格芯拓宽了SiGe功率放大器组合,提高了无线设备的射频性能和效率

         加利福尼亚州圣克拉拉市  2016315    格芯今天宣布推出先进的射频(RF)硅s设计方案,进一步扩大矽锗(SiGe)功率放大器(PA)技术的产品组合,旨在这个日趋复杂的移动设备和硬件环境中实现性能更加优化的蜂窝和Wi-Fi 解决方案。

         格芯的5PAx和1K5PAx,放在一起被称之为PAx,是广泛基于矽锗的PA技术的最新扩展。先进的产品提供优化PA,LNA和转换器技术,同时具有改进过的功耗效率,噪声系数和插入损耗,并可实现更高功率的下一代Wi-Fi和蜂窝解决方案,以带来更快的数据访问和无中断连接。

         格芯的RF业务部高级副总裁Bami Bastani博士说:“随着无线数据消费量持续快速增长,移动供应商面临着扩大网络容量的压力。 我们广泛的高性能SiGe功率放大器技术组合提供了独特的设计和性能,以及成本优势,使我们的移动客户能够以更快的数据吞吐量提供具有成本效益的解决方案,同时支持更广泛的覆盖范围和更少的能耗。”

          Skyworks是高性能模拟半导体解决方案的领导者,计划使用该技术来增强下一代移动WLAN产品和高性能WLAN产品的功率和效率,这些产品包括接入点,路由器和物联网应用。

          Skyworks Solutions复杂移动连接的总经理兼公司副总裁Bill Vaillancourt说:“格芯的SiGe PAx技术的最先进的之处在于,可以使射频前端解决方案能够适用于各种级别的性能表现和复杂性。这些先进的功能和缩小的尺寸得益于将多个射频功能集成到一个芯片上。凭借此优势,格芯最新的PAx产品可提升集成半导体解决方案的功能,从而支持客户对便携式无线通信设备的高性能和高性价比的追求。”

         格芯的SiGe PA系列有四种技术,SiGe 5PAe,1KW5PAe以及现在的5PAx和1K5PAx。所有这四款产品均采用格芯经过验证的半导体技术,这为目前使用砷化镓(GaAs)替代品的客户提供显著的性能,集成功能和成本优势。今天,全球有超过30亿个SiGe功率放大器使用这一系列的技术,格芯近期已投入更多的制造能力来应对在移动领域的预期增长。最新的产品5PAx和1K5PAx经过优化后,可满足不断发展的移动标准(如802.11ac)的严格要求,该802.11ac标准的数据吞吐量要比上一代标准快3倍。

          对于5GHz应用,SiGe 5PAe的后继技术SiGe 5PAx可以支持2dB增益,相对于上一代,具有5%的PAE提升和0.2dB低噪声放大器(LNA)的改进。 SiGe 1K5PAx与其前身1KW5PAe一样,是建立在高电阻率基板上,并且调整后具有更高的集成度和性能。它具备射频开关,与1KW5PAe相比,在Ron-Coff至少15%更好的表现。同时,像1KW5PAe一样,可以使设计人员通过在单个芯片上实现多种功能(如功率放大器,射频开关和LNA)来实现外形最小化。

         有关格芯的SiGe Technologies解决方案的更多信息,请联系您的格芯销售代表或访问网址: globalfoundries.com/SiGe.

关于格芯
       GF是世界上第一个具有真正意义上足迹遍布全球的全方位服务晶圆制造商。该公司于2009年3月成名,并迅速实现了规模化,成为世界最大的晶圆生产商之一,为250多个客户提供先进技术和独特制造的组合。格芯在新加坡,德国和美国经营,是唯一提供跨越全球三大洲的制造中心,并提供的足够灵活性和高度安全性的代工厂。该公司的300mm晶圆厂和200mm晶圆厂提供从主流到前沿的全系列制程技术。格芯的制造业务遍及全球,而格芯位于美国,欧洲和亚洲的半导体业务中心的大量的研发和设计实现人员为格芯的全球制造业务提供全面的支持。格芯由Mubadala Development Company拥有。欲了解更多信息,请访问 https://www.globalfoundries.com.

Erica McGill
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GLOBALFOUNDRIES拓宽了SiGe功率放大器组合,提高了无线设备的射频性能和效率

新的PAx产品使客户能够利用性能、集成和成本的优化平衡来满足不断发展的移动标准的需求

2016年3月15日,加利福尼亚州圣克拉拉市 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布了新的高级射频(RF)硅解决方案,进一步扩大了硅锗(SiGe)功率放大器(PA)技术组合,旨在为日益复杂的移动设备和硬件提供性能优化的蜂窝和Wi-Fi解决方案。

GF的5PAx和1K5PAx,合称PAx,是其广泛的基于SiGe的PA技术系列的最新扩展。这些先进的产品提供了优化的功率放大器、低噪声放大器和开关技术,提高了功率效率、噪声系数和插入损耗,使下一代Wi-Fi和蜂窝解决方案的功率效率更高,可实现更快的数据访问和不间断的连接。

"随着无线数据消费持续快速增长,移动供应商正面临着扩大网络容量的压力,"GF射频业务部高级副总裁Bami Bastani博士说。"我们广泛的高性能SiGe功率放大器技术组合提供了明显的设计、性能和成本优势,使我们的移动客户能够提供具有成本效益的解决方案,具有更快的数据吞吐量,支持更广泛的覆盖区域,并消耗更少的电力。"

作为高性能模拟半导体解决方案的领导者,Skyworks计划利用该技术提高下一代移动WLAN产品和高性能WLAN产品的功率能力和效率,包括接入点、路由器和物联网应用。

"Skyworks Solutions副总裁兼移动连接部总经理Bill Vaillancourt表示:"作为GF的SiGe PAx技术的一部分,其先进性使得射频前端解决方案能够满足所有级别的性能和复杂性。"有了这些先进的功能,以及通过在一个芯片上实现多种射频功能来最小化外形尺寸的能力,GF的最新PAx产品增强了集成半导体解决方案的能力,支持客户对解决便携式无线通信设备的高性能、高性价比技术的需求。"

GF的SiGe PA系列有四种技术,SiGe 5PAe、1KW5PAe,以及现在的5PAx和1K5PAx。所有这四种产品都采用了GF成熟的硅通孔技术,并为目前使用砷化镓(GaAs)替代品的客户提供了显著的性能、集成功能和成本优势。目前,全球使用该技术系列的SiGe功率放大器的出货量已超过30亿,GF最近还投资了更多的生产能力,以应对移动领域的预期增长。最新的产品5PAx和1K5PAx经过优化,可满足不断发展的移动标准的严格要求,如802.11ac,其数据吞吐量比前一代标准快三倍。

对于5GHz应用,SiGe 5PAx是SiGe 5PAe的后续产品,相对于上一代产品,它支持2dB的增益,以及5%的PAE和0.2dB的低噪声放大器(LNA)改进。SiGe 1K5PAx与它的前辈1KW5PAe一样,建立在一个高电阻率的基底上,并为集成和更高的性能进行了调整。它的特点是,与1KW5PAe相比,射频开关的Ron-Coff性能提高了约15%,并且与1KW5PAe一样,使设计人员能够通过在单个芯片上实现多种功能,如功率放大器、射频开关和LNA,从而最大限度地减少外形尺寸。

关于GF的SiGe技术解决方案的更多信息,请联系您的GF销售代表或访问globalfoundries.com/SiGe

关于GF

GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业,其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动,迅速形成规模,成为世界上最大的代工厂之一,为250多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营,GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息,请访问https://www.globalfoundries.com。

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物联网就是现在!第二部分

作者:拉吉夫-拉詹

在我的上一篇博客《物联网就是现在!》中,我鸟瞰了物联网的全貌。在这篇文章中,我将通过数字深入探讨物联网,慢慢剥开洋葱,揭示我们在物联网、网络和数据中心中扮演的角色。

根据麦肯锡的报告《 物联网》: "炒作 "之外描绘价值,到 2025 年,物联网每年将产生 3.9-11.1 万亿美元的经济影响,其中汽车行业 2,000-7,000 亿美元,家居行业 2,000-3,500 亿美元,工厂运营和设备优化 1.2-3.7 万亿美元。这一价值并非单纯以售出的技术来衡量,而是以产生的显著效率来衡量。

我们目前正处于移动计算或智能手机时代,这个时代正在向普适计算--主要是物联网--转变,并将最终演变为智能计算。

难道我们忘记了物联网并不是什么新鲜事物吗?它已经存在了 十多年。而且,它的进步和发展是由一个至今仍在使用的基础技术架构推动的。

物联网就是现在!第二部分

这种增长在很大程度上受到持续技术发展的影响。其核心是,我们正在使各行各业在我们所赋予的能力基础上不断发展壮大。我们通过保持技术优势、方便客户与我们开展业务,以及保持行业内具有竞争力的成本结构,实现进步和增长。

从这个意义上说,我们在制造过程中发现的每一丝效率,每一个有助于管理电力(即使是最小部分)的技术创新,以及用于连接的射频实施方面的每一个突破,都是充分发挥物联网潜力的重要步骤。

物联网的成功从根本上说是一种多元化的努力,持续的成功来自于大小公司之间的合作,使他们有能力在各行各业定义物联网。

在 SEMICON China 上,物联网是一个热门话题,并将于 3 月 17 日举办一场专门讨论这一主题的论坛:技术塑造未来--可穿戴设备和物联网传感器集线器解决方案 "论坛将于 3 月 17 日举行。在这一环节中,我将讨论推动物联网发展的半导体技术,以及实现智能计算的 "智能原子"。

在下一篇博客中,我们将探讨令人惊叹的物联网应用,如果没有强大的制程技术为 "引擎盖下 "的半导体提供动力,这些应用就不可能实现。这是一个令人难以置信的垂直整合故事,其中有许多转动的齿轮,我们将在每篇博客中剖析这个 "引擎盖下 "故事的关键部分。我邀请您加入我的行列。

格芯发布新7SW SOI射频PDK 配备了独特的最新Keysight技术ADS软件

2016年3月10日 协同设计流程通过利用最佳EDA设计平台来简化射频设计

         加州圣克拉拉,2016310—格芯今天宣布全新的PDK套装已可投入使用。该套装配备了可协同操作的合作设计流程来帮助芯片设计者有效的改进设计,展现独特射频前端方案,以应对日益复杂精密的移动设备。

        针对移动设备和高频高带宽无线基建应用的射频芯片,格芯的射频绝缘体上硅(RF SOI)技术可以前端射频方案中提供重要的性能表现、集成和面积优势。格芯最高端的RFSOI技术,7SW SOI专门为下一代智能手机的多波段射频交换器而优化,并持续的推动物联网应用的革新。

       这些应用的高频和大信号设计正在变得富有挑战性,所以迫切的需求协同操作的合作设计流程。EDA软件被设计成可以和Keysight Technology高级设计系统一起使用,这个格芯的新7SW SOI PDK让设计者可以在设计系统里使用简单的Si2 OpenAccess数据库进行设计修改。

        RFIC协同操作性简化了设计流程,使设计者可以在ADS中的单一设计数据库里工作。协同操作能力同样让设计者可以在设计系统里修改仿真电路图。同样,布局线路图也可以被执行同样的操作。例如,某位用户可以在系统里打开IC的布局图单位,将它在模块或套装中存为独立的示例,然后对完整设计进行电磁仿真来验证整体系统的性能。

       “在为我们的5PAe SiGe产品发布了第一款合作设计PDK后,现在我们正在将它的应用范围拓展到最高端的RFSOI技术(7SWSOI)上。我们的7SW平台配备了超级LNA、交换器设备和富陷基底,并提供了改进的设备信号接收、干扰抗性和电池寿命来实现更少的通话中断和更长的通话时长。”格芯产品时长部与业务发展部高级主管Peter Rabbeni说道,“我们的RFSOI技术已经为我们在手机通信前端模块应用方面极大的吸引了行业的关注,现在RFIC协同功能将让我们通过一个单独的PDK为7SW客户提供额外的设计灵活性。”

        “格芯的客户现可接触射频设计流程工具,该工具是基于OpenAccess的硅设计PDK,”Silicon RFIC产品市场经理Volker Blaschke说道,“新的协同开发功能通过使用单OpenAccess设计数据库来使设计过程更加便捷,省去了由于跨越不同自动化设计软件带来的多余步骤。”

 

了解更多详情关于格芯RF SOI方案,请联系格芯销售代表或登录: https://www.globalfoundries.com.

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GLOBALFOUNDRIES发布新的7SW SOI射频PDK,配备最新的Keysight Technologies高级设计系统软件

协同设计流程利用EDA设计平台的优点来简化射频设计

2016年3月10日,加利福尼亚州圣克拉拉市 - GLOBALFOUNDRIES今天宣布推出一套新的工艺设计套件(PDK),该套件具有可互操作的协同设计流程,可帮助芯片设计师提高设计效率,并在日益复杂的移动设备中提供差异化的射频前端解决方案。

GF的射频硅绝缘体(RF SOI)技术在移动设备的前端射频解决方案和高频、高带宽无线基础设施应用的射频芯片方面具有显著的性能、集成和面积优势。GF最先进的RF SOI技术--7SW SOI,针对下一代智能手机的多频段射频开关进行了优化,并准备推动物联网(IoT)应用的创新。

这些应用中的高频和大信号设计的挑战增加了对可互操作的协同设计流程的需求。GF新的7SW SOI PDK设计用于Keysight Technologies的高级设计系统(ADS)EDA软件,允许设计人员在ADS中使用单一的Si2 OpenAccess数据库编辑他们的设计,而不会受到任何干扰。

RFIC的互操作性简化了设计过程,使用户能够从ADS的单一设计数据库中工作。这使得用户可以编辑和模拟在ADS中创建的原理图设计。布局也是如此,例如,用户可以在ADS中打开一个IC布局单元视图,在封装或模块中实例化该单元,然后对整个设计进行电磁仿真,以验证其整体系统性能。

"在为我们的5PAe硅锗产品发布了第一个协同设计PDK之后,我们现在将ADS PDK的覆盖范围扩大到我们最先进的RF SOI技术--7SW SOI。我们的7SW平台,拥有卓越的低噪声放大器、开关器件和富含陷阱的基材,提供了更好的设备接收、干扰抑制和电池寿命,以减少掉线和延长通话时间,"GF的射频产品营销和业务发展高级总监Peter Rabbeni说。"我们的RF SOI技术在蜂窝式前端模块应用中获得了巨大的行业吸引力,新的RFIC互操作性功能将使我们能够通过一个PDK为我们的7SW客户提供额外的设计灵活性。"

"GF客户现在可以访问ADS基于OpenAccess的硅PDK的专用射频设计流程工具,"Keysight EEsof EDA的硅RFIC产品营销经理Volker Blaschke说。"新的互操作性功能通过使用单一的OpenAccess设计数据库促进了设计过程,消除了在不同EDA环境中保持设计同步的冗余步骤。"

如需了解更多关于GF射频SOI解决方案的信息,请联系您的GF销售代表或登录www.globalfoundries.com。

关于GF

GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业,其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动,迅速形成规模,成为世界上最大的代工厂之一,为250多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营,GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息,请访问https://www.globalfoundries.com。

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格芯任命Alain Mutricy作为产品管理团队负责人

          加利福尼亚州圣克拉拉市  2016年3月3日—  格芯是一家先进半导体制造技术的供应商。格芯今天宣布,Alain Mutricy加入格芯公司担任产品管理集团的高级副总裁。在这个职位上,Mutricy将会负责公司的领先和主流技术解决方案,针对这些差异化产品的上市活动。

          Mutricy将继任Mike Cadigan目前的这个职位。而Mike将会被调动到一个新的职位,成为负责格芯全球销售和业务发展的高级副总裁。

         格芯公司的首席执行官(CEO) Sanjay Jha表示:“Alain是一位成功的高级管理人才。他在消费电子,移动和半导体行业拥有超过25年的经验。 他带来强大的成功形象,帮助实现全球产品组织的增长,盈利和竞争力提升。这将有助于他在我们已经成熟的产品管理集团基础上大施拳脚。我非常地欢迎Alain来到格芯的团队。”

         在加入GF之前,Mutricy是AxinNOVACTION公司的创始人兼执行顾问,AxinNOVACTION是一家咨询公司,该公司致力于开发和加速大型组织的创新行动。Mutricy也是Vuezr公司的联合创始人兼首席执行官。Vuezr公司为顾客提供基于移动设备的增强现实技术(AR),从而为顾客带来全新的产品视觉认知。Vuezr公司希望通过这种技术革命来改变整个移动营销模式。

         从2007年至2012年,Mutricy在摩托罗拉移动控股有限公司,担任移动设备组合和设备产品管理的高级副总裁,负责领导一直全球化的团队来定义公司移动设备产品组合策略和产品结构。他提出了针对Android系统智能手机的战略重点,其中包括摩托罗拉产品上广受赞誉的DROID™系列。在摩托罗拉移动的任职期间,Mutricy还负责定义和指导移动设备业务部门的半导体和软件平台的全球战略。同时,他还领导全球研发团队负责设计和实施集成电路,无线芯片组解决方案、平台软件、非CDMA产品软件,以及移动设备的生态系统策略。

         在2007年加入摩托罗拉之前,Mutricy为德州仪器公司服务了18年。并于2002年1月晋升为公司副总裁。从2004年直至他离开德州仪器公司,Mutricy一直担任该公司的蜂窝系统解决方案的副总裁兼总经理。在这个职位上,他负责将GSM / GPRS / EDGE / 3G和OMAP™应用处理器的无线芯片组解决方案商业化,并使其在行业形成领导地位。在领导蜂窝系统解决方案之前,Mutricy是德州仪器OMAP™业务的总经理,从2000年至2004年期间,他将该业务从初创的状态带领至全球领导的地位。此外,自1989年加入德州仪器以来,Mutricy曾被晋升至不同的管理职位上,每一次晋升都会在销售,市场营销和管理等领域扩大他的职责范围。

        Mutricy拥有法国巴黎商高的工商管理硕士学位(MBA),并且拥有Arts et Métiers ParisTech大学(ENSAM)的工程学硕士学位。

关于格芯

       格芯是世界上第一个具有真正意义上足迹遍布全球的全方位服务晶圆制造商。该公司于2009年3月成名,并迅速实现了规模化,成为世界最大的晶圆生产商之一,为250多个客户提供先进技术和独特制造的组合。格芯在新加坡,德国和美国经营,是唯一提供跨越全球三大洲的制造中心,并提供的足够灵活性和高度安全性的代工厂。该公司的300mm晶圆厂和200mm晶圆厂提供从主流到前沿的全系列制程技术。格芯的制造业务遍及全球,而格芯位于美国,欧洲和亚洲的半导体业务中心的大量的研发和设计实现人员为格芯的全球制造业务提供全面的支持。格芯由Mubadala Development Company拥有。欲了解更多信息,请访问https://www.globalfoundries.com.

联系人:

Jason Gorss

电话:(518)698-7765

[email protected]

GLOBALFOUNDRIES任命Alain Mutricy为产品管理组负责人

2016年3月3日,加利福尼亚州圣克拉拉市--先进半导体制造技术的领先供应商GLOBALFOUNDRIES今天宣布,Alain Mutricy已加入公司,担任产品管理集团的高级副总裁。在这个职位上,Mutricy负责公司的前沿和主流技术解决方案以及这些差异化产品的市场推广活动。

Mutricy接替Mike Cadigan,后者将过渡到一个新设立的全球销售和业务发展高级副总裁的职位。

"GF首席执行官Sanjay Jha说:"Alain是一位成功的高级管理人员,在消费电子、移动和半导体行业有超过25年的经验。"他带来了为全球产品组织的增长、盈利能力和竞争力做出贡献的强大成功组合,这将有助于他在我们的产品管理小组已经建立的强大基础上继续前进。我很高兴欢迎阿兰加入GF团队"。

在加入GF之前,Mutricy是AxINNOVACTION的创始人和执行顾问,AxINNOVACTION是一家促进释放和加速大组织创新的行动的咨询公司,同时也是Vuezr的联合创始人和首席执行官,该公司试图通过增强现实技术向消费者的移动设备提供产品视觉识别,从而彻底改变移动直销。

2007-2012年,穆特里奇在摩托罗拉移动控股有限公司担任移动设备组合和设备产品管理高级副总裁,领导一个全球团队,负责确定公司的移动设备产品组合战略和结构。他和他的团队推动了对基于安卓系统的智能手机的战略关注,其中包括广受赞誉的DROID™系列摩托罗拉产品。在摩托罗拉移动任职期间,Mutricy还负责定义和指导移动设备业务部门的硅和软件平台的全球战略,以及领导一个全球研发团队,负责设计和实施集成电路、无线芯片组解决方案、平台软件、非CDMA产品的产品软件,以及移动设备的生态系统战略。

在2007年加入摩托罗拉之前,Mutricy在德州仪器公司工作了18年,2002年1月被提升为副总裁。从2004年到离开德州仪器,Mutricy担任该公司的蜂窝系统解决方案业务的副总裁兼总经理。在这个职位上,他负责公司GSM/GPRS/EDGE/3G的无线芯片组解决方案和OMAP™应用处理器的商业化和建立领导地位。在领导蜂窝系统解决方案之前,Mutricy是德州仪器OMAP™业务的总经理,在2000年至2004年期间,他带领OMAP™业务从初创状态发展到全球领先地位。此外,从1989年加入德州仪器开始,穆特里奇通过一系列综合管理职位得到晋升,每个职位的范围和责任都在增加,包括销售、营销和综合管理。

穆特里奇拥有ENSAM的工程硕士学位和HEC集团的MBA学位--两者都在巴黎。

关于GF

GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业,其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动,迅速形成规模,成为世界上最大的代工厂之一,为250多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营,GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息,请访问https://www.globalfoundries.com。

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5G:全球竞赛正在进行中

彼得-拉贝尼著

在巴塞罗那举行的世界移动通信大会结束了本周的工作之后,有一件事变得很清楚--5G 已成为每个人的心头大事,而开发使能技术使 5G 在未来 5 年内成为现实的竞赛正在进行之中。大会期间,在会议和演示的间隙,我参观了展厅,看到了一系列 5G 技术、创新和用例,它们不仅使 5G 更加真实,而且利用了 5G 将带来的承诺,即低延迟、高数据速率、随时随地的连接、高用户密度以及高度可靠和安全的通信。

在展会现场,我们仿佛看到了第五代移动网络的无限可能。蜂窝运营商和 WiFi 公司重点展示了他们的 5G 解决方案和一系列物联网(IoT)芯片组产品,这证明,尽管 5G 通用规范的融合尚需数年时间,但我们已经到了 5G 应用远远领先于标准的阶段,从而创造出新的商业模式和用例。许多用例利用了虚拟现实、位置感知服务和推送广告等技术,解决了从实时游戏到自动驾驶汽车等应用问题。最近,美国电信公司宣布在 "真实世界 "条件下测试 5G 网络,这标志着美国正式加入 5G 竞赛。许多专家将 2018 年首尔奥运会作为 5G 基础设施部署的验证点,通过媒体和通信来充分演练网络。爱立信首席执行官汉斯-维斯特伯格(Hans Vestberg)从口袋里掏出一个多元素可转向相控阵无线电前端加天线,这是展会上一个令人难忘的时刻。Vestberg 解释说,这三个天线将组成一个三扇区 5G 基站,在大规模 MIMO 环境中支持多 GBps 数据传输速率。

5G全球竞赛正在进行中

如今,整个射频(RF)芯片市场炙手可热。其核心是,5G 和物联网都需要无线电技术的创新,而这反过来又将推动半导体技术的进步。这些创新将包括低功耗、集成毫米波无线电前端、天线相控阵子系统、高性能无线电收发器以及高速 ADC 和 DAC。随着原始设备制造商在智能手机和平板电脑中集成更多射频内容,以及新的高速网络标准的推出,最新设备需要额外的射频电路来支持更新的操作模式。这包括支持更多 LTE 频段、载波聚合和包络跟踪的芯片。

射频绝缘体上硅(RF SOI)作为砷化镓的一种成本更低、灵活性更高的替代技术,已成为当今大多数射频开关和天线调谐器的首选技术。射频 SOI 有助于解决确保用户无缝、始终可用的连接以及从几乎任何地方访问强大的互联网所带来的挑战,因此继续受到移动市场的青睐。人们对硅锗(SiGe)技术的兴趣和使用也在不断增长。硅锗技术具有出色的射频增益、噪声和线性度特性,即使在毫米波频率下也是如此,因此有助于满足射频前端模块和高性能细分市场的需求。SiGe 使客户能够在更少的芯片中集成更多的功能,同时获得更高的性能,并扩大其可覆盖的细分市场。从长远来看,随着 LTE 智能手机、平板电脑和其他移动消费应用的强劲增长,预计代工厂的产能也将随之增加。

最近,GLOBALFOUNDRIES 的射频业务部门跨过了一个新的产能门槛,我们的射频 SOI 芯片出货量突破了 200 亿片,证明行业需求强劲。

随着物联网的发展和新兴的 5G 试验,对我们网络的需求无疑将继续增长。利用射频 SOI 和 SiGe 技术的客户所开发的解决方案可提升用户体验,包括更广泛的地理移动性和更快的数据传输速率,以满足日益增长的日常应用互联需求。

因此,一场全球性的竞赛正在进行,从世界移动通信大会上展示的技术可以清楚地看出,射频和 SiGe 技术在推动降低复杂性、提高性能和降低总体成本方面比竞争技术发挥着更重要的作用。

物联网就是现在

物联网(IoT)再次受到广泛关注。从在低成本传感器、云服务和大数据分析方面取得巨大进展,到在消费电子展(CES)上大放异彩,物联网的热潮又回来了。

以下是我在 2016 年美国消费电子展(CES 2016)现场的一些独到见解:

  • 无人机--地平线上的风暴
  • 汽车 - 热!热热
  • 虚拟现实(VR)和增强现实(AR)--VR 比 AR 更突出
  • 机器人 - 不同形式的移动装置
  • 3D 打印机 - 认真对待
  • 无需 3D 眼镜/眼罩的 3D 电视 - 正在兴起且规模越来越大
  • 智能家居 - 大量小工具出现
  • 可穿戴设备和智能服装--这里没有遮掩!开始与 VR/AR 融合

必须认识到,物联网不仅仅是 "物"。与之相关的市场机遇还包括用于传输数据流量的网络和用于利用数据的数据中心,以及用于将原始数据转化为更快的决策见解和结果的分析运行。

物联网超越物

横跨物联网、网络和数据中心的物联网应用和用例对半导体提出了新的要求,包括超低功耗、超低漏电、更小更密集的封装以及成本效益。这些要求是半导体代工厂为物联网节点开发的物联网平台技术的核心,这些技术具有高能效、优化和高成本效益。这种在半导体层面上的 "底层 "差异化技术可增强物联网的终端用户和应用体验。

根据市场和客户趋势,中低端物联网节点的主流工艺技术是 55 纳米和 40 纳米。从 2017-18 年起,我们将看到向前沿 28 纳米、22 纳米和 14 纳米及更高制程的转变,以及边缘节点计算的增长。

利用不断变化的技术的最佳方式是建立正确的战略合作伙伴关系。我们如何与客户合作--无论他们是整合后的超新星,还是正在诞生的新星--将有助于定义物联网。

晶圆代工厂深知他们在实现物联网的过程中扮演着重要角色。通过与主要客户建立和加强合作关系,努力开发更高效和更有效的技术,并确保卓越的执行力--高产量和按时交付--我们每一个人都可以在充分发挥这一重要机遇的潜力方面发挥直接作用。无论从哪个角度看,这都是我们一生中最大的技术机遇。

纽约州立大学理工学院与 GLOBALFOUNDRIES 宣布在奥尔巴尼启动价值 5 亿美元的新研发计划,以加速下一代芯片技术的发展

第二台最先进的EUV光刻工具的到来启动了新的模式化中心,将为纽约州立大学提供超过100个新的高科技就业机会

纽约州阿尔巴尼 - 为了支持州长Andrew M. Cuomo关于保持纽约州在纳米技术研究和开发方面的全球领先地位的承诺,纽约州立大学理工学院(SUNY Poly)和GLOBALFOUNDRIES今天宣布成立一个新的高级图案和生产力中心(APPC),该中心将设在纽约州阿尔巴尼的纳米科学和工程学院(CNSE)。

这项为期5年、价值5亿美元的计划将加速将极紫外光刻技术引入制造业。该中心由国际芯片制造商和材料及设备供应商(包括IBM和东京电子)组成的网络支撑,并将创造100个就业机会。

"纽约州立大学校长Nancy L. Zimpher说:"纽约州立大学理工学院和GF之间的这种先进的新伙伴关系表明,库莫州长对纽约州立大学的战略投资是如何加强该系统的研究能力,利用私人资金,并在我们的校园为学生和教师创造令人兴奋的新机会。"纽约州立大学理工学院的纳米技术专长加上州长的创新公私合作模式,使纽约成为计算机芯片研究、开发和制造的全球领导者。纽约州立大学系统管理部门强烈赞扬Kaloyeros博士在将先进模式和生产力中心引入奥尔巴尼的过程中所发挥的领导作用。"

"今天的宣布是科莫州长的创新驱动经济发展模式的直接结果。他的战略投资支持了该州世界级的纳米技术基础设施和劳动力,使我们成为主办新的APPC的独特人选,这将使摩尔定律得以延续,并为整个半导体行业释放新的能力和机会,"纽约州立大学理工学院院长兼首席执行官Alain Kaloyeros博士说。"通过与GF、IBM和东京电子的合作,我们将利用我们的综合专业知识和技术能力来满足行业的关键需求,并推动这一复杂技术的引进。"

"GF致力于制定积极的研究路线图,不断推动半导体技术的发展。GF首席技术官兼研发部高级副总裁Gary Patton博士说:"随着最近对IBM微电子公司的收购,GF直接获得了IBM在世界级半导体研究方面的持续投资,并大大增强了其开发领先技术的能力。"与纽约州立大学理工学院一起,新中心将提高我们的能力,并使我们能够在7纳米及以上的工艺几何上取得进展。"

EUV光刻技术是下一代半导体制造技术,它能产生短波长(14纳米及以下)的光,在集成电路上创造微小的图案。该技术对于实现成本、性能和功率的改进至关重要,以满足云计算、大数据、移动设备和其他新兴技术的行业预期需求。

APPC将解决与EUV光刻技术商业化相关的挑战。该中心的一个关键组成部分将是安装ASML NXE:3300 EUV扫描仪,这是一种用于开发和制造7纳米及以上半导体工艺技术的最先进的工具。在安装了IBM支持的ASML NXE:3300B EUV扫描仪之后,该中心已经在纽约州立大学安装了该扫描仪。

该中心旨在将掩模和材料供应商聚集在一起,通过探索图案化过程的基本方面来扩展EUV光刻技术的能力。其他项目将专注于提高生产力,为在GF位于纽约州马耳他的生产设施中采用EUV光刻技术制造尖端产品做准备。

通过APPC,成员可以使用纽约州立大学的图案化基础设施,其中包括最先进的薄膜沉积和蚀刻能力、领先的图案化系统、EUV掩模基础设施和世界级的EUV成像能力。

"IBM研究院副总裁Mukesh Khare表示:"IBM致力于通过在半导体技术研究方面的持续领导和合作,为云和认知时代提供高性能计算解决方案。"SUNY Poly CNSE对APPC和新的ASML工具的投资将加速EUV技术的成熟度,使我们能够在创新的基础上,使IBM研究部领导的联盟在今年早些时候提供业界第一个7纳米测试芯片演示。通过州长和CSNE的远见和领导,像这样的前沿伙伴关系是可能的。"

"TEL高级副总裁兼总经理、SPE开发部主管Gishi Chung说:"EUV技术已经从研发中脱颖而出,新中心将满足将这项技术商业化的日益增长的需求,并将其送到最终用户手中。"TEL很荣幸能与纽约州立大学的阿尔巴尼纳米技术中心合作,我们将继续与行业领导者合作,推动半导体工艺技术的前沿创新。"

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纽约州立大学理工学院。纽约州立大学理工学院(SUNY Poly)是纽约全球公认的高科技教育生态系统,由纽约州立大学纳米科学与工程学院和纽约州立大学理工学院合并而成。纽约州立大学理工学院在其奥尔巴尼校区提供纳米科学和纳米工程等新兴学科的本科和研究生学位,以及尖端的纳米生物科学和纳米经济学课程;在其乌蒂卡/罗马校区提供技术方面的本科和研究生学位,包括工程、网络安全、计算机科学和工程技术;专业研究,包括商业、通信和护理;以及艺术和科学,包括自然科学、数学、人文和社会科学。繁荣的体育、娱乐和文化项目、事件和活动与校园体验相得益彰。作为世界上最先进的、由大学驱动的研究企业,纽约州立大学理工学院拥有超过430亿美元的高科技投资,超过300家企业合作伙伴,并保持着全州范围内的足迹。占地130万平方英尺的阿尔巴尼纳米技术大院是4000多名科学家、研究人员、工程师、学生、教师和工作人员的家,此外还有科技谷高中。纽约州立大学理工学院在奥尔巴尼的Kiernan Plaza经营智能城市技术创新中心(SCiTI),在Halfmoon经营太阳能开发中心,在特洛伊经营儿童科技博物馆(CMOST),在雪城经营纽约中部新兴纳米产业中心,在卡南达瓜经营智能系统技术和商业化中心(STC),在罗切斯特经营光伏制造和技术开发机构,纽约州立大学理工学院还在那里领导美国制造集成光子学研究所。纽约州立大学理工学院在乌蒂卡建立并管理计算机芯片商业化中心(Quad-C),还管理着价值5亿美元的纽约电力电子制造联盟,该联盟在奥尔巴尼和罗切斯特设有节点,以及位于RiverBend的布法罗高科技制造创新中心、布法罗信息技术创新和商业化中心以及布法罗医疗创新和商业化中心。有关信息,请访问www.sunycnse.comwww.sunypoly.edu。

GF是世界上第一家提供全面服务的半导体代工企业,其业务范围真正覆盖全球。该公司于2009年3月启动,迅速形成规模,成为世界上最大的代工厂之一,为250多家客户提供先进技术和制造的独特组合。通过在新加坡、德国和美国的运营,GF是唯一一家能够提供跨越三大洲的制造中心的灵活性和安全性的代工厂。公司的300毫米晶圆厂和200毫米晶圆厂提供从主流到前沿的全部工艺技术。这一全球制造足迹得到了位于美国、欧洲和亚洲的半导体活动中心附近的主要研究、开发和设计设施的支持。GF为穆巴达拉发展公司所有。欲了解更多信息,请访问https://www.globalfoundries.com。