格芯使用12nm FD-SOI技术扩展FDX™路线图 September 8, 20162016年9月8日 12FDX™可根据需要提供全节点扩展，超低功耗和性能 加利福尼亚州圣克拉拉市 2006年9月29日 格芯今天公布了新的12nm FD-SOI半导体技术，通过提供业界首个多节点FD-SOI线路图，扩展了其领先地位。基于其22FDX®产品的成功，该公司的下一代12FDX™平台旨在实现包括移动计算，5G连联接，人工智能和自主车辆的各种应用的未来智能系统。 这个世界正在被数万亿的设备连接起来，这种趋势使得这个世界更加的集成化，同时许多新兴的应用需要采用新的半导体创新方法来实现。使这些应用成为现实,芯片正在发展成为微型系统。同时，这些微型系统中集成了超低功耗智能组件，包括无线连接，非易失性存储器和电源管理。 格芯的全新12FDX技术专门用于提供前所未有的系统集成度，以及设计灵活性和功率扩展。 12FDX为系统集成设定了新的标准，同时也提供了一个优化平台,把射频（RF），模拟，嵌入式存储器和高级逻辑集成到单个芯片上。通过使用软件控制的晶体管，该技术可以提供业界最广泛的动态电压调整和无与伦比的设计灵活性。同时，能够及时提供峰值性能，并且可以平衡静态和动态功率以实现最终的能源效率。 “某些应用需要FinFET晶体管的卓越性能，但绝大多数连接设备则需要高水平的集成度，以及在性能和功耗上的灵活性。在这些方面，FinFET是无法实现的”，格芯的首席执行官Sanjay Jha说。 “我们的22FDX和12FDX技术通过为下一代连接的智能系统提供替代途径，填补了行业路线图的空白。通过我们的FDX平台，设计成本明显降低。同时，也重新开启了高级节点迁移的门户，从而激发了整个生态系统的创新。“ 格芯的新型12FDX技术建立在12nm全耗尽绝缘体（FD-SOI）平台上，能够实现10nm FinFET的性能，同时具有比16nm FinFET更少的功耗和更低的成本。该平台提供了全节点的扩展能力，相比现今的FinFET技术，提供15％的性能提升，并节省达50％的功耗。 “芯片制造业已不再是一体化的。虽然FinFET是最高性能产品的首选技术，但是对于许多追求性价比的移动产品和物联网产品，其行业产品路线图并不是太清晰。这些产品需要尽可能低的功耗，同时能有足够快的频率。”Linley Group的创始人兼首席分析师Linley Gwennap表示， “格芯的22FDX和12FDX技术已经很好地弥补了这一空白，为先进的节点设计提供了一个替代的迁移路径，特别是针对那些在不增加裸片成本的情况下寻求降低功耗的方案。今天，格芯是22nm及以下FD-SOI唯一的供应商，这一点能让格芯显得独一无二。” “当GF推出22FDX以来，我看到一些全新的功能。” VLSI研究公司董事长兼首席执行官G. Dan Hutcheson表示，“需要特殊化设计的人们无法忽视电力和性能的动态平衡。 现在，凭借其全新的12FDX产品，格芯正在为此技术提供明确的承诺，特别是对于目前市场上最具突破性创新的物联网和汽车。 格芯的FD-SOI技术将成为这一突破性创新的关键因素。” IBS公司创始人兼首席执行官Handel Jones表示：“FD-SOI技术可以为那些需要特殊化设计的用户提供功率，性能和成本的动态平衡。”格芯的全新12FDX产品提供了业界首个FD-SOI的产品规划，这样就能将低成本的迁移路径提供给智能客户端，5G，AR / VR，和汽车等领域。 格芯在德国德累斯顿的Fab 1晶圆厂目前正在为12FDX的发展和后续制造准备进行准备。第一批为客户生产的产品预计将于2019年上半年开始生产。 “我们对于格芯12FDX产品的推出感到非常兴奋，并希望这样的产品能提供给中国的客户。”中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长的王曦院士说，“扩展FD-SOI产品路线图将使移动，物联网和汽车等市场的客户能够利用FDX技术的功耗优势和性能优势来创造有竞争力的产品。” “NXP半导体公司的的下一代i.MX多媒体应用处理器正在利用FD-SOI的优势，实现在汽车，工业和消费应用领域的功效方面和随时进行调整能力的领先地位。” NXP半导体公司应用处理器产品线的的副总裁Ron Martino表示， “格芯的12FDX技术是对整个行业的一个巨大贡献，因为它为FD-SOI提供了下一代节点，并且将进一步扩展平面设备的能力，为未来智能、联通的安全系统提供更低的风险，更广泛的动态范围和高的性价比。” “在INVECAS，我们的授权是向格芯客户提供无与伦比的IP解决方案，ASIC，设计服务以及软件和系统级专业知识，从而确保他们充分利用技术来降低设计的复杂性和时间门槛。” INVECAS首席执行官Dasaradha Gude说， “基于我们已经为22FDX完成的工作，我们期待扩大我们的战略关系，以支持格芯的新型12FDX技术，为客户提供创新的FD-SOI设计的路线图。” “VeriSilicon作为FD-SOI设计推动者之一，充分地利用了其硅平台服务（SiPaaS）以及为SoC提供一流的IP和设计服务的经验。” VeriSilicon的总裁兼首席执行官Wayne Dai说， “FD-SOI技术的独特优势能使我们在汽车，物联网，移动和消费市场脱颖而出。我们期待与格芯扩大其在12FDX产品线上的合作，并为中国市场的客户提供高质量，低功耗和高性价比的解决方案。” “12FDX开发将在功率，性能和智能扩展方面获得更大的突破，因为12nm最适合双重刻印复写，并以最低的制程复杂度提供最佳的系统性能和功耗表现。”CEA技术研究所Leti首席执行官Marie Semeria表示，“我们很高兴看到莱迪团队与格芯在美国和德国的合作结果，扩展了FD-SOI技术的路线图，这将成为连接设备的全系统芯片集成的最佳平台。” “我们非常高兴看到22FDX产品在无晶圆厂客户圈内的强劲势头，它得到了广泛的采用。现在，这款新的12FDX产品将进一步扩大FD-SOI市场的应用。”Soitec首席执行官Paul Boudre表示， “在Soitec，我们已经准备好支持格芯，从22nm到12nm的高容量，高质量的FD-SOI衬底。这对于我们的行业来说是一个惊人的机会，可以及时支持大量新的移动和连接应用程序。” 关于格芯 GF是世界上第一个具有真正意义上足迹遍布全球的全方位服务晶圆制造商。该公司于2009年3月成名，并迅速实现了规模化，成为世界最大的晶圆生产商之一，为250多个客户提供先进技术和独特制造的组合。格芯在新加坡，德国和美国经营，是唯一提供跨越全球三大洲的制造中心，并提供的足够灵活性和高度安全性的代工厂。该公司的300mm晶圆厂和200mm晶圆厂提供从主流到前沿的全系列制程技术。格芯的制造业务遍及全球，而格芯位于美国，欧洲和亚洲的半导体业务中心的大量的研发和设计实现人员为格芯的全球制造业务提供全面的支持。格芯由Mubadala Development Company拥有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系人： Jason Gorss 电话：（518）698-7765 [email protected]
格芯公布生态系统合作伙伴计划，加速未来互联系统的创新 September 8, 2016 FDXcelerator™合作伙伴计划扩展了生态系统，并促进了格芯的FDX™产品组合的更快更广泛的部署 加利福尼亚州圣克拉拉市 2016年9月8日 格芯今天宣布推出新的合作伙伴计划FDXcelerator™，这是一个旨在促进22FDX®片上系统（SoC）设计的生态系统，该系统可以缩短客户的产品上市时间。 随着近期公布的下一代12FDX™技术，FDXcelerator合作伙伴计划基于格芯在行业首创的FD-SOI路线图，为进行先进节点设计的客户提供了较低的成本迁移途径。 参与格芯和FDXcelerator合作伙伴解决方案，客户将能够构建创新的22FDX SoC解决方案，并轻松从40nm和28nm等传统节点迁移到FD-SOI。初期的FDXcelerator合作伙伴已经为该计划提供了一系列重要的产品，其中包括： · 工具（EDA）可以添加特定的模块来轻松地利用FDSOI偏差的差异化功能来补足行业领先的设计流程 · 一个全面的设计元素库（IP），包括基础知识产权，接口和复杂的IP。这样的元素设计库（IP）可以使铸造厂客户能够从验证的IP元素开始设计 · 平台（ASIC）允许客户在22FDX上构建完整的ASIC产品 · 参考解决方案（参考设计和系统IP）。合作伙伴在新兴应用领域提供系统级专业知识，使客户能够加快其产品的上市时间 · 资源（设计咨询和服务）。合作伙伴接受了专门的培训用以支持22FDX技术 · 产品包装和测试（OSAT）解决方案 格芯的产品管理高级副总裁Alain Mutricy说：“以22FDX作为建立差异化，高度集成的系统的平台越来越成为一种行业趋势。现在是加强行业合作的好时机，使我们的客户能更快的接受和采用22FDX。 FDXcelerator将通过为真正创新的FDX定制解决方案和服务创造市场，扩展FD-SOI生态系统的覆盖范围。 FDXcelerator合作伙伴计划创建一个开放框架，允许选定的合作伙伴将其产品或服务集成到经过验证的即插即用设计解决方案目录中。这种集成度允许客户创建高性能设计，同时通过接触特定于22FDX技术的广泛的优质产品，最大限度地减少开发成本。合作伙伴生态系统使其成员和客户能够利用FDX市场的广泛使用来加速发展。 随着设计人员利用该过程作为基于Fin-FET的芯片技术的替代品，FD-SOI技术已经越来越多的被设计者使用。该技术以最低的解决方案成本来实现所需要的性能和能耗要求。根据最近的Linley Group微处理器报告，FD-SOI提供了FinFET的替代方案，格芯的FDX技术为那些不太能接受FinFET的成本和复杂性的应用提供了替代的方案。 FDXcelerator合作伙伴计划的初始合作伙伴包括：Synopsys（EDA），Cadence（EDA），INVECAS（IP和设计解决方案），VeriSilicon（ASIC），CEA Leti（服务），Dreamchip（参考解决方案）和Encore Semi（服务）。这些公司已经开始提供先进的22FDX SoC解决方案和服务。更多的FDXcelerator成员将在接下来的几个月内公布。 有兴趣了解FDXcelerator的客户和合作伙伴，请访问www.globalfoundries.com/FDXcelerator 行业寄语 “我们与格芯合作，一起使用FDX技术来为客户开发全面的Cadence FD-SOI。通过格芯的 FDXcelerator合作伙伴计划，我们的共同客户可以在紧凑的市场期限内获得创建高级SoC设计所需的工具和支持。” Custom IC and PCB Group at Cadence高级副总裁兼总经理 Tom Beckley “FD-SOI技术是Dreamchip的战略解决方案推动者，我们很高兴加入FDXcelerator合作伙伴计划。作为初始成员，这一合作将使共同客户能够接触Dreamchip经验证的设计能力。该能力主要专注于汽车ADAS多处理器SoC FDX，系统和嵌入式软件解决方案，这样可以产生具有成本优势的自动驾驶应用。 Dreamchip常务董事兼首席运营官Jens Benndorf博士 “Encore Semi很高兴扩大与格芯的合作，我们非常支持FDXcelerator计划。 FD-SOI技术真正打开了设计创新的大门。 格芯及客户可以依靠Encore Semi的专家为FD-SOI项目带来积极的影响。” Encore Semi总裁兼首席运营官Olivier Lauvray “我们的目的是为格芯客户提供无与伦比的IP解决方案，ASIC和设计服务，以及软件和系统级专业知识，从而确保22FDX客户充分利用技术来降低设计在复杂性和时间安排方面的困难。在我们的战略关系上，我们很荣幸能够成为格芯FDXcelerator计划的初期合作伙伴。该计划是一项突破性的举措，旨在帮助广大客户加速投入量产的过程，并在格芯FDX技术上创建更广泛的解决方案。” INVASAS首席执行官Dasaradha Gude “这种伙伴关系是Leti全球战略的一个关键组成部分。格芯FDXcelerator可以帮助Leti的广大的设计人员利用FD-SOI技术在超低功耗设计中获得显著的优势，同时增加我们各自的客户对于我们技术的使用。 Leti首席执行官Marie Semeria “Synopsys很高兴成为FDXcelerator计划的一部分，作为初始成员，Synopsys和格芯在FDX平台上的合作为共同客户提供了FD-SOI特别的端对端EDA解决方案。这包括对体偏置设计能力无缝支持，同时这种能力也会适应SoC操作与高性能设计的超低功耗操作相结合。很多客户希望通过经验证的Synopsys Galaxy设计平台来开放FDX价值主张，我们也期待着更多的支持这些客户。 Synopsys设计集团产品营销副总裁Bijan Kiani “VeriSilicon为客户提供基于我们一流的IP的定制芯片解决方案。我们的端到端半导体服务不仅可以缩短设计周期，还可以提高质量，降低风险。通过成为FDXcelerator合作伙伴，我们可以获得更加丰富的IP和设计工具，为客户提供最广泛和最具灵活性的22FDX解决方案和设计服务。 VeriSilicon主席，总裁兼首席执行官Wayne Dai 关于格芯 格芯是世界上第一个具有真正意义上足迹遍布全球的全方位服务晶圆制造商。该公司于2009年3月成名，并迅速实现了规模化，成为世界最大的晶圆生产商之一，为250多个客户提供先进技术和独特制造的组合。格芯在新加坡，德国和美国经营，是唯一提供跨越全球三大洲的制造中心，并提供的足够灵活性和高度安全性的代工厂。该公司的300mm晶圆厂和200mm晶圆厂提供从主流到前沿的全系列制程技术。格芯的制造业务遍及全球，而格芯位于美国，欧洲和亚洲的半导体业务中心的大量的研发和设计实现人员为格芯的全球制造业务提供全面的支持。格芯由Mubadala Development Company拥有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系人： Jason Gorss 电话：（518）698-7765 [email protected]
GlobalFoundries发布生态系统合作伙伴计划，加速未来互联系统的创新 2016年9月8日 FDXcelerator™合作伙伴计划扩大了生态系统，促进了GF的FDX™组合的更快、更广泛的部署 2016年9月8日，加州圣克拉拉--GlobalFoundries今天宣布了一项名为FDXcelerator™的新合作伙伴计划，该生态系统旨在促进22FDX®系统级芯片（SoC）设计，并为客户缩短上市时间。 随着该公司最近宣布推出下一代12FDX™技术，FDXcelerator合作伙伴计划建立在GF业界首创的FD-SOI路线图之上，为希望进行先进节点设计的客户提供了成本较低的迁移途径。 结合GF和FDXcelerator合作伙伴的解决方案，客户将能够构建创新的22FDX SoC解决方案，并简化从40纳米和28纳米等批量节点向FD-SOI的迁移。最初的FDXcelerator合作伙伴已经承诺为该计划提供一系列关键产品，其中包括。 工具（EDA），通过增加特定模块来补充行业领先的设计流程，从而轻松利用FDSOI体偏的差异化功能。一个全面的设计元素（IP）库，包括基础IP、接口和复杂IP，使代工客户能够从经过验证的IP元素开始设计。平台（ASIC），允许客户在22FDX上建立一个完整的ASIC产品。参考解决方案（参考设计、系统IP），据此，合作伙伴带来了新兴应用领域的系统级专业知识，使客户能够加快进入市场的速度。资源（设计咨询、服务），据此，合作伙伴有训练有素的专门资源来支持22FDX技术，以及。产品包装和测试（OSAT）解决方案。 "22FDX作为构建差异化、高度集成的系统解决方案的首选平台，势头越来越猛，"GF产品管理部高级副总裁Alain Mutricy说。"现在是加强行业合作，使我们的客户加速采用22FDX的时候了。FDXcelerator将为真正创新的FDX定制解决方案和服务创造一个市场，从而扩大FD-SOI生态系统的范围。" FDXcelerator合作伙伴计划创建了一个开放的框架，允许选定的合作伙伴将他们的产品或服务整合到一个有效的、即插即用的设计解决方案目录中。这种整合水平使客户能够创建高性能的设计，同时通过获得广泛的高质量产品，特别是22FDX技术，最大限度地降低开发成本。合作伙伴生态系统使成员和客户能够利用FDX市场的广泛采用和加速增长的优势。 由于设计人员利用 FD-SOI 技术作为基于 Fin-FET 技术的替代方案，以最低的解决方案成本生产需要性能和能源效率的芯片，因此 FD-SOI 技术的地位日益提高。根据Linley Group最近的一份微处理器报告。 FD-SOI 为 FinFET 提供替代方案GF的FDX技术为那些不能接受FinFET的成本和复杂性的应用提供了一种替代途径。 FDXcelerator合作伙伴计划的初始合作伙伴是。Synopsys（EDA）、Cadence（EDA）、INVECAS（IP和设计解决方案）、VeriSilicon（ASIC）、CEA Leti（服务）、Dreamchip（参考解决方案）和Encore Semi（服务）。这些公司已经开始工作，提供先进的22FDX SoC解决方案和服务。其他FDXcelerator成员将在接下来的几个月内公布。 有兴趣了解更多关于FDXcelerator的客户和合作伙伴可以访问这里。 支持性引言 "我们与GF合作，为使用FDX技术的客户开发全面的Cadence FD-SOI就绪流程。通过GF FDXcelerator合作伙伴计划，我们的共同客户可以获得他们所需的工具和支持，在紧迫的市场期限内创建先进的SoC设计。" Cadence公司高级副总裁兼定制IC和PCB集团总经理Tom Beckley "FD-SOI技术是Dreamchip的一个战略解决方案推动者。我们很高兴作为初始成员加入FDXcelerator合作计划。这项合作将使双方的客户能够获得梦晶公司经过验证的设计能力，专注于汽车ADAS多处理器SoC以FDX为中心的实施、系统和嵌入式软件解决方案，使该行业能够实现低成本的自动驾驶应用。" Jens Benndorf博士，Dreamchip总经理兼首席运营官 "Encore Semi很高兴能扩大与GF的合作并支持FDXcelerator计划。FD-SOI技术真正打开了设计创新的大门。GF及其客户可以依靠Encore Semi的专家对他们的FD-SOI项目产生积极的影响。" 安科瑞半导体公司总裁兼首席运营官Olivier Lauvray "我们公司的章程是为GF客户提供无与伦比的IP解决方案、ASIC和设计服务，以及软件和系统级的专业知识。从而确保22FDX的客户能够最大限度地利用该技术，降低设计复杂性和进度的障碍。在我们战略关系的基础上，我们很荣幸成为GF FDXcelerator计划的初始合作伙伴，该计划是一项开创性的举措，旨在使更多的客户受益，加快量产时间，并在GF FDX技术上创造更多的解决方案。" Dasaradha Gude，INVECAS首席执行官 "这种合作关系是Leti全球战略的一个关键部分。GF FDXcelerator使Leti能够帮助广大设计人员利用FD-SOI技术在超低功耗设计方面的显著优势，使客户更容易获得我们各自的技术。" Marie Semeria，Leti首席执行官 "Synopsys很高兴成为FDXcelerator项目的初始成员。Synopsys和GF在FDX平台上的合作为双方客户提供了针对FD-SOI的端到端EDA解决方案。这包括对体偏设计能力的无缝支持，这种能力能够使自适应SoC运行与高性能设计和超低功耗运行相结合。我们期待着为客户提供支持，他们将通过经过验证的Synopsys Galaxy设计平台释放FDX的价值主张。" Bijan Kiani，Synopsys设计集团产品营销副总裁 "芯原为客户提供基于我们一流IP的定制硅解决方案。我们的端到端半导体交钥匙服务不仅能缩短他们的设计周期，还能提高质量，降低风险。通过成为FDXcelerator的合作伙伴，我们拥有丰富的IP和设计工具，为客户提供最广泛和最灵活的22FDX解决方案和设计服务。" 韦恩-戴，芯原董事长、总裁和首席执行官 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动，迅速形成规模，成为世界上最大的代工厂之一，为250多个客户提供先进技术和制造的独特组合。GF在新加坡、德国和美国都有业务，是一家提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.gf.com。 联系方式。 Erica McGillGF(518) 305-5978[email protected]
GLOBALFOUNDRIES利用12纳米FD-SOI技术扩展FDX™路线图 2016年9月8日12FDX™提供全节点扩展、超低功率和按需性能 2016年9月8日，加利福尼亚州圣克拉拉市--环球方德公司今天发布了一项新的12纳米FD-SOI半导体技术，通过提供业界首个多节点FD-SOI路线图来扩大其领导地位。在其22FDX®产品的成功基础上，公司的下一代12FDX™平台旨在实现未来的智能系统，涵盖一系列应用，从移动计算和5G连接到人工智能和自动驾驶汽车。 随着世界通过数十亿的连接设备变得越来越一体化，许多新兴的应用需要一种新的半导体创新方法。使这些应用成为可能的芯片正在演变成微型系统，增加了智能组件的集成度，包括无线连接、非易失性存储器和电源管理，同时推动了超低的功率消耗。GF的新12FDX技术是专门为实现这些前所未有的系统集成、设计灵活性和功率扩展而设计的。 12FDX为系统集成设立了一个新的标准，为将射频（RF）、模拟、嵌入式存储器和先进的逻辑结合到一个芯片上提供了一个优化的平台。该技术还通过软件控制的晶体管提供了业界最广泛的动态电压扩展和无可比拟的设计灵活性--能够在需要的时间和地点提供峰值性能，同时平衡静态和动态功率，实现最终的能源效率。 "GF首席执行官Sanjay Jha说："有些应用需要FinFET晶体管无与伦比的性能，但绝大多数互联设备需要高水平的集成，以及在性能和功耗方面更多的灵活性，而FinFET的成本却无法达到。"我们的22FDX和12FDX技术为下一代互联智能系统提供了另一种途径，从而填补了行业路线图中的空白。而且通过我们的FDX平台，设计成本大大降低，重新打开了先进节点迁移的大门，刺激了整个生态系统的创新。" GF新的12FDX技术建立在12纳米全耗尽的绝缘体上硅(FD-SOI)平台上，实现了10纳米FinFET的性能，与16纳米FinFET相比，功耗更低，成本更高。该平台提供了整整一个节点的扩展优势，与当今的FinFET技术相比，性能提升15%，功耗降低50%之多。 "芯片制造不再是一锤子买卖了。虽然FinFET是最高性能产品的首选技术，但对于许多对成本敏感的移动和物联网产品来说，行业路线图并不明确，这些产品需要在提供足够的时钟速度的同时尽可能降低功耗，"Linley Group的创始人兼首席分析师Linley Gwennap说。"GF的22FDX和12FDX技术很好地填补了这一空白，为高级节点设计提供了另一种迁移路径，特别是那些寻求在不增加芯片成本的情况下降低功率的设计。今天，GF是22纳米及以下的FD-SOI的唯一传播者，使其具有明显的差异化优势。" "当22FDX第一次从GF出来的时候，我看到了一些改变游戏规则的功能。VLSI Research董事长兼首席执行官G. Dan Hutcheson说："那些需要使其设计与众不同的人不能忽视功率和性能的实时权衡。VLSI Research董事长兼首席执行官G Dan Hutcheson表示："现在，通过新的12FDX产品，GF明确承诺为这项技术提供路线图，特别是针对物联网和汽车，这是当今市场上最具颠覆性的力量。GF的FD-SOI技术将成为这种颠覆的重要推动力。" "IBS公司创始人兼首席执行官Handel Jones表示："FD-SOI技术可以为那些需要使其设计与众不同的人提供实时的功率、性能和成本权衡。"GF新的12FDX产品提供了业界首个FD-SOI路线图，为高级节点设计带来了最低成本的迁移路径，使未来的智能客户端、5G、AR/VR、汽车市场的连接系统成为可能。" 位于德国德累斯顿的GF工厂1目前正在为该厂的12FDX开发活动和后续制造创造条件。预计客户的产品将在2019年上半年开始交付。 "中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长、院士王曦博士说："我们对GF 12FDX的产品以及它能为中国客户提供的价值感到兴奋。"扩展FD-SOI路线图将使移动、物联网和汽车等市场的客户能够利用FDX技术的电源效率和性能优势来创造有竞争力的产品。" "恩智浦半导体i.MX应用处理器产品线副总裁Ron Martino表示："恩智浦的下一代i.MX多媒体应用处理器正在利用FD-SOI的优势，为汽车、工业和消费类应用实现功耗领先和按需扩展性能。"GF的12FDX技术是对行业的一大补充，因为它为FD-SOI提供了下一代节点，将进一步扩展平面器件能力，为未来的智能、互联和安全系统提供更低的风险、更宽的动态范围和令人信服的性价比。" "英威达首席执行官Dasaradha Gude表示："在英威达，我们的章程是为GF客户提供无与伦比的IP解决方案、ASIC和设计服务，以及软件和系统级的专业知识，从而确保他们从技术中获得最大收益，降低设计复杂性和进度的障碍。"在我们已经为22FDX完成的工作基础上，我们期待扩大我们的战略合作关系，支持GF的新12FDX技术，这将为客户的创新FD-SOI设计提供路线图。" "芯原总裁兼首席执行官Wayne Dai说："作为FD-SOI设计的先行者之一，芯原利用其硅平台即服务（SiPaaS），以及为SoC提供最佳IP和设计服务的经验。"FD-SOI技术的独特优势使我们能够在汽车、物联网、移动性和消费市场领域实现差异化。我们期待着扩大与GF在12FDX产品上的合作，为中国市场的客户提供高质量、低功耗、高性价比的解决方案。" "12FDX的开发将在功率、性能和智能扩展方面实现另一个突破，因为12纳米最适合双图案，并能以最低的工艺复杂性提供最佳的系统性能和功率，"CEA技术研究所Leti的首席执行官Marie Semeria说。"我们很高兴看到Leti团队与GF在美国和德国的合作成果，扩展了FD-SOI技术的路线图，它将成为连接设备的全系统芯片集成的最佳平台。" "我们非常高兴地看到22FDX产品的强劲势头和无晶圆厂客户的扎实采用。现在，这种新的12FDX产品将进一步扩大FD-SOI的市场应用，"Soitec首席执行官Paul Boudre说。Soitec首席执行官Paul Boudre说："在Soitec，我们已经做好充分准备，为GF提供从22纳米到12纳米的大批量、高质量的FD-SOI基片。这对我们的行业来说是一个很好的机会，正好可以支持一大波新的移动和互联应用。" 关于GF GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业，其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动，迅速形成规模，成为世界上最大的代工厂之一，为250多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营，GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系方式：Jason GorssGF(518) 698-7765[email protected]
高管视角：一切都在无线化，射频芯片助其实现 2016 年 9 月 1 日作者：巴米-巴斯塔尼 技术进步对人类进步至关重要，因为它们带来了更好的方法来满足我们的需求，并为后代提供了一个更好的起点来实现他们的潜能。试想一下，由于农业、医疗、能源、交通和其他技术的进步，我们的日常生活与我们的祖先相比，是多么方便、安全和富有成效。如今，无线通信和随时随地获取信息的能力日益增强，这不仅催生了新型互联产品和系统，还从根本上改变了我们的生活结构和与他人的互动方式。我们对手机和 Wi-Fi 连接的依赖已经变得如此强烈，以至于有人开玩笑说，它应该在心理学的 马斯洛需求层次理论中的地位，与食物和水等基本生活需求并列。虽然这显然是在调侃，但那些青少年对手机爱不释手的家长们可能会认为这并不过分。但对无线连接的需求才刚刚开始。我们对无线连接的依赖将进一步加深，因为蜂窝网络和 Wi-Fi 网络的功能将在未来几年内急剧扩展，从而开辟出自动驾驶汽车、增强现实或虚拟现实等只存在于科幻小说中的可能性。其中一个原因是全球正在努力开发第五代（5G）网络，它能提供比现有蜂窝系统更快的速度和更高的数据容量。目前正在制定标准的 5G 网络将使移动设备在互联网上发挥更重要的作用。举例来说，如果汽车雷达系统看到了道路上的障碍物，但其所使用的网络速度太慢，无法及时发出警报，那么该系统也就没什么用了。5G 网络的响应速度更快，也就是低延迟，将有助于使此类系统成为现实。我们越来越依赖无线连接的另一个原因是，人们越来越重视通过赋予可穿戴设备和环境中的其他物体感知、通信和处理信息的能力，将物理世界整合到计算系统中。远程健康监测、"智能 "工厂、更高的个人安全性和更好的库存控制，这些仅仅是通过无线连接正在形成的所谓物联网（IoT）上的物理对象所能实现的部分好处。 射频集成电路是基石 先进蜂窝和 Wi-Fi 网络设备的基本组成部分是超高速射频 (RF) 集成电路。虽然 5G 和物联网网络的规格都在不断变化，但显然都需要无线电技术的创新。反过来，这也需要日益复杂的射频集成电路来支持所需的新操作模式和更高功能。我可以自豪地说，GLOBALFOUNDRIES 在为这些不断发展的无线应用制造射频芯片所需的技术方面享有卓越的地位。我们的射频产品包括射频前端、收发器、高性能功率放大器、低噪声信号放大器、混频器、天线调谐器、高速模拟和数字转换器、开关、控制器、毫米波相控阵天线电路和其他组件的完整晶圆代工服务。这些产品采用最先进的射频绝缘体上硅（RFSOI）、硅锗（SiGe）BiCMOS 和 RFCMOS 半导体制造工艺制造，专为特定射频应用量身定制。由于这些技术以硅为基础，因此能为客户提供具有成本效益的解决方案，将性能、集成度和能效完美地结合在一起。与其他半导体供应商相比，GLOBALFOUNDRIES 可提供完整的射频解决方案。其他供应商只能提供零碎的硅基射频技术，或奇特、难以集成且昂贵的非硅替代技术。我们的 RFSOI 和 SiGe 工艺组合涵盖广泛的技术节点，包括 用于移动设备和接入点中蜂窝和 Wi-Fi 前端模块的移动优化 RFSOI 和 SiGe 功率放大器 (PA) 技术系列。 性能优化的 SiGe 技术适用于通信、光网络、航空航天、汽车、工业和测试设备应用中要求苛刻的射频解决方案。 RFSOI 能够帮助解决与确保用户在任何地方都能享受无缝、可靠连接相关的诸多挑战，包括延长移动设备的电池寿命和减少掉线，因此在移动领域掀起了一场风暴。同时，我们先进的全耗尽型 SOI 技术有助于大幅降低射频收发器的功耗。收发器采用 FDSOI 技术，前端模块采用 RFSOI 技术，无论网络需求或客户架构/分区如何变化，GLOBALFOUNDRIES 都能为客户提供一系列极具吸引力的射频解决方案。这对 GLOBALFOUNDRIES 来说非常重要，因为射频应用在我们的整体业务中占有很大比重。但从更广泛的意义上讲，这一点也很重要。无线连接有助于带来另一场技术革命，让生活变得更美好。这意味着我们每天在这里所做的工作真正重要，因为它代表着人类真正的进步。
分析师视角：为什么 GLOBALFOUNDRIES 的 22FDX® 将是一场重大革命？ 2016 年 8 月 25 日Foundry Files 特邀博客 本文原载于 2015 年 8 月 7 日的 《芯片内幕》，经 VLSI Research, Inc 授权在此刊载。 GLOBALFOUNDRIES 的 22FDX 是英特尔推出首个工作鳍式场效应晶体管工艺以来的首个全新工艺。您可能已经注意到我一段时间以来的一个疏忽。那就是多年来我从未多写关于 FD SOI 的文章。原因很简单。首先，我没有任何自己真正相信的正面言论。FD SOI 的问题在于，它唯一可销售的优势就是便宜。即便如此，这也是个问题，因为大公司并没有上钩--他们只想降低成本。即使成本更低，也没有一家无晶圆厂公司会把自己的未来寄托在降低晶圆成本上。新设计的前期 NRE 成本、上市时间的限制以及一旦失败所带来的后果，都压倒了廉价晶圆的承诺。千兆晶圆芯片制造商深知这一点，因此在他们的客户采取行动之前，他们不会轻举妄动。22FDX 的出现改变了这一切。22FDX 的最大优势在于能够通过软件控制晶体管的体偏压，在功耗和性能之间进行实时权衡。是的，在器件级可以进行实时功耗权衡，主要是通过打开和关闭主要功能块来实现。但据我所知，在有市场价值的工艺中，还从未在晶体管层面上实现过。如果能像他们所说的那样，22FDX 将是一场重大革命，对整个电子行业都将是颠覆性的。原因就在这里：想象一下，未来您可以设定电池的续航时间。现在，原始设备制造商能做的最好的事情就是在电量耗尽时关闭某些功能，比如苹果手表（Apple WATCH）就是这样做的。但有了 22FDX，你就有可能将手表设置为 "运行到晚上 9 点，我希望在那时摘下它"。然后，如果你愿意，可以将其改为晚些时候或在第二天重新设置。这样，手表就能根据您的典型使用情况，预测其功耗与性能的权衡，然后根据您当天的使用情况修改其性能。手机、笔记本电脑以及你能想到的任何移动电子产品都能以同样的方式工作。这多酷啊 这篇特邀文章由 VLSI Research Inc. 首席执行官兼董事长 Dan Hutcheson 撰写。Hutcheson 是半导体行业公认的权威人士，2012 年因其电子通讯《The Chip Insider®》、著作《Maxims of Hi-Tech 》以及对高管的多次采访 "为高管提供了巨大的战略和战术营销价值 "而荣获 SEMI 销售与营销卓越奖。丹在业界的公开作品包括为《科学美国人》（Scientific American）撰写的两篇创新性文章，通过展示科学家与生俱来的创新能力如何超越末日论者，对摩尔定律消亡的预测提出质疑；以及为美国半导体行业协会（SIA）撰写的一篇关于摩尔定律的历史和经济学的特邀文章。
Fab 8 最新进展：14 纳米在生态系统中创造和获取价值 2016 年 8 月 18 日在 Fab 8 的发展历程中，我们取得了长足的进步。去年，我们跨过了一个重要的里程碑--从建设阶段进入全面生产阶段，并推动我们的 14nm FinFET 技术（14LPE）的早期接入版本进入量产阶段。 今年，我们利用性能增强型 14LPP 技术推动了执行力的稳步提升。今年伊始，我们就宣布了一个令人振奋的消息：我们的 14nm 技术将与AMD 的全新独立图形处理器阵容一起，为一些最强大的计算和图形应用提供动力。 在这一势头的推动下，我们在多个产品的大批量生产中实现了成熟的良品率，为主要客户推出了多款新产品（包括采用超大芯片的复杂芯片），并在硅片的首次正确良品率和积极提高产量以支持产品发布方面取得了 100% 的良好记录，从而取得了强劲的技术成果。 正是我们对执行力的不懈关注，才使得我们的客户能够使他们的产品与众不同，并按时推向市场。另一个很好的例子是AMD 的最新消息，该公司最近发布了下一代 "Zen "处理器内核的性能预览。与 AMD 最新推出的 Polaris 图形芯片一样，该处理器也是基于 GLOBALFOUNDRIES 的 14LPP 工艺技术制造的。正是 AMD 的设计专长与 GF 的 14nm FinFET 技术的强大结合，才使得 Zen 处理器的性能较前几代处理器有了里程碑式的提升。 我很高兴地向大家报告，在移动、消费电子和高性能计算等领域，客户对我们的青睐程度依然很高，目前已有 20 多家客户在积极洽谈业务。不仅是传统的代工客户，一些公司也希望利用我们的FX-14™ ASIC产品为云网络、无线基站、计算和存储应用提供的功能。 展望未来，我们将致力于提供领先的技术平台，同时加强我们的 14 纳米 FinFET 技术，以实现新的机遇，并为未来的成功奠定坚实的基础，包括 7 纳米下一代技术。
包装在创新舞台上占据中心位置 2016 年 8 月 11 日作者：戴夫-拉默斯 封装已成为半导体行业最有力的创新形式之一。随着传统的（几何）扩展变得越来越困难，各种 "等效扩展 "创新已崭露头角，特别是 193 纳米沉浸式光刻、应变硅、高 K/金属栅极、finFET、全耗尽 SOI 和垂直 NAND。 现在轮到包装行业了，这让全球首创公司（GLOBALFOUNDRIES）包装研发副总裁戴夫-麦肯（Dave McCann）等专家成为焦点。 McCann 在纽约州马耳他市的办公室接受采访时说，越来越多的客户正在转向封装创新。"他说："在所有应用领域，客户比以往任何时候都更倾向于在一个封装中集成多个芯片，以解决扩展方面的限制。 对于服务器和网络等高带宽应用，McCann 表示，GF 是唯一一家大批量生产 32 纳米 TSV 的代工厂。 GF 和 美光技术合作开发了 混合内存立方体（HMC）产品，GF 负责创建支持 TSV 的逻辑层，并将其与美光的 DRAM 芯片堆叠在一起。 "我们收到了许多客户对 2.5D 设计的要求，这些要求利用了我们在 ASIC 我们在 ASIC以及内存和高速 Serdes 方面的经验。其中大部分都是在硅插芯上进行的，我们在其上创建了高密度迹线，以实现 ASIC 和存储器之间的互连，从而使客户获得非常高的带宽产品"。 射频和物联网创新也受到多芯片应用的推动，利用来自不同 GF 晶圆厂和节点的芯片。他补充说，这样就能在最具成本效益的节点上使用芯片，而不是强迫集成和次优成本。 在一些射频和物联网应用中，一个令人感兴趣的研发方向是使用玻璃基板，而不是损耗过大的硅。"我们相信，利用穿透玻璃通孔，我们可以创建非常密集的互连，并摆脱所有无源器件。产品可以变得更薄，"McCann 说。光子技术是另一个重要领域。我们的目标是将光子信号直接引入模块，而不是停留在电路板或背板上。 对于高端移动和其他市场，McCann 说："晶圆级扇出是一项了不起的技术，首先可以实现更多的 IO。以后，我们还将看到它用于集成多个芯片，首先是内存和应用处理器。不过，高密度扇出应用的成本将高于它们将取代的低成本基板封装。 薄玻璃和 FO-WLP 使多个芯片可以非常靠近地放置在一起，从而实现了更小的占地面积、更薄的外形和更高的性能。由于省去了层压基板，因此外形更薄。McCann 指出，这些技术 "对射频和物联网特别有意义，因为高频信号损耗低"。 "成本最低的 WLFO 供应链将利用 OSAT 做它们最擅长的事情。我们不想做 OSAT 可以做得同样好或更好的事情。麦肯说："特别是在主流技术领域，OSAT 可以向许多客户提供解决方案，而且比我们内部提供的成本更低。他补充说，这使客户可以灵活地使用他们想要使用的供应链。 "GF与IBM微电子部门的结合带来了新的机遇，包括高密度堆叠应用。作为唯一一家在逻辑高密度三维 TSV 方面拥有 HVM 经验的代工厂，我们为市场带来了可信度，"McCann 说。除了三维 TSV 之外，GF 还在内部设计和开发 2.5D 硅内插产品，在 OSAT 进行批量生产，"提供了设计技能与低成本生产途径的最佳组合"。 "GF 还在研究低成本的替代品 内存技术 McCann说："这些技术可以在不增加层成本的情况下与新的硅节点一起扩展，并可用于多种产品技术。 GF 产品组合涵盖 2.5D 和 3D 包装解决方案 行业分析师表示，他们正在密切关注该代工厂的封装技术。 渥太华ChipWorks高级研究员 Dick James 说，GF 有机会进一步利用 IBM Microelectronics 在过去十年中开发的硅通孔和内插技术。詹姆斯指出，最近发布的国际半导体技术路线图（ITRS）执行摘要强调了在系统级封装解决方案中集成异构集成电路的必要性。James说，将高带宽内存与图形处理器整合在一起是未来一个特别重要的领域，这将利用纽约州GF Fishkill工厂的插片经验。McCann 补充说，这也将利用 GF 在大型薄芯片堆叠方面的专业技术。 总部位于得克萨斯州奥斯汀的封装咨询公司TechSearch International 的总裁 Jan Vardaman 说，她的公司看到高性能应用中硅内插层的使用越来越多。"她指出："使用硅内插件可以在顶部使用散热器来帮助散热。 Vardaman 说，晶圆级扇出封装的使用也带来了许多基础设施的变化，首先是集成电路/封装的协同设计。 迄今为止，大多数应用处理器一直使用带有倒装芯片互连的层压基板。"有了扇出 WLP，就不需要传统的带底部填充的层压基板了。只是基础设施发生了很大变化。所有的封装都可以在代工厂或拥有非传统 OSAT 组装线的 OSAT 进行，"Vardaman 说。 TechSearch 发现，FO-WLP 在基带处理器、射频收发器和开关、电源管理集成电路 (PMIC)、汽车雷达模块、近场通信 (NFC)、音频编解码器、安全设备和微控制器等领域的广泛应用正在迅速普及。 用于 2D、2.5D 和 3D 互联的 GF 协作供应链模型 这也难怪，客户们纷纷涌向戴夫-麦肯的办公室。麦肯说，"客户参与的数量正在成倍增加"，OSAT 合作伙伴和内部开发技术的组合吸引了他们。 "GF不打算成为OSAT。但如果 OSAT 没有投资，我们可以在内部开发独特的能力并获得差异化优势，那么我们就会与 OSAT 合作，将该解决方案投入生产，"McCann 说。
硅光子学拐点--不是 "如果"，而是 "何时 2016年8月4日最近，数据中心行业对硅光子技术的讨论甚嚣尘上。这究竟是怎么回事呢？云计算、移动数据、视频流和物联网（IoT）推动着数字世界不断扩大。据估计，到 2016 年底，通过数据中心推送的数据将超过 6 ZB（即相当于约 2500 亿张 DVD），预计到 2020 年这一数字将翻一番。此外，网络带宽每两到三年翻一番，这意味着链路数量和每个链路的数据容量都在翻倍--10G 正在变成 25G，40G 端口正在演变为 100G 端口。要在数据中心内（服务器、交换机和存储设备之间）移动所有这些数据，就必须广泛采用光通信，以适应存储和计算需求的增长。使用铜线和光纤技术传输数字信息将无法跟上摩尔定律的步伐。 长期以来，光电子行业一直在研究混合硅技术，如磷化铟和硅锗。时至今日：传统的 CMOS 制造厂已经能够成功制造光子集成电路和光学元件，而无需特殊的加工步骤和额外的相关成本。激光技术也发展出了不同的光纤技术（SMF 和 MMF），支持 1550 和 1310 模式的多种波长。 对于数据中心而言，这有助于推动更长距离的光纤连接，以克服铜缆 100 米的限制。光连接可解决数据中心内长达 2 千米、数据中心外长达 80 千米的连接问题。最后，技术分析师预计，基于 SiPh 的模块、激光器和光纤部署将出现大幅增长，其中两大市场将推动这一势头：数据通信和电信正在数据中心互联（DCI）、城域网、内容分发网络（CDN）和基站前端市场创造新的市场。得益于云数据中心流量的高速增长和光传输网络向 400G 的过渡，云数据中心巨头们声称，到明年，他们将消耗全球四分之三的光纤。这意味着从 2017 年开始，基于 SiPh 的 100G 端口将以每年数百万个的速度递增。 此外，每年部署的服务器数量激增至 1200 万台以上，机架到机架、机架到交换机以及交换机到交换机的连接正在向基于光纤的连接转变，以满足电力需求旺盛的数据中心的网络带宽要求，同时降低总体拥有成本（TCO）。 这让我对板载光学器件、PSM4、QSFP56 和 CFP4 类型的模块和外形尺寸持热切的乐观态度。SiPh 技术的进步对数据中心的速度至关重要。思科 VNI最近的一次更新估计，DCI 到 DCI 之间的流量相当于数据中心内部流量的 1/7。这意味着，在不久的将来，DCI 到 DCI 和城域链路将需要 100G 链路的带宽和密集连接。出于所有显而易见的原因，SiPh 芯片是降低成本和功耗，同时提高带宽和容量的正确选择。值得注意的是，城域网和 CDN 网络将成为推动硅光子技术发展的关键因素。 来源：思科全球云指数来源：思科全球云指数：2014-2019 在视频流和整体宽带接入及回程网络的推动下，内容提供商、网络运营商和内容交付网络都出现了巨大的增长。这种永不满足的带宽需求促使视频流网络转向基于多 100G SiPh 的解决方案。特别是在长途传输网络中，将需要多 100G 线路速率、400G 以及高达 1.2Tera bits 的转发器和 muxponders 线路卡。一些光学公司已经开始在这一领域展示基于 200G 的解决方案，这为光学元件供应商、模块制造商和硅光子芯片制造商创造了巨大的机会。硅光子技术的增长阶梯来自新的第五代蜂窝系统 5G 技术。真正的问题是：为什么 5G 会推动硅光子技术出现拐点？无线基础设施专家声称 5G 是一项万能技术，与 LTE 技术相比，它将支持 10G/s 的带宽，1000 倍的容量，最低往返延迟 ~1ms。爱立信、诺基亚和华为等顶级基础设施供应商正在积极寻找新的架构，以最低的总体拥有成本满足带宽要求，实现 5G 梦想。一些主要趋势是大规模阵列天线和毫米波通信，并在现场部署许多远程射频头（RRH）（又是小蜂窝！）。在前端，所有这些远程射频头都连接到一个集中式无线接入网（CRAN），即超级基站（应该说是虚拟化基站吗？）由于这些基站相互隔离，距离长达数公里，因此需要高速可靠的连接网络。这就是基于 OTN 的硅光子连接的需求所在，当 5G 基站部署加速时，基础设施的增长将呈爆炸式增长，仅中国就将拥有数以百万计的硅光子端口和容量。但实际上，5G 部署还有点遥远，也就是说，可能要到 2018 年及以后（更有可能是 2020 年以上）才会开始。但很明显，5G 前沿架构将推动对各种硅光子模块和芯片组的需求。超级互联世界的逐步发展正将光子学推向一个拐点。现在，问题不在于 "是否"，而在于 "何时"？从云数据中心、DCI-to-DCI、城域网和长途传输网络以及 5G 基站开始，将推动硅光子解决方案和部署端口的发展势头和需求。随着 2017 年的临近，数据中心原始设备制造商和电信运营商将迎来一个拐点。最终，电信和数据中心对高速、高带宽数据的需求将推动生态系统和硅光子技术的发展。要了解有关采用突破性半导体技术的超云数据中心解决方案的更多信息，请下载本最新演示文稿或联系您的 GLOBALFOUNDRIES 销售代表。
Everspin的256兆ST-MRAM磁阻随机读写内存以及MTJ垂直磁通道结点采样 2016年8月3日 2016年8月3日 亚利桑那州钱德勒市，2016年8月3日。 Everspin Technologies通过向客户提供世界上第一个使用基于垂直磁隧道结（pMTJ）的ST-MRAM的产品样品，加强了其在ST-MRAM领域的领导地位。这款256Mb DDR3产品是市场上密度最高的商业化垂直ST-RAM。
