Oktober 17, 2022 Die Vermont Fab von GF, einem weltweit führenden Hersteller von RF-Halbleitern, nähert sich der Großserienproduktion von Galliumnitrid-Chips der nächsten Generation ESSEX JUNCTION, Vt., 17. Oktober 2022 - US-Senator Patrick Leahy und GlobalFoundries (Nasdaq: GFS) (GF), ein weltweit führender Hersteller von Halbleitern mit vielen Funktionen, gaben heute die Gewährung von Bundesmitteln in Höhe von 30 Millionen US-Dollar bekannt, um die Entwicklung und Produktion von Galliumnitrid (GaN) auf Silizium-Halbleitern der nächsten Generation in der Anlage von GF in Essex Junction, Vermont, voranzutreiben. GaN-Halbleiter sind in der Lage, erhebliche Wärme- und Strombelastungen zu bewältigen und damit die Leistung und Effizienz von Anwendungen wie 5G- und 6G-Smartphones, drahtloser HF-Infrastruktur, Elektrofahrzeugen, Stromnetzen, Solarenergie und anderen Technologien entscheidend zu verbessern. Die Bekanntgabe erfolgte heute auf einer Veranstaltung in der GF-Fabrik, an der Senator Leahy, der Präsident und CEO von GF , Dr. Thomas Caulfield, der Vizepräsident und Geschäftsführer von GF Vermont Fab, Ken McAvey, der Präsident der Greater Burlington Industrial Corporation, Frank Cioffi, Mitglieder des GF-Fabrik-Teams und andere Gäste teilnahmen. Die 30 Millionen Dollar Bundesmittel, die Senator Leahy im Rahmen des Consolidated Appropriations Act für das Finanzjahr 2022 bewilligt hat, ermöglichen GF den Kauf von Werkzeugen und die Ausweitung der Entwicklung und Implementierung der 200-mm-GaN-Waferfertigung. Die Aufnahme der skalierten GaN-Fertigung in die Kapazitäten der Fabrik stärkt die langjährige weltweite Führungsposition der Einrichtung in der HF-Halbleitertechnologie und positioniert GF als Marktführer bei der Herstellung von Chips für Hochleistungsanwendungen wie Elektrofahrzeuge, Industriemotoren und Energieanwendungen. "Senator Leahys Führungsqualitäten und sein Engagement haben entscheidend zum Wachstum und Erfolg der Halbleiterindustrie in Vermont beigetragen", so Dr. Caulfield. "Im Namen des gesamten GF-Teams danke ich Senator Leahy für seine unerschütterliche Unterstützung von GF während seiner langjährigen Amtszeit. Wie die heutige Ankündigung zeigt, hat er sich dafür eingesetzt, dass diese Anlage weltweit an der Spitze der Halbleiterherstellung steht. Mit dieser neuen Bundesfinanzierung und dem Potenzial für weitere Unterstützung im Bundeshaushalt 2023 ist GF gut positioniert, um ein weltweit führender Hersteller von GaN-Chips zu werden - direkt hier in Vermont." "Chips, die auf der ganzen Welt verwendet werden, werden hier in Essex Junction von diesen engagierten Mitarbeitern hergestellt", sagte Senator Leahy. "Darauf bin ich sehr stolz, und darauf können alle Einwohner von Vermonter und alle Amerikaner stolz sein. Diese Finanzierung ist eine Investition in die Führungsrolle der USA bei der Verbesserung der Technologie für Chips, die alles um uns herum verbinden und unsere Handheld-Geräte antreiben - mit GlobalFoundries und den Menschen in Vermonter an der Spitze." Dieses Other Transaction Agreement (OTA) wurde von der Defense Microelectronics Activity über das Trusted Access Program Office (TAPO) des US-Verteidigungsministeriums geschlossen. Die Hauptaufgabe von TAPO besteht darin, fortschrittliche Halbleiter für die kritischsten und sensibelsten Waffensysteme des Ministeriums zu beschaffen. TAPO unterstützt seit 2019 die Entwicklung von GaN-auf-Silizium-Halbleitern mit doppeltem Verwendungszweck (sowohl für zivile als auch für militärische Anwendungen), da GaN ein stabiler Halbleiter ist, der sich für Hochleistungs- und Hochfrequenzgeräte eignet, die das Verteidigungsministerium benötigt, um den technologischen Vorsprung der Vereinigten Staaten zu erhalten. Die aktuelle Entwicklungsphase sieht vor, frühere TAPO-Erfolge zu nutzen und diese Dual-Use-Technologie weiter auszubauen. "GlobalFoundries ist ein wichtiger Partner für das Trusted Access Program Office, der den Zugang zu fortschrittlichen Halbleitertechnologien für die modernsten Waffensysteme des Ministeriums sicherstellt. Dieses Engagement ist nur ein Schritt, den das Verteidigungsministerium unternimmt, um sicherzustellen, dass die USA weiterhin Zugang zu fortschrittlichen Mikroelektronik-Technologien wie Galliumnitrid haben", sagte DMEA-Direktor Dr. Nicholas Martin. Diese 30-Millionen-Dollar-Vereinbarung ist die jüngste Bundesinvestition zur Unterstützung von GaN in der GF-Fabrik in Vermont. In den Haushaltsjahren 2020 und 2021 sicherte Senator Leahy insgesamt 10 Millionen Dollar für Forschung und Entwicklung im Zusammenhang mit der Weiterentwicklung der GaN-Technologie in der Anlage und ebnete damit den Weg für diese neue Auszeichnung. Das Werk von GF in Essex Junction, Vermont, in der Nähe von Burlington, war eine der ersten grossen Halbleiterproduktionsstätten in den Vereinigten Staaten. Heute arbeiten dort fast 2.000 GF-Mitarbeiter mit einer Produktionskapazität von mehr als 600.000 Wafern pro Jahr. Die von GF hergestellten Chips, die auf den differenzierten Technologien von GF basieren, werden weltweit in Smartphones, Automobilen und Kommunikationsinfrastrukturen eingesetzt. Die Fabrik ist ein Trusted Foundry und stellt in Zusammenarbeit mit dem US-Verteidigungsministerium sichere Chips her, die in einigen der sensibelsten Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungssysteme der USA zum Einsatz kommen. Über GF GlobalFoundries (GF) ist einer der weltweit führenden Halbleiterhersteller. GF definiert Innovation und Halbleiterfertigung neu, indem es funktionsreiche Prozesstechnologielösungen entwickelt und bereitstellt, die eine führende Leistung in allgegenwärtigen, wachstumsstarken Märkten bieten. GF bietet eine einzigartige Mischung aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen. Mit einer talentierten und vielseitigen Belegschaft und einer Produktionsbasis, die sich über die USA, Europa und Asien erstreckt, ist GF eine vertrauenswürdige Technologiequelle für seine weltweiten Kunden. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com. ©GlobalFoundries Inc. GF, GlobalFoundries, die GF-Logos und andere GF-Marken sind Marken von GlobalFoundries Inc. oder seinen Tochtergesellschaften. Alle anderen Marken sind das Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber. Zukunftsorientierte Informationen Diese Pressemitteilung kann zukunftsgerichtete Aussagen enthalten, die mit Risiken und Ungewissheiten verbunden sind. Die Leser werden davor gewarnt, sich auf diese zukunftsgerichteten Aussagen zu verlassen. Diese zukunftsgerichteten Aussagen beziehen sich nur auf das Datum dieser Pressemitteilung. 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