Von Blau zu Orange: Ein Jahr später Juni 29, 2016Als ich mich beim Mittagessen auf einer Konferenz zur Halbleiterherstellung neben einen Ingenieur für Ertragsoptimierung setzte, kamen wir ins Gespräch. Er sagte, er arbeite in der Fabrik von GLOBALFOUNDRIES in Malta, habe aber die meiste Zeit seiner Karriere in der IBM-Fabrik in Fishkill verbracht und sei am 1. Juli letzten Jahres, als GF offiziell IBM Microelectronics übernahm, zu GF gewechselt. Ich fragte ihn nach dem Übergang und ob die IBM-Mitarbeiter - insbesondere diejenigen, die schon einige Jahre bei IBM gearbeitet hatten - Angst vor dem Wechsel in ein neues Unternehmen gehabt hätten. "Eigentlich war es genau das Gegenteil", antwortete er schnell. "Bei IBM hatte man das Gefühl, dass die Halbleiterfertigung nicht mehr im Mittelpunkt des Unternehmens stand. Das ging eine Zeit lang so. Als wir dann zu GF wechselten, war es, als wüssten wir jetzt, was wir tun. Endlich waren wir in einer Organisation, in der die Herstellung von Halbleitern der Hauptzweck ist." Einige der Topmanager in New York und Vermont äußerten sich ähnlich über den Übergangsprozess, der 5.000 Mitarbeiter und zwei Produktionsstätten umfasste. Geoff Akiki leitet heute die Maskenorganisation am GF-Standort in Burlington, Vt., war aber zuvor als Integration Executive damit betraut, IBM Microelectronics in den Schoß von GF zu holen. Das Integrationsteam erstellte einen einfachen Farbcode: Rot für die Mitarbeiter von IBM Microelectronics, Orange für die Mitarbeiter von GF und Blau für diejenigen, die bei IBM bleiben würden, vor allem, um die foundry Beziehung zu GF zu verwalten. "Es gab einige Befürchtungen, sowohl bei den IBMern als auch bei den GF-Mitarbeitern. Einige der GF-Mitarbeiter fragten sich, wie sich dies auf ihre Rolle in der erweiterten Organisation auswirken würde. Im Großen und Ganzen waren die Roten aber begeistert, weil sie das Gefühl hatten, dass GF mit der Chipherstellung seinen Lebensunterhalt verdiente und Strategien hatte, die besser waren als das, was sie in den letzten 10 Jahren gesehen hatten." Während GF Ressourcen und Fokus mitbrachte, brachte IBM erstklassige Ingenieure, ein ASIC-Geschäft und Hochfrequenztechnologien auf der Basis von RF-SOI- und SiGe-Prozessen ein - ein wertvoller Vorteil in dieser Ära der Mobilität. Tom Caulfield, General Manager von Fab 8 in Malta, N.Y., sagte, dass nach dem offiziellen Integrationsdatum am 1. Juli 2015 etwa 600 Mitarbeiter nach Malta kamen. Zuvor hatte jedoch eine große Anzahl von Ingenieuren IBM verlassen, weil sie die Zeichen der Zeit erkannt hatten und sich bei GF bewarben. Als Caulfield 2014 seine jetzige Stelle antrat, stellte er, wie er es nennt, "A-Spieler" von verschiedenen Unternehmen, darunter Intel und Samsung, sowie eine große Anzahl erfahrener IBM-Mitarbeiter ein. "Bei IBM wurde die Mikroelektronik als Kostenstelle betrachtet, als Mittel zum Zweck, aber nicht als das Geschäft. Diese Leute waren ganz wild darauf, dorthin zu gehen, wo die Herstellung von Halbleitern das eigentliche Spiel ist." Es war eine große Aufgabe, 5.000 Mitarbeiter - etwa 3.000 aus dem Werk in Burlington und weitere 2.000 aus Fishkill, N.Y. - in GF zu integrieren. Zur Vorbereitung, so Akiki, habe das Integrationsteam 14 Arbeitsgruppen gebildet und Treffen organisiert, an denen bis zu 200 Personen teilgenommen hätten. Zwei wichtige Entscheidungen erleichterten den Übergangsprozess. Die wichtigste war, dass es im Wesentlichen keine Entlassungen geben würde. GF-CEO Sanjay Jha hatte die Philosophie aufgestellt, während der Integration so wenig wie möglich zu stören. Dadurch, dass praktisch alle Mitarbeiter von IBM übernommen wurden, konnte die Unruhe erheblich reduziert werden, so Akiki. Zweitens beschloss GF, die beiden IBM-Fertigungsstätten (und das Personal für die Anlagenunterstützung) in Burlington und Fishkill vollständig zu übernehmen, so dass keine Notwendigkeit bestand, die Liegenschaften zu teilen. (IBM behielt das Verpackungstechnologiezentrum in Bromont, Kanada). IP-Integration Auf der Design Automation Conference (DAC) 2016 in Austin wies ein Redner darauf hin, dass bei einer Übernahme von Unternehmen A durch Unternehmen B in der Regel zuerst die EDA-Ingenieure von Unternehmen B entlassen werden. Mit ihnen geht auch das historische Wissen darüber verloren, welches geistige Eigentum (IP) Unternehmen B gehört und wie diese IP-Cores von den Design-Teams genutzt werden können. Akiki sagte, dass geistiges Eigentum von Anfang an als "ein großer Teil des Wertes" der IBM-Integrationsvereinbarung angesehen wurde. "Wir haben mit der Anzahl der Patente geprahlt, die wir erworben haben. Wir wussten aber auch, dass geistiges Eigentum oft auf der Strecke bleibt, und wir setzten uns das Ziel, sowohl die Mitarbeiter als auch die IP-Dateien zu integrieren." Eine große Anstrengung wurde unternommen, um sicherzustellen, dass das gesamte geistige Eigentum kategorisiert wurde, so dass GF schließlich erklären konnte, dass wir die wichtigsten Ergebnisse erhalten haben. Gary Patton wurde im Zuge der Integration zum Chief Technology Officer von GF ernannt, und man kann wohl mit Fug und Recht behaupten, dass seine Technologieentwicklungsabteilung am meisten von dem Geschäft profitiert hat. Eine Folge davon, dass Malta ein "grünes Feld" ist, so Caulfield, ist, dass es Zeit braucht, um die Talente zu entwickeln. Dies gelte insbesondere für die Technologieentwicklung (TD), wobei Patton hinzufügte, dass die Einhaltung eines TD-Zeitplans in der Vergangenheit "ein entscheidender Knackpunkt" gewesen sei. Für das 10/7nm-Entwicklungsprogramm sagte Patton, dass mehr als 50 Prozent der Mitarbeiter von IBM stammen, und fügte hinzu, dass das 10/7nm-Entwicklungsteam auf die Erfahrungen des 14nm-Teams zurückgreift. Caulfield betonte, dass Malta von der "zusätzlichen Größe" des ASIC-Geschäfts profitiert hat, das im Rahmen des IBM-Deals zu GF kam. IBM-Ingenieure hatten Hochleistungs-ASIC-Kerne entwickelt, wie z. B. einen 56-Gigabit/s-Serdes-Kern, der laut Caulfield bei anderen Foundries nicht erhältlich ist. "Wir sind dabei, unsere ASIC-Plattform bei 14 nm zu erneuern, und ich kann Ihnen sagen, dass ich jede Woche etwa einen neuen Kunden an diesem Standort unterhalte, von denen mindestens die Hälfte ASIC-Kunden sind." Ich fragte nach den Herausforderungen, die ein Jahr nach der ersten Integration noch bestehen. Die wichtigste Herausforderung besteht darin, die beiden menschlichen Organisationen weiter zusammenzuführen und dafür zu sorgen, dass die Mitarbeiter mit zwei oder drei Jahrzehnten Berufserfahrung bei IBM ihr Wissen mit den Ingenieuren bei Malta teilen und umgekehrt. Caulfield: "Unsere Aufgabe ist es, für mehr Durchmischung zu sorgen, für mehr Ausgewogenheit. Wir wollen nicht all diese großartigen Technologen anwerben und dann ihre Fähigkeiten nicht nutzen". Patton, der früher das Semiconductor Research and Development Center (SRDC) von IBM leitete, verspricht, die Talente, die er jetzt bei GF betreut, zu nutzen. "In den zehn Jahren, in denen ich das SRDC leitete, hatten wir immer mehr Leistung als Intel. Die Branche hat sich stark auf mobile Geräte konzentriert, und jetzt sind die Kunden mit den Leistungsverbesserungen, die sie bei unseren Konkurrenten im Vergleich zu 16 nm sehen, nicht zufrieden. Sie verlangen nach mehr Leistung. Und wissen Sie was? Wir haben gerade ein Spezialteam hier bei GF eingestellt, das weiß, wie man Leistung erzeugt.
针对工业物联网、汽车自动化和户内导航应用，A*STAR IME将加强MEMS技术的能力。 Juni 8, 2016Die Zusammenarbeit von A*STAR IME mit der Industrie ermöglicht die Entwicklung von hochmodernen, industrietauglichen Sensoren zur Steigerung der Leistung und Kosteneffizienz von MEMS-Geräten.
A*STAR IME'S-Konsortium vertieft Fähigkeiten im Bereich MEMS-Technologien für das industrielle Internet der Dinge, Automobil- und Indoor-Navigationsanwendungen Juni 8, 2016Die Zusammenarbeit von A*STAR IME mit der Industrie ermöglicht die Entwicklung von hochmodernen, industrietauglichen Sensoren zur Steigerung der Leistung und Kosteneffizienz von MEMS-Geräten.
GLOBALFOUNDRIES baut seine Präsenz in China mit einer 300mm-Fabrik in Chongqing aus 31. Mai 2016Unternehmen plant neue Produktionsstätte und zusätzliche Designkapazitäten, um Kunden in China zu bedienen Santa Clara, Kalifornien, 31. Mai 2016 - GLOBALFOUNDRIES gab heute die Unterzeichnung einer Absichtserklärung bekannt, um seine nächste Wachstumsphase in China voranzutreiben. Im Rahmen eines Joint Ventures mit der Regierung von Chongqing plant das Unternehmen, seine globale Produktionspräsenz durch die Errichtung einer 300-mm-Fertigung in China zu erweitern. GF investiert auch in den Ausbau der Design-Support-Kapazitäten, um Kunden im ganzen Land besser bedienen zu können. "China ist der am schnellsten wachsende Halbleitermarkt mit mehr als der Hälfte des weltweiten Halbleiterkonsums und einem wachsenden Ökosystem von Fabless-Unternehmen, die auf globaler Ebene konkurrieren", sagte GF-CEO Sanjay Jha. "Wir freuen uns, mit der Führung von Chongqing zusammenzuarbeiten, um unsere Investitionen zur Unterstützung unserer wachsenden chinesischen Kundenbasis auszubauen. Der ursprüngliche Plan für das Projekt sieht vor, eine bestehende Halbleiterfabrik zu modernisieren, um die Herstellung von 300-mm-Wafern mit den produktionserprobten Technologien von GF an seinem Standort in Singapur zu ermöglichen. Das geplante Joint Venture wird den sofortigen Zugang zu einer hochmodernen Anlage ermöglichen und die Markteinführung der für 2017 geplanten Produktion beschleunigen. "In den letzten Jahren hat Chongqing das Clustermodell verfolgt, um die elektronische Informationsindustrie mit Nachdruck zu entwickeln, und sich zu einem der wichtigsten Standorte Chinas für die Herstellung intelligenter Endprodukte entwickelt", sagte Huang Qifan, Bürgermeister von Chongqing. "Fünfjahresplan Chinas wird Chongqing die Entwicklung der intelligenten IC-Industrie und anderer aufstrebender strategischer Industrien weiter vorantreiben und eine nachhaltige und gesunde wirtschaftliche Entwicklung in der Region fördern. GF ist ein weltberühmter IC-Hersteller, und wir begrüßen es, dass er sich an der Zusammenarbeit beteiligt, um für beide Seiten Vorteile zu erzielen und zu gewinnen. Die Zusammenarbeit zwischen den beiden Parteien wird dazu beitragen, die Produktion von intelligenter IC-Technologie in Chongqing zu steigern und die elektronische Informationsversorgungskette in Chongqing und im übrigen China weiter zu verbessern." GF baut sein Angebot an Vertriebs-, Support- und Design-Services in China weiter aus und hat sein Angebot im vergangenen Jahr verdoppelt, wobei ein weiteres Wachstum geplant ist. Die derzeitige Präsenz des Unternehmens stützt sich auf die erstklassigen Designzentren in Peking und Shanghai, die über umfassendes Know-how bei kundenspezifischen Designs zur Unterstützung einer robusten ASIC-Plattform verfügen, sowie auf die foundry Designkapazitäten für eine Vielzahl von Technologieknoten. Diese Fähigkeiten werden durch wichtige regionale Partner in seinem Design- und IP-Ökosystem ergänzt. ÜBER GF GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den USA, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakte: Jason GorssGF(518) 305-9022[email protected]
Perspektive für Führungskräfte: Die große Schrumpfung 27. Mai 2016Von Gregg Bartlett Wenn wir in der Halbleiterindustrie von Schrumpfung sprechen, meinen wir meistens die Skalierung von Bauteilen. Aber auch eine andere Art des Schrumpfens findet statt, und ich möchte über die Auswirkungen auf die Branche sprechen. Ich beziehe mich auf die schrumpfende Zahl der Unternehmen an der Spitze des Marktes, die sich aus der anhaltenden Konsolidierung der Fabless-Unternehmen ergibt. Seit Anfang 2014 haben in unserer Branche Fusionen und Übernahmen im Wert von mehr als 150 Mrd. USD stattgefunden, fast das Zehnfache des jährlichen Durchschnitts. Ausschlaggebend dafür war eine Kombination aus niedrigen Zinssätzen, Sättigung im Mobilitätsbereich, nachlassenden Wachstumsraten und einem allgemeinen Rentabilitätsdruck Diese Welle von Unternehmenszusammenschlüssen hinterlässt sowohl bei den Gießereien als auch bei den Kunden von foundry enorme Störungen, da die neu integrierten Unternehmen versuchen, ihre Einkaufsmacht in größerem Umfang auszuüben, ihre Lieferketten zu konsolidieren, ihre Fahrpläne zu vereinfachen und eine Vielzahl neuer Integrationssynergien zu erzielen. Eine weitere Ursache sind neue Architekturen und komplexere Verpackungstechnologien, die es schwieriger machen, zu unterscheiden, wo die Waferverarbeitung endet und die Verpackung beginnt. Infolgedessen beobachten wir einen zunehmenden Trend bei Systemhäusern, direkt mit Gießereien zusammenzuarbeiten, um schlüsselfertige Komplettlösungen zu erhalten, von der Herstellung über die Prüfung bis hin zur Verpackung und dem Lagerbestand der fertigen Produkte - dies kann sogar Designzentren zusammen mit der gesamten Lieferkette umfassen. Diese Trends stellen die Gießereien vor eine Reihe von kritischen Anforderungen und Herausforderungen. Eine davon ist, dass groß angelegte foundry Operationen wichtiger sind denn je, da die größten Kunden ihre Lieferketten vereinfachen und von ihren foundry Partnern mehr verlangen. Die Tatsache, dass die Gewinnspannen unter großem Druck stehen, führt ebenfalls dazu, dass Größenordnungen und kontinuierliche Kostensenkungen erforderlich sind. Außerdem steht bei der Entscheidungsfindung mehr auf dem Spiel als je zuvor, da es immer weniger Kunden und Gießereien gibt, die an vorderster Front mitmischen. GLOBALFOUNDRIES verfolgt einen vielschichtigen Ansatz, um diesen Herausforderungen zu begegnen. Was die Skalierung betrifft, so bauen wir in unserer Dresdner Fabrik die Kapazität für hunderttausende von 22FDX® FD-SOI-Waferstarts pro Jahr auf, in einer Anlage, die letztendlich die Kapazität für mehr als eine Million Waferstarts pro Jahr insgesamt hat. Außerdem haben wir durch die Übernahme der Halbleitersparte von IBM mehr Kapazität und ein größeres Angebot für unsere Kunden. Mit den beiden zusätzlichen Fabriken - eine in Burlington, Vermont, und die andere in East Fishkill, New York - können wir unsere Kapazitäten im Bereich RF SOI sowie bei anderen Prozessen erweitern. Und auf der ASIC-Seite haben wir ein sehr starkes 14-nm-ASIC-Geschäft und ein IP-Portfolio, das unsere foundry direkt mit den Systemhäusern des Endmarktes verbindet. In Zusammenarbeit mit ausgewählten Designpartnern, Ausrüstungs- und Materiallieferanten und OSAT-Partnern umfasst unser Angebot inzwischen die gesamte Bandbreite von Design- bis hin zu schlüsselfertigen Lösungen. Und ich bin stolz darauf, sagen zu können, dass es kein besseres Beispiel für unsere Endmarktexpertise - d. h. unsere Fähigkeit, Architekten einzubinden - gibt als unsere Arbeit, um sicherzustellen, dass praktikable, kosteneffektive Lösungen für den bevorstehenden Übergang zu 5G-Mobilfunknetzen existieren. Schließlich verändert sich die Branche so schnell und tiefgreifend, dass niemand sicher sein kann, wie sie sich entwickeln wird. Aber eines ist sicher: Wir bei GF planen und implementieren Lösungen, die die aktuellen und zukünftigen Anforderungen unserer Kunden so weit wie möglich abdecken, unabhängig davon, wie sich die Dinge entwickeln.
格芯发布性能改进的130nmSiGe射频技术以推动下一代无线网络通信 May 23, 2016优化的SiGe8XP技术将为大量的RF应用带来低成本、高性能的毫米波20GHz产品 加州圣克拉拉，2016年5月23日— 格芯今天公布了下一代的射频硅设计方案，并将其添加到其矽鍺高性能技术组合当中。此技术在多方面进一步增强了性能，如行车雷达、卫星通信、5G毫米波基站和其他有线或无线通信应用。 格芯的SiGe 8XP技术是公司130纳米高性能SiGe类别里的最新拓展的技术，使客户可以拥有开发更快的流率、更远的距离以及更少功耗的射频方案的能力。对比起它的上一代产品SiGe 8HP，此项先进技术提供改进的异质结双极晶体管性能、低噪音系数、高信号完整性和高达25%的最大震荡频率（增幅至340GHz）。 毫米波频率波段下操作的高带宽通信系统对复杂性和性能的高要求，创造了对高性能硅方案需要，也创造了对高性能SiGe在射频前端5G智能手机和其他毫米波相位阵列消费者应用上的机会。这些应用依赖于SiGe的优异表现，包括通讯基站基建、回程线路、微信和光纤网络。 “5G网络将会对RF SOC设计带来另一个级别的革新，支持高带宽数据传送并达到增加数据传输率和低延迟应用的要求。” 格芯射频业务部高级副总裁Bami Bastani博士说道，“格芯的SiGe 8HP和8XP技术提供性能、功耗、效率之间的出色稳定性，是客户可以对下一代移动和基建类硬件开发独特的射频方案。” “格芯的SiGe技术领导地位和综合性的PDK帮助我们的设计者可以更快的进行优化开发，并更好的提供差异化的毫米波解决方案。”Anokiwave 总裁Robert Donahue说道，“SiGe 8XP使我们将性能带到更高的级别，其面向未来的毫米波方案专为供应商准备，让他们可以市场需求更领先一步，以满足稳定的连接和并处理爆炸式增长的移动数据流量。” 当未来的5G部署持续刺激着基站和小面积单元的流行，SiGe 8HP 和8XP为毫米波频率独特方案的价值、功率输出、效率、低噪音和线性提供了平衡，并可以应用于下一代移动基建硬件和智能手机射频前端。格芯的SiGe 8HP 和8XP高性能产品使芯片设计者可以发展比矽鍺更经济、比CMOS更高性能的技术同时，集成重要的数字与射频功能。 除了在毫米波频率高效操作高性能晶体管外，SiGe 8HP 和8XP引进了可以减小裸晶尺寸增加面积利用率的技术革新。全新的铜金属化功能提供改进的电流传导能力以及在100度时5倍的电流密度，或者，同样电流密度下高于标准铜线25度的操作温度。此外，格芯已经可以提供已通过生产验证的硅通孔技术。 SiGe 8XP设计套装已经为您准备好了。欲了解更多详情关于格芯130纳米SiGe高性能技术方案，欢迎在国际微博论坛活动时参观1443号展台，活动时间5月22到27日，位于加州旧金山，或请登录网址 https://www.globalfoundries.com. Erica McGill GF (518) 305-5978 [email protected]
GLOBALFOUNDRIES veröffentlicht leistungsgesteigerte 130-nm-SiGe-RF-Technologie zur Förderung der nächsten Generation drahtloser Netzwerkkommunikation Mai 23, 2016Optimierte SiGe 8XP-Technologie ermöglicht kostengünstige, leistungsstarke mmWave 20 GHz-Produkte für eine breite Palette von RF-Anwendungen Santa Clara, Kalifornien, 23. Mai 2016 - GLOBALFOUNDRIES kündigte heute eine Hochfrequenz-Siliziumlösung der nächsten Generation für sein Portfolio an Silizium-Germanium (SiGe)-Hochleistungstechnologien an. Die Technologie ist für Kunden optimiert, die leistungsstärkere Lösungen für Kfz-Radar, Satellitenkommunikation, 5G-Millimeterwellen-Basisstationen und andere drahtlose und drahtgebundene Kommunikationsnetzanwendungen benötigen. Die SiGe 8XP-Technologie von GF ist die jüngste Erweiterung der 130-nm-Hochleistungs-SiGe-Familie des Unternehmens und ermöglicht Kunden die Entwicklung von HF-Lösungen, die einen noch schnelleren Datendurchsatz über größere Entfernungen bei geringerem Stromverbrauch ermöglichen. Die fortschrittliche Technologie bietet eine verbesserte Heterojunction-Bipolartransistor (HBT)-Leistung mit geringerer Rauschzahl, höherer Signalintegrität und einer um bis zu 25 Prozent höheren maximalen Oszillationsfrequenz (fMAX) von 340 GHz im Vergleich zu seinem Vorgänger SiGe 8HP. Die Komplexität und die Leistungsanforderungen von Kommunikationssystemen mit hoher Bandbreite, die in den mmWave-Frequenzbändern betrieben werden, haben den Bedarf an leistungsfähigeren Siliziumlösungen geschaffen. Dies schafft Möglichkeiten für hochleistungsfähige SiGe-Lösungen im RF-Front-End von 5G-Smartphones und anderen mmWave-Phased-Array-Verbraucheranwendungen, zusätzlich zu den aktuellen Anwendungen, die für hohe Leistung auf SiGe angewiesen sind, wie z. B. Kommunikationsinfrastruktur-Basisstationen, Backhaul, Satelliten- und Glasfasernetze. "5G-Netzwerke versprechen ein neues Innovationsniveau für das Design von HF-SOCs, um die Datenübertragung mit hoher Bandbreite zu unterstützen und die Anforderungen an höhere Datenraten und Anwendungen mit geringer Latenz zu erfüllen", so Dr. Bami Bastani, Senior Vice President der RF Business Unit von GF."Die SiGe 8HP- und 8XP-Technologien von GF bieten ein hervorragendes Gleichgewicht zwischen Leistung, Stromverbrauch und Effizienz, das es den Kunden ermöglicht, differenzierte RF-Lösungen für die nächste Generation von Mobil- und Infrastruktur-Hardware zu entwickeln." "Die führende SiGe-Technologie und die umfassenden PDKs von GF ermöglichen unseren Entwicklern die schnelle Entwicklung leistungsoptimierter, differenzierter Millimeterwellen-Lösungen", so Robert Donahue, CEO von Anokiwave. "Durch den Einsatz von SiGe 8XP können wir die Leistung in zukunftssicheren mmWave-Lösungen noch weiter steigern, damit Anbieter den Anforderungen nach zuverlässiger Konnektivität von jedem Ort aus gerecht werden können, während sie gleichzeitig das explodierende Volumen des mobilen Datenverkehrs bewältigen." Angesichts der bevorstehenden 5G-Implementierungen, die zu einer Verbreitung von Basisstationen mit kleineren Zellenflächen führen werden, bieten SiGe 8HP und 8XP ein ausgewogenes Verhältnis von Wert, Leistung, Effizienz, geringem Rauschen und Linearität bei Mikrowellen- und Millimeterwellenfrequenzen für differenzierte HF-Lösungen in der nächsten Generation mobiler Infrastrukturhardware und Smartphone-HF-Frontends. Die SiGe 8HP- und 8XP-Hochleistungsprodukte von GF ermöglichen Chipdesignern die Integration umfangreicher digitaler und HF-Funktionen und nutzen dabei die im Vergleich zu Galliumarsenid (GaAs) kostengünstigere Silizium-Technologiebasis sowie eine höhere Leistung als CMOS. Zusätzlich zu den Hochleistungstransistoren für den effizienten Betrieb bei mmWave-Frequenzen führen SiGe8HP und 8XP technologische Innovationen ein, die die Die-Größe reduzieren und flächeneffiziente Lösungen ermöglichen können. Eine neue Cu-Metallisierung sorgt für eine verbesserte Stromtragfähigkeit mit einer fünfmal höheren Stromdichte bei 100°C bzw. einer bis zu 25°C höheren Betriebstemperatur bei gleicher Stromdichte im Vergleich zu Standard-Cu-Leitungen. Darüber hinaus ist die produktionserprobte Through-Silicon-Via (TSV)-Verbindungstechnologie von GF verfügbar SiGe 8XP Design-Kits sind ab sofort erhältlich. Weitere Informationen zu den 130-nm-SiGe-Hochleistungstechnologielösungen von GF erhalten Sie auf dem International Microwave Symposium vom 22. bis 27. Mai in San Francisco, Kalifornien, an unserem Stand Nr. 1443 oder online unter globalfoundries.com/SiGe. Über GF GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den USA, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakte: Erica McGillGF(518) 305-5978[email protected]
RF als Antrieb für Prozesse der nächsten Generation Mai 16, 2016Von Dave Lammers GLOBALFOUNDRIES is expanding its RF capabilities in two important ways: moving RF SOI manufacturing to larger wafers and a new technology platform at its East Fishkill 300mm fab. Secondly, RF IP development plays a key role in the 22FDX® platform.</em> Erfolgreiche Halbleiterunternehmen stehen vor einer interessanten Herausforderung: Sie müssen in der Lage sein, Lösungen für die schnell wachsenden Märkte der Automobilindustrie und des Internets der Dinge zu entwickeln, indem sie drei Technologien kombinieren, die in der Vergangenheit oft getrennt waren: Prozessoren und andere digitale Kerne, Speicher und RF. Subramani Kengeri, Vice President der CMOS Platforms Business Unit bei GF, sagte: "In Zukunft werden die SoCs für jeden aufstrebenden Markt ein Funkgerät haben. Mit der 22FDX-Plattform haben wir eine kosteneffiziente Lösung, bei der RF und Analog auf derselben Technologie wie Digitaltechnik basieren." RF und digitale Konvergenz Vollständig verarmtes SOI hat Vorteile für On-Chip-RF. Die planaren Transistoren in der 22FDX-Technologie weisen eine geringere Variabilität auf als finFETs auf einem Siliziumsubstrat, bei denen es schwierig ist, sowohl die Höhe als auch die Breite der Lamellen zu kontrollieren. "Die FD-SOI-Technologie bietet bessere Transistor-Anpassungseigenschaften. Da 22FDX planar ist und eine viel geringere Variabilität aufweist, hilft dies beim Aufbau sauberer RF- und Analog- sowie digitaler Hochleistungsschaltungen", so Kengeri. Um die Einführung von 22FDX zu beschleunigen, hat GF mit INVECAS, einem in Santa Clara ansässigen IP-Anbieter, einen Vertrag über 22nm-Bibliotheken und IP-Angebote auf höherer Ebene geschlossen, die exklusiv für GF-Silizium sind. Andere Ökosystempartner arbeiten vorrangig an der Entwicklung von siliziumerprobten WiFi- und Bluetooth-Cores. "Über 45 Kunden befinden sich in verschiedenen Stadien der Zusammenarbeit, und führende Kunden haben Testchips entwickelt. Alle fünf führenden EDA-Anbieter haben Unterstützung für 22FDX angekündigt. Wir sind auf dem besten Weg, die Technologie noch in diesem Jahr zu qualifizieren", sagte Kengeri, und die Massenproduktion soll schnell folgen. RF SOI auf dem Weg zu 300 mm GF arbeitet auch an der Entwicklung seines RF-SOI-Prozesses der nächsten Generation, mit dem das Unternehmen seine Führungsposition bei RF-Front-End-Siliziumtechnologien weiter ausbaut. Mit der Auslieferung des 20-milliardsten RF-SOI-Chips hat foundry kürzlich einen wichtigen Meilenstein erreicht. Da die Leistungsanforderungen für RF SOI-Technologien immer anspruchsvoller werden und die Nachfrage aufgrund der Komplexität von Smartphone-Funkgeräten weiter steigt, arbeitet GF an der nächsten Innovationswelle im Bereich mobiler RF-Frontends. Die Fertigung auf 300mm-Wafern ist ein wichtiger Bestandteil dieser Strategie. Peter Rabbeni, Senior Director des Geschäftsbereichs RF, sagte: "Wir haben bereits bewiesen, dass 300 mm neben der Kapazitätserweiterung eine Reihe weiterer Vorteile bieten kann. Die Verfügbarkeit neuer Materialien und eine kleinere Lithografie sind nur einige der Möglichkeiten der 300mm-Fertigung, die der Leistung der Geräte zugute kommen." Eines der wichtigsten Unterscheidungsmerkmale von RF-SOI ist, dass die Schaltungen auf einem speziellen Substrat aufgebaut werden, das sich von dem für digitale Anwendungen wie Low-Power-Mikrocontroller verwendeten SOI-Substrat deutlich unterscheidet und dessen Eigenschaften besser für Hochleistungs-HF geeignet sind. Die Substrateigenschaften unterstützen die hohe Isolation und das niedrige Oberwellenverhalten, die in HF-Frontend-Schaltungen benötigt werden, um Funkstörungen zu vermeiden und die Signaltreue zu erhalten, erklärte Rabbeni. GF hat in enger Zusammenarbeit mit Substratlieferanten eine RF-SOI-Technologie entwickelt, die die strengen Anforderungen an Oberschwingungen und Linearität erfüllt, die heutige RF-Front-End-Schalter und Tuner benötigen. LTE-Kommunikation und Trägeraggregation erfordern RF SOI der nächsten Generation mit verbesserter Einfügedämpfung und Linearität. Bei der Trägeraggregation werden zum Beispiel Methoden zur Erweiterung der Datenrate eingeführt, bei denen zwei oder mehr Träger zu einem einzigen Datenstrom verbunden werden. Dies führt zu einer gewissen Komplexität im HF-Pfad, die berücksichtigt werden muss, um sicherzustellen, dass alle nichtlinearen Produkte, die durch diesen Vorgang entstehen, minimiert werden. "Ein weiterer wichtiger Trend, den wir beobachten, ist die Integration von mehr digitalen Inhalten. So wird beispielsweise die MIPI-Schnittstelle für die RF-Front-End-Steuerung in erheblichem Umfang eingesetzt und macht nun einen größeren Prozentsatz der Chips aus", sagte er. Über die Anforderungen des LTE-Standards hinaus, so Rabbeni, wird der RF-SOI-Prozess der nächsten Generation die Grundlage für den 5G-Mobilfunkstandard bilden. Obwohl der endgültige 5G-Standard noch nicht ratifiziert wurde, entwickeln Kunden bereits 5G-Demonstrationssysteme für die Olympischen Spiele 2018 und 2020. Der Millimeterwellenbetrieb scheint am besten geeignet zu sein, um die Versprechen von 5G zu erfüllen, einschließlich niedriger Latenzzeiten, spektraler Effizienz und hoher Datenraten am Zellenrand. "Wenn dies die Richtung ist, die die Industrie einschlägt, wird mehr Integration erforderlich sein, als die heutigen RF-SOI-Technologien erreichen können", sagte Rabbeni. Die Kunden können die Strahlformer, Leistungsverstärker, Phasenschieber, LNAs (rauscharme Verstärker) und sogar einige Teile des Transceivers auf einem einzigen Chip unter digitaler Hochgeschwindigkeitssteuerung integrieren. "Es ist sicher, dass unsere Kunden in Zukunft deutlich mehr Integration mit RF SOI wünschen werden. Wir nutzen einen Großteil der Erkenntnisse, die wir mit unserer 45SOI-Technologie gewonnen haben, um diesen Sprung nach vorn zu schaffen", sagte er. Letzten Endes kommt es auf die Möglichkeiten an, die den Entwicklern helfen, ihr Produkt schnell auf den Markt zu bringen. "Wir betreiben einen erheblichen Aufwand und sind sehr stolz darauf, sehr genaue Modelle und qualitativ hochwertige Prozessdesign-Kits (PDKs) bereitzustellen, damit die Kunden sicher sein können, dass das, was sie simulieren, genau dem entspricht, was das Silizium leistet, wenn es aus der Fertigung kommt. Wir verfügen über jahrzehntelange Erfahrung in der Herstellung von RF-Siliziumtechnologien. Es gibt nicht viele große Foundries, die das von sich behaupten können. Diese wachsenden Marktchancen haben dazu geführt, dass wir uns stark auf die Umgestaltung unserer Fertigungskapazitäten konzentrieren. Wir haben einige sehr gezielte Entscheidungen über Kapazitätserweiterungen für RF SOI und Silizium-Germanium getroffen, um sicherzustellen, dass wir die erwartete Nachfrage decken können. Die Erweiterung zur Deckung der kommenden Nachfrage aus China ist ein wichtiger Schwerpunkt für uns", sagte Rabbeni. Da Chinas Mobilfunknutzer auf 4G- und LTE-fähige Mobiltelefone umsteigen und sich der 5G-Standard durchzusetzen beginnt, könnte die Nachfrage nach RF-SOI- und SiGe-basierten Chips schnell steigen, genau wie vor einigen Jahren. Beobachtung der 300-mm-Bewegung Joanne Itow, Geschäftsführerin bei Semico Research (Phoenix), sagte, sie beobachte genau, wie sich der Übergang zu 300mm RF SOI-Wafern bei GF und anderen Anbietern von foundry entwickelt. Als IBMs Burlington-Betrieb einen siliziumbasierten Weg zu RF-Front-End-ICs entwickelte, "war der Wechsel zu RF-SOI und weg von GaAs ziemlich schnell, da die Vorteile offensichtlich waren. Die Foundries, die in der Lage sind, auf 300-mm-Wafer umzusteigen, haben einen Vorsprung. Allein diese Option ist ein echtes Plus", sagte Itow. Itow sagte, sie beobachte, wie die SOI-Wafer-Lieferanten, vor allem Soitec (Grenoble, Frankreich), mit einer zuverlässigen Lieferung von 300-mm-RF-SOI-Wafern reagieren und wie die Foundries und Kunden die Vorteile der größeren Wafergrößen nutzen. "Wir prüfen den nächsten Schritt, um Produkte auf 300 mm Kapazität zu bringen. Was uns von den Gießereien gesagt wird, hört sich gut an, und es klingt so, als ob GF am richtigen Ort ist und sich auf die richtigen Märkte vorbereitet. Jetzt müssen wir abwarten und sehen, ob es funktioniert oder nicht", sagte sie.
Voreingenommenheit oder Nicht-Voreingenommenheit, das ist hier die Frage Mai 12, 2016Von Joerg Winkler Einer der wichtigsten Bausteine für Anwendungen in den Bereichen Mobile, Pervasive und Intelligent Computing ist ein leistungsstarker Prozessor mit geringem Stromverbrauch. Für diese Anwendungen bietet GLOBALFOUNDRIES 22FDX®-Plattform mit 22nm Fully Depleted Silicon-on-Insulator (FD-SOI)-Technologie eine optimale Kombination aus Leistung, geringem Stromverbrauch und Kosten. Ein großer Vorteil von 22FDX ist die Möglichkeit, Leistung und Stromverbrauch zu optimieren, indem die Transistoren in Vorwärts- und Rückwärtsrichtung vorgespannt werden. Die Herausforderung für unser Entwicklungsteam bestand in der erfolgreichen Anwendung von Body-Bias zur Verbesserung der PPA eines Quad-Core ARM Cortex-A17-Prozessors, der in 22FDX FD-SOI-Technologie implementiert ist. In dem Webinar von GF, Implementierung eines ARM® Cortex®-A17-Prozessors in 22FDX-Technologieuntersuchen wir einen digitalen Implementierungsablauf mit branchenüblichen EDA-Tools, die Anwendung von Body-Bias für bestimmte Designzwecke und Leistungsszenarien, eine Analyse der physikalischen Architekturdetails und erste PPA-Ergebnisse eines ARM Cortex-Submoduls. Das Konzept einer optimierbaren Technologieplattform birgt ein großes Potenzial, aber die Einführung einer neuen Plattform bedeutet oft auch die Einführung eines neuen Entwurfsablaufs. Und Ingenieure wissen, dass bei neuen Design-Flows der Weg vom Konzept zur Realität holprig sein kann, wenn die Implementierungsdetails nicht gut durchdacht sind. Glücklicherweise ist der Design-Flow des GF 22FDX FD-SOI so gestaltet, dass er dem bestehenden Bulk-Flow sehr ähnlich ist. Der 22FDX-Flow wird von allen großen EDA-Anbietern unterstützt und verwendet verschiedene Designtechniken (implant-aware, source/drain-aware, double patterning, UPF-Unterstützung), die bereits auf früheren Knotenpunkten eingesetzt wurden. In diesem Fall wird die Cadence-Tool-Suite von der ersten Design-Erstellung bis zur Abnahme verwendet. Wir beschreiben die Implementierung eines ARM-Cortex-Prozessors als Referenzdesign und zeigen, wie man eine breite Palette von PPA-Ergebnissen erhält, indem man sowohl Forward- als auch Reverse-Body-Bias auf verschiedene Domänen in einem Floorplan anwendet. Mit diesem leicht abstimmbaren Kompromiss können Sie effektiv zwischen höherer Leistung und geringerem Stromverbrauch abwägen, um die Gesamtleistungsspezifikationen und das Energiebudget eines SoC-Designs einzuhalten. Die Design-IP von GF für den ARM Cortex-A17-Prozessor umfasst Standard-Zellbasisbibliotheken, ein Power-Management-Kit und ein Cache-Speicher-Kit, jeweils mit Unterstützung für Body-Biasing. Die 22FDX-Plattform kann sofort für neue Designs eingesetzt werden. Das Starter-Kit des 22FDX Digital Design Flow ist ab sofort erhältlich. Zur Aufzeichnung des Webinars klicken Sie bitte hier. Weitere Informationen, einschließlich Videos und White Papers, finden Sie unter GF.com/22FDX.
FD-SOI: Ein Wegbereiter der Disruption April 21, 2016 Jahrelang hat sich Dan Hutcheson zurückgehalten, als die FD-SOI-Technologie in der Branche immer mehr an Bedeutung gewann. "Ich habe mich ziemlich ruhig verhalten, weil ich das Kostenargument nie geglaubt habe. Ich hätte nie gedacht, dass die Entscheidung von ein paar Maskenschichten abhängen würde", sagte Hutcheson, der CEO und Vorsitzender des Analystenunternehmens VLSI Research ist. "Aber als ich letztes Jahr den 22FDX® von GLOBALFOUNDRIES gesehen habe, habe ich zum ersten Mal einige bahnbrechende Eigenschaften gesehen. Vor fünf Jahren spielte der Stromverbrauch keine Rolle, aber heute ist die Welt sehr stromhungrig. Konstrukteure unterscheiden sich nach dem Stromverbrauch, nicht unbedingt nach der Leistung. Die von FD-SOI gebotenen Kompromisse beim Stromverbrauch in Echtzeit sahen für mich ziemlich spannend aus." Hutcheson wollte sich sein zunehmendes Interesse an FD-SOI bestätigen lassen und führte daher mit Hilfe von GF eine Umfrage unter den wichtigsten Einflussnehmern und Entscheidungsträgern im Ökosystem der Chipentwicklung durch. Im folgenden Video stellt Hutcheson die wichtigsten Ergebnisse seiner ausführlichen Interviews vor. Er befragte die Teilnehmer zu den wichtigsten technischen und geschäftlichen Gründen für die Entwicklung mit FD-SOI, zur Positionierung der Technologie im Vergleich zu den FinFET-Angeboten der Branche und zu weiteren Fragen, die der Beantwortung der übergreifenden Frage dienen: "Ist FD-SOI disruptiv oder nur ein weiterer Prozess?" Die Antwort? "Nein. Es ist nicht disruptiv, aber es ermöglicht eine Disruption", schloss Hutcheson. "Das Internet der Dinge (IoT) ist die stärkste disruptive Kraft da draußen. Es wird genauso umwälzend sein wie das Smartphone, und ich glaube, dass die FD-SOI-Technologie ein entscheidender Wegbereiter für diese Umwälzung sein wird. Um die FD-SOI-Präsentation von Dan Hutcheson zu sehen, klicken Sie hier.
