18. Dezember 2025 Die Zusammenarbeit erweitert das Leistungsportfolio von onsemi um leistungsstarke 650-V-Lateral-GaN-Lösungen für KI-Rechenzentren, die Automobilindustrie, die Luft- und Raumfahrt sowie andere wichtige Märkte. SCOTTSDALE, Arizona, und MALTA, New York, 18. Dezember 2025 – onsemi (Nasdaq: ON) gab heute bekannt, dass es eine Kooperationsvereinbarung mit GlobalFoundries (Nasdaq: GFS) (GF) unterzeichnet hat, um fortschrittliche Galliumnitrid (GaN)-Leistungsprodukte unter Verwendung des hochmodernen 200-mm-eMode-GaN-auf-Silizium-Prozesses von GF zu entwickeln und herzustellen, beginnend mit 650 V. Diese Zusammenarbeit beschleunigt die Roadmap von onsemi für leistungsstarke GaN-Bauelemente und integrierte Leistungsstufen und erweitert das Portfolio um Hochspannungsprodukte, um den wachsenden Leistungsanforderungen von KI-Rechenzentren, Elektrofahrzeugen, erneuerbaren Energien, industriellen Systemen sowie Luft- und Raumfahrt, Verteidigung und Sicherheit gerecht zu werden.„Diese Zusammenarbeit vereint das System- und Produkt-Know-how von onsemi mit dem fortschrittlichen GaN-Prozess von GlobalFoundries, um neue 650-V-Leistungsbauelemente für wachstumsstarke Märkte anzubieten. In Kombination mit unseren Siliziumtreibern und -controllern werden diese GaN-Produkte es Kunden ermöglichen, innovativere und kleinere, effizientere Stromversorgungssysteme für KI-Rechenzentren, Elektrofahrzeuge, Weltraumanwendungen und andere Bereiche zu entwickeln. Wir sind auf dem besten Weg, unseren Kunden in der ersten Hälfte des Jahres 2026 Muster zur Verfügung zu stellen und schnell zur Serienproduktion überzugehen.“ – Dinesh Ramanathan, Senior Vice President of Corporate Strategy, onsemi.„Durch die Kombination unserer 200-mm-GaN-on-Si-Plattform und unserer Fertigung in den USA mit dem umfassenden System- und Produkt-Know-how von onsemi beschleunigen wir die Entwicklung hocheffizienter Lösungen und bauen widerstandsfähige Lieferketten für Rechenzentren, die Automobilindustrie, die Industrie, die Luft- und Raumfahrt, die Verteidigung und andere wichtige Märkte auf. Mit onsemi als wichtigem Partner werden wir weiterhin GaN-Halbleiter vorantreiben, die den sich wandelnden Anforderungen von KI, Elektrifizierung und nachhaltiger Energie gerecht werden.“ – Mike Hogan, Chief Business Officer, GlobalFoundries.onsemi wird seine branchenführenden Siliziumtreiber, Controller und thermisch optimierten Gehäuse mit der 650-V-GaN-Technologieplattform von GF kombinieren, um optimierte GaN-Bauteile mit höherer Leistungsdichte und Effizienz anzubieten. Dazu gehören Stromversorgungen und DC-DC-Wandler für KI-Rechenzentren, Bordladegeräte und DC-DC-Wandler für Elektrofahrzeuge, Solar-Mikrowechselrichter und Energiespeichersysteme, Motorantriebe und DC-DC-Wandler für Industrie-, Luftfahrt-, Verteidigungs- und Sicherheitsanwendungen.Diese Bemühungen erweitern das führende Leistungshalbleiter-Portfolio von onsemi, das nun das gesamte Spektrum der GaN-Technologien umfasst – von niedrigen, mittleren und hohen Spannungen bei lateralen GaN bis hin zu ultrahohen Spannungen bei vertikalen GaN. Damit können Systementwickler Leistungsarchitekturen der nächsten Generation entwickeln, die mehr Leistung bei geringerem Platzbedarf bieten. Zu den Vorteilen von GaN gehören: Betrieb mit höherer Frequenz– Durch den Betrieb mit höheren Schaltfrequenzen ermöglicht GaN den Entwicklern, die Anzahl der Komponenten, die Systemgröße und die Kosten zu reduzieren und gleichzeitig die Effizienz und die thermische Leistung zu verbessern. Bidirektionale Fähigkeit– Bidirektionale GaN-Fähigkeiten ermöglichen völlig neue Topologien, die bis zu vier herkömmliche unidirektionale Transistoren ersetzen können, wodurch Kosten gesenkt und Designs vereinfacht werden. Integrierte Funktionalität– Die Kombination von GaN-FETs mit Treibern, Controllern, Isolierung und Schutz in einem einzigen Gehäuse ermöglicht schnellere Designzyklen und geringere elektromagnetische Störungen. Die thermisch verbesserten Gehäuse und optimierten Gate-Treiber steigern die Leistung und Zuverlässigkeit selbst bei hohen Schaltgeschwindigkeiten. Zeitplan und Verfügbarkeitonsemi wird in der ersten Hälfte des Jahres 2026 mit der Bemusterung beginnen.Über onsemionsemi(Nasdaq: ON) treibt disruptive Innovationen voran, um eine bessere Zukunft zu gestalten. Mit Schwerpunkt auf den Endmärkten Automobil und Industrie beschleunigt das Unternehmen den Wandel in Megatrends wie Fahrzeugelektrifizierung und -sicherheit, nachhaltige Energienetze, industrielle Automatisierung sowie 5G- und Cloud-Infrastruktur. onsemibietet ein hoch differenziertes und innovatives Produktportfolio mit intelligenten Energie- und Sensortechnologien, die die komplexesten Herausforderungen der Welt lösen und den Weg zu einer sichereren, saubereren und intelligenteren Welt ebnen.onsemiist im Nasdaq-100Index®und im S&P500®Index vertreten. Weitere Informationen zuonsemifinden Sie unterwww.onsemi.com. onsemi und die onsemi sind Marken von Semiconductor Components Industries, LLC. Alle anderen in diesem Dokument genannten Marken- und Produktnamen sind eingetragene Marken oder Marken ihrer jeweiligen Eigentümer. Obwohl das Unternehmen in dieser Pressemitteilung auf seine Website verweist, sind die Informationen auf der Website nicht Bestandteil . Über GFGlobalFoundries (GF) istein führender Hersteller von wichtigen Halbleitern, auf die sich die Welt beim Leben, Arbeiten und Kommunizieren verlässt. Wir entwickeln Innovationen und arbeiten mit Kunden zusammen, um energieeffizientere, leistungsstärkere Produkte für die Automobilindustrie, intelligente Mobilgeräte, das Internet der Dinge, Kommunikationsinfrastrukturen und andere wachstumsstarke Märkte zu liefern. Mit unseren weltweiten Produktionsstätten in den USA, Europa und Asien ist GF ein vertrauenswürdiger und zuverlässiger Partner für Kunden auf der ganzen Welt. Jeden Tag liefert unser talentiertes, globales Team Ergebnisse mit einem unerschütterlichen Fokus auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit. Weitere Informationen finden Sie unterwww.gf.com. Kontakt: onsemiMichael Mullaney[email protected] GlobalFoundriesStephanie Gonzalez[email protected]