Juli 13, 2017Integrierte Lösung nutzt die 22FDX®-Technologievon GF zur Reduzierung von Stromverbrauch, Fläche und Kosten für NB-IoT- und LTE-M-Anwendungen Santa Clara, Kalifornien und Shanghai, China, 13. Juli 2017 - GLOBALFOUNDRIESund VeriSilicon gaben heute eine Zusammenarbeit bekannt, um die branchenweit erste Single-Chip-IoT-Lösung für Low Power Wide Area (LPWA)-Netzwerke der nächsten Generation zu entwickeln. Auf Basis der 22FDX® FD-SOI-Technologie von GF wollen die Unternehmen geistiges Eigentum entwickeln, das ein komplettes Mobilfunkmodem-Modul auf einem einzigen Chip ermöglicht, einschließlich integriertem Basisband, Power Management, RF-Funk und Front-End-Modul, das sowohl Narrowband IoT (NB-IoT) als auch LTE-M-Fähigkeiten kombiniert. Es wird erwartet, dass der neue Ansatz im Vergleich zu aktuellen Angeboten erhebliche Verbesserungen bei Leistung, Fläche und Kosten bringt. Mit der zunehmenden Verbreitung von vernetzten Geräten für intelligente Städte, Haushalte und industrielle Anwendungen entwickeln die Netzbetreiber neue Kommunikationsprotokolle, die den Anforderungen der neuen IoT-Standards besser entsprechen. Die LPWA-Technologie nutzt das vorhandene LTE-Spektrum und die Mobilfunkinfrastruktur, konzentriert sich aber auf die Bereitstellung eines extrem niedrigen Stromverbrauchs, einer erweiterten Reichweite und viel niedrigerer Datenraten für Geräte, die kleine Mengen seltener Daten übertragen, wie beispielsweise angeschlossene Wasser- und Gaszähler. Die beiden führenden LPWA-Konnektivitätsstandards sind LTE-M, von dem erwartet wird, dass er sich auf dem US-Markt durchsetzen wird, und NB-IoT, das in Europa und Asien auf dem Vormarsch ist. Die chinesische Regierung hat beispielsweise NB-IoT für eine landesweite Einführung im kommenden Jahr vorgesehen. Laut ABI Research wird die Kombination dieser beiden Technologien den Absatz von zellularen M2M-Modulen bis 2021 auf fast eine halbe Milliarde erhöhen. GF und VeriSilicon entwickeln eine IP-Suite, mit der Kunden kosten- und energieoptimierte Single-Chip-Lösungen für den weltweiten Einsatz entwickeln können, die auf einem Dual-Mode-Carrier-Grade-Basisband-Modem mit integriertem RF-Frontend-Modul basieren. Das Design wird mit dem 22FDX-Prozess von GF gefertigt, der eine 22-nm-FD-SOI-Technologieplattform nutzt, um eine kostengünstige Skalierung und Leistungsreduzierung für IoT-Anwendungen zu ermöglichen. 22FDX ist die einzige Technologie, die eine effiziente Single-Chip-Integration von RF-, Transceiver-, Basisband-, Prozessor- und Power-Management-Komponenten ermöglicht. Es wird erwartet, dass diese Integration im Vergleich zu den heutigen 40-nm-Technologien zu einer 80-prozentigen Verbesserung bei Stromverbrauch und Chipgröße führen wird. "Unsere 22FDX-Technologie ist perfekt positioniert, um das explosive Wachstum von batteriebetriebenen IoT-Geräten mit geringem Stromverbrauch zu unterstützen", sagte Alain Mutricy, Senior Vice President of Product Management bei GF. "Wir freuen uns besonders über die Möglichkeiten, die der chinesische Markt bietet, der mit seinem landesweiten Engagement für IoT und intelligente Städte eine Vorreiterrolle einnimmt. Diese neue Initiative baut auf unserer langjährigen Beziehung zu VeriSilic auf - ein wichtiger Partner, der uns beim Aufbau eines FD-SOI-Ökosystems rund um unsere neue 300mm-Fabrik in Chengdu unterstützt." "Als Silicon Platform as a Service (SiPaaS)-Unternehmen, das vor mehr als fünf Jahren gegründet wurde, hat VeriSilicon FD-SOI-IPs entwickelt und erste Siliziumerfolge bei vielen Chips auf Basis von FD-SOI-Technologien erzielt. Für IoT-Anwendungen sind neben den Kostenvorteilen integrierte RF, Body Bias und eingebettete Speicher wie MRAM die Hauptvorteile von FD-SOI-Technologien jenseits von 28 nm Bulk-CMOS", so Wayne Dai, Chairman, President und CEO von VeriSilicon. "Integriert mit RF und PA auf GF 22FDX, werden das Basisband und der Protokollstack auf unserem energieeffizienten und programmierbaren ZSPnano implementiert, der für die Steuerung und den Datenfluss mit leistungsstarken Einzelzyklusbefehlen mit geringer Latenz für die Signalverarbeitung optimiert ist. Die neue 300-mm-Fertigung von GF für FDX in Chengdu und IP-Plattformen wie diese Single-Chip-Lösung für integriertes NB-IoT und LTE-M werden einen bedeutenden Einfluss auf die chinesische IoT- und AIoT-Industrie (AI of Things) haben." GF und VeriSilicon werden voraussichtlich im vierten Quartal 2017 einen Testchip auf Basis der integrierten Lösung mit einer Silizium-Validierung auf den Markt bringen. Die Unternehmen planen, Mitte 2018 die Trägerzertifizierung anzustreben. Über GF: GLOBALFOUNDRIES ist ein führender Full-Service-Halbleiterhersteller foundry und bietet eine einzigartige Kombination aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen für einige der weltweit führenden Technologieunternehmen. Mit einer globalen Produktionspräsenz, die sich über drei Kontinente erstreckt, ermöglicht GLOBALFOUNDRIES die Technologien und Systeme, die Industrien verändern und Kunden die Möglichkeit geben, ihre Märkte zu gestalten. GLOBALFOUNDRIES ist im Besitz der Mubadala Development Company. Weitere Informationen finden Sie unter https://www.globalfoundries.com. Über VeriSilicon VeriSilicon Holdings Co., Ltd. (VeriSilicon) ist ein Silicon Platform as a Service (SiPaaS®)-Unternehmen, das umfassende System on a Chip (SoC)- und System in a Package (SiP)-Lösungen für eine Vielzahl von Endmärkten anbietet, darunter mobile Internetgeräte, Rechenzentren, das Internet der Dinge (IoT), Automobil-, Industrie- und Medizinelektronik. Unsere Technologien für maschinelles Lernen und künstliche Intelligenz sind gut positioniert, um die Entwicklung hin zu "intelligenten" Geräten anzugehen. SiPaaS verschafft unseren Kunden einen beträchtlichen Vorsprung im Halbleiterdesign- und -entwicklungsprozess und ermöglicht es ihnen, sich auf ihre Kernkompetenzen mit differenzierenden Merkmalen zu konzentrieren. Unsere schlüsselfertigen End-to-End-Halbleiterdienste können ein Design in Rekordzeit vom Konzept zu einem fertigen, getesteten und verpackten Halbleiterchip führen. Der Umfang und die Flexibilität unserer SiPaaS-Lösungen machen sie zu leistungsfähigen und kosteneffizienten Alternativen für eine Vielzahl von Kundentypen, darunter aufstrebende und etablierte Halbleiterunternehmen, Original Equipment Manufacturers (OEMs), Original Design Manufacturers (ODMs) und große Internet-/Cloud-Plattform-Unternehmen. Die Pixelverarbeitungsplattform von VeriSilicon für Kamera, Display und Video umfasst einen High-Fidelity-ISP, einen eingebetteten Vision Image Processor (VIP) mit Beschleunigung des maschinellen Lernens, eine stromsparende Vivante®-GPU und eine leistungsstarke GPGPU, einen ultrahochauflösenden Hantro®-Videocodec und einen reichhaltig ausgestatteten Display-Controller, die nahtlos zusammenarbeiten, um die beste PPA (Performance, Power, Area) zu erzielen. Darüber hinaus bieten die auf unseren ZSP®-Technologien (digitaler Signalprozessor) basierenden HD-Audio-/Voice-Plattformen und Multiband-/Multimode-Wireless-Basisband-Plattformen, einschließlich BLE, Wi-Fi, NB-IoT und 5G, skalierbare Architekturen für Anwendungen mit extrem niedrigem Stromverbrauch und extrem hoher Leistung. Unser wertschöpfendes IP-Portfolio für gemischte Signale ermöglicht energieeffiziente Natural User Interface (NUI)-Plattformen für Sprache, Gesten und Berührung. VeriSilicon wurde 2001 gegründet und hat seinen Hauptsitz in Shanghai, China. Das Unternehmen beschäftigt über 600 Mitarbeiter in fünf Forschungs- und Entwicklungszentren und neun Vertriebsbüros weltweit. Kontakte: Jason GorssGF(518) 698-7765[email protected] Miya KongVeriSilicon+86 21 51311118[email protected]
