格芯携手indie Semiconductor，为汽车应用提供性能增强型微控制器 November 12, 2018 55nm LPx平台采用SST高度可靠的嵌入式SuperFlash®，可提升汽车应用的性能和能效 加利福尼亚州圣克拉拉，2018年11月12日 – 格芯和indie Semiconductor今日宣布推出新一代定制微控制器，它采用配备嵌入式非易失性存储器(SuperFlash®)的格芯55nm低功率扩展(55LPx)工艺平台，并且符合汽车标准。indie Semiconductor全新的Nigel产品基于ARM Cortex-M4微控制器内核，支持物联网、医疗和汽车市场的先进功能。indie Semi采用格芯55LPx工艺生产的产品已向汽车客户批量供货。 indie的定制微控制器将集成于单个器件中，可提供检测、处理、控制和通信等混合信号功能。格芯55LPx平台采用SST的SuperFlash®存储器技术，使indie的Nigel M4控制器能够利用高密度存储器和高性能处理能力，并结合混合信号功能，从而实现55nm工艺的高度集成汽车解决方案。 indie Semiconductor销售与营销执行副总裁Paul Hollingworth表示：“indie的Nigel控制器旨在支持汽车系统架构的高性能计算。随着汽车系统的需求越来越复杂，客户要求解决方案能够执行复杂的处理，同时将多个功能集成于单芯片中，以最大限度地缩减尺寸和重量。我们选择格芯符合汽车标准的55LPx平台是因为其具有密度、性能和成本综合优势。” 格芯主流产品管理部门副总裁Rajesh Nair表示：“indie Semiconductor是先进SoC技术领域的领军企业，能够与之合作，格芯感到非常荣幸。indie Semiconductor加入了格芯快速发展的55LPx平台客户群，这一平台为消费类、工业和1级汽车标准应用提供了出色的低功率逻辑、嵌入式非易失性存储器、广泛的IP以及出色的可靠性等综合优势。” 55Lpx RF平台提供了一种快速开发产品的解决方案，包括通过硅认证的RF IP和硅存储技术(SST)高度可靠的嵌入式SuperFlash®存储器。格芯位于新加坡的300mm生产线批量生产该平台。除Nigel以外，indie Semiconductor目前正在开发采用该技术的更多产品，其中许多产品将面向汽车应用。 工艺设计套件现已上市，并提供广泛的通过芯片验证的IP。如需了解更多有关格芯主流的CMOS解决方案的信息，请联系您的格芯销售代表或访问globalfoundries.com.cn。 关于indieindie设计和制造采用ARM内核的定制型微控制器芯片。我们以优化的单芯片替代印刷电路板中的大部分组件。与基于现成标准组件的解决方案相比，定制芯片可减小产品尺寸，降低产品成本和功耗。可靠性、量产性和防复制安全性都得到了提高。www.indiesemi.com 关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统的出现，并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司（Mubadala Investment Company）所有。欲了解更多信息，请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。 SuperFlash®是Silicon Storage Technology, Inc.的注册商标。
芯原发布基于GLOBALFOUNDRIES 22FDX® FD-SOI工艺的超低功率BLE 5.0射频IP，用于物联网应用 2018年11月1日中国上海--2018年11月1日--芯原股份有限公司（VeriSilicon Holdings Co.(芯原)今天发布了基于GLOBALFOUNDRIES 22FDX® FD-SOI工艺的蓝牙低能耗（BLE）5.0射频IP。
芯原微电子发布抄底功耗BLE 5.0基于格芯22FDX® FD-SOI工艺的射频IP，针对物联网应用 November 1, 2018Shanghai, China – November 1, 2018 – VeriSilicon Holdings Co., Ltd. (VeriSilicon) today announced its Bluetooth Low Energy (BLE) 5.0 RF IP based on GLOBALFOUNDRIES 22FDX® FD-SOI process.
GLOBALFOUNDRIES推出全资子公司Avera Semi，提供定制ASIC解决方案 2018年11月1日 新公司利用将复杂的ASIC推向市场的无可匹敌的传统优势 解决方案将重点关注网络、数据中心、AI/ML 及其他高性能智能系统 加州圣克拉拉，2018年11月1日- GLOBALFOUNDRIES 今日宣布成立 Avera Semiconductor LLC，这是一家致力于为广泛应用提供定制硅解决方案的全资子公司。Avera Semi将利用与GF的深厚关系，在14/12纳米和更成熟的技术上提供ASIC产品，同时为客户提供新的能力和7纳米及更高工艺的替代代工工艺。 Avera Semi 建立在无与伦比的 ASIC 专业技术基础之上，拥有一支世界一流的团队，在其 25 年的历史中执行了 2,000 多项复杂设计。Avera Semi 拥有 850 多名员工，年收入超过 5 亿美元，正在执行的 14nm 设计超过 30 亿美元，能够很好地服务于在有线和无线网络、数据中心和存储、人工智能和机器学习以及航空航天和国防等广泛市场开发产品的客户。 新公司由凯文-奥巴克利（Kevin O'Buckley）领导，他自 2015 年作为收购 IBM Microelectronics 的一部分加入 GF 以来，一直是 ASIC 业务的领导者。此前，他在 IBM 工作了近 20 年，担任过各种技术和行政领导职务。 O'Buckley说："我无法想象现在是启动一家专注于提供定制ASIC解决方案的新企业的最佳时机。"数据流量和带宽需求激增，下一代云计算和通信系统必须提供比以往更高的性能，处理比以往更复杂的问题。Avera Semi 将专业知识与技术完美结合，帮助我们的客户设计和构建高性能、高度优化的半导体解决方案。 "Arm公司高级副总裁兼基础设施业务线总经理Drew Henry说："Arm公司与建立Avera Semi的团队长期合作，以加强PPA并为市场带来创新解决方案。"随着对计算要求的需求 我们期待着将Avera的能力和技术与Arm Neoverse解决方案和物理设计IP相结合，为广大客户提供独特的价值。 "Synopsys与GF的长期合作使我们能够提供广泛的高质量DesignWare组合。™IP，"Synopsys公司IP营销副总裁John Koeter说。"我们期待着与Avera Semi继续保持这种成功，为设计人员在先进的FinFET工艺上进行下一代高性能SoC设计提供必要的IP。" Avera Semi 为客户提供一系列能力，以实现端到端的硅解决方案： 在领先和成熟的工艺技术上提供ASIC产品，包括在7纳米上新建立的代工合作关系 丰富的IP组合，包括高速串行解调器、高性能嵌入式TCAM、ARM®内核以及性能和密度优化的嵌入式SRAM 一个全面的、经过生产验证的设计方法，建立在首次正确结果的强大记录之上，以帮助减少开发成本和上市时间。 先进的封装选项可提高带宽，消除I/O瓶颈，并减少内存面积、延迟和功耗 灵活的 ASIC 业务参与模式，使客户能够通过经验丰富的芯片设计、方法、测试和封装团队提供所需的支持，补充内部资源 关于Avera Semi Avera Semi 提供特定应用集成电路 (ASIC) 半导体解决方案，为下一代网络、数据中心、机器学习、汽车以及航空航天和国防应用提供系统级差异化解决方案。该公司成立于 2018 年，旨在为客户持续提供 7 纳米及更先进的光刻技术，同时利用与 GLOBALFOUNDRIES 的深厚关系，提供 14/12 纳米及更旧技术的 ASIC 产品。Avera Semi 是 GLOBALFOUNDRIES 的全资子公司。欲了解更多信息，请访问 averasemi.com。 关于GF GLOBALFOUNDRIES (GF) 是一家领先的全方位晶圆代工企业，为一系列高增长市场提供真正差异化的半导体技术。GF 将设计、开发和制造服务独特地结合在一起，提供一系列创新 IP 和功能丰富的产品，包括 FinFET、FDX™、射频和功率/模拟混合信号。GF 的生产足迹遍布三大洲，具有满足全球客户动态需求的灵活性和敏捷性。GF 为穆巴达拉投资公司（Mubadala Investment Company）所有。欲了解更多信息，请访问 globalfoundries.com。 联系方式 杰森-戈尔斯 全球性的铸造厂 (518) 698-7765 [email protected]
格芯宣布成立全资子公司Avera Semi，提供定制ASIC解决方案 November 1, 2018 新公司充分利用无与伦比的技术传承，将复杂ASIC推向市场 其解决方案将专注于网络、数据中心、AI/ML和其他高性能智能系统 加利福尼亚州圣克拉拉，2018年11月1日 – 格芯今日宣布成立全资子公司Avera Semiconductor LLC，致力于为各种应用提供定制芯片解决方案。Avera Semi将充分利用与格芯的深厚联系，提供14/12nm以及更成熟技术的ASIC产品，同时为客户提供7nm及以下的新能力和替代代工工艺。 Avera Semi拥有无与伦比的ASIC专业知识传承，充分利用世界一流团队，在过去25年中完成了2,000多项复杂设计。Avera Semi拥有850多名员工，年收入超过5亿美元，14nm设计收入预计超过30亿美元，具有十分显著的优势，为客户在广泛的市场上开发产品，包括有线和无线网络、数据中心和存储、人工智能和机器学习，以及航空航天和国防。 新公司由Kevin O’Buckley领导，自格芯于2015年收购IBM微电子业务以来，他一直是ASIC业务的负责人。在此之前，他在IBM工作了近20年，担任过各种技术和管理领导职位。 O’Buckley表示：“现在是成立新公司，专注于提供定制ASIC解决方案的最好时机。随着数据流量和带宽需求的激增，下一代云和通信系统必须提供更高的性能，处理前所未有的复杂性。Avera Semi拥有专业知识与技术的完美结合，可帮助客户设计和构建性能卓越、高度优化的半导体解决方案。” Arm基础设施业务部高级副总裁兼总经理Drew Henry表示：“Arm与Avera Semi构建的团队拥有悠久的合作历史，不断提升PPA和推出创新解决方案。随着计算需求的不断演进和多样化，我们期待将Arm Neoverse解决方案和物理设计IP与Avera的能力和技术相结合，为广泛的客户群提供独特的价值。” Synopsys IP营销副总裁John Koeter表示：“Synopsys与格芯的悠久的合作历史使我们能够在一系列格芯工艺上提供具有高质量DesignWare™ IP的广泛产品组合。我们期待与Avera Semi延续过去的成功，为设计人员提供必要的IP，通过先进的FinFET工艺实现下一代高性能SoC设计。” Avera Semi为客户提供各种功能，以实现端到端的芯片解决方案： ASIC产品基于先进且经过验证的工艺技术（包括新建立的7nm晶圆厂合作关系） 丰富的IP产品组合，包括高速SerDes、高性能嵌入式TCAM、ARM®内核以及经过性能和密度优化的嵌入式SRAM 经过生产验证的全面设计方法，基于众多的一次成功结果，有助于降低开发成本并加快上市时间 先进封装选项可增加带宽，消除I/O瓶颈，减少内存面积、延迟和功耗 灵活的ASIC业务参与模式，使客户能够根据支持需求从经验丰富的芯片设计、方法、测试和封装团队补充内部资源 关于Avera Semi Avera Semi提供专用集成电路（ASIC）半导体解决方案，为下一代网络、数据中心、机器学习、汽车以及航天和国防应用提供系统级差异化。公司成立于2018年，可持续为用户提供7纳米及以下的领先光刻技术，同时利用与格芯的紧密联系，在14/12纳米及更成熟的技术上提供ASIC产品。Avera Semi是格芯的全资子公司。欲了解更多信息，请访问avera.com。 关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统的出现，并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司（Mubadala Investment Company）所有。欲了解更多信息，请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。 媒体垂询： 杨颖（Jessie Yang） (021) 8029 6826 [email protected] 邢芳洁（Jay Xing） 86 18801624170 [email protected]
Netronome发布用于高级SoC设计的开放式Chiplet架构 2018年10月31日高性能智能网络解决方案的领导者Netronome今天宣布了一个针对特定领域的加速器的开放架构，旨在大幅降低现代数据中心服务器、边缘计算和汽车应用所要求的急剧增长的硅开发成本。
Netronome 发布针对先进SoC设计的开放Chiplet架构 October 31, 2018Netronome, a leader in high-performance intelligent networking solutions, today announced an open architecture for domain-specific accelerators designed to significantly reduce the burgeoning cost of…
格芯与成都合作伙伴调整成都合资公司战略 October 26, 2018 顺应格芯近期宣布的技术组合战略，将合资企业重心转变至满足中国市场高需求的差异化技术 中华人民共和国，成都2018年10月26日——今日，格芯与成都合作伙伴签署了投资合作协议修正案。基于市场条件变化、格芯于近期宣布的重新专注于差异化解决方案，以及与潜在客户的商议，将取消对成熟工艺技术（180nm/130nm）的原项目一期投资。同时，将修订项目时间表，以更好地调整产能，满足基于中国的对差异化产品的需求包括格芯业界领先的22FDX技术。 凭借逾20亿美元的设计中标收入以及50多项客户设计，格芯的22FDX技术在汽车、5G连接以及物联网（IoT）等各种高速增长的应用领域内展示了其作为业界领先的功耗优化的芯片平台的吸引力。格芯的中国客户已开始在位于德国德累斯顿的格芯先进生产基地中采用这种技术包括7名客户超过8个产品进入生产爬坡的不同阶段。。 瑞芯微电子CEO励民表示：“我们和格芯合作已经很久了。 22FDX低功耗的特点使其非常适合我们的不同产品，比如安防、AI等。我们也期待22FDX落地在中国生产，这将为我们带来更多的便利。” 双方合作伙伴仍计划继续推进FDSOI生态系统建设，包括创建本地技术基础设施、引进更多IP供应商和EDA合作伙伴等，使成都成为FDX技术的重要中心并赋能本土市场的采用以及需求产生。 成都股东方认为：“此次格芯成都项目的调整变化为合作双方留出充分时间进行评估，以更准确地掌握中国市场需求，为未来新的产能规划和项目实质性启动做好前期准备”。 格芯CEO汤姆·嘉菲尔德（Tom Caulfield）表示：“作为全球规模最大、增长最快的半导体市场之一，中国是格芯高优先市场。FDX技术特别适合中国市场，我们将继续见证其在5G、IoT以及边缘计算等极富吸引力的市场领域的巨大潜力。我们将与成都政府继续深化务实合作，坚定推动成都项目的实施，共同加快中国FDX技术生态系统和客户群的发展。” 关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统的出现，并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司（Mubadala Investment Company）所有。欲了解更多信息，请访问 https://www.globalfoundries.com/cn。 媒体垂询： 杨颖（Jessie Yang） (021) 8029 6826 [email protected] 邢芳洁（Jay Xing） 86 18801624170 [email protected]
GLOBALFOUNDRIES和成都重新调整合资企业战略 2018年10月26日 根据GF最近宣布的技术组合转变，重新将合资公司的重点放在中国市场的高需求、差异化技术上。 中华人民共和国成都，2018年10月26日- GLOBALFOUNDRIES与成都市政府今天签署了一份投资合作协议的修正案。基于市场情况的变化，GF最近宣布重新关注差异化产品，以及与潜在客户的讨论，合作方决定绕过原来在主流工艺技术（180/130纳米）的第一阶段投资。 双方还同意对项目时间表进行调整，以更好地调整产能，满足中国对差异化产品的需求，包括GF的行业领先的22FDX®技术。 GF的22FDX技术在汽车、5G连接和物联网（IoT）等广泛的高增长应用中赢得了超过20亿美元的设计订单和50多项客户设计，显示出作为业界领先的功率优化芯片平台的吸引力。GF的中国客户正在德国德累斯顿的先进制造基地开始采用该技术，包括7家客户和超过9种处于不同制造阶段的产品。 "我们与GF有长期的合作关系，22FDX的低功耗非常适用于我们的各种产品，包括人工智能和安全，"Rockchip的首席执行官李敏说。"一旦我们达到合适的准备程度，我们期待着在离中国本土更近的地方加大生产力度"。 合作伙伴计划继续建立一个世界级的FD-SOI生态系统，包括建立本地技术基础设施，引进更多的IP供应商和EDA合作伙伴，使成都成为FDX的卓越中心。TM技术的卓越中心，从而促进本地市场的采用和需求的产生。 "作为GF和成都合资企业的战略合作伙伴，我们认为这次项目计划的调整是基于对快速变化的市场条件的认识，"成都股东表示。"目标是让双方有足够的时间更好地了解中国的需求情况，以便规划最佳产能和生产时间"。 "中国作为全球最大和增长最快的半导体市场之一，是GF的重中之重，"GF首席执行官Tom Caulfield说。"FDX技术特别适合中国市场，我们继续看到其在5G、物联网和边缘计算等有吸引力的领域的强大潜力。我们将与成都深化合作，共同加快FDX生态系统和中国客户群的发展。" 关于GF GLOBALFOUNDRIES（GF）是一家领先的全方位代工企业，为一系列高增长市场提供真正与众不同的半导体技术。GF提供独特的设计、开发和制造服务组合，拥有一系列创新的IP和功能丰富的产品，包括FinFET、FDX™、RF和电源/模拟混合信号。GF的生产基地横跨三大洲，具有灵活性和敏捷性，能够满足全球客户的动态需求。GF为穆巴达拉投资公司所有。欲了解更多信息，请访问 globalfoundries.com。
加里-帕顿关注创新的新维度 2018年10月26日作者：加里-达加斯丁作者：加里-达加斯丁 每当一家公司宣布重大战略转变和重组时，就像 GF 放弃 7nm FinFET 技术开发一样，可能会产生困惑、不确定性和误解，这是可以理解的。 消除这些担忧的最好办法就是客观地看待形势：汽车、物联网、移动和数据中心/无线基础设施市场对芯片的需求正在强劲增长。这为我们提供了许多新机遇，我们可以利用 GF 广泛的现有成熟技术组合，为这些市场量身定制，或使其与众不同。此外，这些领域的许多潜在客户都是初创企业或非传统企业，它们可以从 GF 不断扩大的服务范围中获益。因此，摆脱昂贵的 FinFET 规模扩张，让 GF 可以重新部署资源，更好地寻求这些机会。 加里-帕顿博士GF 首席技术官兼全球研究与开发高级副总裁在最近举行的 "全球研究与开发峰会 "上发表主题演讲，解释了这些行业动态，并讨论了 GF 的技术战略。 2018年全球半导体联盟（GSA）东部硅峰会 在纽约州萨拉托加斯普林斯举行的论坛上。随后，《铸造厂档案》（Foundry Files）采访了他，以了解更多信息。 FF：几十年来，电子技术的进步一直依赖于将晶体管做得更小，以提高集成电路的速度和处理能力。现在发生了什么变化？ 加里：对于用于高性能计算的芯片而言，扩展仍有其存在价值，但在其他领域，随着扩展成本的攀升，遵循摩尔定律所带来的收益正在减少。但这并不意味着创新的终结。好消息是，现有技术现在已经非常强大，通过为其添加新功能并以各种方式进行组合，新的架构和计算方式已经成为可能。真正的转变正在发生，从通用计算方式转变为更加针对特定行业或领域的计算方式。 创新维度：创新正转向创造差异化的领先功能 FF： GF 是如何利用这一转变的？ 加里： 非常成功，因为我们的大部分收入已经来自差异化产品。我们把支持我们一切工作的四大支柱称为 FDX、FinFET、射频和电源/模拟混合信号（AMS）技术。 我们的 FDX 技术专为当今对功耗敏感的应用而设计，具有较低的激活和待机功耗，以及所需的密度和性能。它具有无与伦比的射频性能，可实现始终在线的连接、低延迟和更高的数据传输率，从而帮助实现射频驱动的物联网。为物联网设计芯片的客户对此兴趣浓厚，尤其是物联网在未来几年将从支持 WiFi 转向支持射频。总体而言，今年我们将有大约 20 个 FDX 生产带，预计明年这一数字将翻一番。 在 FinFET 方面，我们正在重新调整我们的路线图，以便为未来几年采用该技术的下一波客户提供服务。我们已转移开发资源，通过提供一系列创新 IP 和功能，使我们的 14/12 纳米 FinFET 平台与客户更加相关。例如，针对新兴的企业、云和通信应用，我们正在开发具有超高安全性能的一次性和多次可编程（OTP/MTP）嵌入式非易失性存储器（eNVM）。它基于 GF 的物理不可检测和不可克隆电荷捕获技术，将使市场领先的安全解决方案成为可能。它们还将提供更高水平的 SoC 集成。我们的 NVM 解决方案无需额外的处理或屏蔽步骤，其密度是基于介质保险丝技术的类似 OTP 解决方案的两倍。 在射频领域，GF 拥有丰富的产品组合，这些产品与拟议的架构非常吻合，并在不断进步，以满足 5G 和其他要求。例如，射频 FDX 可实现窄带物联网的深度覆盖、海量连接和低功耗，而射频 FinFET 技术则可提供出色的扩展性和功耗。RFSOI 使客户能够为射频前端模块、相控阵和毫米波波束成形构建最先进的低噪声放大器/开关和控制功能集成。我们的各种基于 SiGe 的射频产品经过性能调整，适用于众多低功率和高功率应用，包括汽车雷达/激光雷达、基站、有线/光学/毫米波和相控阵通信。此外，客户正越来越多地使用我们基于 SiGe 和 CMOS 集成的产品，以取代过去用于蜂窝和 Wi-Fi 功率放大器的砷化镓工艺。 我们的 AMS 产品涵盖广泛的工艺节点（180-40 纳米）和电压（3-700 伏），为客户提供卓越的功能和价位选择。我们的 BCD/BCDLite 和高压 (HV) 技术基于 GF 的高效 HV CMOS 工艺，包括功率和 HV 晶体管、精密模拟无源器件和 NVM 存储器，适用于各种传统和新兴的移动、汽车、物联网和其他应用。 GF 功能丰富的差异化产品 FF：您在演讲中提到，先进的包装是 GF 强大的差异化优势。 怎么说？ Gary：GF的高性能、高性价比2.5D、3D和硅光子先进封装技术分别支持四大支柱，并直接面向5G、网络/基站、人工智能/ML和先进汽车解决方案等新兴应用。 例如，我们的 "硅孔"（TSV）技术非常适合于不同的用途，如射频应用的 TSV、功率放大器的接地 TSV 以及用于在射频芯片上堆叠天线和/或其他无源器件的隔离 TSV（以实现出色的信号完整性和/或显著减小移动前端模块的尺寸）。此外，在通过 2.5D 和 3D 晶粒堆叠实现时，TSV 可以通过将存储器移近逻辑来减少延迟和功耗。与传统的单片 2D 设计相比，晶粒堆叠可通过异构晶粒分区和功能重用带来显著的成本优势，例如利用堆叠封装架构将 I/O、逻辑和存储器功能分拆到更小、成本更低的晶粒中。 关于硅光子（SiPh）集成电路，我们拥有光纤连接和激光连接封装技术，这些技术将通过 GF 的硅光子代工厂提供。 我们一直在与主要的 OSAT 执行先进封装产品的资格认证。对于 3D 封装，我们将根据产品的热需求，在 OSAT 上支持多种热解决方案选项。我还想指出的是，我们已经为所有先进封装解决方案开发了测试技术，以帮助客户熟悉这些解决方案，加快项目进度。 FF：现在，GF已经不再从事超大规模CMOS的研究，您对GF的研究活动有何看法？ 加里：首先，有一种观点认为我们完全专注于前沿研究，或者说只有前沿研究对我们来说才是真正重要的，但事实并非如此。我们进行研发的目的一直是为现有产品增加新功能、增加新性能、提高性能和/或降低成本。我们的 FinFET 技术就是一个很好的例子。首先，我们成功地在互连中集成了 MIM 电容器，使性能提高了 10%。随后，我们又开发了新的 IP 库，进一步提高了 5%。目前，我们正在增强这些成熟器件的射频功能，以迎接 5G 的推出。 有了通用基金的支点，我们的研究重点是更积极地使我们的成熟技术与众不同--实际上是创造这些技术的衍生品，从而实现新的应用，以应对我们一直在讨论的新机遇。 FF：这项工作将在哪里进行？ 加里：我们在马耳他有一个大型研发团队，专注于差异化 CMOS 技术开发。我们在东菲什基尔（East Fishkill）的团队致力于硅光子学、射频和封装技术，这些都是我们的关键差异化领域。在新加坡，我们在 40 纳米及更大节点的差异化功率和射频技术方面持续开展大量研发工作，而伯灵顿则是我们开发业界领先的射频解决方案的地方。我们将继续与世界各地的大学合作，并参与行业研究联盟，如imec、Fraunhofer和IME，研究一系列与我们认为的最佳市场机遇相一致的课题。 FF：最后有什么要说的吗？ 加里：一个公司的好坏取决于它的员工，我为我们在全球范围内的工厂都能在第一时间为客户提供正确的分带服务而深感自豪。对于如此复杂的技术，要做到这一点并不容易，这也是对我们同事和工程师的才能、专业精神和勤奋的最好证明。 关于作者 加里-达加斯丁 Gary Dagastine 是一位作家，曾为《EE Times》、《Electronics Weekly》和许多专业媒体报道半导体行业。他是《Nanochip Fab Solutions》杂志的特约编辑，也是全球最具影响力的半导体技术会议 IEEE 国际电子器件会议 (IEDM) 的媒体关系总监。他最初就职于通用电气公司，为通用电气的电源、模拟和定制集成电路业务提供通信支持。Gary 毕业于纽约州斯克内克塔迪联合学院（Union College）。
