GlobalFoundries tritt dem Global Lighthouse Network for Manufacturing Excellence des Weltwirtschaftsforums bei September 16, 2025 GlobalFoundries' Fabrik in Singapur wurde vom Weltwirtschaftsforum für die Weiterentwicklung und Skalierung von Industrie 4.0-Technologien, die Nutzung von KI und maschinellem Lernen zur Förderung des digitalen Wandels digitale Transformation im gesamten Unternehmen SINGAPUR, 16. September 2025 - GlobalFoundries (Nasdaq: GFS) (GF) gab heute bekannt, dass das Weltwirtschaftsforum (WEF) seine 300-mm-Fertigung in Singapur als Teil des Global Lighthouse Network (GLN) der fortschrittlichen Hersteller ausgezeichnet hat. Dieser prestigeträchtige Titel würdigt die führende Rolle von GF bei der Einführung und Skalierung von Technologien der vierten industriellen Revolution (4IR) zur Förderung der unternehmensweiten betrieblichen Transformation. GF ist ständig bestrebt, die digitalen Möglichkeiten zu nutzen, um Sicherheit, Kosten, Qualität und Produktivität zu verbessern. Durch die Nutzung von KI und maschinellem Lernen transformiert GF seine Produktionsabläufe und treibt eine intelligentere, nachhaltigere Produktion in den Fabriken in den USA, Europa und Asien voran. Durch den Einsatz von mehr als 60 intelligenten Fertigungslösungen seit 2020, die KI, maschinelles Lernen, IoT und fortschrittliche Analytik nutzen, hat GF erhebliche Durchbrüche bei Kosten, Qualität und Produktivität in der Fertigung erzielt. Parallel dazu stärkt GF das breitere Ökosystem durch strategische Partnerschaften mit Hochschulen, Lösungsanbietern und staatlichen Stellen. Diese Kooperationen schaffen eine solide Pipeline an digitalen Talenten und ermöglichen die gemeinsame Entwicklung innovativer, zukunftsfähiger Lösungen. In der Zwischenzeit bilden sich GF-Ingenieure in automatisierten, datengesteuerten Umgebungen weiter und übernehmen Rollen, um Initiativen zur intelligenten Fertigung zu leiten und Innovationen voranzutreiben. Als Teil des GLN wird GF weiterhin mit anderen globalen Lighthouse-Standorten zusammenarbeiten und seine Innovationen im gesamten Ökosystem weiterentwickeln. "Unsere digitale Transformation trägt entscheidend dazu bei, die Fähigkeit von GF zu beschleunigen, differenzierte, unverzichtbare Chips zu liefern, die das Wachstum und die Akzeptanz von KI vorantreiben und gleichzeitig die Anforderungen sich schnell entwickelnder Märkte wie Mobile, Automotive und IoT erfüllen", so Niels Anderskouv, President und Chief Operating Officer von GF. "Durch die Neugestaltung der Betriebsabläufe mit Hilfe digitaler Innovationen sind wir in der Lage, schnell und zuverlässig vertrauenswürdige, qualitativ hochwertige Halbleiter zu liefern. Diese strategische Entwicklung ermöglicht skalierbares Wachstum und langfristige Wertschöpfung für unsere Stakeholder." "Die Unternehmen, die die Zukunft gestalten werden, sind diejenigen, die heute eine ganzheitliche Transformation vorantreiben und digitale Innovation, Widerstandsfähigkeit, Nachhaltigkeit, Talententwicklung und Kundenorientierung in ihr gesamtes Handeln einbinden", sagte Kiva Allgood, Managing Director und Leiterin des Centre for Advanced Manufacturing and Supply Chains, World Economic Forum. "Herzlichen Glückwunsch an die neue Lighthouse-Kohorte, die zeigt, wie zukunftsorientierte Unternehmen über Branchen und Segmente hinweg diese Vision in die Tat umsetzen und einen neuen globalen Standard für operative Exzellenz und Wirkung setzen." "Dieser Meilenstein unterstreicht die wichtige Rolle, die GF Singapur neben unseren Weltklasse-Standorten in den USA und Dresden in der globalen Fertigung von GF einnimmt", so Yew Kong Tan, Senior Vice President und General Manager, APAC Manufacturing und Singapore Site bei GF. "Im KI-Kompetenzzentrum von GF in Singapur treiben wir die Umstellung von Industrie 4.0 auf Industrie 5.0 voran, gestalten unsere Belegschaft mit den neuesten digitalen Lösungen für die aktuelle und nächste Generation von Talenten um und bauen ein robustes digitales Ökosystem auf, um Innovationen durch strategische Partnerschaften zu fördern. Durch kontinuierliche Investitionen in Spitzentechnologien und Mitarbeiter unterstreicht GF die führende Rolle Singapurs in der fortschrittlichen Fertigung und stärkt seine Position als wichtiger globaler Standort für die Halbleiterproduktion." Über GlobalFoundries GlobalFoundries (GF) ist ein führender Hersteller von Halbleitern, auf die sich die Welt zum Leben, Arbeiten und Vernetzen verlässt. Wir sind innovativ und arbeiten mit unseren Kunden zusammen, um energieeffizientere und leistungsfähigere Produkte für die Automobilindustrie, intelligente mobile Geräte, das Internet der Dinge, Kommunikationsinfrastrukturen und andere wachstumsstarke Märkte zu entwickeln. Mit seiner globalen Produktionsbasis, die sich über die USA, Europa und Asien erstreckt, ist GF eine vertrauenswürdige und zuverlässige Quelle für Kunden in aller Welt. Jeden Tag liefert unser talentiertes und vielfältiges Team Ergebnisse mit einem unnachgiebigen Fokus auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com. GlobalFoundries Inc., GF, GlobalFoundries, die GF-Logos und andere GF-Marken sind Marken von GlobalFoundries Inc. oder seinen Tochtergesellschaften. Alle anderen Marken sind das Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber. Zukunftsorientierte Informationen Diese Pressemitteilung kann zukunftsgerichtete Aussagen enthalten, die mit Risiken und Ungewissheiten verbunden sind. Die Leser werden davor gewarnt, sich auf diese zukunftsgerichteten Aussagen zu verlassen. Diese zukunftsgerichteten Aussagen beziehen sich nur auf das Datum dieser Pressemitteilung. GF ist nicht verpflichtet, diese zukunftsgerichteten Aussagen zu aktualisieren, um sie an Ereignisse oder Umstände nach dem Datum dieser Pressemitteilung oder an die tatsächlichen Ergebnisse anzupassen, sofern dies nicht gesetzlich vorgeschrieben ist. Medienkontakt:Luana Low [email protected] +65-9106-3469
Synopsys und GlobalFoundries gründen Pilotprogramm, um Chipdesign und -fertigung in die Klassenzimmer der Universitäten zu bringen September 4, 2025 Strategische Zusammenarbeit zur Bereitstellung praktischer Chip-Design-Erfahrungen zur Vorbereitung der nächsten Generation von Ingenieur-Talenten Wichtigste Highlights - Einführung eines Pilotlehrplans für die Entwicklung von Chips bis zum Tapeout", der akademischen Einrichtungen die Möglichkeit gibt, industrieorientierte Lehrveranstaltungen anzubieten. - Pilotversuche an über 40 ausgewählten Universitäten weltweit mit der Absicht, sie zu erweitern. - Kombination aus Zugang zu den EDA-Lösungen von Synopsys und den Technologielösungen von GlobalFoundries, um den Studenten wertvolle Erfahrungen aus der Praxis zu vermitteln. Sunnyvale, Kalifornien und Malta, N.Y., 4. September 2025 - Synopsys, Inc. (NASDAQ: SNPS) und GlobalFoundries (NASDAQ: GFS) (GF) gaben heute eine neue Zusammenarbeit bekannt, um ein Ausbildungsprogramm "Chipdesign bis zum Tapeout" für Universitäten weltweit zu starten. Im Einklang mit der Mission von GFLabs und Synopsys Academic & Research Alliances (SARA), Halbleiterinnovationen durch F&E und akademische Zusammenarbeit voranzutreiben, ermöglicht diese Pilotinitiative Forschern, Professoren und Studenten einen praktischen Zugang zu Chipdesign und -fertigung in der Praxis. Durch die drastische Senkung der Kostenbarriere für kundenspezifisches Silizium ermöglicht das Programm akademischen Einrichtungen, ihre Designkonzepte in funktionsfähiges Silizium umzuwandeln und so die Möglichkeiten für Bildung, Forschung und die Entwicklung von Arbeitskräften zu erweitern. Vierzig Universitäten weltweit nehmen an dem gesponserten Open-Source-Pilotprojekt 180MCU teil, das in diesem Herbst startet. Synopsys wird umfassende Unterstützung bieten, einschließlich professioneller EDA-Tools (Electronic Design Automation), Schulungen und Designmaterial, das die Synopsys Cloud Design-Plattform nutzt. Sobald die Entwürfe fertiggestellt sind, wird GF die Chips über sein GlobalShuttle Multi-Project Wafer Program herstellen, das die Entwürfe mehrerer Institutionen auf einem einzigen Wafer für die Fertigung zusammenfasst. "Die Partnerschaft mit GlobalFoundries, um einen kompletten Kurs von der Chipentwicklung bis zum Tapeout an die Universitäten zu bringen, ist ein entscheidender Schritt", sagte Dr. Patrick Haspel, Executive Director von SARA bei Synopsys. "Diese Zusammenarbeit wird den Studenten praktische Erfahrungen im Umgang mit fortschrittlichen Werkzeugen und Technologien vermitteln - Fähigkeiten, die entscheidend sind, um Innovationen in der Halbleiterindustrie voranzutreiben. Gemeinsam lehren wir nicht nur Design - wir bilden die nächste Generation von Ingenieuren aus, die die Zukunft des Siliziums gestalten werden." Synopsys und GF wollen diese Initiative zur Entwicklung von Arbeitskräften weiter ausbauen. Die nächste Phase des Tapeouts konzentriert sich darauf, diese Technologien direkt in die Klassenzimmer zu bringen und praktisches Design und Testen in den akademischen Lehrplan einzubetten. Mit dem Ziel, dass die Studenten in einer Designklasse zusammenarbeiten, wird Synopsys die Professoren darin schulen, wie sie diesen Kurs leiten können. Nach einem Shuttle-Run wird der zweite Kurs mit Chips, die für das nächste Semester zurückgegeben werden, in den Unterricht eintauchen. "Dieses Programm spiegelt unser großes Engagement für die Förderung von Halbleiterinnovationen und die Ausbildung der nächsten Generation von Talenten wider", so Bika Carter, Leiterin der externen Forschung und Entwicklung bei GF. "Indem wir Studenten und Forschern die Möglichkeit geben, ihre Entwürfe vom Konzept bis zum Silizium zu bringen, bereichern wir die Chipdesign-Ausbildung und helfen, die Zukunft unserer Branche zu gestalten. Wir sind stolz darauf, mit Synopsys zusammenzuarbeiten, um die talentierten Köpfe zu fördern, die die Durchbrüche von morgen vorantreiben." Diese Zusammenarbeit im Bereich Design Enablement wird durch das SARA-Programm von Synopsys unterstützt, das Software, Cloud-Umgebungen, Schulungen und Lehrpläne bereitstellt, um Studenten mit den neuesten Technologien und Lernmaterialien auszustatten. Die neue Synopsys-GF-Kooperation ist ein Beispiel für das Engagement des SARA-Programms, Partnerschaften für Initiativen zur Entwicklung von Halbleiterarbeitskräften einzugehen und Talentpipelines weltweit zu fördern. Das SARA-Programm stellt den teilnehmenden Universitäten nicht nur wichtige Tools und den Zugang zur Cloud-Umgebung zur Verfügung, sondern bietet auch umfassende Kursinhalte und Schulungen an. Das Tapeout-Pilotprojekt ist nur ein Aspekt des University Partnership Program von GF, das dazu dient, die Lücke in der akademischen Forschung zu schliessen und den Zugang zu neuen Technologien zu erweitern, um technologische Innovationen in der Halbleiterindustrie zu fördern. Im Rahmen der Zusammenarbeit mit mehr als 80 Universitäten, 110 Professoren und 600 Studenten wählt das Programm Projekte aus, die mit den Prioritäten der F&E-Roadmap von GF übereinstimmen, um Forschungsdurchbrüche in Bereichen wie Hochfrequenz, Radar, Quantencomputer, Silizium-Photonik, Sensoren und mehr zu unterstützen. Die Kombination von Synopsys und GlobalFoundries vereint branchenführende EDA-Design-Tools und fortschrittliche Fertigung und ermöglicht es akademischen Einrichtungen, Studenten eine integrierte, praxisnahe Reise durch den Halbleiterprozess anzubieten. Ressourcen Erfahren Sie mehr über das Synopsys Academic & Research Alliances (SARA) -Programm. Erfahren Sie mehr über das Hochschulnetzwerk von GF. Über Synopsys Synopsys, Inc. (Nasdaq: SNPS) ist der führende Anbieter von Entwicklungslösungen vom Silizium bis zum System, der es seinen Kunden ermöglicht, schnell innovative, KI-gestützte Produkte zu entwickeln. Wir bieten branchenführende Lösungen für Siliziumdesign, IP, Simulation und Analyse sowie Design-Services. Wir arbeiten eng mit unseren Kunden aus einer Vielzahl von Branchen zusammen, um ihre Forschungs- und Entwicklungskapazitäten und ihre Produktivität zu maximieren und so schon heute Innovationen zu fördern, die den Erfindungsreichtum von morgen beflügeln. Erfahren Sie mehr unter www.synopsys.com. © 2025 Synopsys, Inc. Alle Rechte vorbehalten. Synopsys, Ansys, die Synopsys- und Ansys-Logos sowie andere Synopsys-Marken sind unter https://www.synopsys.com/company/legal/trademarks-brands.html verfügbar. Andere Firmen- oder Produktnamen können Marken der jeweiligen Eigentümer sein. Über GF GlobalFoundries (GF) ist ein führender Hersteller von Halbleitern, auf die sich die Welt zum Leben, Arbeiten und Vernetzen verlässt. Wir sind innovativ und arbeiten mit unseren Kunden zusammen, um energieeffizientere und leistungsfähigere Produkte für die Automobilindustrie, intelligente mobile Geräte, das Internet der Dinge, Kommunikationsinfrastrukturen und andere wachstumsstarke Märkte zu entwickeln. Mit seiner globalen Produktionsbasis, die sich über die USA, Europa und Asien erstreckt, ist GF eine vertrauenswürdige und zuverlässige Quelle für Kunden in aller Welt. Jeden Tag liefert unser talentiertes und vielfältiges Team Ergebnisse mit einem unnachgiebigen Fokus auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com. GlobalFoundries Inc., GF, GlobalFoundries, die GF-Logos und andere GF-Marken sind Marken von GlobalFoundries Inc. oder seinen Tochtergesellschaften. Alle anderen Marken sind das Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber. Ansprechpartner für die Medien Cara Walker Synopsys, Inc. [email protected] [email protected] Kassidy Berger GlobalFoundries [email protected]
RFSOI, der Schlüssel zur Bewältigung der Herausforderungen von zellularen RF-Frontends September 4, 2025 Von Alex Margomenos Direktor, RF-Produktmanagement bei GlobalFoundries Der weltweite Datenverbrauch steigt, zum Teil aufgrund der Einführung generativer KI. Der jüngste Ericsson-Mobility-Bericht prognostiziert, dass der weltweite mobile Datenverkehr bis 2030 um das 2,3-fache auf 280 ExaBytes (1018 Bytes) pro Monat ansteigen wird. Um dieses Wachstum zu bewältigen, müssen sich Mobilfunkbetreiber, Telefonhersteller und Standardisierungsgremien auf die Erweiterung der Bandbreite, die Kombination mehrerer Datenströme pro Kanal und die Verbesserung der Datenkompression pro Symbol konzentrieren. Diese Strategien wurden während der gesamten Entwicklung der Mobilfunkstandards umgesetzt und werden voraussichtlich auch im Zuge des technologischen Fortschritts in Richtung 6G fortgesetzt. Mit 5G wurden beispielsweise zusätzliche Frequenzbänder in den Bereichen 3-6 GHz und Millimeterwellen eingeführt, die Implementierung von MIMO-Spatial-Multiplexing verbessert, fortschrittliche Beam-Steering-Techniken integriert und anspruchsvollere Modulationsverfahren ermöglicht. Darüber hinaus erhöht 5G die Nutzung von Carrier Aggregation, wodurch sowohl zusammenhängende als auch nicht zusammenhängende Bandbreiten von einzelnen oder mehreren Bändern - einschließlich der dualen Konnektivität mit 4G-LTE-Bändern - für einen höheren Datendurchsatz kombiniert werden können. Dieser Ansatz in Verbindung mit der dem Standard innewohnenden Flexibilität und Skalierbarkeit in Bezug auf Numerologie und Wellenformen (z. B. skalierbarer Unterträgerabstand, Schlitzdauer und Übertragungsbandbreiten) ermöglicht die Verbesserungen der spektralen Effizienz, die erforderlich sind, um die wachsenden Datenanforderungen zu erfüllen. Die Bereitstellung all dieser Funktionen stellt beträchtliche Anforderungen an die RF-Frontends, die mit dem Voranschreiten der Entwicklung in Richtung 6G voraussichtlich noch steigen werden. Zu diesen Anforderungen gehören: Die Unterstützung zusätzlicher Frequenzbänder erfordert mehr Inhalt in Filtern und HF-Komponenten, was die Miniaturisierung und Integration zunehmend erschwert, während der Formfaktor und die Größe des Geräts unverändert bleiben. Mehr Bänder, die näher beieinander liegen, verringern die Störungstoleranz und erfordern verbesserte Filter und Komponenten mit höherer Linearität, die sowohl im Sender als auch im Empfänger weniger Oberwellen erzeugen. Neue Bänder, flexible Numerologie und mehr Bandkombinationen für die Trägerbündelung führen zu mehr Schaltern für die Bandauswahl, Antennenauswahl und Antennenabstimmung. Die RFSOI-Technologien von GF haben bei der Bewältigung dieser Herausforderungen für zellulare Schalter und rauscharme Verstärker eine Vorreiterrolle gespielt. Im Jahr 2024 haben wir 9SW eingeführt, unsere RFSOI-Plattformder vierten Generation. Aufbauend auf der Vorgängertechnologie 8SW RFSOI bietet 9SW erhebliche Verbesserungen bei Leistung, Integration und Flächenvorteilen für Front-End-Module. 9SW basiert auf der 90-nm-Back-End-of-Line-Lithografie und bietet erhebliche Möglichkeiten zur Größenreduzierung bei digitalen Schaltungen und Schaltern. Er bietet einen verbesserten Ron*Coff und eine höhere Belastbarkeit. Zusätzlich zu den Schalt- und rauscharmen Verstärkerbauelementen umfasst die Plattform eine vollständige Reihe von logischen und analogen FETs, Schaltungs-IP, eine große Auswahl an Kondensator- und Widerstandsoptionen sowie eine vollständige RF-Designunterstützung. Schließlich umfasst sie 4 Metallstapeloptionen mit 3 bis 5 Ebenen der Metallverdrahtung, einschließlich ultradickem Metall, das hochwertige Induktoren und verlustarme Übertragungsleitungen ermöglicht. Zusätzlich zu unserem Kernangebot aktualisieren wir die 9SW-Plattform kontinuierlich mit neuen Funktionen, die die Leistung verbessern sollen. Im August haben wir zusätzliche Funktionen eingeführt, die eine Verdichtung der analogen Schaltungsfläche, leckarme Schaltgeräte und neue passive Elemente bieten. Darüber hinaus planen wir die jährliche Veröffentlichung neuer Funktionen, um die Schaltleistung, den Ron*Coff und die Leistung rauscharmer Verstärker weiter zu verbessern. Die Unterstützung von mehr Frequenzbändern, die mit dem Übergang zu 6G noch zunehmen wird, erhöht den Bedarf an Miniaturisierung und Integration in einem Smartphone. Um dies zu erreichen, führen wir die 9SW-SlateTM-Technologie ein. Unsere 9SW-SlateTM -Technologie nutzt zwei miteinander verbundene 9SW-Wafer, um die Chipgröße zu verringern, ohne die Leistung zu beeinträchtigen. Mit diesem Ansatz falten wir große Schalter-FETs in High-Stack-Konfigurationen und reduzieren so die Gesamtfläche des Chips um bis zu 45 %, während die Schalterleistung erhalten bleibt. Neben der Freigabe der Technologie und der Demonstration ihrer Leistungsfähigkeit anhand von Referenzdesigns entwickeln wir Design Enablement Tools, die Designern helfen, zweidimensionale Schaltungen auf drei Dimensionen zu migrieren, das Prototyping zu beschleunigen und Designzyklen zu verkürzen. Wenn Sie mehr über 9SW und das übrige RF-Angebot von GlobalFoundries in den Bereichen RFSOI, SiGe und RF GaN erfahren möchten, nehmen Sie bitte an den kommenden GF Technology Summits in Santa Clara, Shanghai und München sowie an unserem GlobalFoundries Technology Training für unsere Kunden aus der Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungsindustrie in Washington, D.C. teil. Alex Margomenos leitet das Produktmanagement der RF-Produktlinie bei GlobalFoundries. Die RF-Produktlinie umfasst RFSOI-, RF-GaN- und SiGe-Technologien, die zellulare RF-Frontends, Satellitenkommunikation, Luft- und Raumfahrt und Verteidigung sowie zellulare Infrastruktur unterstützen. Er ist seit vier Jahren bei GlobalFoundries tätig. Zuvor war er bei Apple, Intel, Infineon und HRL Laboratories in leitenden Positionen und als Einzelmitarbeiter tätig.
格罗方德任命胡维多为中国区总裁，助力本土业务拓展 August 31, 2025 半导体行业资深专家将推动公司在华业务发展与战略合作伙伴关系建设 中国，上海，2025年9月1日——格罗方德（GlobalFoundries）今日宣布，任命半导体行业资深人士胡维多（Victor Hu）为销售副总裁兼中国区总裁。胡维多拥有超过25年半导体及技术领域领导经验，他将负责公司在中国这一关键增长市场的战略规划、新业务拓展以及合作伙伴关系建设。 格罗方德的中国战略旨在满足中国原始设备制造商（OEM）、无晶圆厂客户以及服务中国市场的跨国公司对本地生产芯片日益增长的需求。为此，公司正逐步深化本地布局，包括：扩大办公规模，并在北京和广州开设新办公室；通过其在广州的制造生态系统合作伙伴增芯科技实现本地生产；丰富其设计服务提供商网络，提供针对格罗方德技术量身定制的增值服务。 胡维多在Qorvo、宏达国际电子（HTC）和博通（Broadcom）任职期间，展现了推动增长、优化运营及构建战略伙伴关系的卓越能力。在他最近担任Qorvo大中华区及亚太区销售副总裁期间，曾主导了一系列市场拓展项目，显著提升了该地区市场份额，并推动了业务的变革性拓展。胡维多兼具工程和商业背景，拥有深厚的商业和技术专业知识，这使他成为引领格罗方德在中国下一阶段增长的理想人选。 格罗方德总裁兼首席运营官尼尔斯·安德斯库夫（Niels Anderskouv）表示：「格罗方德始终致力于维持可靠且地域多元化的全球制造布局。中国是我们持续创新的关键地区，也是我们为客户提供安全、核心芯片的重要生产基地，满足客户在指定地点生产的需求。我们非常高兴欢迎胡维多加入格罗方德领导团队。他丰富的行业知识和领导经验，将助力我们继续加强客户关系，提升本地制造能力。」 格罗方德中国区总裁胡维多表示：「我很荣幸能在这样一个激动人心的时刻加入格罗方德。中国的半导体产业正迅速发展，我期待与我们的合作伙伴、客户以及本地团队紧密合作，延续公司的发展势头，加速格罗方德在中国市场的业务增长。」 此次人事任命、业务扩张以及本地制造合作，共同彰显了格罗方德深耕中国的承诺，以及其满足中国OEM和无晶圆厂客户对本地制造芯片需求增长的策略，同时通过为在中国的跨国客户提供高质量、成熟节点的制造服务，支持全球供应链的韧性发展。 关于格罗方德 格罗方德（GlobalFoundries）是全球领先的半导体制造商之一，致力于为人们的生活、工作和互联提供核心支持。我们通过创新与客户紧密合作，为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施及其他高增长市场交付更高能效、更高性能的产品。我们的全球生产足迹跨越美国、欧洲和亚洲，是全球客户信赖的技术来源。格罗方德拥有一支才华横溢的全球团队，他们始终以安全、持久和可持续为核心目标，全力交付卓越成果。欲了解更多信息，请访问www.gf.com。 ©GlobalFoundries Inc.、GF、GlobalFoundries、GF徽标和其他格芯标记是 GlobalFoundries Inc. 或其子公司商标。所有其他商标均为其各自所有者的财产。
GlobalFoundries kündigt Produktionsfreigabe der 130CBIC SiGe-Plattform für leistungsstarke Smart Mobile-, Kommunikations- und Industrieanwendungen an August 28, 2025 Die branchenweit erste hochleistungsfähige komplementäre BiCMOS-Technologie bietet Leistungs- und Energievorteile für wichtige Märkte und Anwendungen SANTA CLARA, Kalifornien, 28. August 2025 - GlobalFoundries (GF) (Nasdaq: GFS) gab heute auf seinem jährlichen Technologiegipfel in Kalifornien die Produktionsfreigabe seiner 130-nm-Bi-CMOS-Plattform (CBIC) bekannt, der bisher leistungsstärksten Silizium-Germanium (SiGe)-Technologie des Unternehmens. Der 130CBIC, der jetzt mit einem Prozessdesign-Kit (PDK) für das Design verfügbar ist, bietet eine unübertroffene Leistung mit NPN-Transistoren, die 400 GHz ft/fmax überschreiten, und PNP-Transistoren, die 200 GHz übertreffen. Damit ist er die einzige SiGe-Hochleistungsplattform, die mehrere Schlüsselmärkte adressieren kann, darunter Smartphones, drahtlose Infrastruktur, optische Netzwerke, Satellitenkommunikation und industrielles IoT. Der von GF in Burlington, Vermont, entwickelte und gefertigte 130CBIC ist darauf optimiert, die Grenzen der HF-Leistung in vernetzten Anwendungen zu erweitern und gleichzeitig die Kosten zu senken. Für Mobiltelefone ermöglicht die Plattform rauscharme Verstärker (LNAs), die den Stromverbrauch reduzieren und gleichzeitig eine extrem niedrige Rauschzahl beibehalten, wodurch der Batterieverbrauch gesenkt werden kann. Im Rechenzentrum ermöglichen die leistungsstarken PNP-Transistoren der Plattform innovative Verstärkertopologien, die eine hohe Verstärkungsbandbreite bei geringerem Stromverbrauch für analoge und optische Hochgeschwindigkeitsnetzwerke bieten. Die Plattform unterstützt auch fortschrittliche mmWave-Industrieradaranwendungen mit mehr als 100 GHz, die hochauflösende Abtastung und Entfernungsmessung in einem reduzierten Formfaktor ermöglichen. "Der 130CBIC stellt einen wichtigen Meilenstein in unserer SiGe-Roadmap dar. Er setzt neue Leistungsmaßstäbe für das breite Spektrum wachstumsstarker Märkte, die auf fortschrittliche RF-Technologien für schnelle und energieeffiziente Verbindungen angewiesen sind", so Shankaran Janardhanan, Senior Vice President der RF-Produktlinie von GF. "Durch die Kombination von branchenführender Transistorleistung mit einem Prozess mit geringer Maskenanzahl eröffnen wir unseren Kunden neue Wege für RF-Innovationen und ermöglichen ihnen, neue Technologien schneller auf den Markt zu bringen". Der 130CBIC ist für das Prototyping über das GlobalShuttle-Multiprojekt-Waferprogramm von GF verfügbar, wobei Shuttles bis 2025 und 2026 geplant sind. RF-Referenzdesigns sind über das Self-Service-Portal GF Connect verfügbar, um den Designprozess zu beschleunigen. Über GF GlobalFoundries (GF) ist ein führender Hersteller von Halbleitern, auf die sich die Welt zum Leben, Arbeiten und Vernetzen verlässt. Wir sind innovativ und arbeiten mit unseren Kunden zusammen, um energieeffizientere und leistungsfähigere Produkte für die Automobilindustrie, intelligente mobile Geräte, das Internet der Dinge, Kommunikationsinfrastrukturen und andere wachstumsstarke Märkte zu entwickeln. Mit seiner globalen Produktionsbasis, die sich über die USA, Europa und Asien erstreckt, ist GF eine vertrauenswürdige und zuverlässige Quelle für Kunden auf der ganzen Welt. Jeden Tag liefert unser talentiertes globales Team Ergebnisse mit einem unnachgiebigen Fokus auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com. Zukunftsorientierte Informationen Diese Pressemitteilung kann zukunftsgerichtete Aussagen enthalten, die mit Risiken und Ungewissheiten verbunden sind. Die Leser werden davor gewarnt, sich auf diese zukunftsgerichteten Aussagen zu verlassen. Diese zukunftsgerichteten Aussagen beziehen sich nur auf das Datum dieser Pressemitteilung. GF ist nicht verpflichtet, diese zukunftsgerichteten Aussagen zu aktualisieren, um sie an Ereignisse oder Umstände nach dem Datum dieser Pressemitteilung oder an die tatsächlichen Ergebnisse anzupassen, sofern dies nicht gesetzlich vorgeschrieben ist. Medienkontakt: Stephanie Gonzalez [email protected]
GlobalFoundries kündigt Verfügbarkeit der 22FDX+ RRAM-Technologie für drahtlose Konnektivität und KI-Anwendungen an August 28, 2025 Neueste Technologie aus dem Embedded-Speicher-Portfolio von GF ist jetzt für Prototypen verfügbar SANTA CLARA, Kalifornien, 28. August 2025 - GlobalFoundries (Nasdaq: GFS)(GF) gab heute auf seinem jährlichen Technologiegipfel in Kalifornien die Verfügbarkeit seiner 22FDX+ mit Resistive RAM (RRAM)-Technologie bekannt, die einen bedeutenden Fortschritt im Portfolio des Unternehmens für eingebettete nichtflüchtige Speicherlösungen (eNVM) darstellt. Die neue RRAM-Technologie bietet in Kombination mit der hochleistungsfähigen, extrem stromsparenden 22FDX®-Plattform einen sicheren Embedded-Speicher mit geringer Latenz und hoher Speicherdichte für die Codespeicherung in drahtlosen Mikrocontrollern und KI-IoT-Anwendungen. Der eingebettete RRAM von GF basiert auf der industrieerprobten OxRAM-Technologie und bietet kostengünstigen Speicher mit geringem Stromverbrauch beim Lesen und Schreiben, hoher Ausdauer und hervorragender Speicherung. Die On-Chip-Integration mit der verbesserten 22FDX-Plattform von GF bietet eine verbesserte Datenspeicherung, Zuverlässigkeit, Sicherheit und Energieeffizienz und ermöglicht kompakte und vielseitige System-on-Chip-Lösungen (SoC) für intelligente, vernetzte Geräte. Die hohe Dichte und Skalierbarkeit von RRAM ist ideal für KI-fähige IoT-Geräte, die auf leistungsstarke Intelligenz am Rande des Netzwerks angewiesen sind, wie Sensoren, Wearables und industrielle Systeme. 22FDX+ RRAM ermöglicht auch die Gewichtsspeicherung für neuronale Netze, wodurch effektivere und komplexere Netzwerke möglich werden. "Wir freuen uns, mit dem 22FDX+ RRAM das wachsende Portfolio differenzierter Technologien von GF um die fortschrittlichen Funktionen zu erweitern, die für eine energieeffiziente, vernetzte Intelligenz im Edge-Bereich erforderlich sind", so Ed Kaste, Senior Vice President der Ultra-Low-Power-CMOS-Produktlinie von GF. "Unsere neueste Lösung bietet eine überzeugende Kombination aus Dichte, Leistung und Energieeffizienz und ist damit bestens geeignet, um die Herausforderungen der nächsten Generation von KI-fähigen und vernetzten Geräten zu meistern." "GlobalFoundries ist ein wichtiger Partner für Nordic Semiconductor, da wir die Grenzen von drahtlosen Lösungen mit extrem niedrigem Stromverbrauch für die nächste Generation von vernetzten Produkten und KI-fähigen Geräten verschieben", sagte Oyvind Strom, EVP Short-Range bei Nordic Semiconductor. "Wir begrüßen die Einführung von Embedded RRAM durch GF als einen bedeutenden Fortschritt, der sichere, skalierbare und energieeffiziente Edge Intelligence ermöglicht. Diese Art von Innovation - geliefert über eine robuste globale Lieferkette - ist unerlässlich, um die wachsenden Anforderungen an Leistung, Zuverlässigkeit und Nachhaltigkeit in vernetzten Systemen zu erfüllen." Ein vorläufiges Makro-Design-Kit für 22FDX+ RRAM ist über das Self-Service-Portal GF Connect erhältlich, um den Designprozess zu beschleunigen. Die Serienproduktion ist für 2026 geplant und wird durch mehrere wichtige Kundenaufträge vorangetrieben. Künftige Generationen der eingebetteten RRAM-Technologie und der Einsatz auf anderen Plattformen sind in der Entwicklung. Über GF GlobalFoundries (GF) ist ein führender Hersteller von Halbleitern, auf die sich die Welt zum Leben, Arbeiten und Vernetzen verlässt. Wir sind innovativ und arbeiten mit unseren Kunden zusammen, um energieeffizientere und leistungsfähigere Produkte für die Automobilindustrie, intelligente mobile Geräte, das Internet der Dinge, Kommunikationsinfrastrukturen und andere wachstumsstarke Märkte zu entwickeln. Mit seiner globalen Produktionsbasis, die sich über die USA, Europa und Asien erstreckt, ist GF eine vertrauenswürdige und zuverlässige Quelle für Kunden auf der ganzen Welt. Jeden Tag liefert unser talentiertes globales Team Ergebnisse mit einem unnachgiebigen Fokus auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com. Zukunftsorientierte Informationen Diese Pressemitteilung kann zukunftsgerichtete Aussagen enthalten, die mit Risiken und Ungewissheiten verbunden sind. Die Leser werden davor gewarnt, sich auf diese zukunftsgerichteten Aussagen zu verlassen. Diese zukunftsgerichteten Aussagen beziehen sich nur auf das Datum dieser Pressemitteilung. GF ist nicht verpflichtet, diese zukunftsgerichteten Aussagen zu aktualisieren, um sie an Ereignisse oder Umstände nach dem Datum dieser Pressemitteilung oder an die tatsächlichen Ergebnisse anzupassen, sofern dies nicht gesetzlich vorgeschrieben ist. Medienkontakt: Stephanie Gonzalez [email protected]
GlobalFoundries und Silicon Labs kooperieren bei der Skalierung branchenführender Wi-Fi-Konnektivität August 28, 2025 Strategische Zusammenarbeit über die gesamte Halbleiter-Wertschöpfungskette hinweg gewährleistet eine sichere, zuverlässige Versorgung mit wichtigen Chips für die nächste Generation des IoT für Verbraucher SANTA CLARA, Kalifornien, 28. August 2025 - GlobalFoundries (Nasdaq: GFS) (GF) gab heute auf seinem jährlichen Technologiegipfel in Kalifornien einen Meilenstein für seine 40-nm-Prozesstechnologie bekannt, der durch die Partnerschaft mit Silicon Labs, dem führenden Innovator im Bereich Low-Power-Wireless, erreicht wurde. Diese skalierte Produktion von Wireless-SoCs auf 40LP, einschließlich des SiWX917 Wi-Fi 6-Chips von Silicon Labs, ermöglicht die nächste Generation von leistungsstarken und energieeffizienten vernetzten Geräten. Im Mittelpunkt dieser Partnerschaft steht das umfangreiche Portfolio von GF an kostengünstigen, funktionsreichen CMOS-Lösungen (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor), die die richtigen Funktionen für die nächste Generation von Edge-Geräten bieten. Die Silizium-erprobte 40LP-Prozesstechnologie von GF bietet niedrige Leckraten im Standby-Modus und unterstützt damit energieeffiziente, ständig eingeschaltete intelligente Geräte. Die 40LP-Plattform ist ein integraler Bestandteil des GF-Portfolios an fortschrittlichen Technologien für Sensoranwendungen, die ein außergewöhnliches Rausch-Signal-Verhältnis bieten und eine präzise Datenerfassung für die Echtzeitüberwachung gewährleisten. Der SiWX917 von Silicon Labs ist eine Single-Chip-Lösung, die entwickelt wurde, um die kritischsten Herausforderungen für batteriebetriebene IoT-Geräte zu lösen: Verlängerung der Batterielebensdauer bei gleichzeitiger Aufrechterhaltung einer dauerhaften, sicheren Verbindung. Dieser speziell entwickelte IoT-Wi-Fi 6-Chip ermöglicht es Silicon Labs, die gesamte IoT-Wertschöpfungskette zu verbinden, indem er die Fertigungsexzellenz von GF mit dem am weitesten verbreiteten Drahtlosnetzwerk der Welt kombiniert. Diese Partnerschaft zeigt, wie leistungsstarke Mobilfunktechnologie sowohl die Ausweitung des IoT-Ökosystems als auch die Schaffung intuitiver, konsistenter Benutzererfahrungen ermöglicht, die die Verbraucher inzwischen erwarten. "Unser Ziel ist es, die grundlegende Fertigungstechnologie bereitzustellen, die es Innovatoren ermöglicht, die Grenzen des Machbaren in Wachstumsmärkten wie Consumer IoT zu erweitern", so Kamal Khouri, Senior Vice President, feature-rich CMOS product line bei GF. "Wir sind stolz darauf, dass unsere differenzierten Plattformen Silicon Labs in die Lage versetzen, kosteneffiziente und leistungsstarke Lösungen zu liefern, auf die sich führende Marken verlassen." "Viel zu lange mussten sich Gerätehersteller zwischen robuster Wi-Fi-Konnektivität und langer Akkulaufzeit entscheiden. Unsere Mission ist es, diesen Kompromiss zu eliminieren", sagte Irvind Ghai, Vice President, Silicon Labs. "Unsere Zusammenarbeit mit GlobalFoundries ermöglicht es uns, sichere und zuverlässige Wi-Fi-Konnektivität in großem Maßstab für die nächste Generation von vernetzten Geräten zu liefern.Dadurch können sich Innovatoren auf ein problemloses Onboarding und eine reibungslose Benutzererfahrung konzentrieren, die ihre Kunden erwarten, während sie ihre Produkte schneller auf den Markt bringen." Über GF GlobalFoundries (GF) ist ein führender Hersteller von Halbleitern, auf die sich die Welt zum Leben, Arbeiten und Vernetzen verlässt. Wir sind innovativ und arbeiten mit unseren Kunden zusammen, um energieeffizientere und leistungsfähigere Produkte für die Automobilindustrie, intelligente mobile Geräte, das Internet der Dinge, Kommunikationsinfrastrukturen und andere wachstumsstarke Märkte zu entwickeln. Mit seiner globalen Produktionsbasis, die sich über die USA, Europa und Asien erstreckt, ist GF eine vertrauenswürdige und zuverlässige Quelle für Kunden in aller Welt. Jeden Tag liefert unser talentiertes globales Team Ergebnisse mit einem unnachgiebigen Fokus auf Sicherheit, Langlebigkeit und Nachhaltigkeit. Weitere Informationen finden Sie unterwww.gf.com. Kontakt für die Medien: Stephanie Gonzalez [email protected] Über Silicon Labs Silicon Labs (NASDAQ: SLAB) ist der führende Innovator im Bereich der Low-Power-Konnektivität und entwickelt eingebettete Technologien, die Geräte miteinander verbinden und das Leben verbessern. Durch die Kombination von Spitzentechnologie mit den weltweit am höchsten integrierten SoCs bietet Silicon Labs Geräteherstellern die Lösungen, den Support und die Ökosysteme, die für die Entwicklung fortschrittlicher Edge-Connectivity-Anwendungen erforderlich sind. Silicon Labs hat seinen Hauptsitz in Austin, Texas, und ist in über 16 Ländern vertreten. Das Unternehmen ist ein zuverlässiger Partner für innovative Lösungen in den Bereichen Smart Home, Industrial IoT und Smart Cities. Erfahren Sie mehr untersilabs.com. Hinweis für Redakteure: Silicon Labs, Silicon Laboratories, das "S"-Symbol, das Silicon Laboratories-Logo und das Silicon Labs-Logo sind Marken von Silicon Laboratories Inc. Alle anderen hier erwähnten Produktnamen können Marken der jeweiligen Inhaber sein. Für weitere Informationen: KONTAKT - [email protected]
GaN-auf-Silizium: Die skalierbare Zukunft der drahtlosen Infrastruktur August 27, 2025 Von Mark Cuezon Direktor, Drahtlose Infrastruktur & SATCOM bei GlobalFoundries Der weltweite Datenverkehr in Mobilfunknetzen nimmt weiter zu, angetrieben durch den 5G-Ausbau und stark nachgefragte Anwendungen wie Videostreaming, Spiele und IoT-Konnektivität. Der jüngste Ericsson Mobility Report zeigt, dass der Datenverkehr in Mobilfunknetzen zwischen dem ersten Quartal 2024 und dem ersten Quartal 2025 um 19 % gestiegen ist, und unter Einbeziehung des Datenverkehrs über Fixed Wireless Access (FWA) wird er sich bis 2030 auf 420 Exabyte pro Monat fast verdreifachen [1]. Dieser Anstieg ist auf mehr vernetzte Geräte und einen höheren durchschnittlichen Datenverbrauch der Nutzer zurückzuführen, der durch bessere Streaming-Qualität, Cloud-Gaming, KI-Apps und Extended Reality weiter angeheizt wird. Die Erweiterung des Frequenzspektrums, insbesondere über 6 GHz, ist entscheidend, um dieses Datenwachstum zu unterstützen und die drahtlose Kapazität und Abdeckung zu verbessern. Angesichts der steigenden Nachfrage nach leistungsstarker drahtloser Konnektivität sind effiziente und skalierbare RF-Technologien unerlässlich, um die Kosten niedrig zu halten. Beim Übergang von 5G- zu 6G-Netzwerken muss die Infrastruktur höhere Frequenzen, mehr Bandbreite und eine höhere Dichte bewältigen, was Lösungen erfordert, die sowohl Leistung als auch Kosten optimieren. Hier kommt Galliumnitrid auf Silizium (GaN-Si) ins Spiel - eine Technologie, die die hohe Leistungseffizienz von GaN mit der skalierbaren Fertigung von Silizium kombiniert und so den Weg für eine breite Akzeptanz in Funkzugangsnetzen der nächsten Generation ebnet, indem sie die Kosten senkt und die Einführung beschleunigt. Während GaN auf Siliziumkarbid (GaN-SiC) aufgrund seines hohen Wirkungsgrads, seiner hervorragenden Wärmeleitfähigkeit und seiner hohen Leistungsdichte für 5G-Leistungsverstärker (PA) im Sub-6GHz-Bereich favorisiert wurde, positioniert sich GaN-Si nun als kostengünstige Lösung für HF-Anwendungen in großen Stückzahlen. GF treibt die nächste Welle der drahtlosen Infrastruktur voran, indem es GaN-Si nicht nur als Alternative, sondern als Schlüssel für die nächste Generation von Innovationen in der drahtlosen Kommunikation positioniert. Die RF-Herausforderung: Höhere Frequenz, größere Bandbreite, hohe Effizienz Mit der Entwicklung der Mobilfunkinfrastruktur von 5G zu 6G steigt die Komplexität. Mobilfunknetzbetreiber (MNOs) und OEMs müssen nun höhere Frequenzen, größere Bandbreiten und dichtere Netze unterstützen und gleichzeitig die Kosten und den Stromverbrauch für eine rentable Bereitstellung senken. Einem Bericht von Samsung vom August 2024 zufolge wird erwartet, dass sich die Anzahl der Antennenelemente bei Funkgeräten, die in den Bändern FR1 n104 (6,425-7,125 GHz) und FR3 (7,125-24,25 GHz) betrieben werden, im Vergleich zu den heutigen 5G-Sub-6-GHz-Funkgeräten mindestens verdoppeln wird [2]. Mehr Antennenelemente für die gleiche Gesamtausgangsleistung des Funkgeräts senken den Leistungsbedarf der einzelnen Antennen, was kostengünstige Lösungen wie GaN-Si gegenüber GaN-SiC begünstigt. Höhere Frequenzen ermöglichen engere Antennenabstände, wodurch mehr einzelne Antennenelemente in bestehende Grundflächen passen, aber auch die Anzahl der Halbleiter und die BOM-Kosten steigen. Diese Entwicklung in der Funkarchitektur ermöglicht den Einsatz von GaN-Si aufgrund der geringeren Anforderungen an die Ausgangsleistung von Leistungsverstärkern und etabliert GaN-Si als führenden Ersatz für GaN-SiC zur Kostensenkung. GaN-Si: Leistungssteigerung und Skalierbarkeit GaN-Si ermöglicht die Integration der GaN-Epitaxie auf 200-mm-Siliziumwafern mit großem Durchmesser und hoher Ausbeute, wobei die gleiche Fertigungsinfrastruktur wie bei fortschrittlichen CMOS-Technologien genutzt wird. Dies bringt entscheidende Vorteile mit sich: Geringere Kosten pro RF-Gerät durch Größenvorteile, wie oben erwähnt Höherer Produktionsdurchsatz durch etablierte Siliziumfabriken Möglichkeit der Integration mehrerer Schaltkreisblöcke durch heterogene Integration oder 3D-Stapelung Obwohl SiC-Substrate eine bessere Wärmeleitfähigkeit bieten, sind die geringeren Material- und Verarbeitungskosten von GaN-Si im Vergleich zu GaN-SiC ideal für großvolumige Anwendungen wie Massive MIMO und kleine Zellen, die eine kostengünstige RAN-Erweiterung unterstützen. GaN-Si erreicht auch eine vergleichbare HF-Leistung in den mittleren bis oberen 5G FR1 (3,3-7,125 GHz) und 6G FR3 (7,125-24,25 GHz) Bändern. Bei GlobalFoundries ermöglichen wir, dass GaN-on-Si eine breite Palette von Infrastrukturanwendungen unterstützt: C-Band (n77/n78) und n79 Massive MIMO-Funkgeräte 5G Small Cell und Open RAN Plattformen 6G FR3-Architekturen, die breitbandige PAs mit hoher Linearität und Effizienz erfordern Dank der Skalierbarkeit auf Siliziumbasis eignet sich GaN-Si auch ideal für Co-Packaged-RF-Lösungen und hybride Integration - alles wichtige Voraussetzungen für drahtlose Infrastrukturplattformen der nächsten Generation. Partnerschaften für die Zukunft: Die GaN-Si-Roadmap von GF Bei GlobalFoundries schaffen wir die Grundlage für das nächste Jahrzehnt der drahtlosen Innovation. Unsere GaN-on-Si-RF-Plattform auf 200-mm-Wafern wurde entwickelt, um die Markteinführung für Anbieter drahtloser Infrastrukturen zu beschleunigen. Wir arbeiten mit Partnern aus dem Ökosystem zusammen, um Innovationen in den Bereichen Packaging, Wärmemanagement und HF-Schaltungsdesign voranzutreiben. Damit stellen wir sicher, dass GaN-Si nicht nur die heutigen 5G-Anforderungen erfüllt, sondern auch für die Herausforderungen von 6G in Bezug auf Frequenz, Bandbreite, Leistung und Effizienz bereit ist. Mit GlobalShuttle, dem Multi-Projekt-Wafer-Programm (MPW) von GF, können Kunden das Potenzial der RF-GaN-Si-Technologie effizient und kostengünstig evaluieren und so ihre Produktentwicklungszyklen beschleunigen und die Zeit bis zur Markteinführung verkürzen. Im Zuge der Weiterentwicklung drahtloser Netze müssen die Anbieter drahtloser Infrastrukturen Technologien einsetzen, die ein ausgewogenes Verhältnis zwischen Leistung und Herstellbarkeit bieten. Während GaN-SiC für Nischenanwendungen mit extrem hoher Leistung relevant bleibt, ist GaN-Si der Weg in die Zukunft für skalierbare, hocheffiziente RAN-Implementierungen. Durch die Umstellung auf GaN-Si können Mobilfunknetzbetreiber und OEMs die Vorteile der GaN-Technologie nutzen - ohne die wirtschaftlichen Beschränkungen herkömmlicher Substratmaterialien. GlobalFoundries ist stolz darauf, an der Spitze dieses Übergangs zu stehen und die drahtlose Zukunft mit skalierbaren, effizienten RF-Technologien voranzutreiben. [1]: Ericsson Mobility Report Juni 2025 [2]: Samsung Forschungsbericht August 2024 Mark Cuezon ist Director of Wireless Infrastructure and SATCOM End Markets bei GlobalFoundries. In dieser Funktion treibt er das strategische Wachstum und das Kundenengagement im Bereich der drahtlosen Konnektivitätsnetzwerke und -plattformen der nächsten Generation voran.
