von: Dave Lammers

Unter Verwendung der 45RFSOI-Technologie von GF hat UCSD-Professor Peter Asbeck kürzlich einen Leistungsverstärker entwickelt, der bei 28 GHz arbeitet und eine Ausgangsleistung von 22 dBm sowie eine Leistungszusatzeffizienz (PAE) von mehr als 40 Prozent aufweist. Beim Backoff für die in 5G verwendeten 64QAM-OFDM-Signale erreicht der Verstärker eine durchschnittliche Ausgangsleistung von 13 dBm bei 10 dB Backoff und 17 Prozent PAE, sogar ohne digitale Vorverzerrung. "Das ist das richtige Maß an Leistung und Effizienz für die meisten 5G-28-GHz-Anwendungen", so Asbeck.

Leistungsverstärker (Power Amplifiers, PAs) unterscheiden sich von den meisten anderen Chips, und die PAs, die für 5G-Mobilfunklösungen benötigt werden, unterscheiden sich wahrscheinlich deutlich von denen, die in den heutigen 4G-Smartphones und -Basisstationen verwendet werden. Die meisten 5G-Mobilfunkanwendungen werden Phased-Array-Antennen verwenden, um mehrere Strahlen zu fokussieren und zu lenken, und es ist diese Fähigkeit, die Übertragungsaufgabe auf mehrere Strahlen aufzuteilen, die 5G in die Lage versetzt, die für viele unwahrscheinlich erscheinenden Leistungsziele zu erreichen.

Während frühe 5G-Systeme den Frequenzbereich unter 6 GHz nutzen werden, liegt das eigentliche Versprechen von 5G in der Nutzung von Bandbreiten im Millimeterwellenbereich von 24, 28 und 39 GHz. Dort werden Phased-Array-Antennen, z. B. ein 4×4-Array, zum Einsatz kommen, wobei jede PA mit einer viel geringeren Leistung arbeitet als die, die zur Verstärkung der heute verwendeten omnidirektionalen Signale mit einem Strahl erforderlich ist.

Peter Asbeck, Professor an der USC

Ned Cahoon, RF Business Development Director bei GF, sagte, dass Galliumarsenid (GaAs) in der 4G-Mobilfunkgeneration eine führende Technologie im Bereich der Leistungsverstärker gewesen sei. "Wir glauben, dass wir uns von einem Sub-6-GHz-Bereich, in dem Galliumarsenid dominiert hat, zum Millimeterwellen-Markt bewegen, in dem die meisten Front-End-Lösungen aus Silizium bestehen werden.

Cahoon sagte, dass die RF-SOI-Technologie, die bereits seit über zehn Jahren in der Produktion eingesetzt wird und nun von GF auf Wafer mit 300 mm Durchmesser am 45-nm-Knoten erweitert wurde, ideal für integrierte Front-End-Geräte ist, die für 5G-Millimeterwellen-Handsets, Access Points und Basisstationen benötigt werden.

Cahoon stützt diese Überzeugung zum Teil auf die Arbeit mehrerer wichtiger Professoren auf dem Gebiet der Leistungsverstärker, insbesondere von Peter Asbeck an der University of California in San Diego (UCSD). Asbeck promovierte am M.I.T., war 15 Jahre lang in der Industrie mit der Entwicklung von Hochfrequenz-Drahtlostechnologien befasst und wurde zum Skyworks-Professor für Hochleistungs-Kommunikationsgeräte und -schaltungen an der Jacobs School of Engineering der UCSD ernannt. Für seine Entwicklung des GaAs-HBT-Bauteils ist er Mitglied der National Academy of Engineering.

Stand der Technik

Mit der 45RFSOI-Technologie von GF hat Asbeck vor kurzem Leistungsverstärker für 28 GHz entwickelt, die eine Ausgangsleistung von bis zu 22 dBm und eine Spitzen-PAE von mehr als 40 % liefern können. In einer 5G-Anwendung erfordert die übertragene Wellenform ein erhebliches Backoff von der Spitzenleistung und eine ausgezeichnete Linearität. Der 45RFSOI-Schaltkreis bietet eine durchschnittliche Ausgangsleistung von 13 dBm mit 17 Prozent Backoff-PAE für den 5G-Fall. "Dies ist das richtige Maß an Leistung und Effizienz für die meisten 5G 28 GHz-Anwendungen", sagte Asbeck und fügte hinzu, dass die PA zur Übertragung von Standard 64 QAM OFDM-Signalen verwendet wurde, ohne teure digitale Vorverzerrungstechniken (DPD) einzusetzen. Während er darauf hinwies, dass andere Forschungslabors ähnliche Ergebnisse erzielen, bezeichnete er den 45RFSOI-basierten Leistungsverstärker seines Labors als "ziemlich genau den Stand der Technik".

"Es herrscht jetzt ein intensiver Wettbewerb zwischen den verschiedenen Technologien für die entstehenden 5G-Systemsteckplätze. 45RFSOI steht kurz davor, die ideale Technologie für die Konfiguration der HF-Frontend-Module für 5G bei 28 und 39 GHz zu sein. Ich denke, dass sie sich für sehr viele 5G-Systeme durchsetzen wird", so Asbeck.

Diese Aussage ist besonders interessant, weil Asbeck in seiner Laufbahn viel mit Galliumarsenid (GaAs) gearbeitet hat, das die für Leistungsverstärker erforderlichen hohen Spannungen leichter aufnehmen kann. Seit seinem Wechsel zur UCSD im Jahr 1991 hat Asbeck Pionierarbeit geleistet, indem er Transistoren auf Siliziumbasis in Reihe schaltete, um höhere Spannungen zu erreichen, wobei diese "gestapelten" Transistoren zusammen die erforderliche Ausgangsleistung liefern. Vier Transistoren in einer seriellen Anordnung reichen aus, um die für die meisten PAs erforderlichen Spannungen zu erzeugen, sagte er. (Cahoon sagte, dass, einfach ausgedrückt, die HF-Leistung gleich der Spannung mal dem Strom ist, wobei für optimale lineare Schaltungen höhere Spannungen erforderlich sind; im Grunde das Gegenteil von digitalen ICs).

Asbeck weist darauf hin, dass es konkurrierende Technologien zu 45RFSOI gibt, darunter Galliumarsenid (GaAs), Galliumnitrid (GaN) und Siliziumgermanium (SiGe). Ein weiterer Mitbewerber ist die 22FDX®-Technologie von GF. In einem Blog von Foundry File beschrieb Gabriel Rebeiz, ebenfalls Professor an der UCSD, im vergangenen Jahr seine Arbeit zur Entwicklung rauscharmer Verstärker (LNAs) in der 22FDX-Technologie.

In einem Interview sagte Rebeiz, er glaube, dass die Leistungsstufen in 22FDX-basierten Verstärkern erhöht werden können, so dass integrierte 5G-Frontend-Lösungen entwickelt werden können. Aber Rebeiz zog den Hut vor Asbecks Arbeit im Bereich 45RFSOI: "Es ist wichtig, dass die Funktionen zusammen integriert werden, sonst hat man kein (marktfähiges) Teil. Mit RF SOI kann man nicht nur die PAs mit gestapelten Transistoren, sondern auch die Schalter stapeln. Meine Gruppe hat zusammen mit GF 45RFSOI-basierte Schalter mit nur 0,8 dB Einfügungsdämpfung gezeigt. Ja, 45RFSOI ist eine ideale Technologie für Front-End-Module".

Neben den Leistungsverstärkern müssen RF-Front-End-Lösungen auch rauscharme Verstärker und Schalter sowie Phasenschieber und Verstärker mit variabler Verstärkung integrieren. RF SOI, so Asbeck, hat sich als "weltweit bester Ansatz" für Millimeterwellen-Schalter erwiesen, die die in SiGe HBT- oder GaAs-Technologien verfügbaren Schalter "in den Schatten stellen".

"Es gibt sicherlich einige Anwendungen in 5G, die eine höhere Ausgangsleistung erfordern, als sie bisher in 45RFSOI demonstriert wurde. Bei der ersten Generation von 5G-Anwendungen können PAs in anderen Technologien wie SiGe HBT, GaAs oder GaN eingesetzt werden. Aber wir glauben, dass es eine große Chance gibt, die mit 45RFSOI erreichbare Ausgangsleistung bis in den Watt-Bereich für die Spitzenleistung weiter zu erhöhen und diese Slots sowie die Slots mit geringerer Leistung zu übernehmen", sagte er.

Minimierung von Parasiten

Was gibt RF SOI einen Vorteil? Asbeck sagte, um die erforderliche Ausgangsleistung zu erreichen, müsse man Transistoren stapeln, d. h. eine Reihe von FETs in Reihe schalten, um die Gesamtspannung zu erhöhen. Die Silizium-auf-Isolator-Struktur des 45RFSOI beseitigt alle mit dem Body-Effekt und der Substratkapazität verbundenen Parasiten, die die in Bulk-CMOS hergestellten Schaltungen behindern.

Außerdem verfügt der 45RFSOI über ein hochohmiges Substrat, das "die Kapazitäten der Verbindungen und der Bauelemente minimiert. Die drei dicken Metallschichten sorgen dafür, dass die Verluste der Anpassungsnetzwerke so gut wie bei keiner anderen IC-Technologie so gering sind. Und die hohen Ft- und Fmax-Werte sorgen für eine große Verstärkung bei 28 GHz", sagte er.

Die bei Mobiltelefonen so wichtige Batterielebensdauer hängt mit der Effizienz der Leistungsverstärker zusammen. Asbeck sagte: "45RFSOI hat einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad für die 28-GHz-Verstärker, und er ist ziemlich nah an dem besten, der in GaAs oder GaN erreicht wird. Ich denke, dass der hohe Substratwiderstand und die dicken Metalle allein schon etwa 5 Prozent zur PAE (Power Added Efficiency) der 28-GHz-Leistungsverstärker beitragen, die wir hergestellt haben. Unser Rekord liegt bei 47 Prozent PAE, mit einer gesättigten Ausgangsleistung von 19,5 dBm in einem einfachen 2-Stack-PA. Einige andere Labors berichten ebenfalls von PAEs in diesem Bereich, die 45RFSOI verwenden.

Cahoon sagte, dass Asbecks 45RFSOI-Arbeit den Wert von Hochgeschwindigkeits-pFETs zusammen mit den nFETs demonstriert hat. Asbeck sagte, dass die schnellen pFETs die Verwendung von komplementären Schaltungen ermöglichen, wobei die pFETs die AM-PM-Eigenschaften der meisten nFET-Schaltungen verbessern. "Wir sind auch für pFET-Schaltungen optimistisch, weil diese Transistoren potenziell sogar eine bessere Spannungsfestigkeit haben als nFETs", sagte er. (Die AM-PM-Wandlung eines Verstärkers ist ein Maß für den Umfang der unerwünschten Phasenabweichung (PM), die durch systemimmanente Amplitudenschwankungen (AM) verursacht wird).

Für mich gibt es zwei Aspekte, die ich mitgenommen habe. Erstens, dass der "Schwenk" von GF weg vom führenden Bulk-CMOS hin zur Unterstützung von Technologien wie RF SOI ein kluger Schachzug war.

Und wenn man Asbeck, Cahoon und Rebeiz zuhört, spürt man die Zuversicht, dass 5G-Millimeterwellen-Drahtlosverbindungen ohne weiteres erreichbar sind und der Welt unglaublich schnelle drahtlose Verbindungen auf der Grundlage erschwinglicher, hoch integrierter ICs bieten.

Über den Autor

Dave Lammers

Dave Lammers schreibt für Solid State Technology und ist Blogger für die Foundry Files von GF. Dave Lammers begann über die Halbleiterindustrie zu schreiben, als er Anfang der 1980er Jahre im Tokioter Büro von Associated Press arbeitete, einer Zeit des schnellen Wachstums der Branche. 1985 wechselte er zur E.E. Times, für die er in den folgenden 14 Jahren von Tokio aus über Japan, Korea und Taiwan berichtete. Im Jahr 1998 zogen Dave, seine Frau Mieko und ihre vier Kinder nach Austin, um ein texanisches Büro für die E.E. Times einzurichten. Als Absolvent der University of Notre Dame erwarb Dave einen Master-Abschluss in Journalismus an der University of Missouri School of Journalism.

von: Dave Lammers

Nach jahrzehntelanger Entwicklung kommt eingebettetes STT-MRAM auf den Markt und ersetzt eingebettetes NOR-Flash, das bei den Post-28nm-Knoten aufgrund von Problemen mit dem Stromverbrauch, der Maskenkomplexität und der Bitzellenskalierung nicht mehr zur Verfügung steht.

Ich habe an vielen IEDM-Konferenzen teilgenommen, auf denen sich die Unternehmen im Bereich der Logik gegenüberstanden, z. B. Intel gegen IBM im Bereich der Mikroprozessorlogik. International Electron Devices Meeting, das Anfang Dezember in San Francisco stattfand, stand ganz im Zeichen des Speichers. Ingenieure von GLOBALFOUNDRIES und mehreren anderen Unternehmen diskutierten auf den IEDM-Podien ihre eingebetteten MRAM-Programme.

So gut wie alle neuen Technologien werden vorgestellt und müssen dann jahrelang "die Kluft überwinden", ihre Zuverlässigkeit unter Beweis stellen und die Akzeptanz der Kunden gewinnen, so Tom Coughlin, Präsident des Beratungsunternehmens für Datenspeicherung Coughlin Associates, unter Bezugnahme auf das Buch von Geoffrey Moore aus dem Jahr 1991.

"Die Abkehr von der Skalierung nach dem Mooreschen Gesetz hat die Industrie befreit", sagte Coughlin. "Wir entfernen uns von der traditionellen Art und Weise, wie wir Chips bauen, und wenden uns den Chiplets zu. Und wir können die traditionellen Speicher nicht mehr so ankurbeln, wie wir es früher getan haben.

Eingebetteter MRAM ist ein Paradebeispiel für die Kreativität der Branche. Nach jahrzehntelanger Entwicklung kommt MRAM nun endlich als Flash-Ersatztechnologie auf den Markt. Laut Kangho (Ken) Lee, dem Leiter der MRAM-Abteilung bei GF Singapur, ist GF im Bereich MRAM führend, was auf die Technologie- und Fertigungserfahrung zurückzuführen ist, die im Rahmen einer gemeinsamen Entwicklungsvereinbarung mit dem STT-MRAM-Herstellungspartner Everspin Technologies (Chandler, Arizona) gewonnen wurde.

Bereit für den Einsatz

Auf der IEDM Anfang Dezember traf ich mich mit Lee und seinem Kollegen, dem Zuverlässigkeitsingenieur Lim Jia Hao, und fragte sie: Ist MRAM bereit für den Ersatz von NOR eFlash?

"Wir haben die Produktion für Everspin übernommen, und das ist absolut hilfreich. Unser eingebetteter MRAM ist bereit für die Produktion. Wir sind gerade dabei, unseren Prozess zu qualifizieren, und das wird bald geschehen. Der Ersatz von NOR-Flash ist durchaus möglich. Technologisch gibt es kein Hindernis", sagte Lee.

In seiner IEDM-Präsentation mit dem Titel "22-nm FD-SOI Embedded MRAM Technology for Low-Power Automotive-Grade-1 MCU Applications" (22-nm-FD-SOI-Embedded-MRAM-Technologie für Low-Power-Automotive-Grade-1-MCU-Anwendungen) ging Lee ausführlich auf die Arbeit ein, die geleistet wird, um die strengen Anforderungen des Automobilmarktes zu erfüllen, wo ein Embedded-Speicher in der Lage sein muss, Betriebstemperaturen von bis zu minus 40 Grad Celsius und bis zu 150 Grad Celsius zu widerstehen.

"Wir sprechen auf dieser IEDM über unseren MRAM für Anwendungen in der Automobilindustrie. Bislang hat kein Unternehmen Daten auf Makroebene in diesem Temperaturbereich gezeigt, insbesondere bei 150 Grad C. Wir zeigen die Machbarkeit eines MRAMs für die Automobilindustrie, und das ist sehr wichtig, um eingebettetes STT-MRAM als nichtflüchtige Speicherplattform in der Zukunft zu ermöglichen", sagte Lee.

Insbesondere der GF eMRAM zeigte eine Bitfehlerrate (BER) von unter einem ppm und eine hervorragende Zuverlässigkeit. "Es gibt viele MRAM-Anwendungen, und wir haben eine Technologieplattform, die für viele Anwendungen geeignet ist. ADAS (Advanced Driver-Assistance Systems) könnte ein sehr wichtiges Thema sein. Eine der Herausforderungen besteht darin, die Lesespanne von 150 Grad Celsius zu erreichen. MRAM verliert aufgrund seiner Bauteileigenschaften bei höheren Temperaturen an Lesesicherheit", sagte Lee.

Ein Weg zur Automobilqualifikation

LautMartin Mason, Senior Director of Embedded Memory, arbeitet GF aktiv mit Kunden zusammen und entwickelt neue Designs mit eingebettetem MRAM auf der 22FDX®-Plattform. Für 2019 sind mehrere Bandproduktionen geplant.

Das IoT und andere stromsparende Designs werden an erster Stelle stehen, gefolgt von SoCs für den Automobilbereich im Jahr 2020. Mason sagte, dass "ein signifikanter Anteil" der bestehenden Kunden von GF komplexe Mikrocontroller für die Automobilbranche herstellt. Laut Mason ist es für GF und die Automobilindustrie von entscheidender Bedeutung, dass MRAM den Qualifizierungsprozess für die Automobilbranche durchläuft, damit sie ihre zukünftigen Produktpläne umsetzen können.

"Es gibt keine größeren Hindernisse, die uns davon abhalten, die Anforderungen unserer Automobilkunden zu erfüllen. Wir sprechen mit ihnen darüber, in der zweiten Hälfte des Jahres 2020 qualifiziert zu sein. Wir sehen einen Fahrplan und einen Weg dorthin, und das ist das Wichtigste. Wir haben jetzt die (eMRAM-)Makros und arbeiten mit den Kunden an neuen Designs, um das, was wir zur Verfügung haben, zu charakterisieren. Glauben wir, dass wir die Spezifikationen erfüllen können? Die einfache Antwort lautet 'ja, mit ein wenig Technik'", so Mason.

Jim Handy, ein Speicheranalytiker bei Objective Analysis, sagte, dass Verbrauchergeräte, wie z. B. ein Herzmonitor, selten die Körpertemperatur eines Menschen überschreiten. Aber ein Motor oder ein Getriebesteuergerät muss bei allen möglichen Temperaturen arbeiten, sowohl bei hohen als auch bei niedrigen, was laut Handy ein "hartes Ziel" für eMRAM darstellt. Aber die Kunden brauchen es; es gibt keine NOR-Flash-Alternative jenseits von 28 Nanometern.

"MRAM kann bei Spitzenknoten attraktiv sein, nicht nur für die hochkomplexen MCUs wie die Motor- und Getriebesteuerungen, sondern vielleicht auch für das Unterhaltungssystem, bei dem es nicht um Leben und Tod geht", sagte Handy und fügte hinzu, dass die meisten der mehr als 100 MCUs in einem modernen Auto weiterhin NOR-Flash auf etwas älteren Prozessknoten verwenden werden.

Sparen von EV-Batterieenergie

Coughlin sagte, dass mit der Markteinführung von ADAS-fähigen, batteriebetriebenen Fahrzeugen die Automobilhersteller nach hochkomplexen MCUs suchen, die nicht viel Strom verbrauchen und hohen Temperaturen standhalten können. "ADAS Level 4 wird jetzt angestrebt, und das ist ein sehr komplexes System. Bei den hohen Transistorzahlen dieser MCUs müssen die Unternehmen diese Designs auf eine Spitzentechnologie stützen, und das eMRAM, das dies unterstützt, steht unmittelbar vor der Tür", sagte Coughlin und fügte hinzu, dass "das größte Problem darin besteht, dass MRAM neu ist und die Industrie noch nicht so viel Erfahrung mit seiner Herstellung hat, insbesondere bei höheren Temperaturen."

Laut Mason benötigen die Automobilkunden von GF den 22FDX mit eMRAM nicht nur für die Motor- und Getriebesteuerung, sondern auch für andere Prozessoren, die hohen Temperaturen ausgesetzt sind. MCUs, die im Armaturenbrett, in ADAS-RF-Radar- und LIDAR-Systemen oder in Kameras, die an der Front- oder Heckscheibe des Fahrzeugs montiert sind, Hitze ausgesetzt sind - all diese Komponenten sind anspruchsvollen thermischen Bedingungen ausgesetzt.

Verschiedene Schnittstellen, Seite an Seite

Mason beschrieb eine einzigartige Fähigkeit von GF: ein NOR-Flash-Ersatz-eMRAM-Makro auf einem Die mit einem anderen, kleineren eMRAM-Makro mit einer SRAM-artigen Schnittstelle. Diese vorgefertigten und verifizierten eMRAM-Makros können in 22FDX-Designs eingesetzt werden. Es gibt jetzt 32- und 16-Mbit-Makros mit einer einzigen MTJ-Bitzelle (magnetic tunnel junction), und eine NOR-Flash-Schnittstelle mit einem 4-Mbit-Makro ist für das erste Halbjahr 2019 geplant. Das 2-Mbit-Makro mit einer SRAM-ähnlichen Schnittstelle verwendet zwei MTJs für jede Bitzelle, um die Lese- und Schreibgeschwindigkeiten zu verbessern.

Das Flash-Makro verfügt über eine Schnittstelle für die Codespeicherung, während das SRAM-Makro auf demselben Chip als dauerhafter Arbeitsspeicher fungiert und somit ein komplettes System innerhalb eines Mikrocontrollers darstellt.

"Eine Reihe von Kunden verwenden beide Makros in ihren Designs. Die Verwendung von MRAM bringt keine großen Dichteeinsparungen im Vergleich zu SRAM bei 22 nm, aber sie sagten uns: "Das spielt keine Rolle, es geht wirklich um den Stromverbrauch. Bei vielen dieser tragbaren Anwendungen ist der Stromverbrauch der entscheidende Faktor. Die Kunden lieben es, die Persistenz für die Energieeinsparungen innerhalb des Chips auszunutzen, indem sie die Fähigkeit haben, vollständig statisch zu sein, ein schnelles Hochfahren nach dem Ausschalten zu unterstützen und die Datenwerte zu erhalten", sagte Mason.

Handy, der zu Beginn seiner Karriere als Speicherentwickler tätig war, sagte, dass die Menschen seit mehreren Jahrzehnten Code für getrennte ROM- und SRAM-Funktionen in sehr unterschiedlichen (Flash- und SRAM-)Transistoren geschrieben haben. "Irgendwann werden die Leute auf die brillante Idee kommen, die SRAM-Funktion in den MRAM zu integrieren, und dann werden sie anfangen, ihren Code anders zu schreiben. Aber die Leute haben sich daran gewöhnt, ihren Code drei Jahrzehnte lang auf die gleiche Weise zu schreiben, und es wird dauern, bis sie sich daran gewöhnen", sagte er.

Laut Handy ist die MRAM-Bitzelle recht klein, wenn sie in den unteren Metallschichten mit kleineren Abständen eingebaut wird. Dort kann MRAM im Vergleich zu einem SRAM-Cache etwa die Hälfte der Fläche der Bitzelle einnehmen, was zu Einsparungen bei der Chipgröße führt. In den höheren Metallschichten sind die Größen von MRAM und SRAM jedoch ähnlich.

Laut Mason arbeitet GF mit vielen Kunden zusammen, die Multi-Project-Wafer (MPWs) mit eMRAM auf 22FDX®-basierten Designs einsetzen. Eingebettetes MRAM hat mehrere (fünfmal) Löt-Reflow-Tests bestanden und weist eine erweiterte Datenspeicherung und Ausdauer auf. Es hat eine sehr vergleichbare" Lesegeschwindigkeit und eine viel schnellere (Größenordnung) Schreibgeschwindigkeit (200 Nanosekunden im Vergleich zu 20 Mikrosekunden) als Flash.

"In Kombination mit dem stromsparenden Back-Biased-SOI-Prozess und den RF-Fähigkeiten stellt die 22FDX-Plattform von GF eine hochdifferenzierte IoT-Entwicklungstechnologie dar", sagte Mason und fügte hinzu: "In der Branche findet derzeit ein entscheidender Wechsel zu neuen NVM-Speichern und Silizium-auf-Isolator-Technologien statt."

Kunden werden den 22FDX-Prozess von GF mit MRAM für ihre IoT-Designs der nächsten Generation (MCUs) evaluieren, um die Vorteile dieser neuen Technologien zu nutzen, sagte er.

"Bei eMRAM gibt es nur wenige Probleme mit der Datenspeicherung, im Gegensatz zu Flash, das hier große Probleme hat. Wir haben eine sehr umfangreiche Pipeline mit Design-Wins im Wert von über 250 Millionen Dollar. Wir bereiten uns auf die Produktion vor und schließen unsere Qualifizierungsaktivitäten ab. Im Gegensatz zu anderen eingebetteten MRAM-Lösungen haben wir ihn so konzipiert, dass er robust ist - wir glauben, dass dies der Schlüssel für die Akzeptanz als Ersatz für eFlash-Speicher und für die Überwindung der Kluft" von der frühen Akzeptanz zur Mainstream-Akzeptanz ist.

"MRAM wird sich durchsetzen, aber im Moment überquert es noch die Kluft", sagte Coughlin. Wenn eine neue Technologie auf den Markt kommt, "probieren wir in der Regel eine Reihe verschiedener Märkte aus, um zu sehen, wo sie am besten funktioniert. Genau das passiert jetzt mit MRAM. Man fängt an, sein Volumen zu vergrößern und die Kosten zu amortisieren. Das ganze Spiel besteht darin, das Volumen zu erhöhen. Je mehr die Kosten sinken, desto positiver wird es gesehen", sagte er.

Über den Autor

Dave Lammers

Dave Lammers schreibt für Solid State Technology und ist Blogger für die Foundry Files von GF. Dave Lammers begann über die Halbleiterindustrie zu schreiben, als er Anfang der 1980er Jahre im Tokioter Büro von Associated Press arbeitete, einer Zeit des schnellen Wachstums der Branche. 1985 wechselte er zur E.E. Times, für die er in den folgenden 14 Jahren von Tokio aus über Japan, Korea und Taiwan berichtete. Im Jahr 1998 zogen Dave, seine Frau Mieko und ihre vier Kinder nach Austin, um ein texanisches Büro für die E.E. Times einzurichten. Als Absolvent der University of Notre Dame erwarb Dave einen Master-Abschluss in Journalismus an der University of Missouri School of Journalism.