

Ensigma IP für 22FDX bietet eine komplette IP-Lösung, die analoge RF/AFE als hartes Makro zusammen mit einer vollständig synthetisierbaren Basisband-IP für Anwendungen wie Wearable Computing, Gesundheitspflege und Haussteuerung umfasst. Die Lösung für Ultra-Low-Power-Bluetooth Low Energy und IEEE 802.15.4 befindet sich derzeit in der Entwicklung mit führenden Kunden und wird Anfang Q4 2018 verfügbar sein.

Als Teil des FDXcelerator-Programms von GF schließt sich Imagination der schnell wachsenden Zahl von Branchenführern an, die ein breites Spektrum an Ressourcen bereitstellen, darunter EDA-Tools, IP, Siliziumplattformen, Referenzdesigns, Design-Services sowie Packaging- und Testlösungen speziell für die 22FDX-Technologie. Das offene Framework des Programms ermöglicht es den Mitgliedern, Entwicklungszeit und -kosten zu minimieren und gleichzeitig die inhärenten Leistungs- und Performance-Vorteile der FDX-Technologie zu nutzen.

Das Ensigma Bluetooth Low Energy / IEEE 802.15.4 Basisband und RF IP ist ab sofort zur Lizenzierung verfügbar. Für Vertriebs- und Lizenzierungsinformationen wenden Sie sich bitte an [email protected].

Über GF

GLOBALFOUNDRIES (GF) ist ein führender Full-Service-Anbieter ( foundry ), der differenzierte Halbleitertechnologien für eine Reihe von wachstumsstarken Märkten anbietet. GF bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen mit einer Reihe innovativer IP und funktionsreicher Angebote wie FinFET, FDX™, RF und Power/Analog Mixed Signal. Mit einer Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, verfügt GF über die Flexibilität und Agilität, um die dynamischen Anforderungen von Kunden auf der ganzen Welt zu erfüllen. GF ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter globalfoundries.com.

Über Imagination Technologies

Imagination ist ein weltweit führendes Technologieunternehmen, dessen Produkte das Leben von Milliarden von Menschen auf der ganzen Welt beeinflussen. Die breite Palette an Silizium-IP (geistiges Eigentum) des Unternehmens umfasst die wichtigsten Verarbeitungsblöcke, die für die Erstellung der SoCs (Systems on Chips) benötigt werden, die die gesamte Mobil-, Verbraucher- und eingebettete Elektronik antreiben. Die einzigartige Software-IP, die Infrastrukturtechnologien und die Systemlösungen von Imagination ermöglichen es den Kunden, mit kompletten und hoch differenzierten SoC-Plattformen schnell auf den Markt zu kommen. Zu den Lizenznehmern von Imagination gehören viele der weltweit führenden Halbleiterhersteller, Netzbetreiber und OEMs/ODMs, die einige der bekanntesten Produkte der Welt entwickeln. Siehe: www.imgtec.com.

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Imagination Technologies, Ensigma und das Imagination Technologies-Logo sind Marken von Imagination Technologies Limited und/oder der mit ihr verbundenen Unternehmen im Vereinigten Königreich und/oder anderen Ländern. 22FDX ist eine eingetragene Marke von GLOBALFOUNDRIES. Wi-Fi® ist eine eingetragene Marke der Wi-Fi Alliance. Die Bluetooth®-Wortmarke und -Logos sind eingetragene Marken im Besitz der Bluetooth SIG, Inc. Alle anderen Logos, Produkte, Marken und eingetragenen Marken sind Eigentum der jeweiligen Inhaber.

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GLOBALFOUNDRIES Pressekontakt:

Erica McGill
Telefon: 518-795-5240
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Leistungsstarke Halbleiterplattform bietet wettbewerbsfähige Leistung und Skalierbarkeit für Rechenanwendungen der nächsten Generation

Santa Clara, Kalifornien, 25. September 2018 - Im Rahmen der neuen Ausrichtung des Unternehmens auf verstärkte Investitionen in die Differenzierung kündigte GLOBALFOUNDRIES heute auf seiner jährlichen Global Technology Conference (GTC) Pläne zur Einführung einer ganzen Reihe neuer Technologiefunktionen für sein 14/12-nm-FinFET-Angebot an. Die Funktionen sollen eine bessere Skalierbarkeit und Leistung für Anwendungen in wachstumsstarken Märkten wie Hyperscale-Rechenzentren und autonome Fahrzeuge bieten.

In der datenintensiven Welt von heute besteht ein unstillbarer Bedarf an Hochleistungs-Chips zur Verarbeitung und Analyse der von vernetzten Geräten erzeugten Informationsflut. Das FinFET-Angebot von GF ist eine ideale Plattform für die Entwicklung hochleistungsfähiger, energieeffizienter System-on-Chips (SoCs) für die anspruchsvollsten Rechenanwendungen. Die neuen Plattformfunktionen verbessern den Stromverbrauch, die Leistung und die Skalierbarkeit durch Transistorverbesserungen, die für ultrahohe Leistung und verbesserte RF-Konnektivität optimiert sind, sowie durch neue Hochgeschwindigkeits-Speicher mit hoher Dichte, die den neuen Anforderungen von Unternehmen und Cloud-Sicherheit entsprechen.

"Wir sind bestrebt, unser differenziertes Angebot zu erweitern, damit unsere Kunden in jeder Technologiegeneration mehr Nutzen aus ihren Investitionen ziehen können", so Dr. Bami Bastani, Senior Vice President of Business Units bei GF. "Mit der Einführung dieser neuen Funktionen in unser FinFET-Angebot liefern wir leistungsstarke Technologieverbesserungen, die es unseren Kunden ermöglichen, die Leistung zu steigern und innovative Produkte für die nächste Generation intelligenter Systeme zu entwickeln."

Die 14/12-nm-FinFET-Plattform von GF bietet eine verbesserte Leistung und einen höheren Stromverbrauch bei erheblichen Kostenvorteilen. Zu den funktionsreichen Erweiterungen der Plattform gehören:

• Ultrahohe Dichte: Erhöhte Transistordichte durch kontinuierliche Verbesserungen der 12LP-Designbibliothek (7,5T) in Kombination mit SRAM- und Analog-Fortschritten, die eine kleinere Die-Fläche ermöglichen, um Kunden in zentralen Rechen-, Verbindungs- und Speicheranwendungen sowie in den Bereichen Mobilität und Consumer zu unterstützen.
• Leistungssteigerung: Erhöht die Leistung durch Reduzierung der SRAM-Vmin um 100mV und des Standby-Leckstroms um ~50 Prozent, um die Leistung für bestehende und neue Anwendungen in den Bereichen maschinelles Lernen und künstliche Intelligenz zu erhöhen.
• RF/analog: Provides a full suite of passive devices, ultra-thick metal and LDMOS options for advanced RF performance with Ft/Fmax at 340GHz targeting <6GHz RF SoCs with high digital content.
• Eingebetteter Speicher: Bietet ultrahochsichere, einmalig programmierbare (OTP) und mehrmalig programmierbare (MTP) eingebettete nichtflüchtige (eNVM) Speicher für neue Unternehmens-, Cloud- und Kommunikationsanwendungen. Die Verwendung der physikalisch nicht nachweisbaren Charge-Trapping-Technologie (CTT) ermöglicht Sicherheitslösungen, einschließlich "physikalisch nicht verschließbarer Geräte" und effizienter nichtflüchtiger Speicher für ein höheres Maß an SoC-Integration. Die CTT-Lösung von GF erfordert keine zusätzlichen Verarbeitungs- oder Maskierungsschritte und bietet eine bis zu doppelt so hohe Dichte wie vergleichbare OTP-Lösungen, die auf dielektrischer Fuse-Technologie basieren.

Die 14LPP-Technologie von GF bietet im Vergleich zu 28-nm-Technologien eine um bis zu 55 Prozent höhere Bauelementleistung und einen um 60 Prozent geringeren Stromverbrauch. Die 12LP-Technologie von GF bietet eine um bis zu 15 Prozent höhere Schaltkreisdichte und eine um mehr als 10 Prozent höhere Leistung als die derzeit auf dem Markt erhältlichen 16/14-nm-FinFET-Lösungen. Die hochmoderne FinFET-Plattform von GF wird seit Anfang 2016 in großen Stückzahlen produziert und ist Automotive Grade 2 ready.

Über GF

GLOBALFOUNDRIES (GF) ist ein führender Full-Service-Anbieter ( foundry ), der differenzierte Halbleitertechnologien für eine Reihe von wachstumsstarken Märkten anbietet. GF bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen mit einer Reihe innovativer IP und funktionsreicher Angebote wie FinFET, FDX™, RF und Power/Analog Mixed Signal. Mit einer Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, verfügt GF über die Flexibilität und Agilität, um die dynamischen Anforderungen von Kunden auf der ganzen Welt zu erfüllen. GF ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter globalfoundries.com.

Kontakt:

Erica McGill
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