März 15, 2016Neue PAx-Angebote ermöglichen es Kunden, ein optimales Gleichgewicht zwischen Leistung, Integration und Kosten zu nutzen, um die Anforderungen der sich entwickelnden Mobilfunkstandards zu erfüllen Santa Clara, Kalifornien, 15. März 2016 - GLOBALFOUNDRIES kündigte heute neue fortschrittliche Hochfrequenz-Siliziumlösungen an, die das Portfolio an Silizium-Germanium (SiGe)-Leistungsverstärkertechnologien weiter ausbauen, um leistungsoptimierte Mobilfunk- und Wi-Fi-Lösungen in immer anspruchsvolleren mobilen Geräten und Hardware zu ermöglichen. Die 5PAx und 1K5PAx von GF, die zusammen als PAx bezeichnet werden, sind die jüngsten Erweiterungen seiner breiten Familie von SiGe-basierten PA-Technologien. Die fortschrittlichen Angebote bieten optimierte PA-, LNA- und Switch-Technologien mit verbesserter Leistungseffizienz, Rauschzahl und Einfügungsdämpfung und ermöglichen energieeffizientere Wi-Fi- und Mobilfunklösungen der nächsten Generation für schnelleren Datenzugang und unterbrechungsfreie Verbindungen. "Mobilfunkanbieter stehen unter wachsendem Druck, ihre Netzwerkkapazitäten zu erweitern, da der drahtlose Datenverbrauch weiterhin rapide ansteigt", so Dr. Bami Bastani, Senior Vice President des Geschäftsbereichs GF RF. "Unser breit gefächertes Portfolio an hochleistungsfähigen SiGe-Leistungsverstärker-Technologien bietet einen deutlichen Design-, Leistungs- und Kostenvorteil, der es unseren Mobilitätskunden ermöglicht, kosteneffiziente Lösungen mit schnellerem Datendurchsatz zu liefern, größere Abdeckungsbereiche zu unterstützen und weniger Strom zu verbrauchen." Skyworks, ein führender Anbieter von analogen Hochleistungs-Halbleiterlösungen, plant, die Technologie zu nutzen, um sowohl die Leistungsfähigkeit als auch die Effizienz der nächsten Generation von mobilen WLAN-Produkten und Hochleistungs-WLAN-Produkten, einschließlich Access Points, Routern und IoT-Anwendungen, zu verbessern. "Die Weiterentwicklungen der SiGe PAx-Technologien von GF ermöglichen RF-Frontend-Lösungen für alle Leistungs- und Komplexitätsstufen", so Bill Vaillancourt, Vice President und General Manager Mobile Connectivity bei Skyworks Solutions. "Mit diesen fortschrittlichen Funktionen und der Möglichkeit, den Formfaktor durch die Implementierung mehrerer HF-Funktionen auf einem Chip zu minimieren, erweitern die neuesten PAx-Angebote von GF die Möglichkeiten integrierter Halbleiterlösungen, die den Bedarf der Kunden an leistungsstarken und kostengünstigen Technologien für tragbare drahtlose Kommunikationsgeräte erfüllen." Die SiGe PA-Familie von GF besteht aus vier Technologien: SiGe 5PAe, 1KW5PAe und jetzt 5PAx und 1K5PAx. Alle vier Angebote basieren auf der bewährten Through-Silicon-Via-Technologie von GF und bieten Kunden, die derzeit Alternativen auf Basis von Galliumarsenid (GaAs) einsetzen, erhebliche Vorteile in Bezug auf Leistung, Integrationsfunktionalität und Kosten. Bis heute wurden weltweit mehr als drei Milliarden SiGe-Leistungsverstärker mit dieser Technologiefamilie ausgeliefert, und GF hat kürzlich in zusätzliche Fertigungskapazitäten investiert, um dem erwarteten Wachstum im Mobilfunksektor Rechnung zu tragen. Die neuesten Angebote, 5PAx und 1K5PAx, sind für die strengen Anforderungen der sich entwickelnden Mobilfunkstandards wie 802.11ac optimiert, die einen dreimal schnelleren Datendurchsatz als die vorherige Generation von Standards erfordern. Für 5-GHz-Anwendungen unterstützt SiGe 5PAx, der Nachfolger von SiGe 5PAe, eine Verstärkung von 2 dB sowie eine Verbesserung des PAE um 5 Prozent und des LNA (Low Noise Amplifier) um 0,2 dB im Vergleich zur vorherigen Generation. SiGe 1K5PAx wird wie sein Vorgänger 1KW5PAe auf einem hochohmigen Substrat aufgebaut und ist auf Integration und höhere Leistung abgestimmt. Er verfügt über HF-Schalter mit einem um etwa 15 Prozent besseren Ron-Coff im Vergleich zum 1KW5PAe und ermöglicht es Entwicklern, den Formfaktor zu minimieren, indem sie mehrere Funktionen wie Leistungsverstärker, HF-Schalter und LNAs auf einem einzigen Chip implementieren. Weitere Informationen zu den SiGe-Technologien von GF erhalten Sie von Ihrem GF-Vertriebsmitarbeiter oder unter globalfoundries.com/SiGe. Über GF GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den USA, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakte: Erica McGillGF(518) 305-5978[email protected]
