5. Februar 2013Unternehmen liefern Silizium-erprobte komplexe IP-Blöcke für fortschrittliche Schnittstellenlösungen Santa Clara, Kalifornien, 5. Februar 2013 - Auf dem heutigen Common Platform Technology Forum haben GLOBALFOUNDRIES und Rambus Inc. (NASDAQ:RMBS), das Unternehmen für innovative Technologielösungen, Pläne zur Zusammenarbeit bei der Entwicklung eines breiten Portfolios an komplexem geistigem Eigentum für Halbleiter, das für die führende Prozesstechnologie von GF optimiert ist. Diese Zusammenarbeit wird eine nahtlose Integration der verbesserten Standardschnittstellenlösungen von Rambus in die nächste Generation von Elektronikprodukten ermöglichen, um eine schnellere Markteinführung zu erreichen. Diese siliziumerprobten IP-Blöcke werden den wachsenden Anforderungen in Anwendungen gerecht, die von Hochleistungscomputern bis hin zu intelligenten mobilen Geräten reichen. Rambus wird eine Reihe von Hochgeschwindigkeitsspeicher- und Chip-to-Chip-Serial-Link-Schnittstellen entwickeln, die für GF-Prozesse optimiert sind, einschließlich der neuen 14-nm-XM-Technologie, dem branchenweit ersten 14-nm-Angebot, das auf einer modularen FinFET-Technologiearchitektur basiert. Diese neue Arbeit baut auf der bisherigen Zusammenarbeit bei mehreren 28-nm-Testchips auf, die die Fähigkeiten der Schnittstellen von Rambus für mobile und serverbasierte Anwendungen demonstrieren. "Unser neues foundry Modell des Collaborative Device Manufacturing (CDM) setzt auf eine frühzeitige Zusammenarbeit im gesamten Halbleiter-Ökosystem, um innovative Lösungen an vorderster Front zu liefern", so Mike Noonen, Executive Vice President of Marketing, Sales, Design and Quality bei GF. "Diese Erweiterung unserer Partnerschaft mit Rambus ermöglicht es unseren Kunden, die Vorteile der fortschrittlichen Schnittstellenlösungen von Rambus auf unserer neuen 14-nm-XM-Technologie schneller zu nutzen, und eröffnet den Chipdesignern neue Wege für Innovationen auf unserer Prozesstechnologie". "Da die Branche unaufhaltsam auf immer fortschrittlichere Technologien umsteigt, sind tiefgreifende technologische Kooperationen erforderlich, um die innovativen Lösungen zu liefern, die notwendig sind, um Erfindungen auf den Markt zu bringen", sagte Kevin Donnelly, Senior Vice President und General Manager der Memory and Interfaces Division bei Rambus. "Durch die frühzeitige Zusammenarbeit mit GF bei ihrem fortschrittlichen 14-nm-Prozess können wir unser Fachwissen im Bereich Hochgeschwindigkeits- und Mixed-Signal-Design mit der FinFET-Technologie kombinieren und so ein breites Portfolio an Silizium-erprobten komplexen IP-Blöcken bereitstellen, die den Anforderungen unserer Kunden voraus sind". Das 14nm-XM-Angebot von GF basiert auf einer modularen Technologiearchitektur, die einen 14nm-FinFET-Baustein mit Elementen des 20nm-LPM-Prozesses von GF kombiniert, der sich auf dem Weg zur Produktion befindet. Die Technologieentwicklung ist bereits in vollem Gange, wobei Test-Silizium in der Fab 8 von GF in Saratoga County, N.Y., getestet wird. XM steht für "eXtreme Mobility" und ist die branchenweit führende nicht-planare Architektur, die für mobile System-on-Chip (SoC)-Designs optimiert ist und eine vollständige Produktlösung vom Transistor bis zur Systemebene bietet. Es wird erwartet, dass die Technologie im Vergleich zu den heutigen zweidimensionalen planaren Transistoren im 20-nm-Knoten eine 40-60%ige Verbesserung der Batterielebensdauer ermöglicht. Über Rambus Rambus ist das Unternehmen für innovative Technologielösungen, das Erfindungen auf den Markt bringt. Rambus setzt die intellektuelle Kraft seiner Ingenieure und Wissenschaftler von Weltrang auf kooperative und synergetische Weise ein und erfindet, lizenziert und entwickelt Lösungen, die unsere Kunden herausfordern und befähigen, die Zukunft zu gestalten. Rambus ist zwar vor allem für die Entwicklung unübertroffener Halbleiterspeicherarchitekturen bekannt, entwickelt aber auch weltverändernde Produkte und Dienstleistungen in den Bereichen Sicherheit, fortschrittliche LED-Beleuchtung und -Displays sowie immersive mobile Medien. Weitere Informationen finden Sie unter www.rambus.com. Über GF GF ist der erste Full-Service-Halbleiterhersteller der Welt foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zum zweitgrößten foundry der Welt entwickelt und bietet mehr als 160 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF der einzige foundry , der die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die drei 300-mm-Fabriken und die fünf 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den Vereinigten Staaten, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Advanced Technology Investment Company (ATIC). Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.
