55nm LPe 1V ist optimiert für ultraniedrigen Stromverbrauch, reduzierte Kosten und verbesserte Designflexibilität

MILPITAS, Kalifornien, 19. Februar 2013 - GLOBALFOUNDRIES kündigte heute weitere Verbesserungen der 55-Nanometer (nm)-Low-Power Enhanced (LPe)-Prozesstechnologieplattform foundry- 55nm LPe 1V - mit qualifizierten Speicher- und Logik-IP-Lösungen der nächsten Generation von ARM an. Der 55-nm-LPe-1V-Prozess ist der erste und einzige verbesserte Prozessknoten der Branche, der ARMs physikalische IP-Bibliothek mit 1,0/1,2 V unterstützt und es Chipdesignern ermöglicht, einen einzigen Prozess zu verwenden, der zwei Betriebsspannungen in einem einzigen SoC unterstützt.

"Der Hauptvorteil dieses 55-nm-LPe-1V-Angebots besteht darin, dass dieselben Design-Bibliotheken verwendet werden können, unabhängig davon, ob man mit einer 1,0- oder 1,2-Spannungsoption entwirft", so Bruce Kleinman, Vice President of Product Marketing bei GF. "Das bedeutet, dass dieselben Designregeln und Modelle verwendet werden können, ohne dass eine zusätzliche Maskenschicht oder ein spezieller Prozess erforderlich ist. Dies führt zu Kosteneinsparungen und Designflexibilität, ohne dass die Leistungs- und Optimierungsfunktionen beeinträchtigt werden."

Basierend auf den 1,0V/1,2V-Standardzellen und Speicher-Compilern von ARM ermöglicht der GF 55nm LPe 1V Entwicklern die Optimierung ihrer Designs in Bezug auf Geschwindigkeit, Stromverbrauch und/oder Fläche und ist besonders vorteilhaft für Designer, die bei der Entwicklung von System-on-Chip-Lösungen mit Leistungseinschränkungen konfrontiert sind.

ARM bietet eine umfassende, silizium-validierte Plattform mit 8-, 9- und 12-Spur-Bibliotheken sowie Hochgeschwindigkeits- und High-Density-Speicher-Compilern für den fortschrittlichen 55-nm-LPe-Prozess von GF.

"Die Kombination aus 1V- und 1,2V-Betrieb zusammen mit unterstützender Level-Shifting-Logik bietet die beste Kombination aus niedrigem Stromverbrauch, hoher Leistung und reduzierter Chipfläche", sagte Dr. John Heinlein, Vice President of Marketing, Physical IP Division bei ARM. "Die Unterstützung der Dual-Voltage-Domain-Charakterisierung in Verbindung mit der Artisan-Speicher-Compiler-Architektur der nächsten Generation reduziert den dynamischen Stromverbrauch und die Leckage um mehr als 35 Prozent im Vergleich zu bisher verfügbaren Lösungen."

Der 55nm LPe 1V eignet sich besonders für hochvolumige, batteriebetriebene mobile Verbrauchergeräte sowie für eine breite Palette von umweltfreundlichen oder energiesparenden Produkten. PDK- und EDA-Tools sind ab sofort verfügbar, ebenso wie MPW-Shuttle-Verfügbarkeit.
Artisan-Speicher bieten flexible Fertigungsoptionen und werden weltweit in Milliarden von Produkten eingesetzt. Als Teil einer breiteren Plattform von Artisan Physical IP von 65nm bis 20nm umfassen diese Speicher der nächsten Generation Niederspannungs- und Stand-by-Modi, die eine längere Batterielebensdauer ermöglichen, Ultra-High-Speed-Caches für maximale Prozessorgeschwindigkeit und proprietäre Designtechniken, die zu einer Reduzierung der Fläche für kostengünstige SoC-Designs führen.

ÜBER GF

GF ist der erste Full-Service-Halbleiterhersteller der Welt foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zum zweitgrößten foundry der Welt entwickelt und bietet mehr als 150 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF der einzige foundry , der die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die drei 300-mm-Fabriken und die fünf 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den Vereinigten Staaten, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Advanced Technology Investment Company (ATIC). Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

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IP und Designtools beschleunigen die Implementierung einer robusten nicht-planaren Architektur für mobile Produkte

Milpitas, Kalifornien, 5. Februar 2013 - GLOBALFOUNDRIES und Synopsys, Inc. (Nasdaq: SNPS), ein weltweit führender Anbieter von Software, IP und Dienstleistungen zur Beschleunigung von Innovationen bei Chips und elektronischen Systemen, gaben heute bekannt, dass die beiden Unternehmen gemeinsam eine umfassende Designlösung zur Beschleunigung der Implementierung des 14 nm-XM FinFET-Angebots von GF entwickelt haben. Die Lösung umfasst die Synopsys DesignWare® Embedded Memory and Logic Library IP, Design-Tools der Galaxy™ Implementation Platform sowie TCAD-Prozess- und Bauelementesimulations-Tools, die allesamt so optimiert sind, dass Design-Teams die gewünschten Leistungs-, Energie- und Flächenanforderungen auf möglichst effiziente und risikoarme Weise erreichen können. Die gemeinsame Entwicklung basiert auf der branchenweit ersten modularen FinFET-Technologie, die einen 14-Nanometer (nm)-FinFET-Baustein mit Elementen des 20-nm-LPM-Prozesses von GF kombiniert, um Risiken zu reduzieren und die Zeit bis zur Serienreife zu verkürzen.

"Wir haben eine langjährige Beziehung zu Synopsys, die zu einer breiten Palette von bewährten Design-Implementierungslösungen für unsere gemeinsamen Kunden geführt hat. Die überzeugenden Vorteile unserer neuen 14-Nanometer-XM-FinFET-Technologie, insbesondere im Hinblick auf die Anforderungen von SoCs für mobile Geräte, lassen sich dank dieser neuen Zusammenarbeit viel leichter und effizienter realisieren", so Mike Noonen, Executive Vice President für Marketing, Vertrieb, Design und Qualität bei GF. "Durch die Kombination unseres fortschrittlichen Prozesses mit der IP-, Design- und Fertigungsumgebung von Synopsys können Kunden die Leistungs- und Energievorteile dreidimensionaler FinFET-Transistoren mit geringerem Risiko und schnellerer Markteinführung nutzen."

FinFET-Transistoren stellen eine bedeutende Veränderung gegenüber planaren Bauelementen dar. GF hat mit Synopsys bei TCAD zusammengearbeitet, um die Änderungen zu modellieren und zu simulieren und um die Prozessentwicklung und Leistungsoptimierung seiner FinFET-Bauelemente zu beschleunigen. Darüber hinaus haben diese Bauelemente und die damit verbundene Verkleinerung der Prozessgeometrie bei 14 nm Auswirkungen auf die Extraktion von Parasiten, die SPICE-Modellierung der Bauelemente, die Routing-Regeln und die IP-Entwicklung. GF und Synopsys arbeiteten eng zusammen, um die Auswirkungen dieser Änderungen zu minimieren und eine reibungslose Einführung der FinFET-Technologie durch die Design-Teams zu gewährleisten. Das umfangreiche Portfolio der DesignWare® Embedded Memory and Logic Library IP von Synopsys ist darauf ausgelegt, die Vorteile der 14 nm-XM FinFET-Technologie von GF voll auszuschöpfen. Die IP liefert überragende Ergebnisse in den Bereichen Leistung, Leckage und dynamische Leistung sowie Niederspannungsbetrieb.

"Synopsys arbeitet seit langem eng mit GF zusammen, um fortschrittliche Prozesstechnologien auf den Markt zu bringen", so John Chilton, Senior Vice President, Marketing und strategische Entwicklung, bei Synopsys, Inc. "Unsere Zusammenarbeit bei FinFET baut auf diesem Fundament auf. Sie zielt darauf ab, Design-Teams in die Lage zu versetzen, die Investitionen von GF in die 14-Nanometer-Prozesstechnologie und die bedeutenden Vorteile, die diese für Halbleiterdesigns der nächsten Generation mit sich bringt, voll auszuschöpfen."

Über 14 nm-XM

Das 14-nm-XM-Angebot basiert auf einer modularen Technologiearchitektur, die einen 14-nm-FinFET-Baustein mit Elementen des 20-nm-LPM-Prozesses von GF kombiniert, der sich auf dem Weg zur Produktion befindet. Die Technologieentwicklung ist bereits in vollem Gange, wobei Test-Silizium in der Fab 8 von GF in Saratoga County, N.Y., hergestellt wird. XM steht für "eXtreme Mobility" und ist die branchenweit führende nicht-planare Architektur, die für mobile System-on-Chip (SoC)-Designs optimiert ist und eine komplette Produktlösung vom Transistor bis zur Systemebene bietet. Es wird erwartet, dass die Technologie die Batterielebensdauer im Vergleich zu den heutigen zweidimensionalen planaren Transistoren im 20-nm-Knoten um 40-60 % verbessert.

Über GF

GF ist der erste Full-Service-Halbleiterhersteller der Welt foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zum zweitgrößten foundry der Welt entwickelt und bietet mehr als 160 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF der einzige foundry , der die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die drei 300-mm-Fabriken und die fünf 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den Vereinigten Staaten, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Advanced Technology Investment Company (ATIC). Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

Über Synopsys

Synopsys, Inc. (Nasdaq:SNPS) beschleunigt die Innovation auf dem globalen Elektronikmarkt. Als führendes Unternehmen in den Bereichen Electronic Design Automation (EDA) und Halbleiter-IP unterstützt Synopsys mit seiner Software, IP und seinen Dienstleistungen Ingenieure bei der Bewältigung ihrer Herausforderungen in den Bereichen Design, Verifikation, System und Fertigung. Seit 1986 nutzen Ingenieure auf der ganzen Welt die Technologie von Synopsys, um Milliarden von Chips und Systemen zu entwickeln und herzustellen. Erfahren Sie mehr unter www.synopsys.com.

Unternehmen liefern Silizium-erprobte komplexe IP-Blöcke für fortschrittliche Schnittstellenlösungen

Santa Clara, Kalifornien, 5. Februar 2013 - Auf dem heutigen Common Platform Technology Forum haben GLOBALFOUNDRIES und Rambus Inc. (NASDAQ:RMBS), das Unternehmen für innovative Technologielösungen, Pläne zur Zusammenarbeit bei der Entwicklung eines breiten Portfolios an komplexem geistigem Eigentum für Halbleiter, das für die führende Prozesstechnologie von GF optimiert ist. Diese Zusammenarbeit wird eine nahtlose Integration der verbesserten Standardschnittstellenlösungen von Rambus in die nächste Generation von Elektronikprodukten ermöglichen, um eine schnellere Markteinführung zu erreichen. Diese siliziumerprobten IP-Blöcke werden den wachsenden Anforderungen in Anwendungen gerecht, die von Hochleistungscomputern bis hin zu intelligenten mobilen Geräten reichen.

Rambus wird eine Reihe von Hochgeschwindigkeitsspeicher- und Chip-to-Chip-Serial-Link-Schnittstellen entwickeln, die für GF-Prozesse optimiert sind, einschließlich der neuen 14-nm-XM-Technologie, dem branchenweit ersten 14-nm-Angebot, das auf einer modularen FinFET-Technologiearchitektur basiert. Diese neue Arbeit baut auf der bisherigen Zusammenarbeit bei mehreren 28-nm-Testchips auf, die die Fähigkeiten der Schnittstellen von Rambus für mobile und serverbasierte Anwendungen demonstrieren.

"Unser neues foundry Modell des Collaborative Device Manufacturing (CDM) setzt auf eine frühzeitige Zusammenarbeit im gesamten Halbleiter-Ökosystem, um innovative Lösungen an vorderster Front zu liefern", so Mike Noonen, Executive Vice President of Marketing, Sales, Design and Quality bei GF. "Diese Erweiterung unserer Partnerschaft mit Rambus ermöglicht es unseren Kunden, die Vorteile der fortschrittlichen Schnittstellenlösungen von Rambus auf unserer neuen 14-nm-XM-Technologie schneller zu nutzen, und eröffnet den Chipdesignern neue Wege für Innovationen auf unserer Prozesstechnologie".

"Da die Branche unaufhaltsam auf immer fortschrittlichere Technologien umsteigt, sind tiefgreifende technologische Kooperationen erforderlich, um die innovativen Lösungen zu liefern, die notwendig sind, um Erfindungen auf den Markt zu bringen", sagte Kevin Donnelly, Senior Vice President und General Manager der Memory and Interfaces Division bei Rambus. "Durch die frühzeitige Zusammenarbeit mit GF bei ihrem fortschrittlichen 14-nm-Prozess können wir unser Fachwissen im Bereich Hochgeschwindigkeits- und Mixed-Signal-Design mit der FinFET-Technologie kombinieren und so ein breites Portfolio an Silizium-erprobten komplexen IP-Blöcken bereitstellen, die den Anforderungen unserer Kunden voraus sind".

Das 14nm-XM-Angebot von GF basiert auf einer modularen Technologiearchitektur, die einen 14nm-FinFET-Baustein mit Elementen des 20nm-LPM-Prozesses von GF kombiniert, der sich auf dem Weg zur Produktion befindet. Die Technologieentwicklung ist bereits in vollem Gange, wobei Test-Silizium in der Fab 8 von GF in Saratoga County, N.Y., getestet wird. XM steht für "eXtreme Mobility" und ist die branchenweit führende nicht-planare Architektur, die für mobile System-on-Chip (SoC)-Designs optimiert ist und eine vollständige Produktlösung vom Transistor bis zur Systemebene bietet. Es wird erwartet, dass die Technologie im Vergleich zu den heutigen zweidimensionalen planaren Transistoren im 20-nm-Knoten eine 40-60%ige Verbesserung der Batterielebensdauer ermöglicht.

Über Rambus

Rambus ist das Unternehmen für innovative Technologielösungen, das Erfindungen auf den Markt bringt. Rambus setzt die intellektuelle Kraft seiner Ingenieure und Wissenschaftler von Weltrang auf kooperative und synergetische Weise ein und erfindet, lizenziert und entwickelt Lösungen, die unsere Kunden herausfordern und befähigen, die Zukunft zu gestalten. Rambus ist zwar vor allem für die Entwicklung unübertroffener Halbleiterspeicherarchitekturen bekannt, entwickelt aber auch weltverändernde Produkte und Dienstleistungen in den Bereichen Sicherheit, fortschrittliche LED-Beleuchtung und -Displays sowie immersive mobile Medien. Weitere Informationen finden Sie unter www.rambus.com.

Über GF

GF ist der erste Full-Service-Halbleiterhersteller der Welt foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zum zweitgrößten foundry der Welt entwickelt und bietet mehr als 160 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF der einzige foundry , der die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die drei 300-mm-Fabriken und die fünf 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den Vereinigten Staaten, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Advanced Technology Investment Company (ATIC). Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

Partnerschaft ermöglicht GLOBALFOUNDRIES-Kunden die Realisierung von SoCs mit klassenbester Leistung und Energieeffizienz in 28nm durch die Cyclos Resonant Clock Mesh Technologie

Santa Clara, Kalifornien, 5. Februar 2013 - Auf dem heutigen Common Platform Technology Forum gaben GF und Cyclos Semiconductor, Erfinder und einziger Anbieter der Resonant Clock Mesh (RCM)-Technologie für kommerzielle IC-Designs, ihre Pläne bekannt, das geistige Eigentum von Cyclos an stromsparenden Halbleitern in ARM® CortexTM-A15-Prozessoren mit der 28-nm-High-K-Metal-Gate (HKMG)-Prozesstechnologie von GF zu implementieren.

Die Partnerschaft wird es den Kunden von GF ermöglichen, SoCs der nächsten Generation mit klassenbester Leistung und Energieeffizienz zu entwickeln. Sie spiegelt auch das Engagement von Cyclos wider, die größtmögliche Verfügbarkeit seiner RCM-IP-Technologie zur Reduzierung des Stromverbrauchs sicherzustellen.

Cyclos RCM IP ist eine einzigartige und differenzierende Technologie, die den Stromverbrauch in Clock Meshes, den Taktverteilungsnetzwerken, die seit Jahren in Hochleistungsprozessoren eingesetzt werden, reduziert. Cyclos verwendet On-Chip-Induktoren, um ein elektrisches Pendel oder eine "Tankschaltung" zu erzeugen, die durch die große Kapazität des Taktnetzes und die Cyclos-Induktoren gebildet wird. Die Cyclos-Induktivitäten und die Taktsteuerungsschaltungen "recyceln" die Taktenergie, anstatt sie bei jedem Taktzyklus zu verbrauchen, wie es bei einer herkömmlichen Taktnetzwerk-Implementierung der Fall ist, was zu einer Verringerung des gesamten IC-Stromverbrauchs führt.

Die Implementierung von Induktoren auf dem Chip, um ein Taktnetz in Resonanz zu bringen, ist eine einfache Idee mit komplexen Implementierungsanforderungen. Cyclos hat über 10 Jahre Forschungsarbeit in die Entwicklung von resonanten Taktmaschendesignlösungen investiert, die alle Anforderungen an Testbarkeit, Zuverlässigkeit, dynamische Frequenzskalierung und Qualitätssicherung der heutigen ICs erfüllen.

GF und Cyclos arbeiten nun zusammen, um die RCM-Technologie zum ersten Mal überhaupt für das ARM-Ökosystem verfügbar zu machen. Die energiesparende Taktverteilungs-Technologie von Cyclos mit geringem Clock-Skew wird eingesetzt, um bei ARM Cortex-A15-Prozessoren, die auf den Prozesstechnologien GF 28nm-SLP und 28nm-HPP basieren, einzigartig differenzierende Metriken für Stromverbrauch, Leistung und Fläche (PPA) zu erreichen, um sowohl das High-End-Mobilitäts- als auch das stromsparende Micro-Server-Segment zu bedienen.

"Die fortschrittliche Clock-Mesh-Technologie von Cyclos wurde bereits eingesetzt, um den reduzierten Stromverbrauch bei gleichbleibend hohen Taktraten mit unserem HKMG-Prozess zu demonstrieren", so Srinivas Nori, Director of SoC Innovation bei GF. "Jetzt wird die leistungsstarke Kombination aus unserem 28-nm-HKMG-Prozess und der RCM-Technologie von Cyclos einem breiteren Kundenstamm zur Verfügung stehen und es ihnen ermöglichen, die PPA-Effizienz für ARM-Prozessor-basierte SoC-Designs an die Spitze zu bringen."

"Unsere Kunden verlangen eine kontinuierliche Verbesserung der Leistung ihrer ARM-Prozessor-basierten SoCs, während sie gleichzeitig ihre Führungsposition bei der Energieeffizienz beibehalten wollen", so Dr. KrisztiaÌn Flautner, Vice President für Forschung und Entwicklung bei ARM. "Wir freuen uns, dass GF zukünftige Optionen zur Energie- und Leistungsskalierung für Spitzenanwendungen entwickelt."

"Diese Partnerschaft ist ein wichtiger Meilenstein für Cyclos Semiconductor", sagte Marios Papaefthymiou, Gründer und Präsident von Cyclos Semiconductor. "Wir sind davon überzeugt, dass das RCM-Design eine Schlüsselrolle bei der Entwicklung von IP-Blöcken für eingebettete GHz+-Prozessoren in SoCs der nächsten Generation spielen wird, die zudem einen extrem niedrigen Stromverbrauch erfordern. Wir freuen uns darauf, diese Technologie den Kunden von GF durch die Entwicklung von RCM-basierten ARM Cortex-A15-Cores zur Verfügung zu stellen. Wir sind auch sehr daran interessiert, den Einsatz von RCM in SoC-Designs über Design-Automatisierungs-Tools, die derzeit bei Cyclos entwickelt werden, zu erweitern."

Über GF

GF ist der erste Full-Service-Halbleiterhersteller der Welt foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zum zweitgrößten foundry der Welt entwickelt und bietet mehr als 160 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF der einzige foundry , der die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die drei 300-mm-Fabriken und die fünf 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den Vereinigten Staaten, Europa und Asien befinden. GF befindet sich im Besitz der Advanced Technology Investment Company (ATIC). Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

Über Cyclos Semiconductor

Cyclos ist der Erfinder und einzige kommerzielle Anbieter der resonanten Taktnetztechnologie für IC-Designs. Das Unternehmen ist eine Ausgründung der Universität von Michigan über deren Technologietransferbüro. Mit Sitz in Berkeley, Kalifornien, und Ann Arbor, Michigan, liefert Cyclos resonante Clock Mesh Halbleiter-IP, Design-Automatisierungs-Tools und Design-Beratungsdienste für resonante Clock Mesh Design-Lösungen. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.cyclos-semi.com.

Das Unternehmen erwartet, dass 14nm-XM eine mehr als doppelt so hohe Energieeffizienz wie 28nm-SLP bei nur halb so großer Chipfläche bieten wird

Santa Clara, Kalifornien, 5. Februar 2013 - Auf dem heutigen Common Platform Technology Forum gab GLOBALFOUNDRIES die Ergebnisse der branchenweit ersten Implementierung eines Dual-Core ARM® Cortex™-A9-Prozessors mit dreidimensionalen 14nm-XM FinFET-Transistoren bekannt. Basierend auf den branchenüblichen Design-Implementierungsabläufen und Sign-Off-Simulationen mit realen Prozessdaten geht GF davon aus, dass ein Dual-Core ARM Cortex-A9-Prozessor, der auf der 14nm-XM-Technologie von GF gefertigt wird, eine mehr als doppelt so hohe Energieeffizienz aufweist wie ein vergleichbares Design auf Basis der 28nm-SLP-Technologie und dabei nur die Hälfte der Chipfläche benötigt.

GF nutzte die technischen Spezifikationen seines 14-nm-XM-Prozessdesignkits (PDK) in Kombination mit ARM Artisan®-Standardzellenbibliotheken und -speichern, um eine GDS-Datei (Graphic Database System) zu erstellen, die zur Berechnung der zu erwartenden Leistung, des Stromverbrauchs und der Fläche verwendet wurde. Die Ergebnisse wurden mit einer Silizium-Implementierung eines Dual-Core-ARM-Cortex-A9-Prozessors verglichen, der mit der 28-nm-SLP-Technologie von GF hergestellt wurde.

Die Implementierung zeigt deutlich den Wertbeitrag der 14nm-XM FinFET-Technologie für die mobilen Anwendungen von morgen. Einige der herausragenden Aspekte, die durch die Simulation ermittelt wurden, sind:

• Leistungsstarke, energieeffiziente ARM-Prozessoren, die auf 28nm-SLP implementiert werden, verwenden normalerweise 12-Spur-Bibliotheken. Bei der 14-nm-XM-FinFET-Technologie können jedoch wesentlich leistungsfähigere und energieeffizientere ARM-Prozessoren mit 9-Spur-Bibliotheken implementiert werden, was zu einer weiteren Verringerung der Die-Größe führt.
• Bei konstanter Leistung wird die mit der auf der 14-nm-XM-Technologie basierenden Implementierung (unter Verwendung von 9-Spur-Bibliotheken) erzielte Frequenz voraussichtlich 61 % höher sein als die mit der auf der 28-nm-SLP-Technologie basierenden Implementierung (unter Verwendung von 12-Spur-Bibliotheken) erzielte Frequenz.
• Bei konstanter Frequenz wird die Leistungsaufnahme der auf der 14-nm-XM-Technologie basierenden Implementierung voraussichtlich 62 % unter der Leistungsaufnahme der auf der 28-nm-SLP-Technologie basierenden Implementierung liegen.
• Die Leistungs-/Leistungseffizienz der auf der 14-nm-XM-Technologie basierenden Implementierung (ausgedrückt in DMIPs/Milliwatt) wird voraussichtlich mehr als doppelt so hoch sein wie die der auf der 28-nm-SLP-Technologie basierenden Implementierung, wobei die Hälfte der Siliziumfläche benötigt wird.

"Unsere intensive Zusammenarbeit mit ARM zahlt sich weiterhin aus, da wir gemeinsam ARM-IP für unsere führende Prozesstechnologie optimieren", so Mike Noonen, Executive Vice President of Marketing, Sales, Design and Quality bei GF. "Unsere 14-nm-XM-FinFET-Technologie ist für die nächste Generation mobiler Geräte konzipiert und passt damit perfekt zur energieeffizienten Prozessortechnologie von ARM. Unsere gemeinsamen Kunden werden von dieser Partnerschaft in hohem Maße profitieren, wenn sie eine Reihe von Produkten für die Mobil-, Tablet- und Computeranwendungen von morgen entwickeln."

"Diese vorläufigen Ergebnisse veranschaulichen die potenziellen Vorteile der FinFET-Technologie für ein ARM-Prozessor-basiertes System-on-Chip (SoC)", sagte Dr. Dipesh Patel, Executive Vice President und General Manager der Physical IP Division bei ARM. "Eine frühzeitige Zusammenarbeit bei den Fertigungstechnologien ermöglicht es GF und ARM, Herausforderungen beim SoC-Design zu identifizieren und zu bewältigen und die Risiken für die Einführung durch unsere gemeinsamen Kunden zu reduzieren."

ÜBER GF

GF ist der erste Full-Service-Halbleiterhersteller der Welt foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zum zweitgrößten foundry der Welt entwickelt und bietet mehr als 160 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF der einzige foundry , der die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die drei 300-mm-Fabriken und die fünf 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den Vereinigten Staaten, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Advanced Technology Investment Company (ATIC). Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

Kunden können massiv parallele Multicore-Technologie in SoCs für mobile Geräte der nächsten Generation nutzen

Santa Clara, Kalifornien, 5. Februar 2013 - Auf dem heutigen Common Platform Technology Forum gab GLOBALFOUNDRIES eine Partnerschaft mit Adapteva bekannt, um die Epiphany IV-Mikroarchitektur des Unternehmens für Kunden anzubieten, die die führende 28-nm-SLP-Prozesstechnologie von GF nutzen. Die Vereinbarung ermöglicht es Chipdesignern, die massiv parallele Multicore-Technologie von Adapteva in ihre System-on-Chip (SoC)-Entwürfe der nächsten Generation zu integrieren, um in mobilen Geräten wie Smartphones und Tablets eine Leistung auf Server-Niveau zu erreichen.

Adapteva, ein privates Startup-Unternehmen im Bereich Halbleitertechnologie, hat eng mit GF zusammengearbeitet, um das Epiphany IV-Design auf der Basis des 28-nm-Super-Low-Power-Prozesses (SLP) zu optimieren. Dadurch konnte Adapteva als erstes Unternehmen einen Prozessor mit 50 GFLOPS/Watt demonstrieren. Die Partnerschaft zwischen Adapteva und GF hat es dem Unternehmen ermöglicht, die Energieeffizienz über mehrere Generationen hinweg drastisch zu verbessern und den Gesamtstromverbrauch bei nur 2 Watt zu halten, während es von 16 Kernen bei 65 nm auf 64 Kerne bei 28 nm überging.

Die 28-nm-SLP-Technologie von GF eignet sich ideal für die nächste Generation intelligenter mobiler Geräte und ermöglicht Designs mit höheren Verarbeitungsgeschwindigkeiten, kleineren Funktionsgrößen, geringerem Standby-Stromverbrauch und längerer Akkulaufzeit. Die Technologie basiert auf dem "Gate First"-Ansatz von GF für High-k Metal Gate (HKMG), der seit mehr als zwei Jahren in der Serienproduktion eingesetzt wird.

Die Epiphany IV-Mikroarchitektur ist das neueste Design von Adapteva und umfasst 64 leistungsstarke RISC-Kerne, die mit bis zu 800 MHz arbeiten und bei maximaler Programmaktivität weniger als zwei Watt verbrauchen. Die Technologie ist für den Einsatz als kostengünstiger und stromsparender Co-Prozessor für die Ausführung massiv paralleler Aufgaben in Verbindung mit einer ARM- oder x86-CPU konzipiert.

"Wir bei GF sind ständig auf der Suche nach Möglichkeiten, unseren Kunden innovative Siliziumlösungen anzubieten, damit sie das Beste aus ihren SoC-Designs herausholen können", so Mike Noonen, Executive Vice President of Marketing, Sales, Design and Quality bei GF. "Die Epiphany IV-Prozessortechnologie von Adapteva ist eine bedeutende Innovation im Bereich des parallelen Rechnens, und wir freuen uns, unseren Kunden die Möglichkeit zu geben, diese Technologie auf unserem produktionserprobten HKMG-Prozess zu nutzen."

"Unsere enge Zusammenarbeit mit GF hilft uns, eine völlig neue Klasse von Multicore-Mikroprozessoren auf den Markt zu bringen", so Andreas Olofsson, CEO von Adapteva. "Die Epiphany IV-Technologie eignet sich ideal für mobile SoC-Designs der nächsten Generation, und mit dem 28-nm-SLP-Prozess von GF können wir eine hervorragende Leistung und Energieeffizienz erzielen.

In den vergangenen drei Jahren hat Adapteva vier Generationen seiner Epiphany-Multicore-IP auf verschiedenen Prozessknoten bei GF erfolgreich abgeschlossen. Im September 2012 begann das Unternehmen mit der Bemusterung seiner ersten Epiphany IV-Produkte, die auf einem begrenzten Maskensatz basieren.

ÜBER GF

GF ist der erste Full-Service-Halbleiterhersteller der Welt foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zum zweitgrößten foundry der Welt entwickelt und bietet mehr als 160 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF der einzige foundry , der die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die drei 300-mm-Fabriken und die fünf 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den Vereinigten Staaten, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Advanced Technology Investment Company (ATIC). Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

Die Führung der Exekutive trägt zur Verbesserung der Wirtschaft bei, indem sie fortschrittliche Technologien und Fertigungskapazitäten in den USA ausbaut.

Milpitas, Kalifornien, 15. Januar 2013 - GLOBALFOUNDRIES gab heute bekannt, dass Alexie Lee, General Counsel und Executive Vice President of Legal and Corporate Affairs, vom Manufacturing Institute, Deloitte, der University of Phoenix und der Society of Manufacturing Engineers mit dem Women in Manufacturing STEP (Science, Technology, Engineering and Production) Award für ihre herausragenden Leistungen und Führungsqualitäten in der Produktion ausgezeichnet wurde. Alexie Lee gesellt sich zu 121 anderen Preisträgerinnen, die alle Ebenen der Fertigung von der Fabrikhalle bis zur C-Suite vertreten.

"Seit der Gründung von GF im Jahr 2009 hat Alexie eine enorme Erfolgsbilanz bei der Umsetzung und Zusammenarbeit vorzuweisen, die dazu beigetragen hat, unser Unternehmen zu einem der am schnellsten wachsenden Halbleiterunternehmen der Welt zu machen", sagte GF-CEO Ajit Manocha. "Unter ihrer Führung hat GF Tausende neuer Arbeitsplätze im Bereich der fortschrittlichen Fertigung in den USA geschaffen und die Hightech-Fertigungskapazitäten ausgebaut, die auch weiterhin den Weg für ein langfristiges Wirtschaftswachstum in den USA ebnen werden. Wir danken Alexie für ihre harte Arbeit und ihr Engagement und sind sehr stolz darauf, dass sie mit dieser prestigeträchtigen Auszeichnung geehrt wird."

"Diese 122 Frauen sind die Gesichter spannender Karrieren in der Fertigung", sagte Jennifer McNelly, Präsidentin des Manufacturing Institute. "Wir haben uns entschieden, diese Frauen zu ehren, weil sie durch ihren positiven Einfluss auf ihr Unternehmen und die Branche als Ganzes bedeutende Leistungen in der Fertigung erbracht haben."

Die STEP Awards sind Teil der größeren STEP Ahead-Initiative, die vom Manufacturing Institute, Deloitte, der University of Phoenix und der Society of Manufacturing Engineers ins Leben gerufen wurde, um die Rolle von Frauen in der Fertigungsindustrie durch Anerkennung, Forschung und bewährte Verfahren zur Gewinnung, Förderung und Bindung starker weiblicher Talente zu untersuchen und zu fördern.

"Die Initiative STEP Ahead wurde gegründet, um die Wahrnehmung der Fertigungsindustrie zu verändern und neue Möglichkeiten für Frauen in diesem Sektor zu schaffen", sagte Latondra Newton, Group Vice President bei Toyota Motor North America, Inc. und Vorsitzende der Initiative STEP Ahead. "Diese Initiative ist ein Aufruf zum Handeln, um das Gesicht der heutigen Talente in der Fertigungsindustrie zu verändern und sicherzustellen, dass Frauen zur Zukunft dieser Branche beitragen können."

Eine Umfrage von Deloitte und The Manufacturing Institute aus dem Jahr 2011 ergab, dass fast 70 Prozent der amerikanischen Fertigungsunternehmen einen mäßigen bis schweren Mangel an verfügbaren, qualifizierten Arbeitskräften haben. Die Unternehmen des verarbeitenden Gewerbes können bis zu 600.000 qualifizierte Stellen nicht besetzen, obwohl die Arbeitslosenzahlen auf einem historisch hohen Niveau verharren. Darüber hinaus zeigen Arbeitsstatistiken, dass Frauen in der Belegschaft des verarbeitenden Gewerbes und in Führungspositionen unterrepräsentiert sind - eine Situation, die geändert werden muss, um die Branche zu erhalten und auszubauen.

Am 5. Februar werden das Manufacturing Institute und seine Partner der STEP Ahead-Initiative die 122 Empfänger der STEP Awards bei einem Empfang in Washington, D.C., auszeichnen. Das STEP Awards-Programm wird die Geschichte jedes Preisträgers hervorheben, einschließlich seiner Führungsqualitäten und Errungenschaften in der Fertigung.

Sehen Sie sich die Liste und die Profile aller STEP-Preisträger an.

Über das Fertigungsinstitut

Das Manufacturing Institute (das Institut) ist die 501 (c) 3 Tochtergesellschaft der National Association of Manufacturers. Als überparteiliche Organisation hat sich das Institut der Bereitstellung von Spitzeninformationen und -dienstleistungen für die Hersteller des Landes verschrieben. Das Institut ist die Autorität, wenn es um die Gewinnung, Qualifizierung und Entwicklung von Weltklasse-Talenten in der Fertigung geht. Besuchen Sie www.themanufacturinginstitute.org

ÜBER GF

GF ist der erste Full-Service-Halbleiterhersteller der Welt foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zum zweitgrößten foundry der Welt entwickelt und bietet mehr als 160 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF der einzige foundry , der die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die drei 300-mm-Fabriken und die fünf 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den Vereinigten Staaten, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Advanced Technology Investment Company (ATIC). Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

Fortschrittliche RF-Technologien bieten kostengünstige und
stromsparende SoC-Lösungen für den Mobilfunkmarkt

Las Vegas, NV, 9. Januar 2013 - Nitero, ein Fabless-Halbleiterunternehmen, das Wi-Fi-Lösungen der nächsten Generation für mobile Geräte entwickelt, hat heute auf der Consumer Electronics Show (CES) 2013 seine innovative 60-GHz-Wi-Fi-Lösung vorgestellt, die auf der 65-Nanometer-(nm)-Low-Power-Enhanced-(LPe)-RF-Plattform von GLOBALFOUNDRIES hergestellt wird und für mobile SoC-Anwendungen optimiert ist.

Die 60-GHz-Lösung von Nitero, die die heutigen Wi-Fi-Lösungen wie 802.11n und 802.11ac ergänzt und vervollständigt, macht physische Anschlüsse und deren Kabel überflüssig, was die Benutzerfreundlichkeit von Tablet-PCs und Handsets deutlich erhöht. Die Multi-Gigabit-Wi-Fi-Lösung des Unternehmens mit extrem niedrigem Stromverbrauch ermöglicht es den Verbrauchern, die gleichen Fähigkeiten und die Flexibilität von High-End-Notebooks zu nutzen, ohne auf die praktische Tragbarkeit eines mobilen Geräts verzichten zu müssen. Die kommende Nitero Wi-Fi-Lösung entspricht dem inzwischen von der IEEE ratifizierten Industriestandard 802.11ad und unterstützt beliebte Technologien der Wi-Fi Alliance wie Wi-Fi Direct™ und Wi-Fi CERTIFIED MiracastTM.

"Wir brauchten einen Partner, der uns bei der Entwicklung und Markteinführung unserer hochmodernen Lösung unterstützt", so Natalino Camilleri, Vice President of RF Engineering and Operations bei Nitero. "GF ist aufgrund seiner hervorragenden RF-Lösungen für den 65nm-LPe-Prozessknoten und seines exzellenten Kundenservices die perfekte Wahl. GF hat uns die richtige Lösung zur richtigen Zeit für unser Produkt geliefert."

"Zusammenarbeit ist der Grundstein für unsere Kundenbeziehungen. Wir freuen uns, Nitero bei der Markteinführung seiner innovativen Wi-Fi-Lösung zu unterstützen", so Bruce Kleinman, Vice President of Product Marketing bei GF. "Unsere 65-nm-LPe-RF-Lösungen, die auf einer stromsparenden und leistungsstarken Prozesstechnologie basieren, sind für mobile Anwendungen optimiert. Mit der großen Auswahl an Bauteiloptionen, hochpräzisen siliziumvalidierten RF-Modellen und umfassenden Design-Enablement-Tools erhalten unsere Kunden eine komplette Produktlösung mit geringerem Risiko und schnellerer Markteinführung."

Die 65-nm-LPe-RF-Lösung von GF ist eine bewährte Plattform, die sich ideal für stromsparende und leistungsstarke SoC-Lösungen eignet, die in stromsparenden mobilen Anwendungen wie GPS, Wi-Fi, Bluetooth, LTE-Empfänger, Mobil-TV und Digitalradio zum Einsatz kommen. Im Jahr 2012 lieferte foundry über 65.000 Wafer mit 65-nm-RF-Technologie aus seiner 300-mm-Fab 7 in Singapur aus.

ÜBER GF

GF ist der weltweit erste Full-Service-Halbleiterhersteller foundry mit einer wirklich globalen Präsenz. Seit seiner Gründung im März 2009 hat sich das Unternehmen schnell zu einer der größten Foundries der Welt entwickelt und bietet mehr als 160 Kunden eine einzigartige Kombination aus fortschrittlicher Technologie und Fertigung. Mit Niederlassungen in Singapur, Deutschland und den Vereinigten Staaten ist GF die einzige foundry , die die Flexibilität und Sicherheit von Fertigungszentren auf drei Kontinenten bietet. Die drei 300-mm-Fabriken und die fünf 200-mm-Fabriken des Unternehmens bieten das gesamte Spektrum an Prozesstechnologien, vom Mainstream bis zur Spitzenklasse. Diese globale Produktionspräsenz wird durch wichtige Einrichtungen für Forschung, Entwicklung und Design Enablement unterstützt, die sich in der Nähe von Zentren für Halbleiteraktivitäten in den Vereinigten Staaten, Europa und Asien befinden. GF ist im Besitz der Advanced Technology Investment Company (ATIC). Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com.

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