18. Oktober 2023 In Zusammenarbeit mit der US-Regierung nähert sich das Halbleiterwerk von GF in Vermont weiter der Großserienproduktion von Galliumnitrid-Chips der nächsten Generation für den Einsatz in der Luft- und Raumfahrt, im Verteidigungsbereich, in der Mobilkommunikation, im industriellen IoT und in der Automobilindustrie ESSEX JUNCTION, VT, 18. Oktober 2023 - GlobalFoundries (Nasdaq: GFS) (GF) hat von der US-Regierung Fördermittel in Höhe von 35 Millionen US-Dollar erhalten, um die Herstellung der differenzierten Galliumnitrid-(GaN)-Silizium-Halbleiter von GF in seinem Werk in Essex Junction, Vermont, zu beschleunigen. Diese Finanzierung bringt GF der Massenproduktion von GaN-Chips näher, die sich durch ihre einzigartige Fähigkeit auszeichnen, hohe Spannungen und Temperaturen zu verarbeiten. Diese Chips sind in der Lage, eine bahnbrechende Leistung und Effizienz in der 5G- und 6G-Mobilkommunikation für Infrastrukturen und Mobiltelefone, in der Automobilindustrie und im industriellen Internet der Dinge (IoT) sowie in Stromnetzen und anderen kritischen Infrastrukturen zu ermöglichen. Mit den neuen Mitteln in Höhe von 35 Millionen US-Dollar, die vom Trusted Access Program Office (TAPO) des Verteidigungsministeriums vergeben wurden, plant GF den Kauf zusätzlicher Werkzeuge, um die Entwicklungs- und Prototyping-Fähigkeiten zu erweitern und der Herstellung von 200-mm-GaN-Halbleitern auf Siliziumbasis näher zu kommen. Als Teil der Investition plant GF die Implementierung neuer Fähigkeiten, um die Abhängigkeit von Gallium in der Lieferkette für GF und seine Kunden zu verringern und gleichzeitig die Entwicklungsgeschwindigkeit, die Versorgungssicherheit und die Wettbewerbsfähigkeit von in den USA hergestellten GaN-Chips zu verbessern. Die Finanzierung baut auf einer jahrelangen Zusammenarbeit mit der US-Regierung auf - einschließlich einer Unterstützung in Höhe von 40 Millionen US-Dollar von 2020 bis 2022 -, die das Talent des GF-Teams in Vermont und seine Erfahrung in der 200-mm-Halbleiterfertigung nutzt und auf die GaN-on-Silicon-Fertigung anwendet. 200 mm ist der Stand der Technik für GaN-Chiptechnologie. "Vermont ist führend in der Halbleiterinnovation. Diese Bundesfinanzierung ist eine willkommene Nachricht und wird die Position unseres Bundesstaates als Vorreiter bei der Herstellung von Chips der nächsten Generation festigen", sagte Senator Peter Welch. "Es ist wichtig, dass wir Investitionen in diese Industrie hier in Vermont und in den USA unterstützen - sowohl für unser lokales Wirtschaftswachstum als auch für unsere nationale Sicherheit. Ich freue mich darauf, im Senat weiterhin für unsere heimischen Halbleiter- und Chip-Hersteller zu kämpfen." "Diese strategische Investition stärkt weiterhin unser heimisches Ökosystem kritischer kommerzieller Technologien mit doppeltem Verwendungszweck und stellt sicher, dass sie für die Nutzung durch das Verteidigungsministerium leicht verfügbar und sicher sind. In Zusammenarbeit mit wichtigen Partnern gestalten wir proaktiv die Zukunft unserer Verteidigungssysteme", sagte Christopher J. Lowman, Assistant Secretary of Defense for Sustainment. "GaN auf Silizium ist eine ideale Technologie für Hochleistungs-Hochfrequenz-, Hochspannungs-Schalt- und Steuerungsanwendungen für aufstrebende Märkte und wichtig für die drahtlose 6G-Kommunikation, industrielles IoT und Elektrofahrzeuge", sagte Dr. Thomas Caulfield, Präsident und CEO von GF. "GF pflegt eine langjährige Partnerschaft mit der US-Regierung, und diese Finanzierung ist entscheidend, um die Serienproduktion von GaN-Chips auf Siliziumbasis voranzutreiben. Diese Chips werden es unseren Kunden ermöglichen, kühne neue Entwürfe zu realisieren, die die Grenzen der Energieeffizienz und Leistung kritischer Technologien, auf die wir uns jeden Tag verlassen, erweitern." Das Werk von GF in Essex Junction, Vermont, in der Nähe von Burlington, war eine der ersten grossen Halbleiterproduktionsstätten in den Vereinigten Staaten. Heute arbeiten dort rund 1 800 Mitarbeitende von GF. Die auf der Grundlage der differenzierten Technologien von GF hergestellten Chips werden weltweit in Smartphones, Automobilen und Kommunikationsinfrastrukturen eingesetzt. Das Werk ist ein von der DMEA akkreditiertes Trusted Foundry und stellt in Zusammenarbeit mit dem US-Verteidigungsministerium sichere Chips her, die in einigen der sensibelsten Luft- und Raumfahrt- und Verteidigungssysteme der USA zum Einsatz kommen. Über GF GlobalFoundries (GF) ist einer der weltweit führenden Halbleiterhersteller. GF definiert Innovation und Halbleiterfertigung neu, indem es funktionsreiche Prozesstechnologielösungen entwickelt und bereitstellt, die eine führende Leistung in allgegenwärtigen, wachstumsstarken Märkten bieten. GF bietet eine einzigartige Mischung aus Design-, Entwicklungs- und Fertigungsdienstleistungen. Mit einer talentierten und vielseitigen Belegschaft und einer Produktionsbasis, die sich über die USA, Europa und Asien erstreckt, ist GF eine vertrauenswürdige Technologiequelle für seine weltweiten Kunden. Weitere Informationen finden Sie unter www.gf.com. GF, GlobalFoundries, die GF-Logos und andere GF-Marken sind Marken von GlobalFoundries Inc. oder ihrer Tochtergesellschaften. Alle anderen Marken sind das Eigentum ihrer jeweiligen Inhaber. Zukunftsorientierte Informationen Diese Pressemitteilung kann zukunftsgerichtete Aussagen enthalten, die mit Risiken und Ungewissheiten verbunden sind. 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