GLOBALFOUNDRIES® und ON Semiconductor liefern die Bluetooth® Low Energy SoC-Familie mit dem geringsten Stromverbrauch der Branche Juni 19, 201755nm LPx RF-fähige Plattform mit dem äußerst zuverlässigen Embedded SuperFlash® von SST bietet geringen Stromverbrauch und niedrige Kosten für IoT und "vernetzte" Gesundheits- und Wellness-Geräte Singapur und Santa Clara, Kalifornien, 19. Juni 2017 - GLOBALFOUNDRIES und ON Semiconductor (Nasdaq: ON) gaben heute die Verfügbarkeit einer System-on-Chip (SoC)-Familie bekannt, die auf der 55nm Low Power Extended (55LPx), RF-fähigen Prozesstechnologieplattform von GF basiert. Die neuen RSL10-Produkte von ON Semiconductor basieren auf einem Multiprotokoll-Bluetooth-5-zertifizierten Funk-SoC, der die fortschrittlichen Wireless-Funktionen in den Märkten für IoT und "Connected" Health und Wellness unterstützt. "Die Bluetooth-Low-Energy-Technologie entwickelt sich immer mehr zur Schlüsseltechnologie für die Verbindung von IoT-Geräten, insbesondere bei Anforderungen an einen geringen Stromverbrauch", sagte Robert Tong, Vice President der Medical and Wireless Products Division von ON Semiconductor. "Die 55LPx-Plattform von GF mit ihrer stromsparenden Logik und dem äußerst zuverlässigen eingebetteten SuperFlash®-Speicher in Kombination mit bewährter RF-IP ist eine ideale Ergänzung. Die RSL10-Familie bietet den branchenweit niedrigsten Stromverbrauch im Deep-Sleep-Modus und im Peak-Empfangsmodus, was eine extrem lange Batterielebensdauer ermöglicht und Funktionen wie Firmware-over-the-Air-Updates unterstützt. Die neuen RSL10-SoCs von ON Semiconductor nutzen diese fortschrittlichen Funktionen, um eine breite Palette von Anwendungen zu adressieren, darunter Wearables und IoT-Edge-Node-Geräte wie intelligente Schlösser und Geräte." "Die 55LPx-Plattform von GF in Kombination mit dem Design von ON Semiconductor hat die Wearable-SoC-Technologie in 55nm mit branchenführender Energieeffizienz hervorgebracht", so David Eggleston, Vice President für Embedded Memory bei GF. "Dies ist ein weiterer Beweis dafür, dass 55LPx die bevorzugte Wahl für SoC-Designer ist, die kosteneffiziente Leistung, geringen Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit in extremen Umgebungen suchen. Die 55nm LPx RF-fähige Plattform von GF bietet eine schnelle Produktlösung, die siliziumtaugliche RF-IP und den äußerst zuverlässigen eingebetteten SuperFlash®-Speicher von Silicon Storage Technology (SST) umfasst: Very fast read speed (<10ns) Kleine Bit-Zellengröße Hervorragende Datenaufbewahrung (> 20 Jahre) Hervorragende Ausdauer (> 200K Zyklen) Vollständig qualifiziert für Auto Grade 1 Betrieb (AEC-Q100) Die 55LPx eFlash-Plattform von GF wird seit 2015 auf der 300-mm-Linie von foundryin Singapur in Serie produziert. Die 55LPx eFlash-Plattform ist eine kosteneffiziente Lösung für eine breite Palette von Produkten, die von tragbaren Geräten bis hin zu MCUs für die Automobilindustrie reichen. Kunden können ihre Chip-Designs mit den Prozess-Design-Kits von GF optimieren und so differenzierte eFlash-Lösungen entwickeln, die kosteneffiziente Leistung, geringen Stromverbrauch und hohe Zuverlässigkeit in extremen Umgebungen erfordern. Weitere Informationen zu den Mainstream-CMOS-Lösungen von GF erhalten Sie von Ihrem GF-Vertriebsmitarbeiter oder unter www.globalfoundries.com. Um mehr über die RSL10-Produktfamilie zu erfahren, besuchen Sie die Produktseite und lesen Sie den Blog "Bringing Industry's Lowest Power to Bluetooth Low Energy Technology". Um Muster anzufordern oder ein Evaluation Board zu bestellen, wenden Sie sich bitte an Ihren lokalen ON Semiconductor-Vertriebsmitarbeiter. Über ON Semiconductor ON Semiconductor (Nasdaq: ON) treibt energieeffiziente Innovationen voran und ermöglicht es seinen Kunden, den weltweiten Energieverbrauch zu senken. Das Unternehmen ist ein führender Anbieter von halbleiterbasierten Lösungen und bietet ein umfassendes Portfolio an energieeffizienten, Power-Management-, Analog-, Sensor-, Logik-, Timing-, Connectivity-, diskreten, SoC- und kundenspezifischen Bausteinen. Die Produkte des Unternehmens helfen Ingenieuren bei der Lösung ihrer einzigartigen Design-Herausforderungen in den Bereichen Automobil, Kommunikation, Computer, Konsumgüter, Industrie, Medizin, Luft- und Raumfahrt sowie Verteidigung. ON Semiconductor verfügt über eine reaktionsschnelle, zuverlässige und erstklassige Lieferkette und ein Qualitätsprogramm, ein robustes Compliance- und Ethikprogramm sowie ein Netzwerk von Produktionsstätten, Vertriebsbüros und Designzentren in wichtigen Märkten in Nordamerika, Europa und im asiatisch-pazifischen Raum. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.onsemi.com. Über GLOBALFOUNDRIES GLOBALFOUNDRIES ist ein führender Full-Service-Halbleiterhersteller foundry und bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen für einige der weltweit führenden Technologieunternehmen. Mit einer globalen Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, ermöglicht GLOBALFOUNDRIES die Technologien und Systeme, die Industrien verändern und Kunden die Möglichkeit geben, ihre Märkte zu gestalten. GLOBALFOUNDRIES ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. GLOBALFOUNDRIES® und das GLOBALFOUNDRIES-Logo sowie das Kugeldesign sind Marken und/oder Dienstleistungsmarken von GLOBALFOUNDRIES Inc. in den Vereinigten Staaten und anderen Ländern. Kontakt: Erica McGillGLOBALFOUNDRIES(518) 795-5240[email protected] Brittany BaguioON Semiconductor408) 822-2196[email protected]
格芯和安森美半导体提供业界最低功耗的蓝牙®低能耗SoC系列 June 19, 201755nm LPx RF功能平台，SST高可靠性的嵌入式SuperFlash®，为IoT和“连接”健康与健康设备提供低功耗和低成本的优势。 新加坡和加利福尼亚州圣克拉拉，2017年6月19日 – 格芯和安森美半导体（纳斯达克股票代码：ON）今天宣布，在格芯55nm低功耗扩展（55LPx）上提供了片上系统（SoC）系列器件，支持格芯的制程技术平台。安森美半导体的新RSL10产品基于多协议蓝牙5认证无线电SoC，能够支持物联网和“连接”健康与健康市场中的先进无线功能。 安森美半导体医疗和无线产品部副总裁罗伯特·汤（Robert Tong）表示：“蓝牙低功耗技术能够作为连接物联网设备的关键推动因素，并能满足低功耗的需求，这种技术将会继续进步。格芯的55LPx平台采用低功耗逻辑和高度可靠的嵌入式SuperFlash®存储器，与经过验证的射频IP结合，和将成为非常理想的匹配组合。RSL10系列在深度睡眠模式和峰值接收模式下可以提供业界最低的功耗，实现超长的电池寿命，并支持类似固件的升级更新功能。安森美半导体的新型RSL10 SoC使用这些高级功能来处理各种应用，包括可穿戴式和物联网边缘节点设备，如智能锁和电器。” “ 格芯的嵌入式存储部的副总裁David Eggleston表示：“格芯的55LPx平台与安森美半导体的设计相结合，在55nm上提供了可穿戴式SoC技术，并且具有行业领先的能源效率。“这是另一个可靠的证明，可以证明55LPx正在成为SoC设计师的首选。这些设计师一直都在追求高性价比，低功耗，以及在极端环境中卓越的可靠性。” 格芯的55nm LPx 射频功能平台提供了快速的到达产品解决方案的途径，其中包括硅验证合格的射频IP和硅存储技术（SST）高度可靠的嵌入式SuperFlash®内存，其特点如下： 读取速度非常快（<10ns） 较小的位单元面积 优异的数据保留（> 20年） 卓越的耐力（> 200K周期） 完全符合汽车1级操作（AEC-Q100） 格芯的55LPx eFlash平台自2015年起在新加坡的300mm生产线上批量生产。55LPx eFlash平台是一款具有性价比的解决方案，适用于从穿戴式设备到汽车MCU的广泛产品。 客户可以通过格芯的工艺设计套件来开始优化其芯片设计，使设计人员能够开发差异化的eFlash解决方案，这些解决方案在极端环境中需要具有高性价比，低功耗和卓越的可靠性表现。 有关格芯主流CMOS解决方案的更多信息，请联系您的格芯销售代表或访问 www.globalfoundries.com. 要了解有关RSL10产品系列的更多信息，请访问产品页面，并阅读“带来业界最低工行的蓝牙低功耗技术”博客。要求样品或订购评估版，请联系您当地的安森美半导体销售代表。 关于安森美半导体 安森美半导体（纳斯达克股票代码：ON）正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源消耗。该公司是半导体解决方案的领先供应商，提供全面的节能，电源管理，模拟，传感器，逻辑，时序，连接，离散，SoC和定制设备。该公司的产品帮助工程师解决其在汽车，通信，计算，消费，工业，医疗，航天和国防应用中的独特设计挑战。安森美半导体在北美，欧洲和亚太地区的主要市场运营着可靠的世界级供应链和质量项目，强大的合规和道德项目，以及制造设施，销售办事处和设计中心网络。欲了解更多信息，请访问https://www.onsemi.com. 关于格芯 格芯是提供全方位服务的领先半导体晶圆制造商，为世界上最具创新意识的科技公司提供独特的设计，开发和制造服务。格芯的生产制造业务遍布全球三大洲。格芯使技术和系统转型成为可能，并且帮助客户拥有塑造市场的力量。 格芯是Mubadala Development Company旗下公司。欲了解更多信息，请访问公司官方网站 https://www.globalfoundries.com. GLOBALFOUNDRIES®和GLOBALFOUNDRIES徽标和球形设计是GLOBALFOUNDRIES Inc.在美国和其他司法管辖区的商标和/或服务标志。 联系人: Erica McGill 格芯 (518) 795-5240S [email protected] Brittany Baguio 安森美 (408) 822-2196 [email protected]
eFPGA ersetzt die Kristallkugel Juni 15, 2017von: Timothy Saxe Die meisten Elektroingenieure sind mit FPGAs vertraut, und viele haben bereits Erfahrungen mit eigenständigen FPGAs gesammelt. Die eFPGA-Technologie (embedded FPGA) ermöglicht es einem Halbleiterunternehmen, ein FPGA in einen SoC oder ASIC einzubetten. Die Industrie weiß aus bitterer Erfahrung (40 gescheiterte FPGA-Startups, Tendenz steigend), dass programmierbare Logik nicht einfach ist. Der größte Stolperstein für FPGA-Startups war die Designumgebung, nicht das Silizium. Die einfache Tatsache ist, dass das Silizium nur so gut ist wie die Tools, die es unterstützen - sie müssen einfach, robust und benutzerfreundlich sein und eine hervorragende Qualität der Ergebnisse liefern. Als wäre das nicht schon Herausforderung genug, gibt es eFPGA-Produkte auch in der ASIC-Designumgebung, die einen anderen Toolflow verwendet. Ein erfolgreiches eFPGA muss also über eine hervorragende Silizium-Implementierung, eine hervorragende ASIC-Tool-Unterstützung und einen hervorragenden FPGA-Tool-Flow verfügen. Glücklicherweise bietet die Einbettung von FPGAs große Vorteile: geringerer Stromverbrauch, höhere Leistung, niedrigere Kosten, verbesserte Zukunftssicherheit und Designflexibilität. QuickLogic begann vor 29 Jahren mit der Herstellung von Standalone-FPGAs. Vor 15 Jahren erkannten wir, dass sich die Wirtschaftlichkeit zugunsten einer Kombination von ASIC-Kernen mit programmierbarer Logik verändert hatte, und wir begannen mit der Entwicklung von Embedded-FPGA-Lösungen. Damals versuchten verschiedene FPGA-Startups, die eFPGA-Technologie zu verkaufen, aber es gab keine Resonanz. Der Grund dafür war wirtschaftlicher Natur: Masken waren billig, ASIC-Gates waren billig und FPGA-Logik war teuer. Wenn man die Uhr 15 Jahre zurückdreht, haben sich die Dinge geändert: Masken sind teuer, ASIC-Gates sind billiger und FPGA-Logik ist ebenfalls billiger. Unser neuestes Gerät, der EOS™ S3 System-on-Chip (SoC), zielt auf den Smartphone-, Wearable- und Hearable-Markt ab. Diese Produkte sind sehr preis- und stromsensibel. Glücklicherweise ermöglicht es uns die 40nm-Kostenstruktur von GLOBALFOUNDRIES, die Preisanforderungen mit einem Produkt zu erfüllen, das über genügend eFPGA verfügt, um wirklich nützlich zu sein. So konnten wir ein kosteneffizientes Produkt entwickeln, bei dem die Hardware für verschiedene Märkte angepasst werden kann, ohne dass Maskenkosten anfallen. Darüber hinaus können wir mit eFPGA kritische Aufgaben von der Software in die Hardware verlagern, um Strom zu sparen, was für stromsparende Anwendungen entscheidend ist. Eine kleine Abschweifung zur Bedeutung des Begriffs "stromsparend": Jeder behauptet, stromsparend zu sein. Für Serverentwickler ist die Verwendung eines 25-Watt-FPGA zur Entlastung einer 90-Watt-CPU stromsparend. Auf dem Markt für Wearables, wo eine CR2450-Batterie sechs Monate halten soll, muss die durchschnittliche Systemleistung 410uW betragen, und auf dem IoT-Markt, wo zwei AA-Batterien drei Jahre halten sollen, muss die durchschnittliche Systemleistung 318uW betragen. Wir konzentrieren uns auf die Märkte für Wearables und IoT, wo die Entwickler erwarten, dass die Recheneinheit nur 25 % der Systemleistung verbraucht: 100uW für Wearables und 80uW für IoT. Da wir in Märkten tätig sind, die einen geringen Stromverbrauch erfordern, sehen wir den 22FDX®-Prozess von GLOBAFOUNDRIES als das Arbeitspferd der Zukunft für stromsparende Märkte. Die Wirtschaftlichkeit ist besser, und die dynamische Vorspannung sollte es den Entwicklern ermöglichen, die durchschnittliche Systemleistung im Vergleich zu 40 nm um 25 % bis 50 % zu senken. Besonders wichtig für das Internet der Dinge ist das eMRAM, das demnächst auf 22FDX verfügbar sein wird und sowohl Single-Chip-Geräte als auch extrem stromsparende Ruhezustände kostengünstiger als Flash-Speicher ermöglicht. Warum jetzt? Was hat sich in den letzten 15 Jahren geändert? Erstens werden die Einsätze größer: Die Kombination aus Masken- und Softwarekosten ist stark gestiegen. Zweitens sind die Märkte stärker fragmentiert, was zu geringeren Stückzahlen pro Entwurf führt. Und schließlich liegt das künftige Wachstum im Bereich des Internet der Dinge (IoT), was viele verschiedene Dinge zu bedeuten scheint. Wenn Sie eine Kristallkugel haben, die die Zukunft genau vorhersagt, können Sie einfach einen ASIC entwickeln, der diese Anforderungen erfüllt. Wenn nicht, können Sie einen QuickLogic ArcticPro™ eFPGA-Block in Ihr Design integrieren: Aktualisieren Sie Ihre Hardware, wenn Standards aktualisiert oder weiterentwickelt werden Aktualisieren Sie Ihre Funktionen, wenn Sie neue Marktbedürfnisse entdecken Erstellen mehrerer Produktvarianten aus einem einzigen Maskensatz Schnellere Markteinführung und längere Verweildauer auf dem Markt durch Weiterentwicklung der Produktmerkmale Im Laufe der Jahre haben wir festgestellt, dass dies der am schwersten zu fassende Punkt ist. Sprechen Sie mit dem ASIC-Team, und man wird Ihnen zu Recht sagen, dass Sie ihnen einfach sagen sollen, was Sie brauchen, damit sie es besser umsetzen können. Das Problem ist, dass sie nicht für die Definition der Anforderungen zuständig sind. Jetzt haben Sie eine weitere Möglichkeit. Bauen Sie einen kleinen eFPGA-Block ein - Sie werden feststellen, dass dies in 22FDX erstaunlich wirtschaftlich ist. QuickLogic ist seit 15 Jahren in diesem Bereich tätig und weiß daher, was für eine erfolgreiche Integration erforderlich ist - unsere Methodik macht es nicht schwieriger als das Hinzufügen eines anderen Hardmakros. Wir wissen auch, wie ein FPGA-Designflow in Produktionsqualität aussieht - wir beliefern seit 30 Jahren die qualitäts- und zuverlässigkeitsbewusstesten Märkte der Welt - Luft- und Raumfahrt, Verteidigung sowie Mess- und Testmärkte. Wir kennen uns mit wirklich niedrigem Stromverbrauch aus - das tun wir seit fünf Jahren, und FD-SOI ist die perfekte Ergänzung zur ArcticPro-Architektur. Schließlich ist das Ökosystem für die vielfältigen Anforderungen des IoT von entscheidender Bedeutung, und der GLOBAFOUNDRIES FDXcelerator™ bringt eine vielfältige Sammlung bewährter IP zusammen, wie z. B. unser ArcticPro eFPGA, die es den Siliziumarchitekten ermöglicht, schnell hochwertige Systeme auf einem Chip mit geringem Stromverbrauch zu entwickeln. Über den Autor Timothy SaxeSenior VP of Engineering und CTO Timothy Saxe (Ph.D.) ist seit November 2008 unser Senior Vice President und Chief Technology Officer. Im August 2016 erweiterte er diese Rolle um die des Senior Vice President of Engineering. Dr. Saxe ist seit Mai 2001 bei QuickLogic tätig und hatte in den letzten 15 Jahren eine Reihe von Führungspositionen inne, darunter Vice President of Engineering und Vice President of Software Engineering. Dr. Saxe war Vice President of FLASH Engineering bei der Actel Corporation, einem Unternehmen der Halbleiterindustrie. Dr. Saxe trat im Juni 1983 in die GateField Corporation ein, ein Unternehmen für Designverifikationswerkzeuge und -dienstleistungen, das früher unter dem Namen Zycad bekannt war, und war 1993 einer der Gründer der Halbleiterproduktionsabteilung. Dr. Saxe wurde im Februar 1999 Chief Executive Officer von GateField und war in dieser Funktion bis zur Übernahme von GateField durch Actel im November 2000 tätig. Dr. Saxe besitzt einen B.S.E.E.-Abschluss der North Carolina State University und einen M.S.E.E.-Abschluss sowie einen Doktortitel in Elektrotechnik der Stanford University.
eFPGA,未来尽在掌握 June 15, 2017作者: Timothy Saxe 几乎所有电子工程师都对FPGA熟悉,而其中一大部分甚至对独特的FPGA具备经验. eFPGA (嵌入式 FPGA)技术让半导体公司可以将FPGA嵌入到SoC或ASIC中.。行业曾从经验中获得沉痛的经验(至此已失败的FPGA初创公司已有40家,并且数量仍不断增加),认为编译性逻辑是很困难的。初创公司最大的难题来自于设计环境，而不是硅技术本身。事实上，硅只有在拥有对应支持工具时才可发挥优势–工具必须直接浅显、可靠并易于使用，还必须提供卓越的品质和结果。如果这些还不够具备挑战性，ASIC设计环境还需要一套完全不同的工具设计流程。所以，成功的嵌入式FPGA必须拥有卓越的硅实操性、卓越的ASIC工具支持和卓越的FPGA工具流程。幸运的是, 嵌入式FPGA拥有显著的优势: 低功耗、高性能、低成本、良好的发展性和设计灵活度。 QuickLogic 在29年前成立并制造独特的FPGA。15年前我们看到了ASIC核心与可编程逻辑的技术结合趋势，并开始在发展嵌入式FPGA设计的道路上前进。在当时，多家FPGA初创公司企图开发eFPGA技术，可是都没有将其实现。原因是在当时，此技术的实现不符合经济效益，掩膜十分廉价，ASIC逻辑门很便宜，而FPGA非常昂贵。15年后，事情发生了改变：掩膜非常昂贵，而ASIC逻辑门愈发廉价，而FPGA的成本也下降了。我们最新的设备， EOS™ S3 SoC 主要针对智能手机、穿戴式设备和声音市场。此类市场对于成本和功耗十分敏感。所幸格芯40nm成本结构让我们可以满足成本需求的同时拥有十分实用的eFPGA产品。 我们的产品可以避免掩膜花销，为不同市场做出调整。此外， eFPGA让我们将难题在硬件层次上解决，节省了功耗。 此处引入有关功耗敏感性的题外话: 每个人都声称自己的产品是对功耗十分敏感的。对于服务器设计者来说,使用25瓦特的FPGA来超载一块90瓦特的CPU就是功耗敏感。在穿戴式设备市场，人们希望一块CR2450电池可以支撑6个月，那系统平均功耗必须是410微瓦，而对于物联网市场，大家希望AA电池可以支持3年，那系统平均功耗必须是318微瓦。我们的焦点在可穿戴式和物联网市场，设计者可以期待计算单元只占系统25%的功耗：可穿戴式设备为100uW；物联网为80uW。 因为我们的操作主要在低功耗领域，我们认为格芯22FDX® 制程是未来功耗敏感市场的出路。与40nm制程对比, 22FDX® 经济效应更好,而且动态背极偏置将使设计者将系统平均功耗降低25%到50%。这对于物联网市场尤为重要，将要使用22FDX® 的eMRAM技术，将实现单芯片设备和超低功耗睡眠模式，比闪存内存成本效率更高。 为什么是现在？这过去的15年来发生了什么？ 第一，投入更加大了：掩膜和软件成本已突破天际。 第二，市场分化更加严重了，意味着每个设计的产量将下降。最后，未来的物联网技术，看起来与各种不同的事物相关。 如果你手上有个水晶球，可准确预测未来，你可以直接制造符合所有要求的ASIC。可如果你没有水晶球，在你的设计中加入一个QuickLogic ArcticPro™ eFPGA模块，将使你可以： 当标准变化时更新你的硬件 当出现新的市场需求时更新产品的功能 从同一组掩膜组合中制造出不同的产品 更快进入市场，通过提升产品功能延续市场寿命 多年以来,我们发现这是最难把握的要点。与ASIC组联系，他们会让你直接告诉他们你的要求，他们将更好地实现。断层的原因是他们并不是定义需求的人。现在你有另一个选择。给自己的产品加入一个eFPGA模块，你会惊喜地发现，利用22FDX技术，这个模块非常经济。QuickLogic已有15年经验，我们了解成功的集成所需的要素，我们的方法让集成与加入其它硬件模块一样简单。我们也懂得高品质FPGA生产设计流程，我们已经对质量要求最高的航空市场、防御系统和工具及测试市场供应产品长达30年。我们懂得真正的低功耗，我们已经在此方向钻研5年，FDSOI是ArcticPro架构的完美补充。最后，生态系统对于物联网的多种需求是最重要的，而格芯的FDXcelerator™计划将多种经验证的IP，例如我们的ArcticPro，集中到了一起，让硅架构快速发展，成为高价值地功耗的芯片上系统。
格芯推出面向数据中心、机器学习和5G网络的7纳米专用集成电路平台 June 14, 2017 FX-7TM产品采用格芯7纳米FinFET工艺，提供业界一流的知识产权及解决方案 加利福尼亚，圣克拉拉（2017年6月14日）—— 格芯今日宣布推出其基于7纳米FinFET工艺技术的FX-7TM专用集成电路（ASIC）。FX-7是一个集成式设计平台，将先进的制造工艺技术与差异化的知识产权和2.5D/3D封装技术相结合，为数据中心、机器学习、汽车、有线通信和5G无线应用提供业内最完整的解决方案。 基于FX-14的持续成功，凭借业内领先的56G SerDes技术和专用集成电路专长，FX-7提供包括高速SerDes（60G, 112G）在内的全方位定制接口知识产权和差异化存储解决方案，涵盖低功耗SRAM、高性能嵌入式TCAM、集成式DACs/ADCs和ARM处理器，以及诸如2.5D/3D的先进封装选择。此外，FX-7产品组合可面向以超大型数据中心、5G网络、机器与深度学习应用为代表的低功耗和高性能应用，为其提供全新的设计方法和复杂的ASIC解决方案。未来，FX-7有望被运用于支持汽车ADAS及图像应用的解决方案。 格芯ASIC业务部高级副总裁Mike Cadigan 表示：“随着全球网络中数据流量和带宽的爆炸性增长，我们的客户不断提出新的需求。利用我们最先进的7LP FinFET工艺技术，FX-7产品能为面向诸如数据中心、深度计算、无线网络等新兴领域的客户，提供最先进的低功耗、高性能ASIC解决方案，从而不断提升我们为客户服务的领导者形象。” “得益于格芯在硅芯片的制造专长与IBM前半导体技术业务的有力结合，格芯的7纳米FinFET工艺技术展示了其先进科技和市场领导地位，”TIRIAS Research 创始人兼首席分析师Jim McGregor,表示，“通过其最新FX-7 ASIC产品，格芯将业务版图从传统代工客户拓展至新一代系统公司，这些公司正寻求将前沿芯片工艺应用于从人工智能的深度学习到下一代5G网络等广泛领域。” FX-7 ASIC产品设计套件现已就绪，预计在2019年实现量产。 ### 关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统出现，并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉发展公司（Mubadala Development Company）所有。欲了解更多信息，请访问 https://www.globalfoundries.com。 联系方式 Erica McGill GF (518) 795-4250 [email protected] 杨颖（Jessie Yang） (021) 8029 6826 [email protected] 石燕 （Sherry Shi） 86 15900477699 [email protected]
格芯交付性能领先的7纳米FinFET技术在即 June 14, 2017 与原有的14纳米FinFET相比，全新的7LP技术将提升40%的性能 加利福尼亚，圣克拉拉（2017年6月14日）—— 格芯今日宣布推出其具有7纳米领先性能的（7LP）FinFET半导体技术，其40%的跨越式性能提升将满足诸如高端移动处理器、云服务器和网络基础设施等应用的需求。设计套件现已就绪，基于7LP技术的第一批客户产品预计于2018年上半年推出，并将于2018年下半年实现量产。 2016年9月，格芯曾宣布将充分利用其在高性能芯片制造中无可比拟的技术积淀，来研发自己7纳米FinFET技术的计划。由于晶体管和工艺水平的进一步改进，7LP技术的表现远优于最初的性能目标。与先前基于14纳米FinFET技术的产品相比，预计面积将缩小一半，同时处理性能提升超过40%。目前，在格芯位于纽约萨拉托加县的全球领先的Fab 8晶圆厂内，该技术已经做好了为客户设计提供服务的准备。 格芯CMOS业务部高级副总裁Gregg Bartlett先生表示：“我们的7纳米FinFET技术正在按计划进行开发。我们看到，格芯在2018年计划出厂的多样化产品对客户有着强大吸引力。在推动7纳米芯片于未来一年中实现市场化的同时，格芯正在积极开发下一代5纳米及其后续的技术，以确保我们的客户能够在最前沿领域内获取世界级的技术蓝图。” 格芯还将持续投资下一代技术节点的研究与开发。通过与合作伙伴IBM和三星的密切合作，2015年格芯便宣布推出7纳米测试芯片。此后，格芯又于近日宣布业内首款基于硅纳米片晶体管的5纳米的样片。目前，格芯正在探索一系列新的晶体管架构，以帮助其客户迈进下一个互联的智能时代。 格芯的7纳米FinFET技术充分利用了其在14纳米FinFET技术上的批量制造经验，该技术于2016年初2月8日在Fab 8晶圆厂中开始生产。自那时起，格芯已为广泛的客户提供了“一次成功”的设计。 为了加快7LP的量产进程，格芯正在持续投资最新的工艺设备能力，包括在今年下半年首次购进两个超紫外光（EUV）光刻工具。7LP的初始量产提升将依托传统的光刻方式，当具备批量生产条件时，将迁移至EUV光刻技术。 引言： “我们很高兴看到格芯先进的7纳米工艺所带来的领先技术。AMD与格芯的合作集中于创造高性能的产品，从而带来更沉浸式和更直观的计算体验。” —— Mark Papermaster，AMD高级副总裁兼首席技术官 “虽然晶体管结构并非技术成功的唯一重要因素，但仍然承担着极其关键的作用。这是7纳米芯片批量生产历程中的重要里程碑，证明了格芯的工艺流程已经成熟到足以开始进行真正的客户产品设计。同时，该公司已经在向5纳米及更精细的芯片市场迈进。目前世界上能驾驭此种领先创新技术的公司屈指可数，格芯无疑是这个精英团队中的重要一员。” —— Patrick Moorhead，Moor Insights & Strategy公司总裁兼首席分析师 “格芯不断展现了美国在前沿技术领域中的领先地位，如果能继续在7纳米芯片的研究中进步，格芯将成为第一个跨过该领域全部技术节点的公司。在过去，有很多人还没有走到格芯今天的这一步，便失败了。这是从摩尔定律中汲取价值而产生的一种全新战略方式，在艰难绕过10纳米领域后，格芯发力攻克7纳米领域。其他公司则是把资源分散，来进行半程或四分之一节点处的研发。” —— Dan Hutcheson，VLSI Research公司总裁兼董事长 ### 关于格芯 格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂，为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐，格芯促生了改变行业的技术和系统出现，并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉发展公司（Mubadala Development Company）所有。欲了解更多信息，请访问 https://www.globalfoundries.com。 联系方式 Erica McGill GF (518) 795-4250 [email protected] 杨颖（Jessie Yang） (021) 8029 6826 [email protected] 石燕 （Sherry Shi） 86 15900477699 [email protected]
GLOBALFOUNDRIES auf dem besten Weg zur Bereitstellung der leistungsstärksten 7nm FinFET-Technologie Juni 13, 2017Neue 7LP-Technologie bietet 40 Prozent mehr Leistung als 14nm FinFET Santa Clara, Kalifornien, 13. Juni 2017 - GLOBALFOUNDRIES gab heute die Verfügbarkeit seiner 7nm Leading-Performance (7LP) FinFET-Halbleitertechnologie bekannt, die eine 40-prozentige Leistungssteigerung bietet, um die Anforderungen von Anwendungen wie Premium-Mobilprozessoren, Cloud-Servern und Netzwerkinfrastruktur zu erfüllen. Design-Kits sind ab sofort verfügbar. Die ersten Kundenprodukte auf Basis von 7LP werden voraussichtlich in der ersten Hälfte 2018 auf den Markt kommen, die Serienproduktion wird in der zweiten Jahreshälfte 2018 anlaufen. Im September 2016 kündigte GF Pläne zur Entwicklung einer eigenen 7nm-FinFET-Technologie an, die die unübertroffene Erfahrung des Unternehmens bei der Herstellung von Hochleistungs-Chips nutzt. Dank zusätzlicher Verbesserungen sowohl auf Transistor- als auch auf Prozessebene übertrifft die 7LP-Technologie die anfänglichen Leistungsziele und soll mehr als 40 Prozent mehr Verarbeitungsleistung und eine doppelt so große Fläche wie die bisherige 14-nm-FinFET-Technologie bieten. Die Technologie ist nun bereit für Kundendesigns in der hochmodernen Fab 8 des Unternehmens in Saratoga County, N.Y. "Die Entwicklung unserer 7nm-FinFET-Technologie verläuft planmäßig, und wir verzeichnen eine starke Kundenakzeptanz. Für 2018 sind mehrere Produkteinführungen geplant", so Gregg Bartlett, Senior Vice President der CMOS Business Unit bei GF. "Und während wir die Kommerzialisierung von 7nm vorantreiben, entwickeln wir aktiv Technologien der nächsten Generation bei 5nm und darüber hinaus, um sicherzustellen, dass unsere Kunden Zugang zu einer erstklassigen Roadmap an der Spitze haben." GF investiert auch weiterhin in die Forschung und Entwicklung für die nächste Generation von Technologieknoten. In enger Zusammenarbeit mit seinen Partnern IBM und Samsung kündigte das Unternehmen 2015 einen 7nm-Testchip an, gefolgt von der kürzlich erfolgten Ankündigung der branchenweit ersten Demonstration eines funktionierenden 5nm-Chips mit Silizium-Nanoblech-Transistoren. GF erforscht eine Reihe neuer Transistorarchitekturen, die es seinen Kunden ermöglichen, die nächste Ära der vernetzten Intelligenz zu gestalten. Die 7-nm-FinFET-Technologie von GF profitiert von der Erfahrung des Unternehmens mit der 14-nm-FinFET-Technologie, die Anfang 2016 in Fab 8 in Produktion ging. Seitdem hat das Unternehmen "First-Time-Right"-Designs für eine breite Palette von Kunden geliefert. Um die 7LP-Produktion zu beschleunigen, investiert GF in neue Prozessausrüstungen, darunter die ersten beiden EUV-Lithographie-Tools in der zweiten Hälfte dieses Jahres. Der anfängliche Produktionshochlauf von 7LP wird auf einem optischen Lithographie-Ansatz basieren, wobei die Migration zur EUV-Lithographie erfolgt, sobald die Technologie für die Serienfertigung bereit ist. Unterstützende Zitate "Wir sind sehr zufrieden mit der Spitzentechnologie, die GF mit seiner fortschrittlichen 7nm-Prozesstechnologie anbietet. Unsere Zusammenarbeit mit GF konzentriert sich auf die Entwicklung hochleistungsfähiger Produkte, die zu einem noch intensiveren und intuitiveren Computererlebnis beitragen werden. Mark Papermaster, CTO und Senior Vice President of Technology and Engineering, AMD. "IBM ist bestrebt, die steigenden Anforderungen von kognitiven Systemen und Cloud Computing zu erfüllen. Die führende Leistung von GF in der 7LP-Prozesstechnologie, die unsere gemeinsame Forschungskooperation widerspiegelt, wird es IBM Power- und Mainframe-Systemen ermöglichen, Grenzen zu überschreiten und Hochleistungs-Computing-Lösungen anzubieten, während wir gleichzeitig aggressiv 5nm anstreben, um unsere Führungsposition für die kommenden Jahre auszubauen." Tom Rosamilia, Senior-Vizepräsident, IBM Systems "Die Transistorgeometrie ist zwar nicht der einzige wichtige Faktor für eine erfolgreiche Technologie, spielt aber dennoch eine Rolle. Dies ist ein wichtiger Meilenstein auf dem Weg zur 7-nm-Volumenproduktion und zeigt, dass der Prozess von GF ausgereift genug ist, um mit der Arbeit an echten Kundenprodukten zu beginnen. Gleichzeitig macht das Unternehmen bereits solide Fortschritte auf dem Weg zur 5nm-Fertigung und darüber hinaus. Es gibt weltweit nur eine Handvoll Unternehmen, die in der Lage sind, diese Art von Spitzeninnovation voranzutreiben, und GF erhebt eindeutig den Anspruch, zu dieser elitären Gruppe zu gehören." Patrick Moorhead, Präsident und leitender Analyst, Moor Insights & Strategy "GF demonstriert weiterhin die Führungsrolle Amerikas in der Spitzentechnologie. Wenn sie diesen Fortschritt bei 7nm fortsetzen, wird GF das erste Unternehmen sein, das einen ganzen Knotenpunkt überspringt. Alle, die das in der Vergangenheit versucht haben, sind weit vor diesem Punkt des Prozesses gescheitert. Es ist ein völlig neuer strategischer Ansatz, um aus dem Moore'schen Gesetz Nutzen zu ziehen. Indem GF in den sauren Apfel gebissen und 10nm übersprungen hat, hat es die technische Bandbreite eröffnet, um 7nm frontal anzugreifen. Andere Unternehmen haben ihre Ressourcen geteilt und sich für halbe oder sogar viertel Knoten entschieden." Dan Hutcheson, CEO und Vorsitzender von VLSI Research Über GF: GLOBALFOUNDRIES ist ein führender Full-Service-Halbleiterhersteller foundry und bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen für einige der weltweit führenden Technologieunternehmen. Mit einer globalen Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, ermöglicht GLOBALFOUNDRIES die Technologien und Systeme, die Industrien verändern und Kunden die Möglichkeit geben, ihre Märkte zu gestalten. GLOBALFOUNDRIES ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakte: Erica McGillGF(518) 795-4250[email protected]
GLOBALFOUNDRIES bringt 7nm-ASIC-Plattform für Rechenzentren, maschinelles Lernen und 5G-Netzwerke auf den Markt Juni 13, 2017FX-7TM-Angebot nutzt den 7-nm-FinFET-Prozess des Unternehmens, um erstklassige IP und Lösungen zu liefern Santa Clara, Kalifornien, 13. Juni 2017 - GLOBALFOUNDRIES gab heute die Verfügbarkeit von FX-7 TM bekannt, einem anwendungsspezifischen integrierten Schaltkreis (ASIC), der auf der 7nm FinFET-Prozesstechnologie des Unternehmens basiert. FX-7 ist eine integrierte Designplattform, die modernste Fertigungsprozesstechnologie mit einer differenzierten Suite von geistigem Eigentum und 2,5D/3D-Packaging kombiniert, um die branchenweit umfassendste Lösung für Rechenzentren, maschinelles Lernen, Automotive, drahtgebundene Kommunikation und 5G-Mobilfunkanwendungen zu liefern. Aufbauend auf dem anhaltenden Erfolg von FX-14 mit seinen branchenführenden 56G SerDes und seiner langjährigen ASIC-Expertise bietet FX-7 eine umfassende Suite maßgeschneiderter Schnittstellen-IPs, darunter High Speed SerDes (60G, 112G), differenzierte Speicherlösungen, darunter Low-Voltage-SRAM, hochleistungsfähiges eingebettetes TCAM, integrierte DACs/ADCs, ARM-Prozessoren und fortschrittliche Gehäuseoptionen wie 2,5D/3D. Darüber hinaus ermöglicht das FX-7-Portfolio neue Designmethoden und komplexe ASIC-Lösungen für Anwendungen mit geringerem Stromverbrauch und hoher Leistung, die auf Hyper-Scale-Rechenzentren, 5G-Netzwerke sowie Machine- und Deep-Learning-Anwendungen abzielen. Zukünftige Erweiterungen sind geplant, um Lösungen für ADAS- und Bildgebungsanwendungen im Automobilbereich zu unterstützen. "Die explosionsartige Zunahme des Datenverkehrs und der Bandbreite in globalen Netzwerken stellt neue Anforderungen an unsere Kunden", so Mike Cadigan, Senior Vice President der ASIC Business Unit bei GF. "Durch die Nutzung unserer fortschrittlichsten 7LP-FinFET-Prozesstechnologie bauen wir mit dem FX-7-Angebot unsere Führungsposition im Dienste unserer Kunden weiter aus, indem wir die fortschrittlichsten ASIC-Lösungen mit geringerem Stromverbrauch und hoher Leistung für neue Marktparadigmen wie Rechenzentren, Deep Computing und drahtlose Netzwerke liefern." "Die 7nm-FinFET-Technologie von GF demonstriert die Technologie- und Marktführerschaft, die sich aus der Kombination des Silizium- und Fertigungs-Know-hows von GF und dem ehemaligen Halbleiterkonzern von IBM ergibt", so Jim McGregor, Gründer und Chefanalyst von TIRIAS Research. "Mit seinem neuen FX-7 ASIC-Angebot erweitert GF seine Reichweite über die traditionellen Kunden von foundry hinaus auf eine neue Generation von Systemunternehmen, die modernste Siliziumprozesse für eine breite Palette von Anwendungen nutzen wollen, vom Deep Learning für künstliche Intelligenz bis hin zu 5G-Netzwerken der nächsten Generation." Design-Kits für das FX-7 ASIC-Angebot sind ab sofort für Kunden erhältlich, die Serienproduktion wird für 2019 erwartet. Über GF: GF ist ein führender Full-Service-Halbleiterhersteller foundry und bietet eine einzigartige Kombination von Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen für einige der weltweit führenden Technologieunternehmen. Mit einer globalen Produktionspräsenz auf drei Kontinenten bietet GLOBALFOUNDRIES die Technologien und Systeme an, die Branchen verändern und Kunden die Möglichkeit geben, ihre Märkte zu gestalten. GLOBALFOUNDRIES ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Kontakte: Erica McGillGF(518) 795-4250[email protected]
22FDX® wird auf der CDNLive EMEA für Automobilanwendungen vorgestellt Juni 7, 2017 Von: Gerd Teepe Vor kurzem veranstaltete Cadence seine zweitägige europäische CDNLive-Veranstaltung in einer Mehrzweckarena in München. Die Arena im INFINITY Hotel & Conference Resort ist auch häufig ein Anziehungspunkt für Eishockeyturniere, Rockkonzerte und andere hochkarätige Veranstaltungen und Besucher. In den letzten Jahren hat sich sogar die Fußballmannschaft des FC Bayern München vor wichtigen Spielen hier versammelt, was der Gegend weiteren Glanz verliehen hat. Während die Spieler des FC Bayern München in diesem Jahr nicht in der Arena standen, gab es eine andere Attraktion auf der Messe - eine technische Innovation, die eine neue Ära in der Bildverarbeitung einläutet. Die Dream Chip Technologies GmbH aus Hannover demonstrierte ein System mit einem Bildverarbeitungschip, der mit der 22nm FD-SOI(22FDX®)-Technologie von GLOBALFOUNDRIES entwickelt und hergestellt wurde. Die ADAS-SoC-Systemplattform von Dream Chip basiert auf einem Vierfach-ARM®-A53-Prozessor, der durch einen Dual-ARM-R5-Lockstep-Prozessor ergänzt wird, wodurch sich der Chip für erweiterte ASIL-Sicherheitsanwendungen eignet. Das Arbeitspferd des Chips ist der Vision-P6-Prozessor von Cadence. Quelle: Dream Chip: Vollständige Systemarchitektur der Bildverarbeitungsplattform, die demnächst von Dream Chip implementiert wird. Die Vision P6-Architektur von Cadence basiert auf der Tensilica-Architektur und ist für die Berechnung von Convolutional Neural Networks (CNNs) ausgelegt. Bildobjekte werden durch Korrelation von Videobildern mit einer Datenbank bekannter Bilder erkannt. Für Anwendungen im Auto, wie die Erkennung von Schildern und Fußgängern, muss diese Anwendung in Echtzeit mit 30 Bildern pro Sekunde laufen. Im Wesentlichen handelt es sich um einen massiven rechnerischen Vergleich von Bildern, der in Echtzeit erfolgt. Der auf der CDNLive gezeigte Prototyp ist das erste Live-System mit einem SoC, das mit der 22FDX-Technologie von GF realisiert wurde. Der Chip ist 64 mm2 groß und wird zusammen mit zwei LPDDR4-Speichern auf einem Gehäusesubstrat montiert. Source Dream Chip: Systemmodul mit Chip und zwei LPDDR4-Speichern Der ADAS-Chip von Dream Chip ist ein komplexer und multifunktionaler SoC. Auf der CDNlive demonstrierte Dream Chip seine Videofähigkeiten anhand einer Systemplatine, die auf einem Modellauto montiert war, wobei das Signal einer auf der Motorhaube montierten GoPro-Kamera in die Systemplatine eingespeist wurde. Jens Benndorf, COO von Dream Chip, erläutert den weiteren Signalweg: "Das Videosignal wird zunächst in den Chip eingespeist, an einen der vier IVPs weitergeleitet, die einen Filteralgorithmus ausführen, und dann an den Videoausgang und weiter an das Display geleitet. Damit ist bewiesen, dass der IVP6 funktioniert." Quelle GF: Dream Chip Live-Demo-Aufbau auf der CDNLive EMEA Neben der Vorführung hielten Benndorf und sein Team eine Reihe von Präsentationen über das System, die Chip-Architektur und die CNN-basierte Bildverarbeitung, für die der Chip in naher Zukunft entwickelt werden soll. Dream Chip, GF und Partner arbeiten mit Hochdruck daran, den SoC-Prototyp zur Produktionsreife zu bringen. Das erste Silizium wurde im Februar 2017 auf dem Mobile World Congress in Barcelona vorgestellt, und ein Video über die Plattform wurde im Mai auf der CDNLive gezeigt. Was wird als Nächstes kommen? Fahren Sie mit uns, und finden Sie es heraus! 22FDX ermöglicht Innovationen bei ADAS-Anwendungen und wird in Zukunft auch beim autonomen Fahren zum Einsatz kommen. Bis dahin werden es die Spieler von Bayern München sicher merken. Über den Autor Gerd Teepe In seiner Rolle als Director Marketing für Europa ist Gerd für die Leitung der Marketinginitiativen für CMOS-Plattformen in dieser Region verantwortlich, wobei der Schwerpunkt auf der Beschleunigung von Design Wins in den Segmenten IoT/Industrie und Automotive sowie in den Schwellenländern liegt. Zuvor leitete er die Design Engineering Organisation von GLOBALFOUNDRIES. Gerd Teepe ist seit der Gründung von GLOBALFOUNDRIES im Jahr 2009 bei GLOBALFOUNDRIES tätig und arbeitet am FAB1-Standort in Dresden. Bevor er zu GLOBALFOUNDRIES kam, war er bei AMD, Motorola-Semiconductors und NEC, Japan, in den Bereichen Forschung und Entwicklung, Design, Produktmanagement und Marketing tätig. Gerd hat einen Master-Abschluss und einen Doktortitel der Universität Aachen, Deutschland.
Eine größere Rolle für Foundries auf dem Analogmarkt Mai 30, 2017von: Dave Lammers Ein wachsender Anteil von Analog- und Mixed-Signal-ICs wird in Foundries wie GLOBALFOUNDRIES hergestellt. Wenn es um Kommentare über die Halbleiterindustrie geht, leben wir in einer Welt mit einem großen D (digital) und einem kleinen A (analog), wobei die digitalen Spitzenprodukte die meiste Aufmerksamkeit auf sich ziehen. Während analoge und Mixed-Signal-ICs etwa 15 Prozent des Umsatzes der Chipindustrie ausmachen - 48 Milliarden Dollar im Jahr 2016 - wird kaum darüber geschrieben, wie sie hergestellt werden. Ein Hauptgrund dafür ist, dass bis vor kurzem die meisten analogen Bauteile mit älteren Technologien hergestellt wurden. Aber das ändert sich gerade. Jim Feldhan, Präsident von Semico Research (Phoenix), sagte, dass Mixed-Signal-Chips immer mehr digitale Inhalte enthalten, was zu größeren Chips führt, was wiederum den Einsatz fortschrittlicherer Prozesstechnologien erfordert, um die Chipgröße unter Kontrolle zu halten. "Früher haben wir von Big A, little D gesprochen, aber jetzt werden viel mehr digitale Schaltungen hinzugefügt", sagte er. Die Integration analoger und digitaler Funktionen führt auch zur Verwendung von 300mm-Wafern, um die Kosten zu kontrollieren. "Das fördert die Nutzung von foundry ", sagte Feldhan und fügte hinzu, dass es sich nur wenige analoge IC-Unternehmen leisten können, 300mm-Fabriken zu bauen. Unternehmen wie Texas Instruments haben die 300-mm-Fertigung für hochvolumige analoge Teile übernommen, aber nur sehr wenige analoge Unternehmen haben das Kapital, um eine 300-mm-Fertigung zu bauen und zu füllen, fügte er hinzu. Das finanzielle Bild ändert sich auch in anderer Hinsicht. Analoge Unternehmen hatten früher beneidenswerte Bruttomargen, sagte Feldhan, aber der zunehmende Wettbewerb hat die durchschnittlichen Verkaufspreise (ASP) in den letzten fünf Jahren stark reduziert, von einem analogen ASP von 46 Cent im Jahr 2011 auf durchschnittlich 36 Cent im letzten Jahr, laut Semico Research. Dieser 25-prozentige Rückgang der ASPs hat dazu geführt, dass mehr analoge Unternehmen ihre Investitionen in die Produktentwicklung und weniger in teure Kapazitätserweiterungen stecken. "Die analogen Unternehmen haben mit den gleichen Problemen zu kämpfen wie die digitalen IC-Unternehmen. Ihre Margen sind ziemlich knapp, und so ist es unvermeidlich, dass sie sich auf die Produktentwicklung konzentrieren und sich mehr an Foundries wenden", sagte Feldhan. GF hat auf diese Trends in zweierlei Hinsicht reagiert: zum einen mit dem Ausbau der Kapazitäten für analoge und Mixed-Signal-Produkte, zum anderen mit der Beschleunigung seiner Technologie-Roadmap. Die 300-mm-Fabrik des Unternehmens in Chengdu, China, Fab 11, wird zusätzliche Kapazitäten für die 180-nm- und 130-nm-Produktion sowie für die 22-nm-Fertigung mit vollständig verarmtem SOI(22FDX®) bieten, die voraussichtlich in großem Umfang für Mixed-Signal-Anwendungen eingesetzt werden wird. Die 300-mm-Fabrik in Singapur, Fab 7, bietet Platz für die zusätzliche Produktion von 130-nm-, 55-nm- und zukünftigen 40-nm-Analog/Mixed-Signal-Prozessen. Mike Arkin, stellvertretender Direktor für die Produktlinie Analog/Power bei GF, sagte: "Wir sehen einen Bedarf an mehr Kapazität. Wir gehen davon aus, dass wir in den nächsten drei bis fünf Jahren erheblich wachsen werden, und wenn wir unsere Prognosen betrachten, wird die Zeit kommen, in der wir sogar noch mehr Kapazitäten benötigen werden. Die Erweiterung in China wird es GF ermöglichen, sein Analog- und Power-Geschäft weiter auszubauen" für die 130nm BCDLite® und 180nm BCDLite Angebote. Arkin sagte, dass viele IDMs für analoge und gemischte Signale auf Fab-Lite oder Fabless umsteigen.Sie "suchen nach Alternativen, um ihre Roadmaps fortzusetzen, ohne so viel zu investieren. Einzelne Unternehmen können nicht wie foundry in der Tretmühle bleiben, daher kommen immer mehr IDMs auf uns zu, wenden sich an uns, treiben unsere Roadmap voran und sprechen mit uns über das Design in den GF-Prozessen". Außerdem gibt es immer mehr Start-ups, die sich mit Energiemanagement beschäftigen. "Es gibt Start-ups mit brillanten Ideen, die noch niemand gemacht hat. In einigen Fällen kommen sie aus dem universitären Umfeld und suchen Hilfe bei den Prozessen", so Arkin. Und etablierte Unternehmen, die bisher nicht im Stromversorgungsbereich vertreten waren, entwickeln Lösungen. "Die Unternehmen, die bisher nicht im Stromversorgungsbereich tätig waren, brauchen Foundries, die nicht nur heute gute Mixed-Signal-Prozesse anbieten, sondern auch eine aktive Roadmap für die Zukunft", sagte er. Hinzufügen von Optionen und neuen Knoten GF bietet sowohl einen Bipolar-CMOS-DMOS (BCD)-Prozess mit Deep-Trench-Isolation und Unterstützung für höhere Spannungen als auch einen kostengünstigeren BCDLite-Prozess mit geringerer Spannung an. (BCDLite ist eine patentierte Prozesstechnologie, die nur von GF erhältlich ist). Das BCDLite-Verfahren ist aufgrund einer weniger komplizierten Isolationsstruktur kostengünstiger und für niedrigere Spannungen als das traditionelle BCD-Verfahren ausgelegt. Während BCD eine vergrabene N-Schicht und eine tiefe Grabenisolierung aufweist, verwendet BCDLite ein Triple-Well-Isolationsschema als Kostenreduzierung für Kunden, die kein hohes Isolationsniveau benötigen. Arkin sagte, dass einige Unternehmen ein BCDLite-Verfahren sicher anwenden und die Kosten im Vergleich zum BCD-Verfahren senken könnten. "Viele Kunden, die BCD verwenden, sind risikoscheu. Sie könnten BCDLite verwenden, das mit bis zu 30 bis 40 Volt im Vergleich zu 85 V bei BCD arbeitet, und hätten trotzdem ein robustes Design. So könnte beispielsweise das kabellose Laden für verbraucherorientierte Anwendungen die Vorteile von BCDLite nutzen. Andere Industriekunden denken darüber nach, die BCD-Prozesse in Automobilqualität zu nutzen, um die Sicherheit in Hochtemperaturumgebungen zu gewährleisten. Es gibt keine harte Linie", so Arkin. BCDLite ist ein verbraucherorientierter Prozess, aber Arkin sagte: "Mit der Automobilbranche als treibende Kraft für neue Anwendungen stellen die Kunden fest, dass sie ihre Verbraucherdesigns in den BCD-Automobilprozess (Grades 1 und 0) für eine Automobilversion ihrer Designs übertragen können. Dies ist vergleichbar mit der Art und Weise, wie traditionelle CMOS-Logikprozesse für Automotive Gr1-Anwendungen qualifiziert und vermarktet wurden." Ausweitung der Prozess-Roadmap Seit 2010 hat GF kumulativ 2,3 Millionen BCDLite-Wafer ausgeliefert. Laut Arkin ist das Unternehmen eine "solide Nr. 2" im analogen foundry Geschäft. "GF führt in diesem Jahr aktiv die Sub-100nm-BCDLite-Technologie ein", so Arkin. "Wir investieren in die Erweiterung unserer Analog- und Stromversorgungsexpertise auf noch kleinere Nodes, die unsere bestehenden CMOS-Technologien ergänzen. Es gibt auch eine Reihe anderer Fortschritte (siehe Tabelle der Prozessoptionen), mit SRAM- und nichtflüchtigen Speicheroptionen, die im 130-nm-BCD- und BCDLite-Knoten angeboten werden, sowie Hochspannungs- und Ultrahochspannungsangebote (UHV, bis zu 700 V) im 180-nm-Prozess. Weniger Chips für kleinere Formfaktoren Feldhan sagte, dass die Systemhersteller versuchen, die Formfaktoren ihrer Telefone und anderer Verbraucherprodukte zu verkleinern und daher mit ihren IC-Lieferanten zusammenarbeiten, um mehr digitale Kerne in ihre Power-Management-Produkte zu integrieren. "Dadurch, dass weniger Chips auf der Systemplatine untergebracht werden, verringert sich der Aufwand für das Reflow-Löten während der Montage", fügte er hinzu. Arkin sagte, dass die Regierungen in der ganzen Welt zunehmend einen geringeren Energieverbrauch fordern. "Die Dinge entwickeln sich schneller als noch vor zehn Jahren, als der Stromverbrauch flach war. Ein Wendepunkt kam 2007, als der Energy Star® 4.0 die 80 PLUS®-Anforderungen für Computer einführte. Seitdem hat sich der Markt für Energiemanagement stärker auf Effizienz und technische Differenzierung ausgerichtet und nicht mehr nur auf Kosten, Kosten, Kosten." Die Zukunft von BCDLite "Da BCDLite in kleinere Prozessgeometrien integriert wird, ist es besonders interessant für batteriebetriebene Handgeräte wie Smartphones, Smartwatches, Blutzuckermessgeräte und viele andere." Um den Formfaktor dieser Systeme zu verringern, so Arkin, arbeiten die IC-Anbieter daran, Geräte auf neue und interessante Weise zu integrieren und den Sockel mit neuen Funktionen zu versehen. Die meisten dieser Funktionen sind digitale Funktionen, die zusätzlich zu den analogen oder Stromversorgungsfunktionen hinzugefügt werden". Ein BCDLite-Prozess für den nächsten Knotenpunkt sei "ideal" für Systeme, die mit Lithium-Ionen-Batterien betrieben werden, sagte er. Da die analogen Funktionen in den meisten Fällen nicht so stark skalieren wie die digitalen, müssen sich Anbieter, die zusätzlich zu den analogen oder Stromversorgungsfunktionen digitale Funktionen hinzufügen, mit den Herausforderungen von Kosten und Chipgröße auseinandersetzen. "Wenn sie horizontal digitale Funktionen hinzufügen, müssen sie darüber nachdenken, wie viel sie auf einen einzigen Chip packen können, ohne dass die Kosten sinken", so Arkin. Ein großer Analog- und Mixed-Signal-Kunde mit großer Erfahrung im Digitaldesign verfügt über Lösungen, die die Force-Touch-Schnittstelle unterstützen, die den Benutzern eine komplexere oder reichhaltigere Möglichkeit zur Interaktion mit dem Touchscreen bietet. Dies hat jedoch einen hohen Preis, da immer mehr digitale Inhalte enger mit den analogen Funktionen verknüpft werden. Mit Force Touch und anderen "sensorempfindlichen" Funktionen, so Arkin, "würde ein Next-Node-BCDLite-Prozess mehr Verarbeitungskapazitäten unterstützen, die mit analogen Funktionen verbunden sind. GF arbeitet an einem solchen Prozess, um die sensorempfindlichen Fähigkeiten noch weiter auszubauen". Die Automobilindustrie ist ein weiterer sich schnell entwickelnder Markt. Mark Granger, Vice President in der Automotive Group von GF, sagte, dass BCD und BCDLite neue Anwendungen in der Automobilindustrie finden werden. "Das Energiemanagement spielt eine immer wichtigere Rolle, wenn es darum geht, bei Elektrofahrzeugen (EVs) höchste Effizienz bei der Umwandlung der Batterieladung in Vortrieb zu erreichen. Es gibt viele Bereiche, in denen diese Technologie für sehr effiziente Stromversorgungssysteme eingesetzt werden kann." Über den Autor Dave Lammers Dave Lammers schreibt für Solid State Technology und ist Blogger für die Foundry Files von GF. Dave Lammers begann über die Halbleiterindustrie zu schreiben, als er Anfang der 1980er Jahre im Tokioter Büro von Associated Press arbeitete, einer Zeit des schnellen Wachstums der Branche. 1985 wechselte er zur E.E. Times, für die er in den folgenden 14 Jahren von Tokio aus über Japan, Korea und Taiwan berichtete. Im Jahr 1998 zogen Dave, seine Frau Mieko und ihre vier Kinder nach Austin, um ein texanisches Büro für die E.E. Times einzurichten. Als Absolvent der University of Notre Dame erwarb Dave einen Master-Abschluss in Journalismus an der University of Missouri School of Journalism.
