Perspektive für Führungskräfte: Differenzierung treibt den Wert in einer Ära der Volatilität

von: Dr. Thomas Caulfield

Dr. Thomas Caulfield, Vorstandsvorsitzender, GLOBALFOUNDRIES

2018 war in fast jeder Hinsicht ein volatiles Jahr, und die globale Elektronikindustrie stand im Mittelpunkt des Geschehens. Steigende Speicherpreise und Bewertungen von Tech-Aktien sorgten in der ersten Jahreshälfte für ein atemberaubendes Wachstum, wobei Samsung seine Position als weltgrößter Chiphersteller festigte und Apple kurzzeitig die Marke von 1 Billion US-Dollar Marktkapitalisierung überschritt. In der zweiten Jahreshälfte mussten wir uns mit fallenden Aktienkursen, Ängsten vor einem drohenden Handelskrieg und einem Überangebot an GPUs herumschlagen.

Der von Nvidia-CEO Jensen Huang beschriebene "Krypto-Kater" ist eine treffende Metapher: Nach einer Nacht des Feierns wachten wir wie betäubt auf, rieben uns die Augen und hatten Mühe, unsere Umgebung zu begreifen.

Um einen klaren Kopf zu bekommen, müssen wir einen Schritt zurücktreten und das Gesamtbild betrachten. Wenn sich der Boden instabil anfühlt, ist das oft ein Zeichen für seismische Aktivitäten unter der Oberfläche. Unsere Branche befindet sich mitten in einer tektonischen Verschiebung vom Zeitalter der mobilen Datenverarbeitung hin zu einer neuen Wachstumsphase, die durch eine Reihe von neuen Anwendungen wie IoT, künstliche Intelligenz und 5G-Konnektivität angetrieben wird. Die Zahl der vernetzten Geräte wird in die Billionen gehen, was zu einem ebenso explosiven Wachstum des Datenverkehrs in den weltweiten Netzen führen wird.

Jede Ebene der Elektronik-Lieferkette ist bestrebt, sich an die Herausforderungen und Möglichkeiten anzupassen, die sich in dieser kommenden Ära der "vernetzten Intelligenz" ergeben. Systementwickler passen sich an, indem sie Infrastrukturen und Geräte entwickeln, die für die Verwaltung, Analyse und Verarbeitung dieser Daten ausgelegt sind - sowohl in der Cloud als auch vor Ort. Die Chipdesigner verlagern ihren Schwerpunkt von der allgemeinen Datenverarbeitung auf die domänenspezifische Datenverarbeitung, bei der eine eindeutig definierte Architektur die Leistung drastisch erhöhen und den Stromverbrauch für eine hochspezialisierte Anwendung wie das maschinelle Lernen reduzieren kann. Und die Hersteller stellen sich auf das bevorstehende Ende des Mooreschen Gesetzes ein. Es ist kein Geheimnis, dass die Skalierung der Transistoren - der Motor, der die Branche fast 50 Jahre lang angetrieben hat - langsam ausläuft.

Wie können sich Siliziumgießereien also anpassen?

Im Kern ist das Mooresche Gesetz ein wirtschaftliches Modell. Es geht darum, mehr Fähigkeiten zu geringeren Kosten bereitzustellen. Wie alle nützlichen Geschäftsmaximen hängt es von der Fähigkeit ab, Werte zu schaffen. In der Halbleiterindustrie haben wir uns angewöhnt zu glauben, dass Wertschöpfung nur durch Transistorvergrößerung möglich ist. Tatsächlich gibt es aber viele Möglichkeiten, den Nettoeffekt des Mooreschen Gesetzes zu erreichen, und nicht alle erfordern jährliche F&E- und Investitionsausgaben in Milliardenhöhe.

In einer datenzentrierten Welt ist die Energieeffizienz eine grundlegende Kennzahl. Die pro Bit verbrauchte Leistung muss minimiert werden, um die Datenrate innerhalb eines begrenzten Leistungsrahmens weiter zu steigern. Da wir uns den von der Physik definierten Grenzen nähern, ist die Verkleinerung von Transistoren nicht mehr der beste Weg, um den Stromverbrauch zu senken. Der Übergang zu domänenspezifischen Architekturen im Rechenzentrum und am Rande des Rechenzentrums eröffnet neue architektonische Möglichkeiten, die auf der Fertigungsebene durch neue Materialien, verbesserte Transistoren und Fortschritte beim Packaging unterstützt werden können.

Bei GLOBALFOUNDRIES haben wir unseren Kurs geändert, um uns an die Realitäten dieser neuen Ära anzupassen. Ich habe die Gründe für unsere jüngste Strategieänderung in mehreren Foren dargelegt, so dass ich sie hier nicht noch einmal wiederholen werde. Ich empfehle Ihnen, sich dieses Video-Interview mit Dan Hutcheson von VLSI Research anzusehen, um weitere Informationen zu erhalten. Obwohl unsere Entscheidung, die Investitionen weg von der Spitzenforschung zu verlagern, viel Aufmerksamkeit erregt hat, war dieser "Schwenk" nur ein Teil einer größeren Umstrukturierung, die im Unternehmen im Gange ist.

Während wir diesen Wandel 2019 und darüber hinaus fortsetzen, werden wir erhebliche Investitionen in Forschung und Entwicklung tätigen, um unsere bestehenden Technologieplattformen mit einer Reihe von differenzierten Funktionen zu verbessern. Wenn wir einen ausgereiften Knotenpunkt um eine Funktion wie den Hochspannungsbetrieb erweitern, verwandelt er sich von einem handelsüblichen Prozess in eine Technologie mit echtem Mehrwert für die Kunden. Das ist nichts Neues - unsere Fabriken in Singapur arbeiten schon seit Jahren auf diese Weise, und sie können große Gewinnspannen vorweisen. Wir werden dieses Modell auf unser gesamtes Portfolio übertragen, einschließlich unserer fortschrittlichsten Technologien. Unsere Entwicklungsteams haben bereits gezeigt, dass sie durch eine Kombination von Architektur-, Speicher- und Verpackungsinnovationen auf unserer 12-nm-Plattform eine fast doppelt so hohe Verbesserung des Stromverbrauchs im Vergleich zur traditionellen Knotenmigration erzielen können.

Diese differenzierten Merkmale werden jedoch nicht isoliert entwickelt. Sie können nur dann einen wirklichen Nutzen bringen, wenn sie in Zusammenarbeit mit innovativen Kunden entwickelt werden, die in der Lage sind, von wachstumsstarken Märkten zu profitieren. Wir gehen enge Partnerschaften mit einer neuen Art von Kunden ein, die sich auf mehreren Ebenen vom Silizium bis zu den Systemen engagieren. Synaptics ist ein gutes Beispiel dafür. Sie haben unsere 22FDX-Technologie als einzige Plattform für ihre Sprach- und Multimediaverarbeitungsprodukte der nächsten Generation für den IoT-Markt übernommen. Unsere Teams haben Hand in Hand gearbeitet, um die einzigartigen Eigenschaften von 22FDX zu nutzen, wie z. B. den extrem stromsparenden Betrieb und die unübertroffene HF-Leistung. Weitere Informationen von Synaptics-CEO Rick Bergmann finden Sie in diesem Video seiner Keynote auf unserer GTC 2018-Konferenz Anfang des Jahres.

Damit GF wirklich relevant ist, brauchen wir mehr als nur differenzierte Angebote. Die Kunden haben deutlich gemacht, dass sie einen foundry Partner mit einem nachhaltigen Geschäftsmodell brauchen, damit sie sicher sein können, dass ihre Technologieinvestitionen auch in den kommenden Jahren Rendite abwerfen. Wir haben einen neuen Schwerpunkt auf die finanzielle Leistung gelegt und werden diesen Fokus 2019 und darüber hinaus weiter forcieren. Unsere Entscheidung, Investitionen von der Spitze weg zu verlagern, hat eine enorme Menge an Ressourcen freigesetzt, und wir werden nach weiteren Möglichkeiten zur Verbesserung unserer Kostenstruktur suchen. Erwarten Sie weitere Änderungen an unserem Technologieportfolio, da wir uns auf die differenziertesten Angebote konzentrieren, und rechnen Sie mit einer Verfeinerung unserer Produktionskapazitäten, da wir unser Kapazitätsprofil optimieren wollen.

GF feiert im März 2019 sein 10-jähriges Bestehen. In den letzten zehn Jahren hat sich in unserem Unternehmen und in der gesamten Branche viel verändert, aber eines ist gleich geblieben: Halbleiter sind entscheidende Komponenten der globalen technologischen Revolution. Im Jahr 2018 wird der Halbleitersektor von einigen Analysten auf über 500 Milliarden US-Dollar geschätzt. Diese Zahl ist zwar beeindruckend, unterschätzt aber den Beitrag unserer Branche zum 2-Billionen-Dollar-Elektronik-Ökosystem erheblich. Da wir uns mit einem sich schnell verändernden Markt und grundlegenden Veränderungen bei den Grundlagentechnologien auseinandersetzen, müssen wir uns gemeinsam dafür einsetzen, mehr von dem von uns geschaffenen Wert zu erfassen, um auch in Zukunft Innovationen voranzutreiben.

Über den Autor

Dr. Thomas Caulfield

Dr. Thomas Caulfield

Dr. Thomas Caulfield ist der Vorstandsvorsitzende von GlobalFoundries. Vor seiner Ernennung zum CEO war Tom Caulfield Senior Vice President und General Manager der hochmodernen 300-mm-Halbleiter-Waferproduktionsanlage (Fab 8) des Unternehmens in Saratoga County, New York. Caulfield, der im Mai 2014 in das Unternehmen eintrat, leitete den Betrieb, die Erweiterung und den Hochlauf der Halbleiterproduktion in Fab 8.

Caulfield kann auf eine lange Karriere zurückblicken, in der er bei führenden Technologieunternehmen in den Bereichen Technik, Management und globale Betriebsführung tätig war. Zuletzt war Caulfield als President und Chief Operations Officer (COO) bei Soraa tätig, dem weltweit führenden Entwickler von GaN auf GaNTM (Galliumnitrid auf Galliumnitrid) Festkörperbeleuchtungstechnologie. Vor seiner Tätigkeit bei Soraa war Caulfield Präsident und COO von Ausra, einem führenden Anbieter von groß angelegten Solarenergielösungen zur Stromerzeugung und industriellen Dampferzeugung. Davor war Caulfield als Executive Vice President für Vertrieb, Marketing und Kundendienst bei Novellus Systems, Inc. tätig.

Davor war Caulfield 17 Jahre lang bei IBM in verschiedenen Führungspositionen tätig, zuletzt als Vice President of 300mm Semiconductor Operations für die Microelectronics Division von IBM, wo er den hochmodernen Wafer-Fertigungsbetrieb in East Fishkill, NY, leitete.

 

 

 

Reprogrammierbares NeoMTP von eMemory auf GLOBALFOUNDRIES' 130nm BCDLite®- und BCD-Technologieplattformen für Automobilanwendungen qualifiziert

eMemory gab heute bekannt, dass sein NeoMTP, ein mehrfach programmierbarer eingebetteter nichtflüchtiger Speicher (NVM), für GLOBALFOUNDRIES (GF) 130-nm-BCDLite®- und BCD-Prozesstechnologie-Plattformen qualifiziert wurde, die sowohl auf Power-Management- als auch auf AEC-Q100 Grade-1-konforme Anwendungen im Automobilbereich abzielen.

Reprogrammierbares NeoMTP von eMemory auf GLOBALFOUNDRIES' 130nm BCDLite®- und BCD-Technologieplattformen für Automobilanwendungen qualifiziert

eMemory gab heute bekannt, dass sein NeoMTP, ein mehrfach programmierbarer eingebetteter nichtflüchtiger Speicher (NVM), für GLOBALFOUNDRIES (GF) 130-nm-BCDLite®- und BCD-Prozesstechnologie-Plattformen qualifiziert wurde, die sowohl auf Power-Management- als auch auf AEC-Q100 Grade-1-konforme Anwendungen im Automobilbereich abzielen.

Heterogene Strategie auf dem Vormarsch

von: Dave Lammers

Angesichts der Verlangsamung traditioneller Märkte und der Skalierung nach dem Mooreschen Gesetz arbeitet die Halbleiterindustrie hart daran, sich selbst neu zu erfinden, um die Bedürfnisse neuer Märkte wie künstliche Intelligenz, autonome Fahrzeuge, das Internet der Dinge und andere zu erkennen.

Am faszinierendsten ist vielleicht die künstliche Intelligenz, deren Rechenparadigmen sich deutlich von den traditionellen Prozessor-Speicher-Ansätzen unterscheiden können. "Lange Zeit waren Mustererkennung und kognitive Aufgaben wie das Erkennen und Interpretieren von Bildern, das Verstehen gesprochener Sprache und die automatische Übersetzung Schwachpunkte für Computer", sagte Damien Querlioz, ein französischer Forscher, der auf der jüngsten Internationalen Elektronenbautagung in San Francisco über "Emerging Device Technologies for Neuromorphic Computing" sprach.

Seit etwa 2012 hat sich der Fortschritt in der KI beschleunigt, sowohl in der Trainings- als auch in der Inferenzphase, aber der Stromverbrauch ist immer noch eine große Herausforderung, wenn herkömmliche Rechnerarchitekturen verwendet werden. Querlioz, Forscher am französischen Nationalen Labor CNRS, nannte ein anschauliches Beispiel: das berühmte Go-Spiel, das 2016 zwischen Googles AlphaGo und Lee Sedol, einem Weltmeister in diesem Spiel, gespielt wurde. Sedols Gehirn verbrauchte während des Wettkampfs etwa 20 Watt, während AlphaGo schätzungsweise mehr als 250.000 Watt benötigte, um seine CPUs und GPUs am Laufen zu halten.

Seitdem wurden bei Google und anderswo zwar Leistungsverbesserungen vorgenommen, aber die Bemühungen um neue, weniger stromhungrige Geräte für die neuromorphe Datenverarbeitung werden immer intensiver.

Ted Letavic, Senior Fellow für strategisches Marketing bei GlobalFoundries, sagte, er denke über KI in Etappen nach, eine Zeitachse, die von der Verbesserung herkömmlicher Rechentechnologien zu radikal neuen Geräten und Architekturen führt, die viel weniger Strom verbrauchen. Auf der gesamten Zeitachse wird fortschrittliches Packaging eine Schlüsselrolle spielen.

"Wir können bestehende Technologien nutzen und Derivate hinzufügen, indem wir DTCO (Design Technology Co-Optimization) einsetzen, um bis auf die Ebene der Bitzellen zu optimieren", so Letavic. Die Technologen von GF entwickeln Möglichkeiten zur Reduzierung des Stromverbrauchs und zur Steigerung der Leistung für die 14/12-nm-FinFET-Plattform, darunter Dual Work Function SRAMs, schnellere und stromsparende Multiply-Accumulate-Elemente (MAC), Zugriff auf SRAM mit höherer Bandbreite und andere. Die FD-SOI-basierten FDX-Prozesse verbrauchen auch viel weniger Strom, insbesondere wenn Back-Biasing-Techniken eingesetzt werden. Mit diesen Technologien im Werkzeugkasten des Entwicklers können die Kunden laut Letavic "die der KI inhärenten Elemente mit einem viel geringeren Stromverbrauch neu entwerfen, als wenn sie direkt zu 7 nm übergehen würden".

Parallel zu diesen DTCO-Verbesserungen laufen weltweit Forschungs- und Entwicklungsarbeiten für eingebettete Speicher- und In-Memory-Compute-Lösungen auf der Grundlage von Phase-Change-Memory (PCM), Resistive RAM (ReRAM) und Spin-Torque-Transfer-Magnetic RAM (STT-MRAM) sowie FeFET. Ein PCM-basierter Chip, der am IBM Almaden Research Center unter der Leitung von Jeff Welser entwickelt wurde, hat große Fortschritte gemacht, so Querlioz auf der IEDM-Tutorial-Sitzung, und auch STT-MRAM- und ReRAM-basierte KI-Prozessoren sind sehr vielversprechend. "Wir haben jetzt ein riesiges Potenzial, die Elektronik für kognitive Aufgaben und Mustererkennung neu zu erfinden", sagte Querlioz.

Laut Letavic treibt der langfristige Bedarf an einer Reduzierung des Stromverbrauchs, insbesondere bei der Inferenzverarbeitung, eine Vielzahl von Start-ups zur Entwicklung neuer KI-Lösungen an. GF arbeitet eng mit mehreren von ihnen sowie mit den langjährigen Partnern AMD und IBM zusammen.

"Wir können mit DTCO-Verbesserungen des von-Neumann-Computings nur so weit kommen. Der nächste Schritt, der über disaggregierte Logik und Speicher hinausgeht, ist die Umstellung auf Compute-in-Memory und analoges Computing", sagte Letavic. Außerdem müssen die Befehlssatzarchitekturen (ISAs), die der Industrie seit 35 Jahren gute Dienste geleistet haben, durch neue Software-Stacks und Algorithmen ersetzt werden. "Wenn wir zu domänenspezifischen Berechnungen übergehen, muss jemand die Software neu erfinden. IBM hat einige wirklich gute Erkenntnisse über den Software-Stack", sagte er.

"Alle müssen diesen Schritt in Richtung KI gemeinsam gehen. Die Foundries werden Hand in Hand mit den führenden Kunden gehen, und wir können die Algorithmen nicht von der Technologie trennen", sagte Letavic und bezog sich dabei auf die enge Zusammenarbeit bei STCO (System Technology Co-Optimization). "STCO ist eine natürliche Erweiterung von DTCO auf dem Weg in die vierte Ära des Computing. Auf dem Weg zum domänenspezifischen Computing ist dies eine Entwicklung, die wir alle gemeinsam vollziehen werden."

Verpackungen helfen, Kosten zu senken

Während die Fortschritte auf dem Gebiet des Siliziums - einschließlich Dual-Work-Function-Metalle im Gate-Stack, FD-SOI und STT-MRAM - die Leistung verbessern werden, sagt Letavic, dass das Packaging eine ebenso große Rolle spielen wird, da die Unternehmen dazu übergehen, heterogene Bauelemente zu verbinden, die mit dem optimalen Prozess für jede Funktion hergestellt werden. "Ich denke, dass 2,5D und 3D nach 20 Jahren der Diskussion zum Mainstream werden. Wir werden bei der Verpackung eine ebenso große, wenn nicht sogar größere Differenzierung sehen wie bei den Siliziumströmen."

Quelle: GF

Kevin Krewell, leitender Analyst bei Tirias Research, sagte, dass die Arbeit, die mit Advanced Micro Devices geleistet wird, GF einen Vorteil verschafft, wenn Unternehmen zwei oder mehr Chiplets in einem einzigen Gehäuse unterbringen. Zuvor hatten AMD und Intel einen AMD Radeon-Grafikprozessor mit einer Intel-CPU in einem einzigen Gehäuse kombiniert. Jetzt verstärkt AMD seine Epyc-Server-CPU-Linie durch den Einsatz der Infinity-Fabric-Verbindungstechnologie von AMD. Der kommende "Rome"-Serverprozessor wird über mehrere CPU- und Cache-Speicher-Chips verfügen, die mit einem von GF gefertigten 14-nm-Chiplet verbunden sind, das die E/A-Verbindungen zu DRAM und PCI-Bus bereitstellt.

Durch die Aufteilung von Aufgaben und die Verwendung des optimalen Prozesses für jede Funktion werden Chiplets, die über Hochgeschwindigkeitsverbindungen verbunden sind, die Art und Weise verändern, wie Prozessoren für verschiedene Märkte entwickelt werden, sagte Krewell und wies darauf hin, dass Nvidia, Intel und andere Hochgeschwindigkeits-Chip-to-Chip-Verbindungen unterstützen.

"Ich erwarte, dass wir mehr davon sehen werden, wenn wir eine Mischung von Prozessknoten in einem Chiplet-Design verwenden. Vor allem die E/A-Funktionen lassen sich nicht gut auf 7 nm skalieren, und selbst bei 7 nm nehmen diese Funktionen viel Platz in Anspruch. Manchmal ist es sinnvoll, die E/A-Funktionen in einem älteren Chip unterzubringen. In der Vergangenheit wurden PC-Chipsätze in einem N-minus-1-Prozess hergestellt, als Teil einer Strategie zur Auslastung der Produktionsstätten. Es ist sehr sinnvoll, diese Funktionen in den richtigen Prozessknoten einzubauen, der die E/A verarbeiten kann und in dem sie pro Transistor nicht so teuer sind", so Krewell.

Letavic sagte, dass die Systemhersteller eine heterogene Integration fordern, bei der verschiedene Formen des fortschrittlichen Packaging zum Einsatz kommen, wie Interposer, vertikale Through-Silicon-Vias (TSVs), spezielle Laminate, Fan-outs und andere. Diese Strategie wird auch den photonischen Verbindungen zugute kommen, da die Optoelektronik höhere Bitraten liefern kann, als einige elektrische Verbindungen unterstützen können.

Bob O'Donnell, leitender Analyst des Marktforschungsunternehmens TECHnalysis, sagte, dass die Chiplet-Strategie noch einen weiten Weg vor sich hat, bis branchenweite Standards festgeschrieben sind. Bis dahin werden Unternehmen wie AMD und andere ihre eigenen internen Technologien nutzen, um mehrere Chiplets in SoCs zu verbinden.

"Ab einem bestimmten Punkt wird die Komplexität überwältigend, und dann beginnen die Unternehmen, wieder nach Vereinfachung zu suchen. Das Problem besteht darin, ein fruchtbares Ökosystem zwischen mehreren Anbietern zu schaffen, das es den Verpackungsunternehmen ermöglicht, verschiedene Teile von mehreren Unternehmen zu verpacken. Diese Standards sind noch nicht festgeschrieben worden."

O'Donnell sagte, dass das Bestreben, die optimale Technologie für jede Funktion zu verwenden, vor allem durch die hohen Kosten für das Design und die Herstellung großer SoCs in einem 7-nm-Prozess motiviert ist, zum Beispiel.

"Das Grundkonzept von Chiplets besteht ironischerweise darin, dass wir Dinge auseinandernehmen, die in der Vergangenheit integriert waren. Die Industrie war in der Lage, Systeme in weniger Komponenten zu integrieren, bis hin zu SoCs, die fast alles in einem einzigen Chip enthalten. Aber jetzt gibt es eine Verlangsamung, weil es aus technischer Sicht einfach viel schwieriger ist. Die Entwicklungskosten bei 7nm sind extrem hoch, und die Herausforderungen aus Sicht der Fertigung sind einfach verrückt."

Letavic sagte, dass fortschrittliches Packaging Vorteile "auf Chipebene und auf Systemebene" bieten wird. Wir sehen dies bereits in den Rechenzentren. Es wird sich durchsetzen, und es wird noch mehr werden.

Über den Autor

Dave Lammers

Dave Lammers

Dave Lammers schreibt für Solid State Technology und ist Blogger für die Foundry Files von GF. Dave Lammers begann über die Halbleiterindustrie zu schreiben, als er Anfang der 1980er Jahre im Tokioter Büro von Associated Press arbeitete, einer Zeit des schnellen Wachstums der Branche. 1985 wechselte er zur E.E. Times, für die er in den folgenden 14 Jahren von Tokio aus über Japan, Korea und Taiwan berichtete. Im Jahr 1998 zogen Dave, seine Frau Mieko und ihre vier Kinder nach Austin, um ein texanisches Büro für die E.E. Times einzurichten. Als Absolvent der University of Notre Dame erwarb Dave einen Master-Abschluss in Journalismus an der University of Missouri School of Journalism.

 

异构战略日渐盛行

作者: Dave Lammers

随着传统市场走向下坡路和摩尔定律的逐渐失效,半导体行业正在不断革新,力求了解人工智能、自动驾驶汽车、物联网等新市场的需求。

而其中最奇特的也许当属人工智能,因为它的计算范式与传统的“处理器-内存”方法有着明显差异。在近期于旧金山举办的国际电子器件大会上,法国研究员Damien Querlioz在谈及“神经形态计算的新型器件技术”时说道,“长期以来,模式识别和认知任务都是计算机的弱点,比如识别和解读图像、理解口语、自动翻译等。”

大约从2012年起,训练和推理阶段的人工智能技术开始加速发展,但当使用传统计算架构时,功耗仍是一个巨大挑战。Querlioz是法国国家实验室CNRS的一名研究员,他举了一个活生生的例子:2016年Google的AlphaGo与围棋世界冠军李世石之间的著名围棋大战。李世石的大脑在比赛中消耗了大约20瓦,而AlphaGo估计需要超过250,000瓦才能使其CPU和GPU保持运转。

虽然从那以后Google和其他公司均在功耗方面做出了改进,但越来越多的工作开始侧重于为神经形态计算技术设计耗电更少的新器件。

Ted Letavic是格芯的高级战略营销人员,他表示,回想人工智能的各个阶段,从改进传统计算技术,到设计耗电更少的全新器件和架构,在整个过程中,先进高效的封装将发挥关键作用。

Letavic称:“人工智能时代正在逐步到来,我们可以利用现有的技术,再加上衍生技术,通过DTCO(设计技术协同优化)进行全面优化,一直深入到位单元设计层面。”格芯的技术人员正在努力降低14/12 nm FinFET平台的功耗并提升其性能,所采用的办法包括双功函数SRAM、更快且功耗更低的累加运算(MAC)元件、对SRAM的更高带宽访问等。基于FD-SOI的FDX处理器的功耗也将降低,尤其是在部署背栅偏置技术时。Letavic表示,设计师掌握了这些技术后,客户便可以“重新设计功耗包络更低的人工智能固有元件,甚至达到7 nm”。

除了这些DTCO改进以外,全球各地也在开展其他研发工作,希望实现基于相变存储器(PCM)、阻性RAM (ReRAM)、自选扭矩转换磁性RAM (STT-MRAM)和FeFET的嵌入式内存与内存中计算解决方案。Querlioz在IEDM专题会议上提到,在IBM Almaden研究中心,由Jeff Welser领导开发的基于PCM的芯片已取得显著进展,而基于STT-MRAM和ReRAM的人工智能处理器也前景光明。Querlioz表示:“现在,我们极有可能成功为认知类型的任务和模式识别重新发明电子器件。”

Letavic称,降低功耗的道路还很长,对于推理处理而言尤其如此,而这正促使众多初创公司开发新的人工智能解决方案,格芯也与其中部分公司及长期合作伙伴AMD和IBM保持着密切合作关系。

Letavic认为:“凭借对冯诺依曼计算模式的DTCO改进,我们只能发展到这一步。除了分类逻辑和内存,下一步是发展内存中计算和基于模拟的计算。”此外,为计算行业服务了35年的指令集架构(ISA)将需要被新的软件堆栈和算法取代。他说道:“对于特定领域的计算,必须重新发明软件。IBM对软件堆栈有着深刻的见解。”

“各方都必须一同转向人工智能。格芯将与主要客户紧密合作,我们不能将算法与技术分开,”Letavic在谈及该系统技术协同优化(STCO)方面的紧密合作时说道,“随着我们迈入计算发展的第四个时代,STCO将是DTCO的自然延伸。我们将朝着特定领域的计算发展,共同迎接这一转变。”

封装帮助降低成本

虽然芯片的发展——包括栅极堆叠、FD-SOI和STT-MRAM中的双功函数金属——将提高性能,但Letavic指出,随着公司转而使用针对各功能优化工艺制造的链路异构器件,封装将扮演同样重要的角色。“我认为,20年后,2.5D和3D将成为主流。封装技术将跟芯片一样,呈现出更多差异化。”

资料来源:格芯

Kevin Krewell是Tirias Research的首席分析师,他表示,当公司将两个或多个小芯片放到单个封装中时,使用Advanced Micro Devices完成的工作将为格芯带来优势。早些时候,AMD和Intel将AMD Radeon图形处理器与Intel CPU结合在单个封装中。现在,AMD正利用Infinity Fabric互连技术增强Epyc服务器CPU系列。即将推出的“Rome”服务器处理器将采用多个CPU和缓存内存芯片内核,将那些7nm部件连接到格芯制造的14nm小芯片,为DRAM和PCI总线提供I/O链路。

Krewell表示,通过划分任务并使用针对各功能的优化工艺,基于高速链路连接的小芯片将改变多个市场的处理器制造方式,他还提到Nvidia、Intel等其他公司均支持高速芯片到芯片链路。

Krewell称:“通过在小芯片设计中混合使用多个工艺节点,我的确看到了更多问题。尤其是I/O不能很好地扩展到7 nm,而且即使在7nm中,那些功能也会占用大量空间。有时,将I/O功能放在旧芯片中是合理之举。以前,作为提升晶圆厂利用率战略的一部分,PC芯片组是在N减1工艺中制造的。将功能放在可处理I/O的正确工艺节点中非常有意义,每个晶体管的费用也没有那么贵。”

Letavic表示,系统公司需要使用各种先进封装形式的异构集成,包括插入器、垂直硅过孔(TSV)、特殊层压板、扇出等。这一战略也将为光子连接带来好处,因为光电子器件提供的比特率可能比一些电气连接支持的比特率更高。

Bob O’Donnell是市场调查公司TECHnalysis的首席分析师,他表示,在全行业标准敲定之前,小芯片战略仍有很长的路要走。在此之前,AMD等公司将利用他们自己的内部技术将多个小芯片连接到SoC中。

“在某一时刻,复杂性变得难以应对,然后公司重新开始着手简化。问题在于要向多个供应商推出丰富的生态系统,允许封装公司对来自不同公司的不同部件进行封装。这些标准尚未敲定。”

O’Donnell表示,之所以要使用针对各功能的优化工艺,是因为在7nm工艺中设计和制造大型SoC的成本非常高。

“有趣的是,小芯片的基本概念是我们将过去集成在一起的东西分开。行业能够将系统集成到更小的组件中,一直发展到SoC,能够将几乎所有元件整合到单个芯片中。但是现在,这种趋势逐渐放缓,因为从技术角度来看,难度越来越大。7nm设计的成本非常高,从制造的角度来看,这项挑战近乎疯狂。”

Letavic指出,先进的封装技术将“在芯片级别和系统级别提供优势。我们已经在数据中心见证了这一点。它将不断发展下去,影响范围也将越来越大。”

关于作者

Dave Lammers

Dave Lammers是固态技术特约撰稿人,也是格芯的Foundry Files的特约博客作者。他于20世界80年代早期在美联社东京分社工作期间开始撰写关于半导体行业的文章,彼时该行业正经历快速发展。他于1985年加入E.E. Times,定居东京,在之后的14年内,足迹遍及日本、韩国和台湾。1998年,Dave与他的妻子Mieko以及4个孩子移居奥斯丁,为E.E Times开设德克萨斯办事处。Dave毕业于美国圣母大学,获得密苏里大学新闻学院新闻学硕士学位。

格芯推出业界首个300mm 硅锗晶圆工艺技术,以满足不断增长的数据中心 和高速无线应用需求

业界最先进的高速硅锗技术目前可用于TB通信和汽车雷达应用的300mm生产线

 

加利福尼亚州圣克拉拉,2018年11月29日 – 格芯今天宣布其先进的硅锗(SiGe)产品9HP目前可用于其300mm晶圆制造平台的原型设计。这表明300mm生产线将形成规模优势,进而促进数据中心和高速有线/无线应用的强劲增长。借助格芯的300mm专业生产技术,客户可以充分提高光纤网络、5G毫米波无线通信和汽车雷达等高速应用产品的生产效率和再现性能。

 

格芯是高性能硅锗解决方案的行业领导者,在佛蒙特州伯灵顿工厂用200mm生产线进行生产。将9Hp(一种90nm 硅锗工艺)迁移至纽约州东菲什基尔的格芯Fab 10工厂实现300mm晶圆生产技术,将会保持这一行业领先地位,并奠定300mm晶圆工艺基础,有助于进一步发展产品线,确保工艺性能持续增强和微缩。

 

“高带宽通信系统日益复杂,性能需求也随之水涨船高,这些都需要更高性能的芯片解决方案,”格芯的RF业务部副总裁 Christine Dunbar表示。“格芯的9HP旨在提供出色的性能,其300mm生产工艺将能够满足客户的高速有线和无线组件需求,助力未来的数据通信发展。”

 

格芯的9HP延续了成熟的高性能硅锗BiCMOS技术的优势,支持微波和毫米波频率应用高数据速率的大幅增长,适用于下一代无线网络和通信基础设施,如 TB级光纤网络、5G毫米波和卫星通信(SATCOM)以及仪器仪表和防御系统。该技术提供出色的低电流/高频率性能,改善了异质结双极晶体管(HBT)性能,与之前的硅锗 8XP和8HP相比,最大振荡频率(Fmax)提高了35%,达到370GHz。

 

在纽约东菲什基尔的Fab 10工厂,正在进行基于多项目晶圆(MPW)的9HP 300mm工艺客户原型设计,预计2019年第二季度将提供合格的工艺和设计套件。

 

如需了解更多有关格芯硅锗解决方案的信息,请联系您的格芯销售代表或访问globalfoundries.com/cn

 

关于格芯

格芯是全球领先的全方位服务半导体代工厂,为世界上最富有灵感的科技公司提供独一无二的设计、开发和制造服务。伴随着全球生产基地横跨三大洲的发展步伐,格芯促生了改变行业的技术和系统的出现,并赋予了客户塑造市场的力量。格芯由阿布扎比穆巴达拉投资公司(Mubadala Investment Company)所有。欲了解更多信息,请访问 https://www.globalfoundries.com/cn

 

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邢芳洁(Jay Xing)

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GLOBALFOUNDRIES kündigt die branchenweit erste 300-mm-SiGe-Technologie Foundry an, die den wachsenden Anforderungen von Rechenzentren und Hochgeschwindigkeits-Wireless-Anwendungen gerecht wird

Die branchenweit fortschrittlichste Hochgeschwindigkeits-SiGe-Technologie ist jetzt auf einer 300-mm-Fertigungslinie für Terabit-Kommunikations- und Automobilradaranwendungen verfügbar

Santa Clara, Kalifornien, 29. November 2018 - GLOBALFOUNDRIES gab heute bekannt, dass sein fortschrittliches Silizium-Germanium (SiGe)-Angebot, 9HP, jetzt für das Prototyping auf der 300mm-Wafer-Fertigungsplattform des Unternehmens verfügbar ist. Dieser Schritt ist ein Zeichen für das starke Wachstum von Rechenzentren und drahtgebundenen und drahtlosen Hochgeschwindigkeitsanwendungen, die die Größenvorteile einer 300-mm-Fertigungsplattform nutzen können. Durch die Nutzung der 300-mm-Fertigungsexpertise von GF können Kunden von einer höheren Produktionseffizienz und Reproduzierbarkeit für Hochgeschwindigkeitsanwendungen wie optische Netzwerke, drahtlose 5G-Millimeterwellen-Kommunikation und Kfz-Radar profitieren.

GF ist Branchenführer bei der Herstellung von Hochleistungs-SiGe-Lösungen in seiner 200-mm-Produktionslinie in Burlington, Vermont. Mit der Migration von 9HP, einem 90-nm-SiGe-Prozess, auf 300-mm-Wafer, die in der Fab 10 von GF in East Fishkill, N.Y., hergestellt werden, wird diese Führungsposition weiter ausgebaut und eine 300-mm-Basis für die weitere Entwicklung der Roadmap geschaffen, die eine kontinuierliche Verbesserung der Technologieleistung und Skalierung gewährleistet.

"Die zunehmende Komplexität und die Leistungsanforderungen von Kommunikationssystemen mit hoher Bandbreite haben den Bedarf an leistungsfähigeren Siliziumlösungen entstehen lassen", so Christine Dunbar, Vice President der RF Business Unit bei GF. "GF's 9HP wurde speziell für eine herausragende Leistung entwickelt und wird in der 300mm-Fertigung die Anforderungen unserer Kunden an drahtgebundene und drahtlose Hochgeschwindigkeits-Komponenten erfüllen, die die zukünftige Datenkommunikation prägen werden". 

Der 9HP von GF ist die Fortsetzung einer langen Geschichte von Hochleistungs-SiGe-BiCMOS-Technologien, die das massive Wachstum extrem hoher Datenraten bei Mikrowellen- und Millimeterwellenfrequenzen für die nächste Generation von drahtlosen Netzwerken und Kommunikationsinfrastrukturen unterstützen, wie z. B. optische Netzwerke auf Terabit-Ebene, 5G mmWave und Satellitenkommunikation (SATCOM) sowie Mess- und Verteidigungssysteme. Die Technologie bietet eine überragende Niederstrom-/Hochfrequenzleistung mit verbesserter Heteroübergangs-Bipolartransistor (HBT)-Leistung und eine um bis zu 35 Prozent höhere maximale Oszillationsfrequenz (Fmax) bis 370 GHz im Vergleich zu den Vorgängern SiGe 8XP und 8HP.

Der Kundenprototyping-Prozess für 9HP auf 300 mm in Fab 10 in East Fishkill, N.Y., auf Multiprojekt-Wafern (MPWs) ist bereits im Gange; qualifizierte Prozess- und Design-Kits sind für das zweite Quartal 2019 geplant.

Weitere Informationen zu den SiGe-Lösungen von GF erhalten Sie bei Ihrem GLOBALFOUNDRIES-Vertriebsmitarbeiter oder unter globalfoundries.com.

Über GF

GLOBALFOUNDRIES (GF) ist ein führender Full-Service-Anbieter ( foundry ), der differenzierte Halbleitertechnologien für eine Reihe von wachstumsstarken Märkten anbietet. GF bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen mit einer Reihe von innovativen IP und funktionsreichen Angeboten, darunter FinFET, FDX™, RF und Analog Mixed Signal. Mit einer Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, verfügt GF über die Flexibilität und Agilität, um die dynamischen Anforderungen von Kunden auf der ganzen Welt zu erfüllen. GF ist im Besitz der Mubadala Investment Company. Weitere Informationen finden Sie unter globalfoundries.com.

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Erica McGill
GLOBALFOUNDRIES
(518) 795-5240
[email protected]

 

Attopsemi的I-fuseTM OTP采用格芯22nm FD-SOI工艺技术,在工作电压0.4V,功率1uW,可读取弗劳恩霍夫光子微系统研究所(IPMS)的61GHz RFID无电池标签

Attopsemi的I-fuse™ OTP提供超低的读取电压/电流和超低的编程电压/电流,尺寸小巧,温度范围广泛,支持格芯22nm FD-SOI工艺,可以读取弗劳恩霍夫光子微系统研究所(IPMS)的61GHz物联网应用RFID标签。

Attopsemi的I-fuseTM OTP采用格芯的22FDX FD-SOI工艺技术,通过250℃/1000小时的晶圆级老化测试

Attopsemi的I-fuse™技术具有尺寸小巧、高可靠性、低电压/电流编程、功率低和温度范围广的特性,藉由格芯22nm FDX® 的支持与合作实现汽车和物联网应用。

Attopsemi's I-fuse OTP funktioniert bei 0,4V und 1uW Leseleistung auf GLOBALFOUNDRIES 22nm FD-SOI für batterielose 61GHz RFID-Tags des Fraunhofer Instituts für Photonische Mikrosysteme (IPMS)

Das I-fuse™ OTP von Attopsemi bietet eine extrem niedrige Lesespannung/-strom, eine extrem niedrige Programmierspannung/-strom, eine geringe Größe und einen großen Temperaturbereich, um GLOBALFOUNDRIES 22-nm-FD-SOI für 61-GHz-RFID-Tags des Fraunhofer-Instituts für Photonische Mikrosysteme (IPMS) in IoT-Anwendungen zu ermöglichen.