Synopsys und GLOBALFOUNDRIES entwickeln gemeinsam die branchenweit erste Automotive Grade 1 IP für 22FDX-Prozess 22. Februar 2019Synopsys' Portfolio an DesignWare Foundation-, Analog- und Schnittstellen-IP beschleunigt die ISO 26262-Qualifizierung für ADAS-, Antriebsstrang-, 5G- und Radar-SoCs im Automobilbereich MOUNTAIN VIEW, Kalifornien, und SANTA CLARA, Kalifornien, 21. Februar 2019. Höhepunkte Synopsys DesignWare IP für Automotive Grade 1 und Grade 2 Temperaturbetrieb auf GLOBALFOUNDRIES 22FDX® Prozess umfasst Logikbibliotheken, Embedded Memories, Datenkonverter, LPDDR4, PCI Express 3.1, USB 2.0/3.1 und MIPI D-PHY IP Die IP-Lösungen von Synopsys implementieren zusätzliche Automotive-Grade-Designregeln für den 22FDX-Prozess, um die Anforderungen an die Zuverlässigkeit und den 15-jährigen Betrieb im Automobilbereich zu erfüllen Synopsys' IP, die AEC-Q100-Temperaturklassen und ISO 26262 ASIL Readiness unterstützt, beschleunigt SoC-Zuverlässigkeits- und funktionale Sicherheitsbewertungen Besuchen Sie Synopsys und GLOBALFOUNDRIES am 25. Februar auf dem Mobile World Congress in Barcelona, Spanien, bei einem Panel zum Thema "Intelligente Konnektivität für eine datengesteuerte Zukunft". Synopsys, Inc. (Nasdaq:SNPS) und GLOBALFOUNDRIES (GF) gaben heute ihre Zusammenarbeit bei der Entwicklung eines Portfolios von DesignWare® Foundation-, Analog- und Interface-IP für den 22-nm Fully-Depleted Silicon-On-Insulator (22FDX®)-Prozess von GF bekannt, das für den Temperaturbereich Automotive Grade 1 (-40C bis +150C) ausgelegt ist. Durch die Bereitstellung von IP, die für den Hochtemperaturbetrieb auf 22FDX ausgelegt ist, ermöglicht Synopsys den Entwicklern, ihren Designaufwand zu reduzieren und die AEC-Q100-Qualifizierung von System-on-Chips (SoCs) für Automobilanwendungen wie eMobility, 5G-Konnektivität, erweiterte Fahrerassistenzsysteme (ADAS) und Infotainment zu beschleunigen. Die Synopsys DesignWare IP implementiert zusätzliche Automotive-Designregeln für den GF 22FDX-Prozess, um strenge Anforderungen an Zuverlässigkeit und Betrieb zu erfüllen. Diese jüngste Zusammenarbeit ergänzt das breite Portfolio von Synopsys an Automotive-grade IP, das eine ISO 26262 ASIL B Ready oder ASIL D Ready Zertifizierung, AEC-Q100 Tests und Qualitätsmanagement bietet. "Das ultrahochauflösende Radar von Arbe nutzt diese Spitzentechnologie, die es uns ermöglicht hat, eine einzigartige Radarlösung zu entwickeln und das fehlende Bindeglied für autonome Fahrzeuge und sichere Fahrerassistenz bereitzustellen", so Avi Bauer, Vice President of R&D bei Arbe. "Wir müssen mit führenden Unternehmen zusammenarbeiten, die unsere technologischen Innovationen unterstützen können. Die 22FDX-Technologie von GF und die DesignWare-IP von Synopsys in Automobilqualität helfen uns, die Anforderungen an die Zuverlässigkeit und den Betrieb in der Automobilindustrie zu erfüllen, und sind für unseren Erfolg entscheidend." "Die enge Zusammenarbeit von GF mit führenden Automobilzulieferern und Ökosystempartnern wie Synopsys hat fortschrittliche Prozesstechnologielösungen für ein breites Spektrum von Antriebssystemen ermöglicht", so Mark Ireland, Vice President of Ecosystem Partnerships bei GF. "Die Kombination unseres 22FDX-Prozesses mit der DesignWare-IP von Synopsys ermöglicht es unseren gemeinsamen Kunden, die Entwicklung und Zertifizierung ihrer Automotive-SoCs zu beschleunigen und gleichzeitig ihre Leistungs-, Energie- und Flächenziele zu erreichen." "Die umfangreichen Investitionen von Synopsys in die Entwicklung von Automotive-qualifizierter IP für fortschrittliche Prozesse wie den 22FDX-Prozess von GF helfen Entwicklern, ihre Qualifikationen auf SoC-Ebene für funktionale Sicherheit, Zuverlässigkeit und Automotive-Qualität zu beschleunigen", sagte John Koeter, Vice President Marketing für IP bei Synopsys. "Unsere enge Zusammenarbeit mit GF mindert die Risiken für Entwickler, die DesignWare Foundation-, Analog- und Interface-IP in Low-Power- und High-Performance-Automotive-SoCs auf dem 22FDX-Prozess integrieren." GLOBALFOUNDRIES & Synopsys auf dem Mobile World Congress 2019 Am 25. Februar 2019 wird Synopsys an der GLOBALFOUNDRIES NEXTech Lab Theater Session auf dem MWC19 teilnehmen. Eine Podiumsdiskussion mit führenden Branchenexperten, darunter Joachim Kunkel, General Manager der Solutions Group bei Synopsys, und Mike Cadigan, Senior Vice President of Global Sales, Business Development, Customer and Design Engineering bei GF, wird Einblicke in die Bedeutung der intelligenten Konnektivität, das Wachstum, die Anforderungen und Innovationen, die sie mit sich bringen wird, sowie ihre Auswirkungen auf die gesamte Halbleiter-Wertschöpfungskette geben. Weitere Informationen finden Sie unter: https://www.globalfoundries.com/join-gf-mwc19. Ressourcen Weitere Informationen über Synopsys DesignWare IP für den Temperaturbetrieb in Automobilen der Klasse 1 auf dem 22FDX-Prozess von GF: Foundation IP: Logikbibliotheken, eingebettete Speicher, einmalig programmierbare nichtflüchtige Speicher (OTP NVM) und eingebettete Test- und Reparaturfunktionen Datenumwandler LPDDR4 PCI Express 3.1 USB 2.0/3.1 MIPI Über GLOBALFOUNDRIES GLOBALFOUNDRIES (GF) ist ein führender Full-Service-Anbieter foundry , der differenzierte Halbleitertechnologien für eine Reihe wachstumsstarker Märkte liefert. GF bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen mit einer Reihe innovativer IP und funktionsreicher Angebote wie FinFET, FDX™, RF und Analog/Mixed Signal. Mit einer Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, verfügt GF über die Flexibilität und Agilität, um die dynamischen Anforderungen von Kunden auf der ganzen Welt zu erfüllen. GF ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter www.globalfoundries.com. Über Synopsys DesignWare IP Synopsys ist ein führender Anbieter von hochwertigen, siliziumerprobten IP-Lösungen für SoC-Designs. Das breite Synopsys DesignWare IP-Portfolio umfasst Logikbibliotheken, Embedded Memories, Embedded Test, Analog IP, Wired und Wireless Interface IP, Security IP, Embedded Prozessoren und Subsysteme. Um das Prototyping, die Softwareentwicklung und die Integration von IP in SoCs zu beschleunigen, bietet die IP Accelerated-Initiative von Synopsys IP-Prototyping-Kits, IP-Software-Entwicklungskits und IP-Subsysteme. Die umfangreichen Investitionen von Synopsys in die IP-Qualität, der umfassende technische Support und die robuste IP-Entwicklungsmethodik ermöglichen es Designern, das Integrationsrisiko zu reduzieren und die Markteinführung zu beschleunigen. Für weitere Informationen über Synopsys DesignWare IP besuchen Sie https://www.synopsys.com/designware. Über Synopsys Synopsys, Inc. (Nasdaq: SNPS) ist der Silicon to Software™-Partner für innovative Unternehmen, die elektronische Produkte und Softwareanwendungen entwickeln, auf die wir uns jeden Tag verlassen. Als 15. größtes Softwareunternehmen der Welt ist Synopsys seit langem weltweit führend in den Bereichen Electronic Design Automation (EDA) und Halbleiter-IP und baut seine Führungsposition bei Software-Sicherheits- und Qualitätslösungen weiter aus. Ob Sie ein System-on-Chip (SoC)-Designer sind, der fortschrittliche Halbleiter entwickelt, oder ein Softwareentwickler, der Anwendungen schreibt, die höchste Sicherheit und Qualität erfordern - Synopsys hat die Lösungen, die Sie benötigen, um innovative, hochwertige und sichere Produkte zu liefern. Erfahren Sie mehr unter www.synopsys.com Redaktionelle Kontakte: Norma SengstockSynopsys, Inc.650-584-2890[email protected] Erica McGillGLOBALFOUNDRIES518-795-5240[email protected]
IRIS von Xpeedic auf GLOBALFOUNDRIES 12LP-Prozess für Hochleistungsanwendungen qualifiziert 21. Februar 2019Xpeedic Technology, Inc. gab heute bekannt, dass sein 3D-Vollwellen-Simulationstool IRIS für GLOBALFOUNDRIES' 12nm Leading-Performance (12LP)-Prozesstechnologie qualifiziert wurde. Diese Qualifizierung ermöglicht es Entwicklern, IRIS mit der zertifizierten IRIS-Prozessdatei, die für den 12LP-FinFET-Halbleiterherstellungsprozess von GF verfügbar ist, zuverlässig zu betreiben.
IRIS von Xpeedic auf GLOBALFOUNDRIES 12LP-Prozess für Hochleistungsanwendungen qualifiziert 21. Februar 2019Xpeedic Technology, Inc. gab heute bekannt, dass sein 3D-Vollwellen-Simulationstool IRIS für GLOBALFOUNDRIES' 12nm Leading-Performance (12LP)-Prozesstechnologie qualifiziert wurde. Diese Qualifizierung ermöglicht es Entwicklern, IRIS mit der zertifizierten IRIS-Prozessdatei, die für den 12LP-FinFET-Halbleiterherstellungsprozess von GF verfügbar ist, zuverlässig zu betreiben.
GLOBALFOUNDRIES überschreitet mit 8SW RF SOI-Technologie die Schwelle zum Milliardengewinn 21. Februar 2019 Der Mobilfunkmarkt bevorzugt weiterhin RF SOI, wobei sich 8SW als branchenweit führende Plattform für energieoptimierte Chips erweist Santa Clara, Kalifornien, 20. Februar 2019 - GLOBALFOUNDRIES gab heute bekannt, dass die für Mobilgeräte optimierte 8SW RF SOI-Technologieplattform des Unternehmens seit ihrer Markteinführung im September 2017 mehr als eine Milliarde Dollar an Design Win-Umsätzen für Kunden gebracht hat. Mit einer Ausbeute und Leistung, die die Erwartungen der Kunden übertrifft, ermöglicht 8SW Entwicklern die Entwicklung von Lösungen, die extrem schnelle Downloads, hochwertigere Verbindungen und zuverlässige Datenkonnektivität für die heutigen 4G/LTE Advanced-Betriebsfrequenzen und künftige 5G-Mobilfunk- und Drahtloskommunikationsanwendungen unter 6 GHz bieten. Als branchenweit erste 300-mm-RF-SOI-Lösung foundry bietet der 8SW erhebliche Leistungs-, Integrations- und Flächenvorteile mit klassenbester rauscharmer Verstärker- (LNA) und Schalterleistung, die alle zusammen die Integrationslösungen im Front-End-Modul (FEM) verbessern. Die optimierte RF-FEM-Plattform ist auf aggressive LTE- und Sub-6-GHz-Standards für FEM-Anwendungen zugeschnitten, darunter 5G IoT, mobile Geräte und drahtlose Kommunikation. "Wir bei Qorvo bauen unser branchenführendes RF-Portfolio kontinuierlich aus, um alle Pre-5G- und 5G-Architekturen zu unterstützen. Daher benötigen wir die besten verfügbaren Technologien, um erstklassige Lösungen mit einem breiten Spektrum an Konnektivität im Sub-6-GHz- und mmWave-5G-Bereich anbieten zu können", so Todd Gillenwater, CTO von Qorvo. "Die 8SW-Technologie von GF bietet eine Mischung aus Leistungs-, Integrations- und Flächenvorteilen in FEM-Schaltern und LNAs und bietet uns eine hervorragende Plattform für unsere erstklassigen Produkte." "Da neue Hochgeschwindigkeitsstandards wie 4G LTE und 5G immer komplexer werden, müssen Innovationen im Bereich des RF-Front-End-Funkdesigns weiterhin eine Leistung erbringen, die den wachsenden Anforderungen an Netzwerke, Daten und Anwendungen gerecht wird", so Bami Bastani, Senior Vice President of Business Units bei GF. "GF baut seine umfangreichen RF-SOI-Fähigkeiten kontinuierlich aus und verschafft damit seinen Kunden einen Wettbewerbsvorteil, indem es ihnen ein erfolgreiches Design, eine optimale Leistung und eine kürzeste Markteinführungszeit ermöglicht." Laut Mobile Experts wird der Markt für mobile RF-Frontends im Jahr 2022 schätzungsweise 22 Milliarden US-Dollar erreichen, mit einer CAGR von 8,3 Prozent. Mit mehr als 40 Milliarden RF-SOI-Chips, die bis 2018 ausgeliefert wurden, ist GF einzigartig positioniert, um ein wachsendes RF-Portfolio für eine breite Palette von wachstumsstarken Anwendungen wie Automotive, 5G-Konnektivität und das Internet der Dinge (IoT) zu liefern. "Die Funkkomplexität wird sowohl bei Sub-6 GHz als auch bei mmWave zunehmen, was eine enge Integration mehrerer HF-Funktionen erfordert", so Joe Madden, Principal Analyst bei Mobile Experts. "Der Markt benötigt HF-Lösungen mit hoher Effizienz und Linearität, aber auch mit skalierbaren Prozessen auf großen Wafern. GF hat einen RF-SOI-Prozess etabliert, der eine längerfristige Marktexpansion ermöglichen wird". GF kombiniert seine langjährige RF-Expertise mit der branchenweit differenziertesten RF-Technologieplattform, die fortschrittliche und etablierte Technologieknoten umfasst, um Kunden bei der Entwicklung von 5G-Konnektivitätslösungen für Produkte der nächsten Generation zu unterstützen. GF wird seine 5G-fähigen RF-Lösungen zusammen mit Branchenexperten auf dem MWC Barcelona am 25. Februar im NEXTech Labs Theater im Fira Gran Via Convention Center in Barcelona präsentieren. Weitere Informationen finden Sie unter globalfoundries.com. Über GLOBALFOUNDRIES GLOBALFOUNDRIES (GF) ist ein führender Full-Service-Anbieter ( foundry ), der differenzierte Halbleitertechnologien für eine Reihe von wachstumsstarken Märkten anbietet. GF bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen mit einer Reihe innovativer IP und funktionsreicher Angebote wie FinFET, FDX™, RF und Analog/Mixed Signal. Mit einer Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, verfügt GF über die Flexibilität und Agilität, um die dynamischen Anforderungen von Kunden auf der ganzen Welt zu erfüllen. GF ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter globalfoundries.com. Kontakt: Erica McGillGLOBALFOUNDRIES(518) 795-5240[email protected]
Rambus und GLOBALFOUNDRIES liefern Hochgeschwindigkeits-SerDes auf 22FDX® für Kommunikations- und 5G-Anwendungen Februar 20, 2019Rambus Inc., ein führender Anbieter von Halbleiter- und IP-Produkten, gab heute die Verfügbarkeit des 32G Multi-Protocol SerDes PHY auf GLOBALFOUNDRIES 22nm FD-SOI (22FDX®)-Plattform für hochvolumige Hochleistungsanwendungen bekannt. Der SerDes PHY wurde entwickelt, um die Leistungsanforderungen von drahtgebundenen Hochgeschwindigkeits- und drahtlosen 5G-Infrastruktur- und Rechenzentrumsanwendungen zu erfüllen. Er liefert Datenraten von bis zu 32 Gbit/s und unterstützt mehrere Standards wie PCIe 4.0, JESD204B/C, CPRI und Ethernet.
Rambus und GLOBALFOUNDRIES liefern Hochgeschwindigkeits-SerDes auf 22FDX® für Kommunikations- und 5G-Anwendungen Februar 20, 2019 Rambus Inc. (NASDAQ: RMBS), ein führender Anbieter von Halbleiter- und IP-Produkten, gab heute die Verfügbarkeit des 32G Multi-Protocol SerDes PHY auf GLOBALFOUNDRIES 22nm FD-SOI (22FDX®)-Plattform für hochvolumige, leistungsstarke Anwendungen bekannt. Der SerDes PHY wurde entwickelt, um die Leistungsanforderungen von drahtgebundenen Hochgeschwindigkeits- und drahtlosen 5G-Infrastruktur- und Rechenzentrumsanwendungen zu erfüllen. Er liefert Datenraten von bis zu 32 Gbit/s und unterstützt mehrere Standards wie PCIe 4.0, JESD204B/C, CPRI und Ethernet.
格芯设计中标逾10亿美元 8SW RF SOI技术功不可没 February 20, 2019移动市场持续青睐RF SOI，同时8SW日益成为业界领先的低功耗芯片平台 加利福尼亚州圣克拉拉，2019年2月20日 – 格芯今天宣布，公司自2017年9月推出针对移动应用优化的8SW RF SOI技术平台以来，客户端设计中标收入已逾10亿美元。8SW的良率与性能均超过客户期望，可帮助设计人员开发解决方案，为当今先进的4G/LTE工作频率和未来6GHz以下的5G移动和无线通信应用提供极快的下载速度、更高质量的互连和更可靠的数据连接。 8SW是业内首款300 mm RF SOI代工解决方案，具有显著的性能、集成度和尺寸优势，以及出色的低噪声放大器(LNA)和开关性能，这些均有助于改进前端模块(FEM)中的集成解决方案。优化的RF FEM平台专为满足前端模块应用更高的LTE和6 GHz以下标准而量身定制，包括5G 物联网、移动设备和无线通信。 Qorvo首席技术官Todd Gillenwater表示：“Qorvo持续扩展业内领先的射频产品组合，以支持所有Pre-5G和5G架构，因此我们需要适当的可行技术，以便为客户提供6 GHz以下及5G毫米波等方面连接范围广泛的出色解决方案。格芯8SW技术使前端模块开关和LNA同时具有性能、集成度和尺寸优势，为我们的优质产品提供了一个很好的平台。” 格芯业务部高级副总裁Bami Bastani表示：“随着包括4G LTE和5G在内的新高速标准复杂程度日益增加，射频前端无线电设计的创新性能必须不断满足日益增长的网络、数据和应用需求。格芯不断增强广泛的RF SOI能力，帮助客户在首次设计成功率、优化性能和缩短上市时间方面获得具有竞争力的市场优势。” Mobile Experts认为，2022年移动射频前端市场估值达到220亿美元，其中CAGR占8.3%。格芯2018年RF SOI芯片出货量超过400亿，在该领域独具优势，可为汽车、5G连接和物联网(IoT)等各种高增长应用提供更广泛的射频产品组合。 Mobile Experts的首席分析师Joe Madden表示：“用于6 GHz以下及毫米波的无线电复杂性将会提高，促使多种射频功能紧密集成。市场需要具备线性性能的射频高效解决方案，同时能够在较大晶圆上使用可扩展工艺。格芯已经拥有成熟的RF SOI工艺，有助于拓展长期市场。” 格芯结合了丰富的射频技术经验和业内极具差异化的射频技术平台，涵盖先进和成熟的技术节点，帮助客户为下一代产品研发5G连接解决方案。 格芯将参加2月25日举办的巴塞罗那全球移动通信大会，与业界专家共聚一堂，展示其支持5G的射频解决方案，地点是西班牙巴塞罗那格兰大道菲拉会议中心NEXTech实验室剧院。如需了解更多信息，请访问globalfoundries.com。 About GLOBALFOUNDRIES GLOBALFOUNDRIES (GF) is a leading full-service foundry delivering truly differentiated semiconductor technologies for a range of high-growth markets.GF provides a unique combination of design, development, and fabrication services, with a range of innovative IP and feature-rich offerings including FinFET, FDX™, RF, and analog mixed signal.With a manufacturing footprint spanning three continents, GF has the flexibility and agility to meet the dynamic needs of clients across the globe.GF is owned by Mubadala Investment Company. For more information, visit globalfoundries.com. Contact: Erica McGill GLOBALFOUNDRIES (518) 795-5240 [email protected]
GLOBALFOUNDRIES und Dolphin Integration liefern differenzierte FD-SOI Adaptive Body Bias-Lösungen für 5G-, IoT- und Automotive-Anwendungen Februar 20, 2019IP, um energieeffiziente SoC-Designs zu beschleunigen und die Grenzen der Single-Chip-Integration zu erweitern Santa Clara, Kalifornien und Grenoble, Frankreich, 19. Februar 2019 - GLOBALFOUNDRIES (GF) und Dolphin Integration, ein führender Anbieter von Halbleiter-IP, gaben heute eine Zusammenarbeit zur Entwicklung einer Reihe von Adaptive Body Bias (ABB)-Lösungen bekannt, um die Energieeffizienz und Zuverlässigkeit von System-on-Chip (SoC) auf der 22-nm-FD-SOI (22FDX®)-Prozesstechnologie von GF für eine breite Palette von wachstumsstarken Anwendungen wie 5G, IoT und Automotive zu verbessern. Im Rahmen der Zusammenarbeit arbeiten Dolphin Integration und GF gemeinsam an der Entwicklung einer Reihe von Standard-ABBB-Lösungen zur Beschleunigung und Vereinfachung der Body-Bias-Implementierung in SoC-Designs. ABB ist eine einzigartige 22FDX-Funktion, die es Entwicklern ermöglicht, Vorwärts- und Rückwärts-Body-Bias-Techniken zu nutzen, um Prozess-, Versorgungsspannungs- und Temperaturschwankungen (PVT) sowie Alterungseffekte dynamisch zu kompensieren und so zusätzliche Verbesserungen in Bezug auf Leistung, Stromverbrauch, Fläche und Kosten zu erzielen, die über die reine Skalierung hinausgehen. Die in der Entwicklung befindlichen Lösungen von ABB bestehen aus eigenständigen IPs, in die die Vorspannungsregelung, die PVT- und Alterungsüberwachung und der Regelkreis eingebettet sind, sowie aus vollständigen Designmethoden, um die Vorteile des Corner Tightening vollständig zu nutzen. Die 22FDX-Technologie von GF bietet die branchenweit niedrigste statische und dynamische Leistungsaufnahme. Durch die automatische Anpassung des Transistor-Body-Bias kann Dolphin Integration bei 22FDX-Designs eine bis zu 7-fache Energieeffizienz bei einer Versorgungsspannung von nur 0,4 V erreichen. "Wir arbeiten seit mehr als zwei Jahren mit GF an fortschrittlichen und konfigurierbaren Power-Management-IPs für stromsparende und energieeffiziente Anwendungen", so Philippe Berger, CEO von Dolphin Integration. "Durch unsere fortlaufende Zusammenarbeit mit GF konzentrieren wir uns darauf, schlüsselfertige IP-Lösungen zu entwickeln, die es Entwicklern ermöglichen, den vollen Nutzen von FD-SOI für jedes SoC-Design in 22FDX zu realisieren." "Um die Designs unserer Kunden zu vereinfachen und ihre Markteinführungszeit zu verkürzen, tragen GF und seine Ökosystempartner dazu bei, den Weg für künftige Leistungsstandards in den Bereichen 5G, IoT und Automotive zu ebnen", so Mark Ireland, Vice President of Ecosystem Partnerships bei GF. "Mit der Unterstützung von Silizium-IP-Anbietern wie Dolphin Integration stehen Kunden neue Design-Infrastrukturen für Stromverbrauch, Leistung und Zuverlässigkeit zur Verfügung, um die Vorteile der 22FDX-Technologie von GF voll auszuschöpfen." Design-Kits mit schlüsselfertigen adaptiven Body-Bias-Lösungen auf dem 22FDX von GF werden ab dem zweiten Quartal 2019 erhältlich sein. Über Dolphin Integration Das 1985 gegründete Unternehmen Dolphin Integration beschäftigt derzeit 160 Mitarbeiter in seiner Hauptniederlassung in Meylan, Frankreich, und unterhält Tochtergesellschaften in Kanada und Israel. Dolphin Integration entwickelt Halbleiter-IPs hauptsächlich für Unternehmen, die ICs in großen Stückzahlen herstellen, und bietet Kunden auf der ganzen Welt Designdienstleistungen für integrierte Schaltungen an. Dolphin Integration ist sich des explosiven Wachstums von KI-, IoT-, Mobil- und Automobilprodukten und der potenziellen Auswirkungen auf die Umwelt bewusst und setzt sich dafür ein, die Entwicklung von energieeffizienten System-on-Chip (SoC) für seine Kunden zu beschleunigen. Dolphin Integration ist der eingetragene Markenname von Dolphin Design SAS. Um mehr über das Unternehmen zu erfahren, besuchen Sie bitte: www.dolphin-integration.com und folgen Sie uns auf Twitter @Dolphin_Int und LinkedIn Kontakt zur Presse: Aurélie DescombesTelefon: +33 480 420 720[email protected] Über GF GLOBALFOUNDRIES (GF) ist ein führender Full-Service-Anbieter ( foundry ), der differenzierte Halbleitertechnologien für eine Reihe von wachstumsstarken Märkten anbietet. GF bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen mit einer Reihe innovativer IP und funktionsreicher Angebote wie FinFET, FDX™, RF und Analog/Mixed Signal. Mit einer Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, verfügt GF über die Flexibilität und Agilität, um die dynamischen Anforderungen von Kunden auf der ganzen Welt zu erfüllen. GF ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter globalfoundries.com. Kontakt: Erica McGillGLOBALFOUNDRIES(518) 795-5240[email protected]
格芯和Dolphin Integration推出适用于5G、物联网和汽车级应用的差异化FD-SOI自适应体偏置解决方案 February 19, 2019IP加快节能型SoC设计，推动单芯片集成界限 加利福尼亚州圣克拉拉、法国格勒诺布尔，2019年2月19日 – 格芯(GF)和领先的半导体IP提供商Dolphin Integration今日宣布，双方正在合作研发自适应体偏置(ABB)系列解决方案，提升格芯22nm FD-SOI (22FDX®)工艺技术芯片上系统(SoC)的能效和可靠性，支持5G、物联网和汽车等多种高增长应用。 作为合作事宜的一部分，Dolphin Integration与格芯正在共同研发ABB系列解决方案，加速并简化SoC设计的体偏置实施方案。ABB具备特有的22FDX功能，可以让设计师利用正向及反向体偏置技术，动态地补偿工艺、电源电压、温度(PVT)变化以及老化影响，在扩展之外实现其他性能、功率、面积和成本优势。 研发阶段的ABB解决方案包括独立IP，嵌入体偏置电压调节、PVT、老化监视器和控制环，以及完整的设计方法论，充分利用工艺角紧固优势。格芯的22FDX技术实现了业内最低的静态及动态功耗。借助自动化晶体管体偏置调整，Dolphin Integration在22FDX设计中可实现7倍能效，以及低至0.4V的电源电压。 Dolphin Integration首席执行官Philippe Berger表示：“我们与格芯从事合作已有两年多，针对低功耗和节能应用提供先进的可配置电源管理IP。与格芯的现有合作中，我们的重点是创建统包IP解决方案，帮助设计者在22FDX技术中为所有SoC设计实现完整的FD-SOI优势。” 格芯生态系统合作伙伴关系副总裁Mark Ireland表示：“为了简化我们的客户设计并缩短上市时间，格芯和我们的生态系统合作伙伴正在为树立5G、物联网和汽车的未来性能标准铺平道路。在Dolphin Integration等芯片IP提供商的支持下，客户将获得新的功率、性能和可靠性管理基础设施，充分利用格芯22FDX技术的优势。” 基于格芯22FDX技术的统包自适应体偏置解决方案设计套件将于2019年第2季度推出。 关于Dolphin Integration Dolphin Integration成立于1985年，现拥有160名员工，总部位于法国梅朗，并在加拿大和以色列设有子公司。Dolphin Integration从事半导体IP开发，主要服务于高量产无晶圆厂集成电路公司，并向全球客户提供集成电路设计服务。考虑到人工智能、物联网、移动设备和汽车产品的爆炸性增长以及潜在的环境影响，Dolphin Integration致力于为其客户加快研发节能的系统上芯片(SoC)。Dolphin Integration是Dolphin Design SAS的注册商标名称。 如要了解公司详情，请访问：www.dolphin-integration.com并通过Twitter @Dolphin_Int和LinkedIn关注我们 新闻联系人： Aurélie Descombes 电话：+33 480 420 720 [email protected] About GLOBALFOUNDRIES GLOBALFOUNDRIES (GF) is a leading full-service foundry delivering truly differentiated semiconductor technologies for a range of high-growth markets.GF provides a unique combination of design, development, and fabrication services, with a range of innovative IP and feature-rich offerings including FinFET, FDX™, RF, and analog mixed signal.With a manufacturing footprint spanning three continents, GF has the flexibility and agility to meet the dynamic needs of clients across the globe.GF is owned by Mubadala Investment Company. For more information, visit globalfoundries.com. Contact: Erica McGill GLOBALFOUNDRIES (518) 795-5240 [email protected]
RF SOI glänzt bei 5G-Leistungsverstärkern 11. Februar 2019von: Dave Lammers Unter Verwendung der 45RFSOI-Technologie von GF hat UCSD-Professor Peter Asbeck kürzlich einen Leistungsverstärker entwickelt, der bei 28 GHz arbeitet und eine Ausgangsleistung von 22 dBm sowie eine Leistungszusatzeffizienz (PAE) von mehr als 40 Prozent aufweist. Beim Backoff für die in 5G verwendeten 64QAM-OFDM-Signale erreicht der Verstärker eine durchschnittliche Ausgangsleistung von 13 dBm bei 10 dB Backoff und 17 Prozent PAE, sogar ohne digitale Vorverzerrung. "Das ist das richtige Maß an Leistung und Effizienz für die meisten 5G-28-GHz-Anwendungen", so Asbeck. Leistungsverstärker (Power Amplifiers, PAs) unterscheiden sich von den meisten anderen Chips, und die PAs, die für 5G-Mobilfunklösungen benötigt werden, unterscheiden sich wahrscheinlich deutlich von denen, die in den heutigen 4G-Smartphones und -Basisstationen verwendet werden. Die meisten 5G-Mobilfunkanwendungen werden Phased-Array-Antennen verwenden, um mehrere Strahlen zu fokussieren und zu lenken, und es ist diese Fähigkeit, die Übertragungsaufgabe auf mehrere Strahlen aufzuteilen, die 5G in die Lage versetzt, die für viele unwahrscheinlich erscheinenden Leistungsziele zu erreichen. Während frühe 5G-Systeme den Frequenzbereich unter 6 GHz nutzen werden, liegt das eigentliche Versprechen von 5G in der Nutzung von Bandbreiten im Millimeterwellenbereich von 24, 28 und 39 GHz. Dort werden Phased-Array-Antennen, z. B. ein 4×4-Array, zum Einsatz kommen, wobei jede PA mit einer viel geringeren Leistung arbeitet als die, die zur Verstärkung der heute verwendeten omnidirektionalen Signale mit einem Strahl erforderlich ist. Peter Asbeck, Professor an der USC Ned Cahoon, RF Business Development Director bei GF, sagte, dass Galliumarsenid (GaAs) in der 4G-Mobilfunkgeneration eine führende Technologie im Bereich der Leistungsverstärker gewesen sei. "Wir glauben, dass wir uns von einem Sub-6-GHz-Bereich, in dem Galliumarsenid dominiert hat, zum Millimeterwellen-Markt bewegen, in dem die meisten Front-End-Lösungen aus Silizium bestehen werden. Cahoon sagte, dass die RF-SOI-Technologie, die bereits seit über zehn Jahren in der Produktion eingesetzt wird und nun von GF auf Wafer mit 300 mm Durchmesser am 45-nm-Knoten erweitert wurde, ideal für integrierte Front-End-Geräte ist, die für 5G-Millimeterwellen-Handsets, Access Points und Basisstationen benötigt werden. Cahoon stützt diese Überzeugung zum Teil auf die Arbeit mehrerer wichtiger Professoren auf dem Gebiet der Leistungsverstärker, insbesondere von Peter Asbeck an der University of California in San Diego (UCSD). Asbeck promovierte am M.I.T., war 15 Jahre lang in der Industrie mit der Entwicklung von Hochfrequenz-Drahtlostechnologien befasst und wurde zum Skyworks-Professor für Hochleistungs-Kommunikationsgeräte und -schaltungen an der Jacobs School of Engineering der UCSD ernannt. Für seine Entwicklung des GaAs-HBT-Bauteils ist er Mitglied der National Academy of Engineering. Stand der Technik Mit der 45RFSOI-Technologie von GF hat Asbeck vor kurzem Leistungsverstärker für 28 GHz entwickelt, die eine Ausgangsleistung von bis zu 22 dBm und eine Spitzen-PAE von mehr als 40 % liefern können. In einer 5G-Anwendung erfordert die übertragene Wellenform ein erhebliches Backoff von der Spitzenleistung und eine ausgezeichnete Linearität. Der 45RFSOI-Schaltkreis bietet eine durchschnittliche Ausgangsleistung von 13 dBm mit 17 Prozent Backoff-PAE für den 5G-Fall. "Dies ist das richtige Maß an Leistung und Effizienz für die meisten 5G 28 GHz-Anwendungen", sagte Asbeck und fügte hinzu, dass die PA zur Übertragung von Standard 64 QAM OFDM-Signalen verwendet wurde, ohne teure digitale Vorverzerrungstechniken (DPD) einzusetzen. Während er darauf hinwies, dass andere Forschungslabors ähnliche Ergebnisse erzielen, bezeichnete er den 45RFSOI-basierten Leistungsverstärker seines Labors als "ziemlich genau den Stand der Technik". "Es herrscht jetzt ein intensiver Wettbewerb zwischen den verschiedenen Technologien für die entstehenden 5G-Systemsteckplätze. 45RFSOI steht kurz davor, die ideale Technologie für die Konfiguration der HF-Frontend-Module für 5G bei 28 und 39 GHz zu sein. Ich denke, dass sie sich für sehr viele 5G-Systeme durchsetzen wird", so Asbeck. Schematische Darstellung und Chip-Mikrofotografie für 2-Stapel nMOS SOI 28GHz PAQuelle: P. Asbeck, UCSD Diese Aussage ist besonders interessant, weil Asbeck in seiner Laufbahn viel mit Galliumarsenid (GaAs) gearbeitet hat, das die für Leistungsverstärker erforderlichen hohen Spannungen leichter aufnehmen kann. Seit seinem Wechsel zur UCSD im Jahr 1991 hat Asbeck Pionierarbeit geleistet, indem er Transistoren auf Siliziumbasis in Reihe schaltete, um höhere Spannungen zu erreichen, wobei diese "gestapelten" Transistoren zusammen die erforderliche Ausgangsleistung liefern. Vier Transistoren in einer seriellen Anordnung reichen aus, um die für die meisten PAs erforderlichen Spannungen zu erzeugen, sagte er. (Cahoon sagte, dass, einfach ausgedrückt, die HF-Leistung gleich der Spannung mal dem Strom ist, wobei für optimale lineare Schaltungen höhere Spannungen erforderlich sind; im Grunde das Gegenteil von digitalen ICs). Asbeck weist darauf hin, dass es konkurrierende Technologien zu 45RFSOI gibt, darunter Galliumarsenid (GaAs), Galliumnitrid (GaN) und Siliziumgermanium (SiGe). Ein weiterer Mitbewerber ist die 22FDX®-Technologie von GF. In einem Blog von Foundry File beschrieb Gabriel Rebeiz, ebenfalls Professor an der UCSD, im vergangenen Jahr seine Arbeit zur Entwicklung rauscharmer Verstärker (LNAs) in der 22FDX-Technologie. In einem Interview sagte Rebeiz, er glaube, dass die Leistungsstufen in 22FDX-basierten Verstärkern erhöht werden können, so dass integrierte 5G-Frontend-Lösungen entwickelt werden können. Aber Rebeiz zog den Hut vor Asbecks Arbeit im Bereich 45RFSOI: "Es ist wichtig, dass die Funktionen zusammen integriert werden, sonst hat man kein (marktfähiges) Teil. Mit RF SOI kann man nicht nur die PAs mit gestapelten Transistoren, sondern auch die Schalter stapeln. Meine Gruppe hat zusammen mit GF 45RFSOI-basierte Schalter mit nur 0,8 dB Einfügungsdämpfung gezeigt. Ja, 45RFSOI ist eine ideale Technologie für Front-End-Module". Quelle: GF Neben den Leistungsverstärkern müssen RF-Front-End-Lösungen auch rauscharme Verstärker und Schalter sowie Phasenschieber und Verstärker mit variabler Verstärkung integrieren. RF SOI, so Asbeck, hat sich als "weltweit bester Ansatz" für Millimeterwellen-Schalter erwiesen, die die in SiGe HBT- oder GaAs-Technologien verfügbaren Schalter "in den Schatten stellen". "Es gibt sicherlich einige Anwendungen in 5G, die eine höhere Ausgangsleistung erfordern, als sie bisher in 45RFSOI demonstriert wurde. Bei der ersten Generation von 5G-Anwendungen können PAs in anderen Technologien wie SiGe HBT, GaAs oder GaN eingesetzt werden. Aber wir glauben, dass es eine große Chance gibt, die mit 45RFSOI erreichbare Ausgangsleistung bis in den Watt-Bereich für die Spitzenleistung weiter zu erhöhen und diese Slots sowie die Slots mit geringerer Leistung zu übernehmen", sagte er. Minimierung von Parasiten Was gibt RF SOI einen Vorteil? Asbeck sagte, um die erforderliche Ausgangsleistung zu erreichen, müsse man Transistoren stapeln, d. h. eine Reihe von FETs in Reihe schalten, um die Gesamtspannung zu erhöhen. Die Silizium-auf-Isolator-Struktur des 45RFSOI beseitigt alle mit dem Body-Effekt und der Substratkapazität verbundenen Parasiten, die die in Bulk-CMOS hergestellten Schaltungen behindern. Außerdem verfügt der 45RFSOI über ein hochohmiges Substrat, das "die Kapazitäten der Verbindungen und der Bauelemente minimiert. Die drei dicken Metallschichten sorgen dafür, dass die Verluste der Anpassungsnetzwerke so gut wie bei keiner anderen IC-Technologie so gering sind. Und die hohen Ft- und Fmax-Werte sorgen für eine große Verstärkung bei 28 GHz", sagte er. Die bei Mobiltelefonen so wichtige Batterielebensdauer hängt mit der Effizienz der Leistungsverstärker zusammen. Asbeck sagte: "45RFSOI hat einen außergewöhnlichen Wirkungsgrad für die 28-GHz-Verstärker, und er ist ziemlich nah an dem besten, der in GaAs oder GaN erreicht wird. Ich denke, dass der hohe Substratwiderstand und die dicken Metalle allein schon etwa 5 Prozent zur PAE (Power Added Efficiency) der 28-GHz-Leistungsverstärker beitragen, die wir hergestellt haben. Unser Rekord liegt bei 47 Prozent PAE, mit einer gesättigten Ausgangsleistung von 19,5 dBm in einem einfachen 2-Stack-PA. Einige andere Labors berichten ebenfalls von PAEs in diesem Bereich, die 45RFSOI verwenden. Cahoon sagte, dass Asbecks 45RFSOI-Arbeit den Wert von Hochgeschwindigkeits-pFETs zusammen mit den nFETs demonstriert hat. Asbeck sagte, dass die schnellen pFETs die Verwendung von komplementären Schaltungen ermöglichen, wobei die pFETs die AM-PM-Eigenschaften der meisten nFET-Schaltungen verbessern. "Wir sind auch für pFET-Schaltungen optimistisch, weil diese Transistoren potenziell sogar eine bessere Spannungsfestigkeit haben als nFETs", sagte er. (Die AM-PM-Wandlung eines Verstärkers ist ein Maß für den Umfang der unerwünschten Phasenabweichung (PM), die durch systemimmanente Amplitudenschwankungen (AM) verursacht wird). Für mich gibt es zwei Aspekte, die ich mitgenommen habe. Erstens, dass der "Schwenk" von GF weg vom führenden Bulk-CMOS hin zur Unterstützung von Technologien wie RF SOI ein kluger Schachzug war. Und wenn man Asbeck, Cahoon und Rebeiz zuhört, spürt man die Zuversicht, dass 5G-Millimeterwellen-Drahtlosverbindungen ohne weiteres erreichbar sind und der Welt unglaublich schnelle drahtlose Verbindungen auf der Grundlage erschwinglicher, hoch integrierter ICs bieten. Über den Autor Dave Lammers Dave Lammers schreibt für Solid State Technology und ist Blogger für die Foundry Files von GF. Dave Lammers begann über die Halbleiterindustrie zu schreiben, als er Anfang der 1980er Jahre im Tokioter Büro von Associated Press arbeitete, einer Zeit des schnellen Wachstums der Branche. 1985 wechselte er zur E.E. Times, für die er in den folgenden 14 Jahren von Tokio aus über Japan, Korea und Taiwan berichtete. Im Jahr 1998 zogen Dave, seine Frau Mieko und ihre vier Kinder nach Austin, um ein texanisches Büro für die E.E. Times einzurichten. Als Absolvent der University of Notre Dame erwarb Dave einen Master-Abschluss in Journalismus an der University of Missouri School of Journalism.
