Wird 2018 wirklich das "Jahr der 5G" sein?

von: Dr. Bami Bastani

Als ich aus den Ferien zurückkam, dachte ich, ich sei in eine Zeitschleife geraten. Habe ich den Januar verschlafen und bin erst Ende Februar aufgewacht? Ich erwartete die übliche Flut von Nachrichten über die Gadgets und Geräte, die auf der kommenden Consumer Electronics Show(CES 2018) vorgestellt werden. Stattdessen habe ich eine Geschichte nach der anderen über 5G-Mobilfunknetze der nächsten Generation gesehen - typischerweise der Stoff, aus dem der Mobile World Congress in Barcelona ist.

Zeitverschiebung hin oder her, eines ist klar: 2018 wird ein großes Jahr für 5G werden. Da bis 2020 schätzungsweise 8,4 Milliarden vernetzte Geräte auf dem Markt sein werden, steigt der Bedarf an einem ultraschnellen Netz mit hoher Bandbreite und geringer Latenz, um sie zu verbinden. 5G wird kommen, und es kann nicht früh genug kommen.

Die Keynote von Qualcomm am 10. Januar wird mit Sicherheit ein Höhepunkt des 5G-Trubels auf der CES 2018 sein. Cristiano Amon, Präsident von Qualcomm, wird die Vision von Qualcomm für die Führung im 5G-Zeitalter vorstellen. Wir hatten das Glück, eine Vorschau auf Cristianos Geschichte zu hören, als er im September eine Keynote auf unserer GLOBALFOUNDRIES Technical Conference (GTC 2017) hielt. Einer seiner Hauptpunkte war, dass die anspruchsvollen Anforderungen von 5G-Netzwerken die Komplexität auf der Chipsatz-Ebene erhöhen. Dies bedeutet, dass Siliziuminnovationen für den Übergang zu 5G unerlässlich sind.

GF bietet eine breite Palette von Halbleitertechnologien an, die den Kunden den Übergang zu 5G-Mobilfunknetzen der nächsten Generation erleichtern. Wir verfügen über das branchenweit breiteste Angebot an Technologielösungen für eine Reihe von 5G-Anwendungen, darunter mmWave-Front-End-Module (FEMs), eigenständige oder integrierte mmWave-Transceiver und Basisband-Chips sowie Hochleistungs-Anwendungsprozessoren für Mobilfunk und Netzwerke.

Unsere Roadmap umfasst Angebote in RF-SOI, Silizium-Germanium (SiGe) und CMOS, einschließlich einer breiten Palette an ausgereiften und fortschrittlichen Knoten mit RF-optimierten Optionen in Kombination mit einer breiten Palette an ASIC-Designdienstleistungen und IP. Diese anwendungsspezifischen Lösungen adressieren verschiedene Kundenansätze für 5G, indem sie ein breites Spektrum an Fähigkeiten unterstützen, von Sensoren mit extrem niedrigem Energieverbrauch über ultraschnelle Geräte mit langer Batterielebensdauer bis hin zu höheren Integrationsniveaus, die On-Chip-Speicher unterstützen.

• 5G RF and mmWave Transceivers and Baseband Processing: Whether it’s for 5G <6GHz applications or the new 5G mmWave bands, GF’s broad range of CMOS technologies with FinFET, FD-SOI and more mature bulk CMOS technologies have optimized RF and mmWave offerings that allow our customers to make the best design trade-offs between cost, power consumption and performance. GF’s FD-SOI technologies (22FDX and 12FDX) are truly differentiated CMOS platforms that provide the lowest power consumption solution for any RF or mmWave transceiver. In addition, FDX is very well suited to address another part of the 5G standard, massive IoT networks. GF’s optimized solutions provide customers a flexible and cost-effective solution to integrate RF and mmWave transceivers with baseband modem or digital “calibration” processing in 5G handsets and base stations, NB-IoT solutions and other high-performance applications.
• 5G mmWave Front End Module: Die RF-SOI- und SiGe-Lösungen von GF (130nm-45nm) bieten eine optimale Kombination aus Leistung, Integration und Energieeffizienz für FEMs mit integrierten Schaltern, rauscharmen Verstärkern und Leistungsverstärkeranwendungen. Für bestimmte Anwendungen wie 5G mmWave Handsets und kleine Basisstationen ermöglicht das optimierte 22FDX mmWave-Angebot von GF die Integration von FEMs und Transceivern auf einem einzigen Chip, was erhebliche Vorteile in Bezug auf Kosten, Stromverbrauch und Platzbedarf mit sich bringt. Die mmWave-Lösungen von GF sind für Anwendungen in Frequenzbändern von unter 6 GHz bis mmWave ausgelegt.
• Fortschrittliche Anwendungsverarbeitung: Die fortschrittlichen CMOS FinFET-basierten Prozesstechnologien von GF bieten eine optimale Kombination aus Leistung, Integration und Energieeffizienz für Smartphone-Prozessoren der nächsten Generation, Netzwerke mit geringer Latenzzeit und massive MIMO-Netzwerke. Fortschrittliche CMOS-Lösungen sind ab sofort bei GF erhältlich.
• Kundenspezifisches Design für 5G Wireless-Basisstationen: Die anwendungsspezifischen ASIC-Designsysteme (FX-14 und FX-7) des Unternehmens ermöglichen optimierte 5G-Lösungen (Funktionsmodule) durch die Unterstützung von drahtlosen Infrastrukturprotokollen auf Hochgeschwindigkeits-SerDes, Lösungen zur Integration von fortschrittlichem Packaging, monolithischer, ADC/DAC- und programmierbarer Logik.

5G wird zweifellos eine wesentliche Rolle dabei spielen, dass die Netze der nächsten Generation eine "Null-Distanz-Konnektivität" zwischen Nutzern und ihren Geräten bieten, so dass die Menschen die Rechenleistung der Cloud und die Edge-to-Edge-Konnektivität voll nutzen können. Angesichts der rasant steigenden Nachfrage nach 5G wird GF weiterhin mit seinen Partnern zusammenarbeiten, um Lösungen anzubieten, die es unseren Kunden ermöglichen, in diesem wettbewerbsintensiven Bereich erfolgreich zu sein. Bleiben Sie dran, denn wir werden im Laufe des kommenden Jahres weitere Details zu unseren Technologielösungen für 5G bekannt geben.