INVECAS und GLOBALFOUNDRIES kündigen Verfügbarkeit einer fortschrittlichen 14-nm-FinFET-Design-IP-Bibliothek für High-Performance-Computing, Netzwerke und mobile High-End-Anwendungen an September 28, 2016Silizium-erprobte und optimierte IP von INVECAS ist jetzt für foundry Kunden auf GLOBALFOUNDRIES 14LPP Prozess verfügbar Santa Clara, Kalifornien, 28. September 2016 - INVECAS Inc., ein führender Anbieter von IP-, ASIC- und Embedded-Software-Lösungen, und GF gaben heute die Verfügbarkeit von Foundation IP für die 14-nm-FinFET-Technologie von GF bekannt. Die siliziumerprobte IP von INVECAS ist für die Leistungs-, Energie- und Flächenanforderungen von Hochleistungsanwendungen wie High-End-Smartphones, Netzwerk-, Server- und Grafikprozessoren optimiert. Diese anwendungsspezifische Bibliothek ermöglicht es Kunden, schnell leistungsstarke und energieeffiziente Systeme zu entwickeln. INVECAS IP nutzt die Vorteile von FinFET, um mehr Verarbeitungsleistung auf kleinerem Raum für die anspruchsvollsten Anwendungen zu liefern. Das umfassende IP-Portfolio umfasst Basis-IP wie Allzweck-I/O (GPIO), Speicher, Standardzellenbibliotheken und eine vollständige Reihe von Schnittstellen- und Analog-IP-Lösungen. "GFs 14LPP bietet eine Silizium-erprobte Lösung für Kunden, die ihre Produkte differenzieren und die Time-to-Volume von Designs mit komplexen Technologien beschleunigen wollen", sagte Alain Mutricy, Senior Vice President of Product Management bei GF. "Wir verbessern unsere Technologie durch frühzeitige Zusammenarbeit mit Ökosystempartnern wie INVECAS, um eine robuste Infrastruktur mit einer risikoarmen, siliziumerprobten und effizienten Designstrategie zu gewährleisten. Unsere strategische Beziehung zu INVECAS bietet unseren Kunden die für Leistung und Stromverbrauch optimierten IP-Plattformen von 14LPP, um ihre SoC-Designs auf ein neues Niveau zu heben und das leistungsstärkste Silizium für eine breite Palette von Anwendungen zu liefern." "INVECAS hat es sich zur Aufgabe gemacht, SoC-Design-Herausforderungen mit optimierter IP und Silizium-Realisierungsservices auf den Prozessen von GF zu meistern", so Dasaradha Gude, Chairman und CEO von INVECAS Inc. "Durch die Kombination unserer bewährten Expertise auf Systemebene mit der fortschrittlichen 14-nm-FinFET-Technologie von GF sind wir einzigartig positioniert, um Komplettlösungen für die Märkte Compute, Communication, Mobile und Automotive anzubieten. INVECAS wird seine Silizium-erprobten IP-Lösungen während der GF Technology Conference (GTC) am 29. September im Sofitel Munich Bayerpost in München präsentieren. ÜBER INVECAS INVECAS bietet Halbleiter-IP und Silizium-Realisierungsdienste für GF-Kunden aus seinen Entwicklungszentren in den USA und Indien an. Das Unternehmen kann auf eine lange Erfolgsbilanz bei der Bereitstellung von hochleistungsfähigem und energieeffizientem IP zurückblicken und hat mit zahlreichen Designs in führenden Prozessen immer wieder erste Erfolge erzielt. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.invecas.com. Über GF GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den USA, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakt:Erica McGillGF(518) 305-5978[email protected]
Mit Snap Circuits Kits in Aktion treten September 26, 2016 Von Fernando Guarin Ein bisschen (oder ein Byte) Geschichte Als ich 2006 bei IBM begann, Schüler mit Snap Circuits zu betreuen, suchten wir nach kreativen Aktivitäten, die den Schülern vermitteln konnten, was ein Elektroingenieur tagtäglich tut. Wir begannen damit, die Bausätze in lokalen Schulen im Rahmen der "Engineer Week" einzusetzen, und weiteten dies dann auf die einwöchigen Camps aus, die wir im Sommer für Mädchen veranstalteten. Seit 2008 habe ich mein Engagement im Bereich Mentoring auf die Electron Devices Society (EDS) des IEEE ausgeweitet und mit Unterstützung der Organisation mit einer Reihe von Ingenieuren zusammengearbeitet, um junge Menschen durch ein weltweites Mentoring-Programm namens EDS-ETC (Engineers Demonstrating Science: an Engineer Teacher Connection) zu inspirieren. Das 2010 formell eingeführte Programm wurde mit Hilfe von Freiwilligen aus den Ortsverbänden Rochester, Boise und Mid-Hudson Valley in New York entwickelt. Diese engagierten Freiwilligen führten erste Evaluierungen durch und arbeiteten dabei mit ihren lokalen Wissenschaftslehrern aus der vierten bis zwölften Klasse zusammen. In der ersten Phase des Projekts wurden den Ortsverbänden in den Vereinigten Staaten Snap-Circuits-Bausätze zur Verfügung gestellt. Kurz darauf wurde das Programm auf EDS-Sektionen in der ganzen Welt ausgeweitet, wobei alle IEEE-Regionen beteiligt waren, in denen sich die Studenten der lokalen EDS-Sektionen aktiv engagierten. Die einzige Voraussetzung für die kostenlose Bereitstellung von Kits ist die Vorlage eines Plans, in dem angegeben wird, wie die Kits verwendet werden sollen. Im Jahr 2015 nahmen mehr als 9.000 junge Studenten an über 130 Veranstaltungen auf der ganzen Welt teil Die Technik macht den Unterschied Das Hauptziel des Programms besteht darin, den Mitgliedern der Ortsverbände die Möglichkeit zu geben, Schulen vor Ort zu besuchen und Veranstaltungen zu organisieren, um junge Schüler für die Elektrotechnik zu begeistern. Mithilfe der einfach zu verwendenden Snap Circuit Kits lernen die Schüler elektronische Schaltungen auf praktische Weise kennen und erleben so das spannende und kreative Feld der Elektronik. Wir hoffen, sie zu ermutigen, Elektrotechnik und Elektronik als Beruf in Betracht zu ziehen. Dieses vielseitige Werkzeug wurde zusammen mit dem Enthusiasmus und dem Fachwissen der EDS-Freiwilligen eingesetzt, um die vielen Anwendungen zu demonstrieren und junge Schüler für das spannende Gebiet der elektronischen Geräte zu motivieren. Um in der Welt etwas zu bewegen, müssen wir in unseren eigenen Gemeinden und Schulen vor Ort ansetzen. Wir müssen mit den lokalen Behörden und der Industrie zusammenarbeiten, um die nächste Generation von Ingenieuren und Wissenschaftlern zu inspirieren, die an der Lösung der dringendsten Herausforderungen in der Welt arbeiten werden - sauberes Wasser, Wind-/Wellen-/Wasserkraft, Photovoltaik/Solarzellen, Abfallwirtschaft, Erdwärme, Energiepflanzen, Energiegewinnung, Gesundheitsfürsorge und vieles mehr. Es wird viel Arbeit für die nächste Generation von Ingenieuren geben. Die Technologien, die fortschrittliche Hersteller entwickeln und an ihre Kunden liefern, werden die Zukunft prägen. Wir alle müssen unseren Beitrag leisten, um den Ingenieurnachwuchs zu fördern, indem wir unser Wissen mit den jungen Köpfen teilen, die unserem Planeten eine glänzende Zukunft sichern werden. Engagieren Sie sich noch heute! Erkundigen Sie sich bei Ihrem Arbeitgeber nach verfügbaren Bildungsprogrammen. Organisieren Sie eine Maker Faire oder schließen Sie sich mit Lehrern und Kollegen vor Ort zusammen, um ein Mentorenprogramm ins Leben zu rufen. Snap Circuits-Bausätze sind eine großartige Möglichkeit, um Schüler aller Altersgruppen zu motivieren. Weitere Optionen sind Raspberry Pi™, Arduino™ und mehr! Klicken Sie hier, um weitere Informationen über das IEEE EDS-ETC Programm zu erhalten und um ein entsprechendes Video anzusehen.
FDX "Keine Nischentechnologie" September 22, 2016Von Dave Lammers Von allen Zahlen, die für die vollständig verarmte SOI-Technologie von GLOBALFOUNDRIES angegeben werden, sticht für mich die Zahl 39 heraus. Das ist die Anzahl der Maskenschichten, die erforderlich sind, um einen vollständig verarmten 22-nm-SOI-Chip mit acht Metallschichten herzustellen. Zum Vergleich: Für einen vergleichbaren Chip mit FinFET-Transistoren werden 60 Masken benötigt, so Jamie Schaeffer, der Leiter des FDX™-Programms. Natürlich sind Vergleiche zwischen FinFET- und FD-SOI-Technologien ungenau. Beide haben ihre Vorzüge. Bei FD-SOI kostet der erste SOI-Wafer ein Mehrfaches eines Bulk-Wafers. Es gibt Unterschiede beim Antriebsstrom. Aber bedenken Sie, wie viele heikle Ätzschritte zur Herstellung der Rippen und wie viele Mehrfachdurchläufe durch teure Scanner diese zusätzlichen 21 Maskenschichten erfordern. Dann wird klar, dass FD-SOI Kostenvorteile bieten kann, die nicht wirklich vorhanden waren, als der Wettbewerb zwischen Bulk-Planar- und SOI-Planar-Technologien stattfand. Bedenken hinsichtlich der Kontinuität 22FDX®-Designs befinden sich derzeit in der Prototypenphase, die Risikoproduktion soll im ersten Quartal 2017 beginnen. Die kürzlich angekündigte 12FDX™-Technologie geht 2019 in die kommerzielle Produktion. Dan Hutcheson, CEO von VLSI Research Inc. befragte 75 Entscheidungsträger in sechs Chip-Unternehmen, sechs EDA- und IP-Anbietern und zwei Universitäten und stellte fest, dass eine ihrer Sorgen die Kontinuität war. Eine der Fragen, die in der Umfrage geäußert wurden, lautete: "Gibt es eine Zukunft? Sie wollten sicherstellen, dass es einen nächsten Knotenpunkt für die FD-SOI-Technologie gibt". Schaeffer wies auch auf die Bedeutung des Faktors Nachfolge hin. "Die gesamte FDX-Roadmap, die 22 und 12FDX integriert, bietet einen komplementären Weg zu FinFETs", sagte er. Schaeffer war jedoch leicht beleidigt, als ich eine Frage stellte, die andeutete, dass die wirklichen Volumina in der FinFET-Arena bleiben werden, mit Prozessoren und Grafikchips, während FDX gut für die kleineren Kartoffeln geeignet wäre, für die Design-Teams, die nicht ganz die Ressourcen haben, um ein FinFET-Projekt in Angriff zu nehmen. "Wir machen das nicht als Nischentechnologie", antwortete er. "Wir zielen auf großvolumige Gelegenheiten ab - Transceiver, WiFi, Bildverarbeitung und Automotive. Wir beabsichtigen, einen großen Teil unserer Fab 1 in Dresden zu füllen, und haben Pläne für eine Kapazitätsausweitung", so Schaeffer. GLOBALFOUNDRIES 22FDX wird in Europas größter 300mm-Fabrik hergestellt Dieses Wort, Transceiver, ist der Schlüssel zum FDX-Programm. Die 22FDX-Transistoren weisen eine Fmax im 325-GHz-Bereich auf, die die aufkommende 5G-Mobilfunkspezifikation erfüllen kann. Schaeffer sagte, dass die 22FDX- und 12FDX-Technologien "eine einzigartige Gelegenheit bieten, mmWave-Transceiver mit ADCs, DACs und digitalem Basisband zu integrieren. FinFETs bieten die digitale Skalierung, aber nicht die HF-Leistung, die bei mmWave-Frequenzen erforderlich ist. Auf dem IoT-Markt könnte die FDX-Technologie mikrocontrollerbasierte SoCs mit integrierter Low-Power-Wireless-Technologie unterstützen. Sie könnte auch für Produkte ins Spiel kommen, die auf den neuen WiFi-Standards der Gigabit-Klasse basieren. Und je nachdem, wie schnell sich der 5G-Mobilfunkstandard durchsetzt und wie er sich in die selbstfahrenden Autos der Zukunft einfügt, könnte FDX in der Automobilbranche große Verbreitung finden. Analog Freundlich Hutcheson sagte, dass er SOI skeptisch gegenüberstand, bis er die Umfrage von VLSI Research durchführte und mit Gerätephysikern über die relativen Vorzüge von FinFETs und SOI-Transistoren sprach. "Als wir die Entwicklungsingenieure befragten, sagten sie, dass SOI für analoge Anwendungen viel besser sei als FinFETs." Dick James, Senior Fellow bei ChipWorks (Ottawa), sagte, dass Analogdesigner auf die Möglichkeit angewiesen sind, die Breite ihrer Transistoren anzupassen. Bei FinFET-basierten Schaltungen müssen die Entwickler mit einer quantisierten Transistorbreite" arbeiten und die Transistorbreiten durch die Verwendung mehrerer Lamellen anpassen. "Mit planaren Transistoren können Analogentwickler ihre Schaltungen abstimmen, indem sie breitere Transistoren an beliebigen Stellen einsetzen", so James. Auch die Debatte über den Stromverbrauch kippt zugunsten von SOI, so James. Mit der vergrabenen Oxidschicht (Buried Oxide Layer, BOX) kann theoretisch jeder Transistor von einer Isolationsschicht umgeben sein, und das hilft bei der Kontrolle von Leckagen und Parasitären. Back-Biasing spielt auch eine Rolle bei der Kontrolle des Stromverbrauchs, indem es die Schwellenspannung anhebt und Leckagen reduziert, wo es angebracht ist. Die Debatte über die relativen Vorzüge von Bulk-FinFETs gegenüber der SOI-Technologie wird schon seit Jahrzehnten geführt und nahm im Sommer 1998 an Intensität zu, als IBM offiziell ankündigte, für seine Serverprozessoren auf SOI umzustellen. Intel setzte sich vehement für die Beibehaltung der Bulk-Silizium-Technologie ein, was schließlich zu den FinFETs führte, die während des letzten Jahrzehnts im Mittelpunkt standen. Jetzt erreicht die Debatte über FD-SOI oder FinFET - und darüber, wo beide im heutigen Technologiespektrum angesiedelt sind - eine neue Intensität, die sich auch auf dem Markt bemerkbar machen wird. Aber warum 22? Warum nicht FDX20? Und warum 12, anstatt die von anderen favorisierte 10-nm-Grenze zu verwenden? Hier geht es wieder um die Frage der Produktionskosten. Bei den 22-nm-Designregeln, so Schaeffer, ist eine Single-Pass-Strukturierung ausreichend. Eine doppelte Strukturierung ist nicht erforderlich. Bei 12 nm reicht die doppelte Strukturierung für die kritischen Schichten aus, so dass eine drei- oder vierfache Strukturierung nicht erforderlich ist. Das war's. Mit 39 Maskenschichten, überlegenen Trägerfrequenzen bei geringer Leistung könnte FDX eine Alternative zu FinFETs darstellen, insbesondere in Märkten, in denen die Kombination aus Transistordichte und guter HF-Leistung geschätzt wird. Möge der Wettbewerb beginnen.
格芯将提供行业领先高性能产品—7纳米FinFET技术 September 15, 2016公司为追求终极处理能力的产品拓展了它领先的规划路线图 加州 圣克拉拉，2016年9月15日 — 格芯今天宣布了为下一个时代的计算机应用提供具有终极性能的领先的7纳米FinFET半导体技术的计划。此技术可以为数据中心、网络、顶级移动处理器、深度机器学习应用提供更高的运算处理能力。 对比与现今16/14nm代工厂FinFET产品，格芯的全新7纳米FinFET预期将提供两倍的逻辑密度和30%的性能增长。平台基于工业标准FinFET晶体管结构和光学刻印技术，配备在关键层次的EUV匹配能力。此方案将通过大量重复利用公司14纳米FinFET技术的制程和工具来进行加速生产。14纳米FinFET技术现于纽约州萨拉托加的8号晶圆厂以投入大批量生产。格芯计划额外投入数十亿美元在8号晶圆厂以实施7纳米FinFET生产。 “格芯在从14纳米直接跳跃到7纳米，这一技术上的大胆的决定得到了很多领先半导体公司的支持，特别是当他们知道成本高昂的10纳米技术只能带来有限的性能和功率优势”，TIRIAS研究公司的创办人及分析部主任Jim McGregor说道。“如同28纳米与16/14纳米制程节点，7纳米技术至少在下一个10年内将成为主要节点，并将被整个半导体行业大量使用。” “对于加强下一代计算机体验的计算和图像产品规划来说，类似格芯7纳米FinFET这样的领先技术是关键因素，”AMD主席及总裁Lisa Su博士说道。“我们渴望与格芯继续密切合作，并期待见证格芯在近几年将14纳米技术中展现出的可靠执行与技术基础延续到7纳米技术上。” “IBM承诺，将推动半导体科技的极限作为积极长期研究的计划，并提上战略日程。”IBM研究中心高级副总裁 Arvind Krishna说道，“IBM研究中心持续与格芯合作开发新概念、新技巧与新科技，并一起加速我们在7纳米技术和将来的共同研究。” 格芯将展示一个全面的且富有竞争力，并能与制程开发一同优化的IP库。为使客户加快对7纳米技术的采用，格芯拓展了它的战略合作伙伴范围，现与INVECAS建立合作关系，合作范围超越14LPP和FDX™制程，现已涵盖了7纳米制程技术的铸造IP开发。这将为客户建立符合性能、功耗、面积需求的早期设计提供了坚实的基础。 基于在14LPP技术平台的成功，格芯的7纳米FinFET技术定位于推动下一代的计算应用，满足对超高性能的需求，其应用范围包括高端移动SoC 和云服务器处理器及网络基建。公司的高性能产品得到22FDX® 和12FDX™的增强，而这两项技术都已达到下一代智能连接设备对超低功耗的要求， 此类设备用于移动计算，5G连接，人工智能以及无人驾驶技术。 格芯的7纳米FinFET将得到完整的基础平台和复杂的IP，包括ASIC产品。实验芯片与来自高端客户的IP已经在8号晶圆厂投入运行。本技术预计将于2017年下半年可用于客户产品设计，将于2018年早期投入风险生产。 关于格芯 格芯是世界上第一个具有真正意义上足迹遍布全球的全方位服务晶圆制造商。该公司于2009年3月成名，并迅速实现了规模化，成为世界最大的晶圆生产商之一，为250多个客户提供先进技术和独特制造的组合。格芯在新加坡，德国和美国经营，是唯一提供跨越全球三大洲的制造中心，并提供的足够灵活性和高度安全性的代工厂。该公司的300mm晶圆厂和200mm晶圆厂提供从主流到前沿的全系列制程技术。格芯的制造业务遍及全球，而格芯位于美国，欧洲和亚洲的半导体业务中心的大量的研发和设计实现人员为格芯的全球制造业务提供全面的支持。格芯由Mubadala Development Company拥有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。
格芯在22FDX®平台启动嵌入式MRAM September 15, 2016高性能嵌入式非易失性内存方案，是物联网汽车自动化领域新兴应用的完美选择 加州圣克拉拉，2016年9月15日—格芯今天介绍了可进化的嵌入式磁阻性非易失性内存技术（eMRAM），基于22FDX®平台，提供比现在的NVM产品快1000倍的写入速度和高1000倍的耐用性。在维持企业领先的eMRAM存储单元大小的同时，22FDX®具备了可以在260°C（在工业级别的可操作温度）回流焊接下维持数据的能力。 格芯的eMRAM将在22FDX®平台发布，应用了业内第一个22纳米耗尽时绝缘体上硅（FD-SOI）技术。具备多样性的eMRAM技术是为了代码储存（闪存）和工作内存（SRAM）设计，启用了超高效内存子系统，该子系统可在没有能量和性能损失的情况下多次重复启动。FDX™ 和 eMRAM的低功耗和有效的射频连接性IP，使22 FDX™成为电池供电的物联网产品与汽车自动化MCU的理想平台。 “客户正在寻求高效非易失性内存方案，以增加自己产品的能力，”格芯CMOS平台业务部高级副总裁Gregg Barltlett说道，“22FDX™ eMRAM的出现使系统设计者具备新的能力，将更好的功能实现在他们的MCU和SoC上，还能增进性能和功耗的表现。” 无人汽车的出现极大推动了一系列的需求，包括对芯片对内存性能的需求，这些更好的内存性能主要用于实时图像处理，高精度和连续性3D拓录数据和下一代无线更新的汽车自动化MCU。格芯的eMRAM利用独特的方法解决了此些高级驾驶辅助系统(ADAS)的要求，合并比SRAM更高密度的内存、快速写入、超高耐用性和非易失性功能，这些都只有磁阻型内存才能做到。 “新型非易失性内存正从研究阶段走向生产，”Coughlin联合公司主席Thomas Coughlin说道，“格芯的22FDX™ eMRAM将提供SoC能力上的极大的进步，利用了嵌入式MRAM的关键性能属性。电池供电的IoT设备、汽车MCU和SoC及SSD储存控制器的设计者必然会渴望利用此多样化嵌入式NVM技术的优势。” 格芯22FDX™ eMRAM的出现，是公司与MRAM界的先驱Everspin技术公司多年合作的成果。双方的合作已在2016年8月为世界提供了最高密度的ST-MRAM—Everspin的256兆DDR3处置磁场通道结型（pMJT）产品，此产品现已在格芯准备投入大批量生产。 格芯的22FDX™ eMRAM现正处于开发阶段，客户试用原型机预计于2017年问世，并于2018年投入量产。格芯的eMRAM比22纳米有更好的可扩展性，预期将在FinFET和未来的FDX平台推出。
GLOBALFOUNDRIES liefert das branchenweit leistungsstärkste Angebot an 7nm FinFET-Technologie September 15, 2016Das Unternehmen erweitert seine führende Roadmap für Produkte, die ultimative Rechenleistung erfordern Santa Clara, Kalifornien, 15. September 2016 - GLOBALFOUNDRIES kündigte heute Pläne für eine neue, führende 7nm-FinFET-Halbleitertechnologie an, die die ultimative Leistung für die nächste Ära von Computeranwendungen bieten wird. Diese Technologie bietet mehr Rechenleistung für Rechenzentren, Netzwerke, hochwertige mobile Prozessoren und Deep-Learning-Anwendungen. Die neue 7nm-FinFET-Technologie von GF soll eine mehr als doppelt so hohe Logikdichte und eine 30-prozentige Leistungssteigerung im Vergleich zu den heutigen 16/14nm foundry FinFET-Angeboten bieten. Die Plattform basiert auf einer dem Industriestandard entsprechenden FinFET-Transistorarchitektur und optischer Lithografie mit EUV-Kompatibilität auf Schlüsselebenen. Dieser Ansatz wird den Produktionsanstieg durch die Wiederverwendung von Werkzeugen und Prozessen der 14-nm-FinFET-Technologie des Unternehmens beschleunigen, die derzeit auf dem Fab-8-Campus in Saratoga County, N.Y., in Serie produziert wird. GF plant eine zusätzliche Investition in Höhe von mehreren Milliarden Dollar in Fab 8, um die Entwicklung und Produktion von 7-nm-FinFET zu ermöglichen. "Die Industrie konvergiert auf 7nm FinFET als nächsten langlebigen Knotenpunkt, was für GF eine einzigartige Gelegenheit darstellt, an der Spitze zu konkurrieren", sagte GF CEO Sanjay Jha. "Wir sind gut positioniert, um eine differenzierte 7nm-FinFET-Technologie zu liefern, indem wir unsere jahrelange Erfahrung in der Herstellung von Hochleistungschips, das Talent und Know-how unserer ehemaligen Kollegen von IBM Microelectronics und die erstklassige F&E-Pipeline unserer Forschungsallianz nutzen. Kein anderes Unternehmen foundry kann mit diesem Erbe bei der Herstellung von Hochleistungschips mithalten." "GF hat die mutige Entscheidung getroffen, direkt von 14nm auf 7nm zu wechseln - eine Entscheidung, die nun von mehreren führenden Halbleiterunternehmen unterstützt wird, da sie nur marginale Leistungs- und Stromverbrauchsvorteile für die hohen Kosten des 10nm-Prozessknotens sehen", sagte Jim McGregor, Gründer und Hauptanalyst von TIRIAS Research. "Ähnlich wie die 28nm- und 16/14nm-Prozessknoten scheint 7nm der nächste große Prozessknoten zu sein, der von der gesamten Halbleiterindustrie für mindestens das nächste Jahrzehnt in großem Umfang genutzt werden wird." "Spitzentechnologien wie GF 7nm FinFET sind ein wichtiger Bestandteil unserer langfristigen Roadmap für Computer- und Grafikprodukte, die die nächste Generation von Computererlebnissen ermöglichen", sagte Dr. Lisa Su, President und CEO von AMD. "Wir freuen uns darauf, unsere enge Zusammenarbeit mit GF fortzusetzen, während sie die solide Ausführungs- und Technologiebasis, die sie bei 14nm aufbauen, in den kommenden Jahren auf die leistungsstarke und stromsparende 7nm-Technologie ausweiten." "IBM ist bestrebt, die Grenzen der Halbleitertechnologie im Rahmen seiner aggressiven, langfristigen Forschungsagenda zu erweitern", sagte Arvind Krishna, Senior Vice President und Direktor von IBM Research. "IBM Research arbeitet weiterhin mit GF zusammen, um neue Ideen, neue Fähigkeiten und neue Technologien zu entwickeln, die dazu beitragen werden, unsere gemeinsame Forschung in der 7nm-Technologie und darüber hinaus zu beschleunigen". GF wird eine umfassende und wettbewerbsfähige IP-Bibliothek liefern, die gemeinsam mit der Prozessentwicklung optimiert wurde. Damit Kunden die Einführung der 7nm-FinFET-Technologie beschleunigen können, hat GF seine strategische Partnerschaft mit INVECAS über die 14LPP- und FDX™-Prozesse hinaus erweitert und bietet nun auch die foundry IP-Entwicklung für 7nm-Prozesstechnologien an. Dies bietet den Kunden eine solide Grundlage für die Entwicklung früher Designs, die ihre Anforderungen an Leistung, Stromverbrauch und Fläche erfüllen. "INVECAS hat sich darauf spezialisiert, den Kunden von GF konkurrenzlose IP-Lösungen, ASICs und Design-Services anzubieten, die die gesamte Bandbreite der führenden FinFET- und FDX-Prozesse von GF abdecken", sagte Dasaradha Gude, CEO von INVECAS. "Unsere strategische Partnerschaft mit GF in Kombination mit unserem maßgeschneiderten foundry IP-Modell ermöglicht es uns, eine 7nm-FinFET-Prozess-Grundlagen-IP zu entwickeln, die den anspruchsvollen Leistungsanforderungen der 7nm-Spitzenanwendungen unserer Kunden gerecht wird." Aufbauend auf dem Erfolg seiner 14LPP-Technologieplattform ist die 7-nm-FinFET-Technologie von GF so positioniert, dass sie Computeranwendungen der nächsten Generation ermöglicht, die eine extrem hohe Leistung erfordern - von mobilen High-End-SoCs bis hin zu Prozessoren für Cloud-Server und Netzwerkinfrastrukturen. Das Hochleistungsangebot des Unternehmens wird durch seine 22FDX®- und 12FDX™-Technologien ergänzt, die entwickelt wurden, um die Ultra-Low-Power-Anforderungen der nächsten Generation intelligenter, vernetzter Geräte zu erfüllen - von Mobile Computing und 5G-Konnektivität bis hin zu künstlicher Intelligenz und autonomen Fahrzeugen. Die 7-nm-FinFET-Technologie von GF wird durch eine umfassende Plattform mit grundlegendem und komplexem geistigem Eigentum (IP) unterstützt, darunter auch ein Angebot an anwendungsspezifischen integrierten Schaltkreisen (ASIC). Testchips mit IP von führenden Kunden wurden bereits in Fab 8 in Betrieb genommen. Es wird erwartet, dass die Technologie in der zweiten Jahreshälfte 2017 für die Entwicklung von Kundenprodukten zur Verfügung steht und Anfang 2018 in die Risikoproduktion übergeht. Über GF GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den USA, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakt:Jason GorssGF(518) 698-7765[email protected]
GLOBALFOUNDRIES bringt Embedded MRAM auf 22FDX®-Plattform auf den Markt September 15, 2016Leistungsstarke eingebettete nichtflüchtige Speicherlösung eignet sich ideal für neue Anwendungen im modernen IoT und in der Automobilindustrie Santa Clara, Kalifornien, 15. September 2016 - GLOBALFOUNDRIES hat heute eine skalierbare, eingebettete magnetoresistive nichtflüchtige Speichertechnologie (eMRAM) auf seiner 22FDX-Plattform vorgestellt, die Systementwicklern Zugang zu 1.000-mal schnelleren Schreibgeschwindigkeiten und 1.000-mal längerer Lebensdauer als die heutigen nichtflüchtigen Speicher (NVM) bietet. Der 22FDX eMRAM ist außerdem in der Lage, Daten bei 260°C Reflow-Lötung und bei industriellen Temperaturen zu speichern und dabei eine branchenführende eMRAM-Bitzellengröße beizubehalten. Das eMRAM von GF wird zunächst auf der 22FDX-Plattform angeboten, die auf der branchenweit ersten 22-nm-FD-SOI-Technologie (Full-Depleted Silicon-on-Insulator) basiert. Diese vielseitige eMRAM-Technologie ist sowohl für die Codespeicherung (Flash) als auch für den Arbeitsspeicher (SRAM) konzipiert und ermöglicht so hocheffiziente Speicher-Subsysteme, die ohne Energie- oder Leistungseinbußen mit Strom versorgt werden können. Die Energieeffizienz von FDX™ und eMRAM in Verbindung mit der verfügbaren RF-Konnektivitäts-IP macht den 22FDX zu einer idealen Plattform für batteriebetriebene IoT-Produkte und Automotive-MCUs. "Kunden sind auf der Suche nach einer leistungsstarken nichtflüchtigen Speicherlösung, die ihre Produktmöglichkeiten erweitert", so Gregg Bartlett, Senior Vice President CMOS Platforms Business Unit, GF. "Mit der Einführung von 22FDX eMRAM bieten wir Systementwicklern neue Möglichkeiten, um ihre MCUs und SoCs mit mehr Funktionen auszustatten und gleichzeitig die Leistung und Energieeffizienz zu verbessern. Das Aufkommen autonomer Fahrzeuge führt zu einem raschen Anstieg der On-Chip-Speicherkapazitäten, die für die Echtzeit-Vision-Verarbeitung, hochpräzise, kontinuierliche 3D-Mapping-Daten und MCUs der nächsten Generation, die Over-the-Air aktualisiert werden, erforderlich sind. Der eMRAM von GF erfüllt diese Anforderungen an fortschrittliche Fahrassistenzsysteme (ADAS) auf einzigartige Weise, indem er eine höhere Speicherdichte als SRAM mit der schnellen Schreibfähigkeit, der sehr hohen Ausdauer und der Unveränderlichkeit kombiniert, die nur magnetoresistive Speicher bieten können. "Neuartige nichtflüchtige Speicher werden vom Labor in die Fertigung verlagert", so Thomas Coughlin, Präsident von Coughlin Associates. "Der 22FDX eMRAM von GF bietet einen bedeutenden Fortschritt bei den SoC-Fähigkeiten, indem er die wichtigsten Leistungsmerkmale von Embedded MRAM nutzt. Entwickler von batteriebetriebenen IoT-Geräten, MCUs und SoCs für den Automobilbereich sowie von SSD-Speicher-Controllern werden diese vielseitige Embedded-NVM-Technologie sicherlich nutzen wollen." Die Einführung des 22FDX eMRAM von GF ist das Ergebnis der mehrjährigen Partnerschaft des Unternehmens mit dem MRAM-Pionier Everspin Technologies. Im Rahmen dieser Partnerschaft wurde bereits im August 2016 das weltweit dichteste ST-MRAM geliefert - Everspins 256-MB-DDR3-Produkt mit perpendikulärem magnetischem Tunnelübergang (pMTJ), das nun erfolgreich bemustert und bei GF für die Massenproduktion vorbereitet wird. Das 22FDX eMRAM von GF befindet sich derzeit in der Entwicklung und wird voraussichtlich 2017 für Kundenprototypen und 2018 für die Serienproduktion verfügbar sein. Die eMRAM-Technologie von GF ist über 22nm hinaus skalierbar und wird voraussichtlich sowohl auf FinFET- als auch auf zukünftigen FDX-Plattformen verfügbar sein. Über GF GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 250 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die 300-mm-Fabriken und 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den USA, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakt:Erica McGillGF(518) 305-5978[email protected]
Synopsys公司加入格芯的FDXcelerator合作伙伴计划，以实现使用FD-SOI过程的创新设计 September 9, 2016MOUNTAIN VIEWKalifornien, und SANTA CLARA, Kalifornien., Sept. 8, 2016 /PRNewswire/ - Synopsys, Inc. (Nasdaq: SNPS) und GLOBALFOUNDRIES gaben heute bekannt, dass Synopsys dem foundry's FDXcelerator™ Partner Program beigetreten ist, einem Ökosystem, das 22FDX™ System-on-Chip (SoC) Designs erleichtern soll. Dieses Programm ermöglicht es Entwicklern, die umfassende RTL-to-GSDII-Lösung von Synopsys mit überlegenen Energie- und Leistungsmetriken für FDX-basierte Designs einzusetzen. Die Zusammenarbeit beschleunigt die Entwicklung innovativer Produkte in Anwendungen, die Systeme für intelligente Kunden, 5G-Konnektivität, Augmented und Virtual Reality sowie Automotive umfassen.
Synopsys tritt GLOBALFOUNDRIES FDXcelerator Partnerprogramm bei, um innovative Designs mit dem FD-SOI-Prozess zu ermöglichen September 9, 2016Programm verschafft Synopsys Zugang zu GLOBALFOUNDRIES FDX-Portfolio und stellt Kunden Werkzeuge zur Verfügung, die die differenzierten Eigenschaften von FD-SOI unterstützen MOUNTAIN VIEW, Kalifornien und SANTA CLARA, Kalifornien, 8. September 2016 /PRNewswire/ - Synopsys, Inc. (Nasdaq: SNPS) und GLOBALFOUNDRIES gaben heute bekannt, dass Synopsys dem FDXcelerator™ Partnerprogramm von foundrybeigetreten ist, einem Ökosystem, das 22FDX™ System-on-Chip (SoC)-Designs erleichtern soll. Dieses Programm ermöglicht es Entwicklern, die umfassende RTL-to-GSDII-Lösung von Synopsys mit überlegenen Energie- und Leistungsmetriken für FDX-basierte Designs einzusetzen. Die Zusammenarbeit beschleunigt die Entwicklung innovativer Produkte in Anwendungen, die Systeme für intelligente Kunden, 5G-Konnektivität, Augmented und Virtual Reality sowie Automotive umfassen.
格芯使用12nm FD-SOI技术扩展FDX™路线图 September 8, 20162016年9月8日 12FDX™可根据需要提供全节点扩展，超低功耗和性能 加利福尼亚州圣克拉拉市 2006年9月29日 格芯今天公布了新的12nm FD-SOI半导体技术，通过提供业界首个多节点FD-SOI线路图，扩展了其领先地位。基于其22FDX®产品的成功，该公司的下一代12FDX™平台旨在实现包括移动计算，5G连联接，人工智能和自主车辆的各种应用的未来智能系统。 这个世界正在被数万亿的设备连接起来，这种趋势使得这个世界更加的集成化，同时许多新兴的应用需要采用新的半导体创新方法来实现。使这些应用成为现实,芯片正在发展成为微型系统。同时，这些微型系统中集成了超低功耗智能组件，包括无线连接，非易失性存储器和电源管理。 格芯的全新12FDX技术专门用于提供前所未有的系统集成度，以及设计灵活性和功率扩展。 12FDX为系统集成设定了新的标准，同时也提供了一个优化平台,把射频（RF），模拟，嵌入式存储器和高级逻辑集成到单个芯片上。通过使用软件控制的晶体管，该技术可以提供业界最广泛的动态电压调整和无与伦比的设计灵活性。同时，能够及时提供峰值性能，并且可以平衡静态和动态功率以实现最终的能源效率。 “某些应用需要FinFET晶体管的卓越性能，但绝大多数连接设备则需要高水平的集成度，以及在性能和功耗上的灵活性。在这些方面，FinFET是无法实现的”，格芯的首席执行官Sanjay Jha说。 “我们的22FDX和12FDX技术通过为下一代连接的智能系统提供替代途径，填补了行业路线图的空白。通过我们的FDX平台，设计成本明显降低。同时，也重新开启了高级节点迁移的门户，从而激发了整个生态系统的创新。“ 格芯的新型12FDX技术建立在12nm全耗尽绝缘体（FD-SOI）平台上，能够实现10nm FinFET的性能，同时具有比16nm FinFET更少的功耗和更低的成本。该平台提供了全节点的扩展能力，相比现今的FinFET技术，提供15％的性能提升，并节省达50％的功耗。 “芯片制造业已不再是一体化的。虽然FinFET是最高性能产品的首选技术，但是对于许多追求性价比的移动产品和物联网产品，其行业产品路线图并不是太清晰。这些产品需要尽可能低的功耗，同时能有足够快的频率。”Linley Group的创始人兼首席分析师Linley Gwennap表示， “格芯的22FDX和12FDX技术已经很好地弥补了这一空白，为先进的节点设计提供了一个替代的迁移路径，特别是针对那些在不增加裸片成本的情况下寻求降低功耗的方案。今天，格芯是22nm及以下FD-SOI唯一的供应商，这一点能让格芯显得独一无二。” “当GF推出22FDX以来，我看到一些全新的功能。” VLSI研究公司董事长兼首席执行官G. Dan Hutcheson表示，“需要特殊化设计的人们无法忽视电力和性能的动态平衡。 现在，凭借其全新的12FDX产品，格芯正在为此技术提供明确的承诺，特别是对于目前市场上最具突破性创新的物联网和汽车。 格芯的FD-SOI技术将成为这一突破性创新的关键因素。” IBS公司创始人兼首席执行官Handel Jones表示：“FD-SOI技术可以为那些需要特殊化设计的用户提供功率，性能和成本的动态平衡。”格芯的全新12FDX产品提供了业界首个FD-SOI的产品规划，这样就能将低成本的迁移路径提供给智能客户端，5G，AR / VR，和汽车等领域。 格芯在德国德累斯顿的Fab 1晶圆厂目前正在为12FDX的发展和后续制造准备进行准备。第一批为客户生产的产品预计将于2019年上半年开始生产。 “我们对于格芯12FDX产品的推出感到非常兴奋，并希望这样的产品能提供给中国的客户。”中国科学院上海微系统与信息技术研究所所长的王曦院士说，“扩展FD-SOI产品路线图将使移动，物联网和汽车等市场的客户能够利用FDX技术的功耗优势和性能优势来创造有竞争力的产品。” “NXP半导体公司的的下一代i.MX多媒体应用处理器正在利用FD-SOI的优势，实现在汽车，工业和消费应用领域的功效方面和随时进行调整能力的领先地位。” NXP半导体公司应用处理器产品线的的副总裁Ron Martino表示， “格芯的12FDX技术是对整个行业的一个巨大贡献，因为它为FD-SOI提供了下一代节点，并且将进一步扩展平面设备的能力，为未来智能、联通的安全系统提供更低的风险，更广泛的动态范围和高的性价比。” “在INVECAS，我们的授权是向格芯客户提供无与伦比的IP解决方案，ASIC，设计服务以及软件和系统级专业知识，从而确保他们充分利用技术来降低设计的复杂性和时间门槛。” INVECAS首席执行官Dasaradha Gude说， “基于我们已经为22FDX完成的工作，我们期待扩大我们的战略关系，以支持格芯的新型12FDX技术，为客户提供创新的FD-SOI设计的路线图。” “VeriSilicon作为FD-SOI设计推动者之一，充分地利用了其硅平台服务（SiPaaS）以及为SoC提供一流的IP和设计服务的经验。” VeriSilicon的总裁兼首席执行官Wayne Dai说， “FD-SOI技术的独特优势能使我们在汽车，物联网，移动和消费市场脱颖而出。我们期待与格芯扩大其在12FDX产品线上的合作，并为中国市场的客户提供高质量，低功耗和高性价比的解决方案。” “12FDX开发将在功率，性能和智能扩展方面获得更大的突破，因为12nm最适合双重刻印复写，并以最低的制程复杂度提供最佳的系统性能和功耗表现。”CEA技术研究所Leti首席执行官Marie Semeria表示，“我们很高兴看到莱迪团队与格芯在美国和德国的合作结果，扩展了FD-SOI技术的路线图，这将成为连接设备的全系统芯片集成的最佳平台。” “我们非常高兴看到22FDX产品在无晶圆厂客户圈内的强劲势头，它得到了广泛的采用。现在，这款新的12FDX产品将进一步扩大FD-SOI市场的应用。”Soitec首席执行官Paul Boudre表示， “在Soitec，我们已经准备好支持格芯，从22nm到12nm的高容量，高质量的FD-SOI衬底。这对于我们的行业来说是一个惊人的机会，可以及时支持大量新的移动和连接应用程序。” 关于格芯 GF是世界上第一个具有真正意义上足迹遍布全球的全方位服务晶圆制造商。该公司于2009年3月成名，并迅速实现了规模化，成为世界最大的晶圆生产商之一，为250多个客户提供先进技术和独特制造的组合。格芯在新加坡，德国和美国经营，是唯一提供跨越全球三大洲的制造中心，并提供的足够灵活性和高度安全性的代工厂。该公司的300mm晶圆厂和200mm晶圆厂提供从主流到前沿的全系列制程技术。格芯的制造业务遍及全球，而格芯位于美国，欧洲和亚洲的半导体业务中心的大量的研发和设计实现人员为格芯的全球制造业务提供全面的支持。格芯由Mubadala Development Company拥有。欲了解更多信息，请访问https://www.globalfoundries.com。 联系人： Jason Gorss 电话：（518）698-7765 [email protected]
