7. März 2022In unserem letzten Blog haben wir uns mit der sich rasch verändernden Landschaft für Halbleiter befasst. Die explosionsartige Zunahme der zu erstellenden, auszutauschenden und zu vernetzenden Daten erfordert effizientere Chips, die weniger Strom verbrauchen. Um diese Anforderungen im Rechenzentrum sowie in neu entstehenden Sensor- und Computeranwendungen wie künstliche Intelligenz (KI), Metaverse, Streaming, Spiele und soziale Medien zu erfüllen, suchen Hardwareentwickler und Kunden nach einer fast schon phantastischen Liste von Anforderungen: Flexibilität beim Mischen und Anpassen von Chipfunktionen in einer Vielzahl von Chipgrößen und -gehäusen, mehr Rechenleistung bei geringerem Stromverbrauch, Erschwinglichkeit und schnellere Datenübertragung. Im Rahmen der Übernahme von IBM Microelectronics im Jahr 2015 erwarb GF Photonik-Know-how und geistiges Eigentum von IBM Research. Seitdem hat das Unternehmen Möglichkeiten entwickelt und verfeinert, um diese in die Serienproduktion zu überführen, da die Nachfrage nach mehr Leistungsfähigkeit, besserer Energieeffizienz und höherer Bandbreite auf dem Markt wächst. Jetzt hat GF sein Portfolio um zwei neue Hochleistungslösungen erweitert: die GF FotonixTM Photonics-Plattform und neue, verbesserte Funktionen für die bereits verfügbare Silizium-Germanium (SiGe) 9HP-Plattform. GF Fotonix, das in der GF Fab 8 in Malta, New York, erhältlich ist, integriert monolithisch HF-, Digital- und Silizium-Photonik-Schaltkreise auf ein und demselben Chip und nutzt dabei die Größenordnung, Effizienz und Optimierung der 300-Millimeter-Silizium-Fertigung. Die hochvolumige Silizium-Fertigung von GF - kombiniert mit innovativem 2,5D- und 3D-Stacking - ermöglicht eine extrem hohe Integration elektrischer, optischer und kommunikativer Funktionen in einem einzigen monolithischen Design. Mit dieser Lösung können Kunden mehr Produktfunktionen auf dem Chip integrieren und die Materialliste vereinfachen. Die wichtigsten Merkmale sind: Verlustarme passive Bauelemente (wie SiN- und Si-WGs, Verjüngungen, MMIs) Aktive photonische Hochleistungskomponenten (wie MZM, MRM und GePDs) Aktive und passive RFCMOS-Hochleistungsbauteile Digitale Standardzellenbibliothek V-Nuten zur Unterstützung der passiven Faserbefestigung Für Kunden, die diskrete Hochleistungskomponenten für optische Transceiver benötigen, kündigt GF zudem neue Funktionen für das GF SiGe (9HP) Portfolio an. Hochleistungs-Silizium-Germanium (SiGe)-Lösungen von GF liefern die Geschwindigkeit und Bandbreite, die für den Transport von Informationen über Glasfaser-Hochgeschwindigkeitsnetzwerke erforderlich sind. Mit diesem neuen Funktionssatz können Kunden leistungsstärkere digitale und RF-Funktionen integrieren und Skaleneffekte auf dem Silizium nutzen. Diese Option ermöglicht Datenübertragungsraten von 800 Gbit/s, um den Stromverbrauch von optischen Verbindungen in Rechenzentren zu reduzieren. Dieser neue Funktionssatz ist auch ideal für 5G- und zukünftige 6G- und ähnliche Telekommunikations- und Mobilfunkanwendungen. Die SiGe-Plattform von GF bietet eine maximale Bandbreite und Funktionalität bei gleichzeitiger Minimierung von Stromverbrauch und Kosten. GF bietet ein elektro-optisches Prozessdesign-Kit (PDK) an, das p-Zellen für photonische und elektrische Komponenten enthält, um seinen Kunden den Einstieg in das Design für Lichtgeschwindigkeit zu erleichtern. Referenzdesigns, Design-Services und Post-Fab-Services werden ebenso angeboten wie eine digitale Standardzellenbibliothek. GF arbeitet mit Branchenführern wie Broadcom, Cisco Systems, Inc, Marvell und NVIDIA sowie mit führenden Anbietern von Photonic Computing wie Ayar Labs, Lightmatter, PsiQuantum, Ranovus und Xanadu zusammen, um innovative, einzigartige und funktionsreiche Lösungen für einige der größten Herausforderungen zu liefern, denen sich Rechenzentren heute gegenübersehen. Erfahren Sie hiermehr . Um Kunden zu helfen, ihre Designs effizienter auf den Markt zu bringen, bieten die führenden EDA-Unternehmen Ansys, Cadence Design Systems, Inc. und Synopsys, Inc. Design-Tools an, die integrierte Silizium-Photonik-basierte Chips und Chiplets unterstützen. Weitere Informationen finden Sie hier.
